JPH06120303A - インナリードボンダ - Google Patents
インナリードボンダInfo
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- JPH06120303A JPH06120303A JP4262430A JP26243092A JPH06120303A JP H06120303 A JPH06120303 A JP H06120303A JP 4262430 A JP4262430 A JP 4262430A JP 26243092 A JP26243092 A JP 26243092A JP H06120303 A JPH06120303 A JP H06120303A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- bonding tool
- inner lead
- thermocompression
- bump electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ギャングボンディング方式とシングルポイン
トボンディング方式の両者の問題を相殺して、インデッ
クス及び歩留まりの両者の向上を図る。 【構成】 ＴＡＢテープ（1）の半導体ペレット（4）の
一辺（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）に第１の
インナリード（5a）を熱圧着する第１のボンディングツ
ール（11a）と、上記一辺（4a）と直交する一辺（4b）
に位置する第２のバンプ電極（6b）に第２のインナリー
ド（5b）を熱圧着する第２のボンディングツール（11
b）とを具備する。第１のボンディングツール（11a）
は、ＴＡＢテープ（1）の搬送方向と直交する対向二辺
（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）間で第１のボ
ンディングツール（11a）を往復移動させる第１の搬送
機構（12a）を具備し、第２のボンディングツール（11
b）は、ＴＡＢテープ（1）の搬送方向に沿う対向二辺
（4b）に位置する第２のバンプ電極（6b）間で第２のボ
ンディングツール（11b）を往復移動させる第２の搬送
機構（12b）を具備する。
トボンディング方式の両者の問題を相殺して、インデッ
クス及び歩留まりの両者の向上を図る。 【構成】 ＴＡＢテープ（1）の半導体ペレット（4）の
一辺（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）に第１の
インナリード（5a）を熱圧着する第１のボンディングツ
ール（11a）と、上記一辺（4a）と直交する一辺（4b）
に位置する第２のバンプ電極（6b）に第２のインナリー
ド（5b）を熱圧着する第２のボンディングツール（11
b）とを具備する。第１のボンディングツール（11a）
は、ＴＡＢテープ（1）の搬送方向と直交する対向二辺
（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）間で第１のボ
ンディングツール（11a）を往復移動させる第１の搬送
機構（12a）を具備し、第２のボンディングツール（11
b）は、ＴＡＢテープ（1）の搬送方向に沿う対向二辺
（4b）に位置する第２のバンプ電極（6b）間で第２のボ
ンディングツール（11b）を往復移動させる第２の搬送
機構（12b）を具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインナリードボンダに関
し、詳しくは、ＴＡＢ式半導体装置の製造に使用され、
ＴＡＢテープの透孔に張り出したインナリードとその透
孔内に収納配置された半導体ペレットのバンプ電極とを
熱圧着により電気的に接続するインナリードボンダに関
する。
し、詳しくは、ＴＡＢ式半導体装置の製造に使用され、
ＴＡＢテープの透孔に張り出したインナリードとその透
孔内に収納配置された半導体ペレットのバンプ電極とを
熱圧着により電気的に接続するインナリードボンダに関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＴＡＢ式半導体装置は、図４及
び図５に示すような長尺なＴＡＢテープ（1）から一括
して多数個製造される。このＴＡＢテープ（1）は、絶
縁フィルム（2）上に配線パターン〔図示せず〕を被着
形成し、上記絶縁フィルム（2）に透孔（3）を所定ピッ
チで穿設したもので、上記透孔（3）内に半導体ペレッ
ト（4）を収納配置し、配線パターンが透孔（3）に張り
出したインナリード（5）の先端と上記半導体ペレット
（4）の表面にあるバンプ電極（6）とを熱圧着により電
気的に接続した構造を有する。
び図５に示すような長尺なＴＡＢテープ（1）から一括
して多数個製造される。このＴＡＢテープ（1）は、絶
縁フィルム（2）上に配線パターン〔図示せず〕を被着
形成し、上記絶縁フィルム（2）に透孔（3）を所定ピッ
チで穿設したもので、上記透孔（3）内に半導体ペレッ
ト（4）を収納配置し、配線パターンが透孔（3）に張り
出したインナリード（5）の先端と上記半導体ペレット
（4）の表面にあるバンプ電極（6）とを熱圧着により電
気的に接続した構造を有する。
【０００３】上記ＴＡＢ式半導体装置の製造で、ＴＡＢ
テープ（1）のインナリード（5）の先端と半導体ペレッ
ト（4）のバンプ電極（6）とを電気的に接続するに際し
ては、後述のボンディングツールを具備したインナリー
ドボンダが使用される。
テープ（1）のインナリード（5）の先端と半導体ペレッ
ト（4）のバンプ電極（6）とを電気的に接続するに際し
ては、後述のボンディングツールを具備したインナリー
ドボンダが使用される。
【０００４】このインナリードボンダでは、テープガイ
ド〔図示せず〕により案内されながら搬送されてきたＴ
ＡＢテープ（1）を位置決めした上で、図６に示すよう
にステージ（7）上に載置された半導体ペレット（4）
を、ＴＡＢテープ（1）の透孔（3）の下方から上昇さ
せ、上記半導体ペレット（4）のバンプ電極（6）をＴＡ
Ｂテープ（1）のインナリード（5）に当接させる。これ
に対して、ＴＡＢテープ（1）の上方に配置したボンデ
ィングツール〔図示せず〕を下降させることにより、図
中実線矢印で示すようにインナリード（5）の先端をバ
ンプ電極（6）に所定の圧力でもって押圧すると共に、
ボンディングツールに内蔵されたヒータでその押圧部分
を加熱することにより、最終的にインナリード（5）を
バンプ電極（6）に熱圧着する。
ド〔図示せず〕により案内されながら搬送されてきたＴ
ＡＢテープ（1）を位置決めした上で、図６に示すよう
にステージ（7）上に載置された半導体ペレット（4）
を、ＴＡＢテープ（1）の透孔（3）の下方から上昇さ
せ、上記半導体ペレット（4）のバンプ電極（6）をＴＡ
Ｂテープ（1）のインナリード（5）に当接させる。これ
に対して、ＴＡＢテープ（1）の上方に配置したボンデ
ィングツール〔図示せず〕を下降させることにより、図
中実線矢印で示すようにインナリード（5）の先端をバ
ンプ電極（6）に所定の圧力でもって押圧すると共に、
ボンディングツールに内蔵されたヒータでその押圧部分
を加熱することにより、最終的にインナリード（5）を
バンプ電極（6）に熱圧着する。
【０００５】ここで、上記インナリード（5）をバンプ
電極（6）に熱圧着する方式としては、ギャングボンデ
ィング方式とシングルポイントボンディング方式とがあ
り、前者のギャングボンディング方式では、図７に示す
ようにボンディングツール（8）の熱圧着面がほぼ半導
体ペレット（4）の大きさ程度の矩形状を有し、その熱
圧着面でもって半導体ペレット（4）のすべてのバンプ
電極（6）にインナリード（5）を一括して同時に熱圧着
する。これに対して、後者のシングルポイントボンディ
ング方式では、図８に示すようにボンディングツール
（9）の熱圧着面が一つのインナリード（5）と対応する
大きさ程度を有し、その熱圧着面でもってインナリード
（5）をバンプ電極（6）に一つずつ順次熱圧着する。
電極（6）に熱圧着する方式としては、ギャングボンデ
ィング方式とシングルポイントボンディング方式とがあ
り、前者のギャングボンディング方式では、図７に示す
ようにボンディングツール（8）の熱圧着面がほぼ半導
体ペレット（4）の大きさ程度の矩形状を有し、その熱
圧着面でもって半導体ペレット（4）のすべてのバンプ
電極（6）にインナリード（5）を一括して同時に熱圧着
する。これに対して、後者のシングルポイントボンディ
ング方式では、図８に示すようにボンディングツール
（9）の熱圧着面が一つのインナリード（5）と対応する
大きさ程度を有し、その熱圧着面でもってインナリード
（5）をバンプ電極（6）に一つずつ順次熱圧着する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のインナリードボンダでは、インナリード（5）をバ
ンプ電極（6）に熱圧着する方式として、ギャングボン
ディング方式とシングルポイントボンディング方式の両
者でそれぞれ以下のような問題があった。
来のインナリードボンダでは、インナリード（5）をバ
ンプ電極（6）に熱圧着する方式として、ギャングボン
ディング方式とシングルポイントボンディング方式の両
者でそれぞれ以下のような問題があった。
【０００７】まず、前者のギャングボンディング方式で
は、インナリード（5）をバンプ電極（6）に一括して熱
圧着することができてインデックスの向上が図れる。し
かしながら、ボンディングツール（8）の熱圧着面とす
べてのインナリード（5）及びバンプ電極（6）との平行
度を確保することが非常に困難で、また、上記インナリ
ード（5）の厚みやバンプ電極（6）の高さのばらつきが
あり、これらを原因として、すべてのインナリード
（5）をバンプ電極（6）に均一な状態で熱圧着すること
が困難となり、両者の接続不良からなる不良品が発生し
やすくなり歩留まりが低下するという問題があった。
は、インナリード（5）をバンプ電極（6）に一括して熱
圧着することができてインデックスの向上が図れる。し
かしながら、ボンディングツール（8）の熱圧着面とす
べてのインナリード（5）及びバンプ電極（6）との平行
度を確保することが非常に困難で、また、上記インナリ
ード（5）の厚みやバンプ電極（6）の高さのばらつきが
あり、これらを原因として、すべてのインナリード
（5）をバンプ電極（6）に均一な状態で熱圧着すること
が困難となり、両者の接続不良からなる不良品が発生し
やすくなり歩留まりが低下するという問題があった。
【０００８】これに対して、シングルポイントボンディ
ング方式では、上記ギャングボンディング方式とは逆の
問題があった。即ち、この方式では、インナリード
（5）をバンプ電極（6）に一つずつ熱圧着するため、ボ
ンディングツール（9）の熱圧着面とインナリード（5）
及びバンプ電極（6）との平行度、インナリード（5）の
厚みやバンプ電極（6）の高さのばらつきにかかわりな
く、インナリード（5）をバンプ電極（6）に確実に熱圧
着することができるので、両者の接続不良からなる不良
品が発生しにくく、歩留まりが向上する。しかしなが
ら、インナリード（5）をバンプ電極（6）に一つずつ熱
圧着するために非常に時間がかかり、特に、半導体装置
の高集積化に伴ってインナリード（5）の本数が増加し
た場合、インデックスの低下が著しいという問題があっ
た。
ング方式では、上記ギャングボンディング方式とは逆の
問題があった。即ち、この方式では、インナリード
（5）をバンプ電極（6）に一つずつ熱圧着するため、ボ
ンディングツール（9）の熱圧着面とインナリード（5）
及びバンプ電極（6）との平行度、インナリード（5）の
厚みやバンプ電極（6）の高さのばらつきにかかわりな
く、インナリード（5）をバンプ電極（6）に確実に熱圧
着することができるので、両者の接続不良からなる不良
品が発生しにくく、歩留まりが向上する。しかしなが
ら、インナリード（5）をバンプ電極（6）に一つずつ熱
圧着するために非常に時間がかかり、特に、半導体装置
の高集積化に伴ってインナリード（5）の本数が増加し
た場合、インデックスの低下が著しいという問題があっ
た。
【０００９】そこで、本発明は上記ギャングボンディン
グ方式とシングルポイントボンディング方式の両者の問
題点に鑑みて提案されたもので、その目的とするところ
は、両方式の問題を相殺して、インデックス及び歩留ま
りの両者の向上を図り得るインナリードボンダを提供す
ることにある。
グ方式とシングルポイントボンディング方式の両者の問
題点に鑑みて提案されたもので、その目的とするところ
は、両方式の問題を相殺して、インデックス及び歩留ま
りの両者の向上を図り得るインナリードボンダを提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明は、ＴＡＢテープの透孔に
張り出して配置されたインナリードの先端とその透孔内
に収納配置された矩形状ペレットのバンプ電極とを熱圧
着により電気的に接続するものにおいて、矩形状ペレッ
トの一辺に配列されたバンプ電極に、上記インナリード
を熱圧着するボンディングツールを具備したことを特徴
とする。
の技術的手段として、本発明は、ＴＡＢテープの透孔に
張り出して配置されたインナリードの先端とその透孔内
に収納配置された矩形状ペレットのバンプ電極とを熱圧
着により電気的に接続するものにおいて、矩形状ペレッ
トの一辺に配列されたバンプ電極に、上記インナリード
を熱圧着するボンディングツールを具備したことを特徴
とする。
【００１１】また、上記ボンディングツールは、矩形状
ペレットの一辺に配列された第１のバンプ電極に、イン
ナリードを熱圧着する第１のボンディングツールと、上
記一辺と隣接して直交する一辺に配列された第２のバン
プ電極に、インナリードを熱圧着する第２のボンディン
グツールとで構成することが望ましい。
ペレットの一辺に配列された第１のバンプ電極に、イン
ナリードを熱圧着する第１のボンディングツールと、上
記一辺と隣接して直交する一辺に配列された第２のバン
プ電極に、インナリードを熱圧着する第２のボンディン
グツールとで構成することが望ましい。
【００１２】更に、上記第１のボンディングツールは、
ＴＡＢテープの搬送方向と直交する方向に配列して対向
二辺に位置する第１のバンプ電極間で、第１のボンディ
ングツールを往復移動させる第１の搬送機構を具備し、
第２のボンディングツールは、ＴＡＢテープの搬送方向
に配列して対向二辺に位置する第２のバンプ電極間で、
第２のボンディングツールを往復移動させる第２の搬送
機構を具備することが望ましい。
ＴＡＢテープの搬送方向と直交する方向に配列して対向
二辺に位置する第１のバンプ電極間で、第１のボンディ
ングツールを往復移動させる第１の搬送機構を具備し、
第２のボンディングツールは、ＴＡＢテープの搬送方向
に配列して対向二辺に位置する第２のバンプ電極間で、
第２のボンディングツールを往復移動させる第２の搬送
機構を具備することが望ましい。
【００１３】
【作用】本発明に係るインナリードボンダでは、矩形状
ペレットの一辺に配列されたバンプ電極に、インナリー
ドを熱圧着するボンディングツールを具備したことによ
り、そのボンディングツールでもって、ＴＡＢテープの
インナリードをバンプ電極に矩形状ペレットの一辺ずつ
熱圧着するので、ギャングボンディング方式と比較し
て、上記ボンディングツールの熱圧着面とインナリード
及びバンプ電極との平行度を厳密に設定する必要がない
と共に、インナリードの厚みやバンプ電極の高さのばら
つきに影響されることが少ない。また、シングルポイン
トボンディング方式と比較して、ボンディングツールで
熱圧着されるインナリード及びバンプ電極の数が増加す
る。
ペレットの一辺に配列されたバンプ電極に、インナリー
ドを熱圧着するボンディングツールを具備したことによ
り、そのボンディングツールでもって、ＴＡＢテープの
インナリードをバンプ電極に矩形状ペレットの一辺ずつ
熱圧着するので、ギャングボンディング方式と比較し
て、上記ボンディングツールの熱圧着面とインナリード
及びバンプ電極との平行度を厳密に設定する必要がない
と共に、インナリードの厚みやバンプ電極の高さのばら
つきに影響されることが少ない。また、シングルポイン
トボンディング方式と比較して、ボンディングツールで
熱圧着されるインナリード及びバンプ電極の数が増加す
る。
【００１４】
【実施例】本発明に係るインナリードボンダの実施例を
図１乃至図３に示して説明する。尚、図４乃至図８と同
一又は相当部分には同一参照符号を付して重複説明は省
略する。
図１乃至図３に示して説明する。尚、図４乃至図８と同
一又は相当部分には同一参照符号を付して重複説明は省
略する。
【００１５】本発明の特徴は、図１に示すようにボンデ
ィングツール（11）にある。
ィングツール（11）にある。
【００１６】即ち、このボンディングツール（11）は、
半導体ペレット（4）の一辺（4a）（4b）〔図２及び図
３参照〕に配列されたバンプ電極（6a）（6b）に、イン
ナリード（5a）（5b）を熱圧着するため、その熱圧着面
が、上記半導体ペレット（4）の一辺（4a）（4b）に配
列されたバンプ電極（6a）（6b）及びそのバンプ電極
（6a）（6b）に接続すべきＴＡＢテープ（1）のインナ
リード（5a）（5b）と対応した形状を有する。
半導体ペレット（4）の一辺（4a）（4b）〔図２及び図
３参照〕に配列されたバンプ電極（6a）（6b）に、イン
ナリード（5a）（5b）を熱圧着するため、その熱圧着面
が、上記半導体ペレット（4）の一辺（4a）（4b）に配
列されたバンプ電極（6a）（6b）及びそのバンプ電極
（6a）（6b）に接続すべきＴＡＢテープ（1）のインナ
リード（5a）（5b）と対応した形状を有する。
【００１７】具体的に、ボンディングツール（11）は、
半導体ペレット（4）の一辺（4a）に配列されたバンプ
電極（6a）〔以下、第１のバンプ電極と称す〕に、対応
するインナリード（5a）〔以下、第１のインナリードと
称す〕を熱圧着する第１のボンディングツール（11a）
と、上記一辺（4a）と隣接して直交する一辺（4b）に配
列されたバンプ電極（6b）〔以下、第２のバンプ電極と
称す〕に、対応するインナリード（5b）〔以下、第２の
インナリードと称す〕を熱圧着する第２のボンディング
ツール（11b）とで構成する。
半導体ペレット（4）の一辺（4a）に配列されたバンプ
電極（6a）〔以下、第１のバンプ電極と称す〕に、対応
するインナリード（5a）〔以下、第１のインナリードと
称す〕を熱圧着する第１のボンディングツール（11a）
と、上記一辺（4a）と隣接して直交する一辺（4b）に配
列されたバンプ電極（6b）〔以下、第２のバンプ電極と
称す〕に、対応するインナリード（5b）〔以下、第２の
インナリードと称す〕を熱圧着する第２のボンディング
ツール（11b）とで構成する。
【００１８】そして、第１のボンディングツール（11
a）は、ＴＡＢテープ（1）の搬送方向と直交する方向に
配列して対向二辺（4a）と（4a）に位置する第１のバン
プ電極（6a）間で、第１のボンディングツール（11a）
を往復移動させる第１の搬送機構（12a）を具備し、ま
た、第２のボンディングツール（11b）は、ＴＡＢテー
プ（1）の搬送方向に配列して対向二辺（4b）と（4b）
に位置する第２のバンプ電極（6b）間で、第２のボンデ
ィングツール（11b）を往復移動させる第２の搬送機構
（12b）を具備する。
a）は、ＴＡＢテープ（1）の搬送方向と直交する方向に
配列して対向二辺（4a）と（4a）に位置する第１のバン
プ電極（6a）間で、第１のボンディングツール（11a）
を往復移動させる第１の搬送機構（12a）を具備し、ま
た、第２のボンディングツール（11b）は、ＴＡＢテー
プ（1）の搬送方向に配列して対向二辺（4b）と（4b）
に位置する第２のバンプ電極（6b）間で、第２のボンデ
ィングツール（11b）を往復移動させる第２の搬送機構
（12b）を具備する。
【００１９】上記構成からなるインナリードボンダで
は、従来と同様、テープガイド〔図示せず〕により案内
されながら搬送されてきたＴＡＢテープ（1）を位置決
めした上で、ステージ（7）上に載置された半導体ペレ
ット（4）を、ＴＡＢテープ（1）の透孔（3）の下方か
ら上昇させ、上記半導体ペレット（4）のバンプ電極
（6）をＴＡＢテープ（1）のインナリード（5）に当接
させる。
は、従来と同様、テープガイド〔図示せず〕により案内
されながら搬送されてきたＴＡＢテープ（1）を位置決
めした上で、ステージ（7）上に載置された半導体ペレ
ット（4）を、ＴＡＢテープ（1）の透孔（3）の下方か
ら上昇させ、上記半導体ペレット（4）のバンプ電極
（6）をＴＡＢテープ（1）のインナリード（5）に当接
させる。
【００２０】この状態から、図２及び図３に示すように
第１のボンディングツール（11a）及び第２のボンディ
ングツール（11b）をそれぞれ下降させることにより、
第１及び第２のインナリード（5a）（5b）の先端を、第
１及び第２のバンプ電極（6a）（6b）に所定の圧力でも
って押圧すると共に、各ボンディングツール（11a）（1
1b）に内蔵されたヒータでその押圧部分を加熱すること
により、最終的に第１及び第２のインナリード（5a）
（5b）を第１及び第２のバンプ電極（6a）（6b）に熱圧
着する。
第１のボンディングツール（11a）及び第２のボンディ
ングツール（11b）をそれぞれ下降させることにより、
第１及び第２のインナリード（5a）（5b）の先端を、第
１及び第２のバンプ電極（6a）（6b）に所定の圧力でも
って押圧すると共に、各ボンディングツール（11a）（1
1b）に内蔵されたヒータでその押圧部分を加熱すること
により、最終的に第１及び第２のインナリード（5a）
（5b）を第１及び第２のバンプ電極（6a）（6b）に熱圧
着する。
【００２１】ここで、第１のボンディングツール（11
a）では、図２に示すように第１の搬送機構（12a）によ
り、第１のボンディングツール（11a）を、対向する二
辺（4a）と（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）と
（6a）間で移動させることによって、その二辺（4a）
（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）（6a）に、対
応する第１のインナリード（5a）（5a）をそれぞれ熱圧
着する。
a）では、図２に示すように第１の搬送機構（12a）によ
り、第１のボンディングツール（11a）を、対向する二
辺（4a）と（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）と
（6a）間で移動させることによって、その二辺（4a）
（4a）に位置する第１のバンプ電極（6a）（6a）に、対
応する第１のインナリード（5a）（5a）をそれぞれ熱圧
着する。
【００２２】また、第２のボンディングツール（11b）
では、図３に示すように第２の搬送機構（12b）によ
り、第２のボンディングツール（11b）を、対向する二
辺（4b）と（4b）に位置する第２のバンプ電極（6b）と
（6b）間で移動させることによって、その二辺（4b）
（4b）に位置する第２のバンプ電極（6b）（6b）に、対
応する第２のインナリード（5b）（5b）をそれぞれ熱圧
着する。
では、図３に示すように第２の搬送機構（12b）によ
り、第２のボンディングツール（11b）を、対向する二
辺（4b）と（4b）に位置する第２のバンプ電極（6b）と
（6b）間で移動させることによって、その二辺（4b）
（4b）に位置する第２のバンプ電極（6b）（6b）に、対
応する第２のインナリード（5b）（5b）をそれぞれ熱圧
着する。
【００２３】尚、第１ボンディングツール（11a）と第
２のボンディングツール（11b）との動作タイミング
は、半導体ペレット（4）の隣接する二辺（4a）（4b）
について、第１及び第２のボンディングツール（11a）
（11b）を同時動作させ、その後、両ボンディングツー
ル（11a）（11b）を上述した第１と第２の搬送機構（12
a）（12b）でもってそれぞれ移動させた上で、半導体ペ
レット（4）の他の隣接する二辺（4a）（4b）につい
て、第１及び第２のボンディングツール（11a）（11b）
を同時動作させるように設定すればよく、その他の動作
タイミングであってもよい。
２のボンディングツール（11b）との動作タイミング
は、半導体ペレット（4）の隣接する二辺（4a）（4b）
について、第１及び第２のボンディングツール（11a）
（11b）を同時動作させ、その後、両ボンディングツー
ル（11a）（11b）を上述した第１と第２の搬送機構（12
a）（12b）でもってそれぞれ移動させた上で、半導体ペ
レット（4）の他の隣接する二辺（4a）（4b）につい
て、第１及び第２のボンディングツール（11a）（11b）
を同時動作させるように設定すればよく、その他の動作
タイミングであってもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、矩形状ペレットの一辺
に配列されたバンプ電極に、インナリードを熱圧着する
ボンディングツールを具備したことにより、ギャングボ
ンディング方式と比較して、上記ボンディングツールの
熱圧着面とインナリード及びバンプ電極との平行度を厳
密に設定する必要がないと共に、インナリードの厚みや
バンプ電極の高さのばらつきに影響されることが少ない
ので、すべてのインナリードをバンプ電極に確実に熱圧
着することができて製品の歩留まりが向上する。また同
時に、シングルポイントボンディング方式と比較して、
ボンディングツールで熱圧着されるインナリード及びバ
ンプ電極の数が増加するのでインデックスを向上させる
こともできる。
に配列されたバンプ電極に、インナリードを熱圧着する
ボンディングツールを具備したことにより、ギャングボ
ンディング方式と比較して、上記ボンディングツールの
熱圧着面とインナリード及びバンプ電極との平行度を厳
密に設定する必要がないと共に、インナリードの厚みや
バンプ電極の高さのばらつきに影響されることが少ない
ので、すべてのインナリードをバンプ電極に確実に熱圧
着することができて製品の歩留まりが向上する。また同
時に、シングルポイントボンディング方式と比較して、
ボンディングツールで熱圧着されるインナリード及びバ
ンプ電極の数が増加するのでインデックスを向上させる
こともできる。
【図１】本発明に係るインナリードボンダの実施例を示
す斜視図
す斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面で、第１のボンディ
ングツールの動作状態を示す断面図
ングツールの動作状態を示す断面図
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿う断面で、第２のボンディ
ングツールの動作状態を示す断面図
ングツールの動作状態を示す断面図
【図４】ＴＡＢテープの具体例を示す斜視図
【図５】図４のＣ−Ｃ線に沿う断面図
【図６】インナリードボンダのボンディング動作を説明
するための断面図
するための断面図
【図７】ギャングボンディング方式によるインナリード
ボンダの従来例を示す斜視図
ボンダの従来例を示す斜視図
【図８】シングルポイントボンディング方式によるイン
ナリードボンダの従来例を示す斜視図
ナリードボンダの従来例を示す斜視図
1 ＴＡＢテープ 3 透孔 4 矩形状ペレット〔半導体ペレット〕 4a、4b 一辺 5 インナリード 5a 第１のインナリード 5b 第２のインナリード 6 バンプ電極 6a 第１のバンプ電極 6b 第２のバンプ電極 11 ボンディングツール 11a 第１のボンディングツール 11b 第２のボンディングツール 12a 第１の搬送機構 12b 第２の搬送機構
Claims (3)
- 【請求項１】 透孔を有する絶縁フィルムに一部を透孔
内に延在させてインナリードを形成した配線パターンを
積層してなるＴＡＢテープのインナリードと、透孔内に
配置された矩形状ペレットのバンプ電極とをそれぞれ重
合させて熱圧着により電気的に接続するインナリードボ
ンダにおいて、ペレットの一つの辺に沿って配列された
多数のバンプ電極と、この電極と重合配置されたインナ
リードとを一括して熱圧着するボンディングツールを具
備したことを特徴とするインナリードボンダ。 - 【請求項２】 請求項１記載のボンディングツールは、
矩形状ペレットの一つの辺に配列された第１のバンプ電
極に、インナリードを熱圧着する第１のボンディングツ
ールと、上記一つの辺と隣接して直交する辺に沿って配
列された第２のバンプ電極と、この電極と重合するイン
ナリードとを熱圧着する第２のボンディングツールとで
構成したことを特徴とするインナリードボンダ。 - 【請求項３】 請求項１記載の第１のボンディングツー
ルは、ＴＡＢテープの搬送方向と直交する方向に配列し
て対向二辺に位置する第１のバンプ電極間で、第１のボ
ンディングツールを往復移動させる第１の搬送機構を具
備し、第２のボンディングツールは、ＴＡＢテープの搬
送方向に配列して対向二辺に位置する第２のバンプ電極
間で、第２のボンディングツールを往復移動させる第２
の搬送機構を具備したことを特徴とするインナリードボ
ンダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262430A JPH06120303A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | インナリードボンダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4262430A JPH06120303A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | インナリードボンダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120303A true JPH06120303A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17375681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4262430A Withdrawn JPH06120303A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | インナリードボンダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120303A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294826A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 部品の熱圧着装置及び熱圧着方法 |
| JP2009117704A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 圧着装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ |
| JP2011097095A (ja) * | 2011-01-18 | 2011-05-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 圧着装置及びフラットパネルディスプレイの製造装置 |
| JP2019125781A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-25 | ネクスペリア ベー．フェー． | ボンディング・インデックス装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4262430A patent/JPH06120303A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294826A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 部品の熱圧着装置及び熱圧着方法 |
| JP4664235B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-04-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 部品の熱圧着装置及び熱圧着方法 |
| JP2009117704A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 圧着装置、フラットパネルディスプレイの製造装置及びフラットパネルディスプレイ |
| JP2011097095A (ja) * | 2011-01-18 | 2011-05-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 圧着装置及びフラットパネルディスプレイの製造装置 |
| JP2019125781A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-25 | ネクスペリア ベー．フェー． | ボンディング・インデックス装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |