JPS59100516A - 光電池素子の製造装置及びアセンブリ - Google Patents

光電池素子の製造装置及びアセンブリ

Info

Publication number
JPS59100516A
JPS59100516A JP58212316A JP21231683A JPS59100516A JP S59100516 A JPS59100516 A JP S59100516A JP 58212316 A JP58212316 A JP 58212316A JP 21231683 A JP21231683 A JP 21231683A JP S59100516 A JPS59100516 A JP S59100516A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna
assembly
substrate
jacket
microwave energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58212316A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0614513B2 (ja
Inventor
ユ−ジエン・フオ−ニア−
ジヨアチム・ドエ−ラ−
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Energy Conversion Devices Inc
Original Assignee
Energy Conversion Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Energy Conversion Devices Inc filed Critical Energy Conversion Devices Inc
Publication of JPS59100516A publication Critical patent/JPS59100516A/ja
Publication of JPH0614513B2 publication Critical patent/JPH0614513B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3325—Problems associated with coating large area
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、大面精のアモルファス半導体光電池素子を製
造するための多重堆積チャンバ装置に係る。より詳しく
いうと本発明は、グロー放電堆積プラズマを形成すべ（
堆積チャンバの少なくとも１個でマイクロ波エネルギー
を使用する前記装置に係る。
本発明は光電池乃至光起電力素子を製造するための改良
屋多重堆積チャンバ装置に係り、前記装ぽに於いて連続
アモルファスシリコン合金半導体層は堆積チャンバ中を
移動する基板上に連続的に堆積される。
近年、それぞれ比較的大きい面積をカバーし得るアモル
ファス半導体合金の堆積システムを開発するために多大
な努力が払われている。前記合金は、光起電力及び他の
適用に於いて結晶質の場合と実質的に同様に作動するよ
うなｐ−１−ｎ型及び他の型の素子を作製するためにｐ
型及びｎｕの材料を形成すべくドープされ得る。
今日では＋ＩＩ禁止帯幅内で許容できる密度の局在状態
が得られ、（２）高品質の電子特性が得られるグロー放
電技術を用いてアモルファスシリコン合金を生成するこ
とができる。前記技術は、米国特許第４，２２６，８９
８号「結晶半導体と等価なアモルファス半導体（Ａｎｏ
ｒｐｈｏｕｓ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓＥｑｕｉ
ｖａｌｅｎｔ　Ｔｏ　Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　Ｓｅｍ
１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）ｅｔａｎｆｏｒｄ　Ｒ，０ｖ
ｓｋｉｎｓｋｙ　ａｎｄ　Ａｒｕｎ　Ｍａｄａｎ。
１９８０年１０月７日発行、及び蒸着技術の観点から米
国特許第４，２１７，３７４号（前者と同一名称）、５
ｔａｎｆｏｒｄ　Ｒ，０ｖｓｋｉｎｓｋｙ　ａｎｄ　Ｍ
ａｓａｔｓｕｇｕ　Ｉｚｕ。
１９８０年８月１２日発行、中に詳しく開示されている
。前記両特許中に開示されたように、アモルファスシリ
コン半導体中に導入されたフッ素は前記半導体中の局在
欠陥状態の密度を実質的に減少させるべ（機能し一他の
合金形成材料、例えばゲルマニウムの添加を助長する。
光起電力素子効率を高めるために複数セルを使用すると
いう構想は、米国特許第２，９４９，４９８号、１９６
０年８月１６日発行、中でＥ、Ｄ、Ｊａ、ｃｋｓｏｎに
より少なくとも１９５５年以前に論じられている。前記
文献中で論じられた複数セル構造はｐ−ｎ’ＪＪ合結晶
半結晶半導体素子している。本質的に前記構想は、太陽
スペクトルの各部分をより有効１　に収集し開放電圧（
Ｖｏｃ）を増加させるべく異なるバンドギャップ素子を
使用することにある。タンデム形電池素子は２個以上の
セルから構成され、光は各電池を直列に通過する。各セ
ルは、先行する電池または層を通過した光を吸収するた
めに。
１個の広いバンドギャップ材料とそれに続く１個以上ノ
狭イバンドギャップ材料とを有する。
光起電力素子の大量生産を可能にすることは函渠的に非
常に重要である。太陽・電池製造用としてはバッチ式処
理に限られている結晶シリコンと異なり、アモルファス
シリコン合金は現在大面私基板上に多層に堆積され得、
大規模な連続処理システム中で太陽電池を作製すること
が可能である。
このクイズの連続処理システムは例えば以下に挙げる米
国特許出願：第１５１３０１号（出願日：１９８０年５
月１９日１発明の名称＝　「Ｐ−ドープされたシリコン
薄膜形成方法及び前記方法により形成されるデバイス（
Ａ　Ｍｅｔｈｏｄ　Ｏｆ　Ｍａｌ＜ｉｎｇＰ−Ｄｏｐｅ
ｄ　５ｉｌｉｃｏｎ　Ｆｉｌｍｓ　Ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ　ＭａｄｅＴｈｅｒｅｆｒｏｍ　）Ｊ　、第２４４
３８６号（出願日：１９８１年３月１６日、発明の名称
：　「アモルファス半導体材料堆積用連続システム（Ｃ
ｏｎｔｉｎｕｏｕｓ８ｙｓｔｅｍｓ　Ｆｏｒ　Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｎｇ’Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｓｅｍ１−ｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　）　Ｊ　）　、第２
４０４９３号（出願日：１９Ｂ１年３月１６日１発明の
名称＝［連続アモルファス太陽電池製造システム（Ｃｏ
ｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　５ｏｌａｒ　
Ｃｅ１ｌ　ＰｒｏｄｕｃｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ　）　Ｊ
　ｓ第３０６１４６号（出願日：１９８１年９月２８日
、発明の名称：　［多重チャンバ堆積分離システム及び
方法（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ＣｈａｍｂｅｒＤｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ　Ａｎｄ　ｌ５ｏｌａｔｉｏｎ　Ｓｙｓｔｅｍ
　ＡｎｄＭｅｔｈｏｄ　）　ｊ、及び第３５９８２５号
（出願日：１９８２年３月１９日、発明の名称：　「タ
ンデムアモルファス光電池の連続製造方法及び装置（Ｍ
ｅｔｈｏｄ　Ａｎｄ　Ａｐｐａｒａｔｕｓ　Ｆｏｒ　Ｃ
ｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌｙＰｒｏｄｕｃｉｎｇ　Ｔａｎｄ
ｅｍ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　Ｐｈ０ｔｏｖｏｌｔａｔｉ
ｃｃｅｌｌＳ　）　Ｊ中に開示されている。これらの出
願中に開示されているように、例えばステンレス鋼から
形成される基板は堆積チャンバ列中を連続的に進行させ
られ、各チャンバは特定の材料の堆積に使用される。
ｐ−１−ｎ型構造の太陽電池を形成する場合、第１番目
のチャンバはｐ型アモルファスシリコン合金の堆積用、
第２番目のチャンバは真性アモルファスシリコン合金の
堆積用、更に第３番目のチャンバはｎ型アモルファスシ
リコン合金の堆積用に使用される。各堆積された合金、
及び特に真性合金は高純度でなければならないので、真
性堆積チャンバ内の堆積環境は、ドーピング成分が真性
チャンバ内に拡散するのを妨げるために、他のチャンバ
内のドーピング成分から分離される。上記に挙げた特許
出願の場合システムは主に光電池の製造に関わっている
が、これらのシステムではチャンバ間の分離は気相ゲー
トにより形成され、該ゲートを通って一方向のガス流が
形成され不活性ガスは該ゲートを通りロール状の基板材
料に対して「掃引」され得る。
上記特許出願に於いて、大面積の連続基板に対するアモ
ルファスシリコン合金材料の堆積は、プロセスガスのグ
ロー放電分解により行われる。これらのプロセスのうち
、光電池の連続作製に好適なものとして一般に高周波エ
ネルギーグロー放電プロセスが提案されている。しかし
乍ら、高周波グロー放電プロセスには堆積速度が比較的
遅く供給反応ヲｊスの利用率が低いという欠点があり、
上記材料から商業ベースで光起電力素子を作製しようと
すると非常に問題がある。更に、前記プロセスは高い電
子温度のプラズマを生成し、従って堆積中に高密度のイ
オンが生成される。このようなイオンが形成されると堆
積に伴い材料のイオンボンバードが生じ、その結果材料
が破損される。
最近、上記の問題を回避するような新規で改良された型
のアモルファス半導体合金及び素子の製法が発見された
。この方法は米国特許出顧第４２３４２４号（出願臼：
１９８２年９月２４日、発明の名称：　「アモルファス
半導体合金の製法及びマイクロ波エネルギーを使用する
デバイス（Ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　Ｍａｋｉｎｇ　Ａｍｏ
ｒｐｈｏｕｓ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ。
Ａ１１ｏｙｓ　Ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｕｓｉｎｇ　
ＭｉｃｒｏｖｒａｖｅＥｎｅｒｇｙ　）Ｊ、　）中に開
示されている。前記方法は反応ガスな分解して改良され
たアモルファス半導体材料を堆積するためにマイクロ波
エネルギーを使用している。前記方法により実質的に高
い堆積速度と供給反応ガスの利用率とが得られる。更に
前記方法によって得られるプラズマからの堆積は。
電子温度が低（、イオン密度が実質的に低（、従ってイ
オンボンバード及び堆積された材料の破損が実質的に減
少する。マイクロ波グロー放電プロセスは同様に積層構
造を形成するために使用され得、このような技術は米国
特許出願第４３５０６８号（出願臼：１９Ｂ２年１０月
１゛８日、発明の名称：　「マイクロ波エネルギーを使
用する積層アモルファス半導体合金の製造方法及び装ｆ
ｔ（Ｍｅｔ、ｈｏｄＡｎｄ　Ａｐｐａｒａｔｕｓ　Ｆｏ
ｒ　ＭａｋｉｎｇＬａｙｅｒｅｄ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ａ１１ｏｙｓ　Ｕｓｉｎ
ｇ　Ｍｉｃｒｏｗａｖｅｌ　　Ｅｎｅｒｇ７　）　Ｊ　
　中に開示されている。
前記プロセスは実絵室中では成功しているが、光起電力
素子の大規模大量生産には容易に適用し得ない。上記の
特許出願中に開示されたシステムはアモルファス半導体
材料を大面濱の基板上に堆積する場合には適当でない。
更に、これらのシステムは複数の堆積チャンバ中を連続
的に移動する基板上に光起電力素子を作製する場合には
適用されない。本発明の最も主要な目的は上記の問題を
解決しアモルファス半導体大面積光起電力素子の連続式
またはバッチ式製造を可能にすることである。
本発明は、基板上に堆積される複数の半導体材料層を含
むタイプの光起電力素子の製造用装置を提供するもので
ある。前記装置はそれぞれ基板の通過時に半導体材料層
の各々を基板上に堆積すべく構成された複数の堆積チャ
ンバを含む。前記装置は更にマイクロ波エネルギー源、
前記マイクロ波エネルギー源を堆積チャンバの少なくと
も１個に連結するための連結手段、及び少なくとも１個
の堆積チャンバ内にマイクロ波励起グロー放電プラズマ
を形成し、少なくとも１個の堆積チャンバ内のマイクロ
波励起グロー放電プラズマから基板上に半導体材料層を
堆積すべく、この半導体を含む少なくとも１個の化合物
を含む反応ガスを少なくとも１個の堆積チャンバに導入
するための手段とを含む。
更に本発明は、−？イクロ波エネルギー励起プラズマか
ら基板に材料を堆積するためのアセンブリを提供する。
前記アセンブリは、堆積チャンバと、マイクロ波エネル
ギー源と、前記チャンバ内に伸延し前記マイクロ波エネ
ルギー源に連結されたアンテナとを含む。前記アンテナ
は導体材料から形成された外被と、前記外被内を伸延し
前記外被から電気的に絶縁された内部導体と、前記外被
に形成されたスロットとを含む。前記アセンブリは、更
に、チャンバとアンテナとの間に真空シールを保ちなが
ら前記アンテナをチャンバ内に伸延させ得る新規で改良
された型のアンテナ用フィードスルーを含み得る。
本発明は添付図面及び以下の好ましい具体例に関する記
載によりよ（理解されよう。
■、光電池 第１図には各々アモルファス半導体合金を含む複数の連
続的ｐ−１−ｎ層から形成される光電池１０の概要が示
しである。本発明は特に前記型の光起電力素子の製造に
適用され、該製造プロセスに於いてアモルファス合金層
は、連続絶縁堆積チャンバ中を移動するロール状の基板
材料に連続的に堆梼される。
更に詳しくいうと第１図はｐ−１−ｎ型光起電力素子、
例えば各ｐ−１−ｎ型セルエ２ａ、１２ｂ及び１２ｃか
ら構成される太陽電池を示す。最下層のセル１２ａの下
側には基板１１が配置され、該基板は好ましくは導体金
属材料、例えばステンレス鋼、アルミニウム、タンタル
、モリブデンまたはクロムから形成され得る。前記基板
はまた基板上に堆積された１または複数の導体材料層を
有する非導体ベースを含み得る。ここで「基板」なる語
は剛性及び可撓性基板のいずれにも適用され、更に予処
理により前記基板に付加された導体層をも含む。
セル１２ａ、１２ｂ及び１２ｃの各々は、少な（とも１
個のシリコン合金を含むアモルファス合金半導体領域ま
たは部分を用いて形成される。合金部分の各々はｎｆｉ
伝導領域または層２０ａ。
２０１）及び２０Ｃ１真性領域または層１８ａ。
ｉｓｂ及び１８Ｃ１並びにＰ型伝導領域または層１６ａ
、１６ｂ及び１６ｃを含む。図示したようにセル１２ｂ
は中間セルであり、第１図に示すように本発明の精神ま
たは範囲から逸脱せずにセルの上部に付加的中間セルを
債重ねることも可能である。更に、図示したのはｐ−１
−ｎ型セルであるが、本発明の短絡検出排除システムを
使用して同様に単一または複数のｎ−１−ｐセルを作製
し得る。
半導体合金層の堆積に続き、別個の環境中または連続プ
ロセスの一部として次の堆積プロセスが実施され得る。
この段階では、導体光透過材料、例えばインジウム、錫
及び酸素の合４（ＩＴＯ）から成るＴＣＯ（透明導体酸
化物）のような透明または半透明層２０が付加される。
セル面積が十分大きい場合、またはＴＣＯ層２２の導電
率が不十分な場合、電極グリッド２４をデバイスに付加
してもよい。前記グリッド２４はキャリアーパスを短縮
し収集効率を高める。
■、多重グロー放電堆櫃チャンバ 次に第２図は、本発明の一具体例として光電池を連続形
成するための多重グロー放電チャンバ堆積装置２６の概
要を示している。連続堆積装置２６は本発明の好ましい
一具体例にすぎない。本発明は同様に本発明から逸脱す
ることなくバッチ処理式堆積装置に適用或いは導入され
得る。装置２６は複数の分離された専用堆積チャンバを
含み。
各チャンバは掃引ガス及びロール状の基板材料が一方向
に通過するように構成された気相ゲートにより相互に接
続される。
装置２６は、該装置中に連続的に供給される基板材料１
１の堆積表面に、ｐ−１−ｎ構造を有する大面積アモル
ファス光電池を大規模に作製するために適用される。多
重ｐ−１−ｎ型層セルを作製するのに必要なアモルファ
ス合金層を堆積するために、装置２６は少なくとも１組
の３個組堆積チャンバを含む。各３個組は、基板１１０
通過時にＰ型伝導アモルファス合金層が基板１１の堆積
表面に堆積される第１番目の堆積チャンバ２８と。
基板１１の通過時に真性アモルファス合金層が基板１１
の堆積表面上のＰ型合金層の上に堆積される第２番目の
堆積チャンバ３０と、基板１１０通過時にｎ型伝導合金
層が基板１１の堆積表面上の真性層の上に堆積される第
３番目の堆積チャンバ３２とを含む。上記出願第３５９
８２５号は３個組堆積チャンバを１組のみ示ｔ６ている
が、任意の数のアモルファスｐ−１−ｎ型層を有する光
電池を作製する能力のある機械を提供するために、３個
組雀たは独立した付加チャンバを装置に加えてもよい。
基板供給ローラｌｌａ及び基板巻取ローラｉｉｂを単に
例示として堆積チャンバ中に示す。
実際には前記ローラは堆積チャンバに操作可能に接続さ
れた別個のチャンバ内に収納され得る。
３個組の各堆積チャンバ２８．３０及び３２は。
導体基板１１上にマイクロ波グロー放電堆積を形成する
ことにより単一のアモルファスシリコン合金を堆積する
ように構成される。このために、堆積チャンバ２８．３
０及び３２の各々は、シールド３５、ガス供給管３６、
真性堆積チャンバの対向する側に配置された不活性掃引
ガス管、マイクロ波エネルギー源または発生器３８．横
方向に伸延する複数の磁性要素５０．排気管４１、概略
的に示した複数の輻射加熱要素４０、及び真性堆積チャ
ンバをドーパントチャンバの各々に操作可能に接続する
気相ゲート４２を含む。
供給管３６は、シールド３５と基板１１との間の各堆積
チャンバ内に形成されたプラズマ領域にプロセヌガヌ混
合物を送るべく各シールド３５に操作可能に接続されて
いる。以下により詳細に記載するが、シールド３５は実
質的にシールド３５と基板１１との間にプラズマを閉じ
こめるべくロール状の基板材料１１及び排気管４１と協
働するように構成される。
マイクロ波エネルギー発生器３８は、堆積チャンバに堆
積動作を行わせる反応ガス成分を解離させることにより
プラズマ領域を形成すべく、シールド３５と基板１１と
の間の堆積チャンバ内に伸延するアンテナ、輻射ヒータ
４０及び研磨された基板１１と協働する。こうして堆積
材料はアモルファス半導体層として基板１１０表面に堆
積される。
マイクロ波エネルギー発生器３８は例えば２．４５ギガ
ヘルツのマイクロ波周波数で作動すえ。堆積中、ヒータ
４０は基板を約３５０℃まで加熱し、チャンバは約Ｑ、
ＩＴｏｒ＋−の圧力に保たれる。ガス供給管に供給され
た反応ガスは、シラン（８ｉＨ）または４フツ化シリコ
ン（ＳｉＦ　）のような化合物を含有する少な（とも１
個の半導体を含む。前記ガ、スは別々に使用され得、或
いは所望により組合わされ得る。前記混合ガスに水素及
び／又はアルゴンガスな加えることもできる。ドープ層
を堆積するだめに、適当なドーパントガス、例えばｎ型
材料にはジボランガス（ＢＨ）、或いはｎ型材料にはフ
ォスフインガス（ＰＲ）が付加され得ろ、第１図に示す
ような光電池１０を形成するために、ｐ型アモルファス
シリコン層が堆積チャンバ２８内で基板１１上に堆積さ
れ、真性アモ／ｌ／７アスシリコン合金層が堆積チャン
バ３０内でｐ型層の上に堆積され、ｒ］型アモルファス
シリコン合金層が堆積チャンバ３２内の真性層の上に堆
積される。その結果、装置２６は基板１１上に少なくと
も３個のアモルファスシリコン合金層を堆積させ。
前記層中、堆積チャンバ３０内で堆積された真性層の組
成は、文中以下ドーパントまたはドーピング剤と称する
少なくとも１個の元素が欠如するという点に於いて、堆
積チャンバ２８及び３２内で堆積された層と異なる。
効率の葛い光起電力素子１０を作製するためにば、基板
１１０表面に堆積される合金層（及び特に真性層）の各
々を高純度にすることが肝要である。気相ゲート４２は
プロセスガスがドーパントチャンバから真性堆積チャン
バに逆拡散するのを実質的に妨げる。
■、マイクロ波ダグロー放電堆積チャンバ第３図マイク
ロ波グロー放電により材料を基板１１上に堆積するのに
適用されるアセンブリ５０を示している。アモルファス
半導体光起電力素子の製造に関する好ましい具体例を構
成するために、アセンブリ５０は第２図の真性堆積チャ
ンバ３０である。チャンバ２８及び３２は実質的にほぼ
等しい構成であり得る。また、磁性要素５０及び加熱要
素４０は明瞭化のために第３図では図示しなかった。
チャンバ３０は一般に対向する側壁５２及び５４、背壁
５６及び前壁５８を含む。側壁５２及び５４はそれぞれ
スロット６０及び６２を含んでおり、該スロットはロー
ル状基板１１が図のようにチャンバ２８を通過できるよ
うに寸法決定される。スロット６０及び６２はまた第２
図に関連して上記に記載したような気相ゲートに連結さ
れるように寸法決定される。
基板１１の下側には、シールド３５が側壁５２及び５４
の間でチャンバを横切るように配置される。前壁５８を
通ってチャンバ３０内にアンテナアセンブリ６４が伸延
している。アンテナアセンブリ６４は基板１１とシール
ド３５との間に配置され、基板１１から約１．５インチ
の耐熱に離間される。
第４図はシールド３５をより詳細に示している。
第４図かられかるように、シールド３５は矢印６６で示
すような反応ガスの流路を形成する。ガス供給管は入口
ボート６Ｂでシールドに連結される。反応ガスは混合チ
ャンバまたはマニホルド７０内で混合され、その後混合
されたガスは基板１１とシールドの頂部平板部材７２と
の間を流れる。前記ガスは基板１１及び平板部材７２を
通ってマイクロ波エネルギー輻射領域７４にはいる。
該領域はアンテナアセンブリ６４を介してマイクロ波エ
ネルギー源、例えば第２図のソース３８から連結されて
いる。前記領域７４ではマイクロ波エネルギーによりプ
ラズマが形成され、従って基板１１上に半導体層が堆積
される。プラズマ領域７４を離れた後未使用または消費
ガスは川口通路７６、複数のスロット７８を通って頂部
平板部材７２と底籠８２との間の通路８０に導かれ、次
いで排気管４１がら排出される。前記流路は排気管４１
に連結されたポンプにより維持され、前記排気管は堆積
に適当な内部圧力を保持する。
シールド３５は明瞭化のため第３図には示していないが
、同様に１対の延設部８４及び８６を含んでおり、基板
１１は前記延設部から僅かな距離を隔てて配置される。
その結果、シールド３５は、反応ガス及びマイクロ波エ
ネルギーにより形成されたプラズマを基板１１とシール
ド３５との間の領域に局限する。また第３図中に示すよ
うに、シールドは基板１１を通る反応ガス流部分をも保
持し、次にスロット７８から未使用ガスを導き、チャン
バ３０にはいる新鮮な反応ガス混合物と不注意に混合す
ることなく排気管４１から排出させる。
第５図は本発明に従うアンテナアセンブリ９０の斜視図
である。アンテナアセンブリは剛性または半剛性導電材
料、例えばアニールされた鋼管から形成される外被９２
を含む。外被内にはその全長にわたって中心導体９４が
伸延し、前記導体は銀メッキされた銅から形成され得る
。外被９２の内側は絶縁材料９６、例えばテフロンを高
密度に充填されており、前記絶縁材料は中心導体を外被
に対して正しい絶縁位置に保持する。テフロンは。
内部中心導体９４及び反応ガスがアンテナの一端から他
端に拡散するのを妨げる外被の内側表面の双方と緊密に
接触している。従って以下に詳述するように、前記アン
テナの措造により、アンテナアセンブリを堆積チャンバ
内の使用位置に取付ける時効果的なシール技術を使用す
ることができる・外被は半剛性材料から形成され得るの
で、必要に応じてまた損失なしに所望の動作位置に配置
すべく屈曲させ得る。
アンテナアセンブリ９０は更に端部部品９８を含み、前
記部品はアセンブリの端部で外被９２と中心導体９４と
の間に短絡接続を形成する。更に、スロット１００が外
被９２に形成される。従って非短路端部で外被９２と中
心導体９４との間に連結されたマイクロ波エネルギーを
所望の面積に輻射し得る。好ましくはスロット１００の
長さは。
所望の動作マイクロ波周波数の約４分の１波長に等しく
１幅は４分の１波長よりも狭い（約０．０１乃至０．１
インチ）。スロワ）１００の中心は好ましくは波長の４
分の３にほぼ等しい距離だけ短絡端部から離間される。
スロワ）１００の幅が４分の１波長よりも狭（、また輻
射エネルギーが波長より著しく小さい領域のアンテナ面
積に発散されるので、チャンバ内のプラズマは不定形で
ある。
この結果システムの幾何学的制限がなくなり、プラズマ
の領域で基板に均一なガＢ積を行うことができる。
第６図は本発明に従うアンテナアセンブリの別の具体例
１１０を示す。前記アセンブリは、外被１１２、中心導
体１１４、結θパツキン１１６、短絡結合部１１８及び
スロワ）１２０を有するという点に於いて第５図のアン
テナアセンブリ９゜と実質的に類似する。もつともアー
゛′ンブリ１１０ば上記部材に加えて第２番目のスロッ
ト１２２を含んでいる。前記第２番目のスロット１２２
により、アンテナアセンブリは第５図のアセンブリ９０
よりも広い面積にマイクロ波エネルギーを輻射し得る。
実際に使用する場合、必要な広さの領域にマイクロ波エ
ネルギーを輻射すべく任意の数ノスロットを使用し得る
。但し、これらのスロットの長さは第１番目のスロワ）
１２０に大体等しく（４分の１波長）、その中心は約２
分の１波長の距離で相互に離間されることが好ましい。
再び第３図に戻ると、アンテナアセンブリ６４はフィー
ドスルー１３０を介してチャンバ３ｏの前壁５８に取付
げられていることが認められよう。
フィードスルーはアンテナのスロットの位置調節を行う
のみならず、アンテナ外被と前壁５８の開口部（図示せ
ず。該開口部を通ってアンテナアセンブリが伸延してい
る。）との間に効果的な真空シールを行わなければなら
ない。第７図は前記フ−１’　−ト、にルー１３０の拡
大図である。
フィードスルー１３０はおもに取付具１３２を含み、該
取付具は一体的に拡大された取付プレート１３４と前記
プレートから伸延する延設部１３６とを有する。延設部
１３６は、アンテナアセンブリが通過できるように寸法
決定された開口部または通路１３８と大径孔部１４０と
を有する。通路１３８と孔部１４０とは環状フランジま
たはシート表面１４２を形成する。フィードスルー１３
０は同様に可撓性リング部材１４４を含んでおり、該部
材は孔部１４０内でフランジ１４２に受容されるように
寸法決定される。リング１４４は、アンテナアセンブリ
の外被を通過させるに十分な大きさの直径を有する中央
開口部１４６を有する。
環状表面１５０を有する第１番目の円筒形またはスプー
ル形部材１４８は、環状表面１５０がリング部材１４４
に係合するように孔部１４０に受容されるべく寸法決定
された端部１５２を有する。
部材１４８はアンテナアセンブリを受容すべ（寸法決定
された軸方向通路１５４を有する。更に。
第２番目の円筒形部材１５６の内側寸法は部材１４８を
受容するように構成される。部材１５６の内壁は、延設
部１３６の外側螺溝１６０に榔合すべく構成された螺溝
１５８と、アンテナアセンブリを通過させるための開口
部１６２とを有する。
作動時には、アンテナアセンブリ、例えばアセンブリ９
０は短絡結合部９８を取付けるより前に、フィードスル
ー素子の各々の開口部または通路に導入される。次にリ
ング１４４を孔部１４０に挿入し７ランジまたはシート
１４２に当接させる。
次いで環状表面１５０がリング１４４に接触するように
、部材１４８を孔部１４０に挿入する。次に部材１５６
を延設部１３６に咄合させ回転する。
部材１５６を回転すると該部材は部材１４８を押圧し、
その結果環状表面１５０とシート１４２との間のリング
１４４に圧縮力が加えられる。部材１５６は、リング１
４４に加えられる圧縮力がリングを半径方向、内側方向
及び外側方向に変形させるように十分回転させられる。
その結果、リングを孔部１４０の内壁及びアンテナアセ
ンブリの外被９２の双方にシール係合させ、効果的な真
空シールが形成される。取付後にアンテナアセンブリの
位置を調節したい場合は、単に部材１５６を緩めて調節
を加えた後再び締着すればよい。アンテナアセンブリ９
０の外被９２が剛性または半剛性材料から形成されるの
で、このような効果的な真空シールフィードスルー構成
が可能になる。
既に述べたように、光起電力素子の作製のためにアモル
ファス半導体を堆積する間、基板は約３５０℃に加熱さ
れる。このような加熱及びアンテナに発生する熱は非常
に高温になり得る。従って動作中にアンテナアセンブリ
を冷却するために第８図のアンテナ冷却アセンブリ１７
０が使用され得る口冷却アセンブリ１７０は熱伝導率の
良好な材料１例えばアルミニウムから形成されるブロッ
クまたはベース１７２を含む。前記ブロックは。
アンテナアセンブリの外被９２を受容すべく寸法決定さ
れた中央大径スロット１７４、及び鋼管１７８を受容す
べく寸法決定された１対の小径スロット１７８を有する
。複数の相互に離間された固定用クランプ１８０は、該
クランプと協働してアセンブリを固着するために、対応
するスロット１８２及び１８４を備える。クランプ１８
０はねじ等により任意の適尚な方法でブロック１７２に
固定され得る。クランプはクランプのいずれもが外被９
２のスロット１００に重ならないように相互に離間され
る。動作中の鋼管１７８はブロック１７２を冷却する冷
水流を収容する。こうしてブロック７２はアンテナアセ
ンブリ９０を冷却する。
このように、本発明によりマイクロ波グロー放電を大面
積光起電力素子の製造に使用することができる。この製
造は好ましい具体例として開示したようなバッチ処理ま
たは連続処理のいずれかで実施され得る。このために装
置の各要素が加えられる。例えば本発明のアンテナアセ
ンブリは廉価で形成され得、高価な導波管技術を必要と
しない。
アンテナアセンブリは所望の構成で容易に作製すること
ができ、出力損失を伴わない。熱抵抗材料のみが使用さ
れ、従ってアンテナは高温に耐え得る。冷却が必要であ
れば１本発明はアンテナを冷却するための効果的で効率
的な手段を提供する。
グロー放電の近傍の銅の存在が有害であると認められた
場合、アンテナアセンブリ及び冷却アセンブリを使用す
るなら該冷却アセンブリの鋼管は、ニッケルで例えば直
接に電気メッキされ得る。更に、マイクロ波エネルギー
は小さいスロットから輻射されるので、所定の場所の出
力密度が非常に高くアンテナアセンブリの自浄が可能で
ある。最後に、マイクロ波エネルギーは比較的狭いスロ
ットを通って輻射され、輻射されたエネルギーは波長よ
りも非常に小さい領域のアンテナ面積に発散されるので
、チャンバ内のプラズマは不定形である。その結果シス
テムの幾何学的制限が克服される。
本発明はまた効果的なフィードスルー構成を提供する。
この構成はアンテナ位暇調節を容易にするのみならず、
効果的で効率的な真空シールを助長する。
最後に最も重要な点として１本発明装置は大面積基板に
アモルファス半導体材料を堆積することができる。従っ
て、連続またはバッチ処理式による光起電力素子の製造
に、マイクロ波エネルギーを効果的に使用することがで
き、堆積速度の増加及び堆積材料の品質向上をはじめマ
イクロ波グロー放電堆積プロセスのあらゆる利点が得ら
れる８真性合金領域以外の合金領域はアモルファス領域
以外の領域、例えば多結晶領域であり得る。
（「アモルファス」なる用語は長距離秩序のない合金ま
たは材料の意であるが、短距離秩序または中間的鉄片を
有し、場合によっては一定の結晶な含み得る。） 上記開示に鑑みて本発明を変更及び変形することが可能
である、特にバッチ式に素子を製造する場合、電極６６
及びビード６８は所望の結果な得るべく素子表面を横切
るように配置または揚引され得る。同様にして絶縁材料
８７は必ずしも必要ではなく、例えばグリッド電極がエ
ッチ領域まで伸延せず短絡電流路に接触するような場合
、前記絶縁材料を使用する必要はない。従って１本発明
は具体的な記載以外の方法で実施され得ると理解されよ
う。
上記記載の装置及びアセンブリ５０は、マイクロ波エネ
ルギー励起プラズマから基板１１上に半導体材料を堆積
することにより、複数の半導体材料層を含む型の光起電
力素子を製造するために使用される。上記アセンブリは
、堆積チャンバ３０と、マイクロ波エネルギー源と、前
記チャンバ３０内に伸延し前記マイクロ波エネルギー源
に連結されたアンテナ６４とを含む。前記アンテナ６４
は、導体材料から形成された外被と、前記外被内を伸延
し前記外被から電気的に絶縁された内部導体と、前記外
被に形成されたスロットとを含む。前記アセンブリは更
に、チャンバとアンテナとの間に真空シールを形成しな
がらアンテナをチャンバ内に伸延させ得る新規で改良さ
れたフィードスルー１３０を含む。
上記記載の装置は複数の堆積チャンバを含んでおり、各
チャンバは基板の通過進行に伴い半導体材料層のそれぞ
れ１個を基板上に堆積すべく構成されている。堆積チャ
ンバの少なくとも１個は上述のように構成されている。
【図面の簡単な説明】
第１図はアモ／Ｉ／ファス半導体合金から形成された各
層を有する複数のｐ−１−ｎ型セルを含む処理完了後の
タンデムまたはカスケード型光起電力素子の部分横断面
説明図、第２図は本発明に従い第１図の光起電力素子の
連続製造に適用される、多重グロー放電チャンバ堆積シ
ステムの概略説明図、第３図は第２図の本発明に従う一
具体例のマイクロ波グロー放電堆積アセンブリの一部破
断斜視説明図、第４図は第２図の４−４線断面説明図、
第５図は本発明に従いマイクロ波エネルギーを堆積チャ
ンバに連結するために使用され得るアンテナの斜視説明
図、第６図は本発明のアンテナの別の具体例乞示す斜視
説明図、第７図は本発明に従いアンテナとチャンバとの
間に真空シールを形成しながら第５図または第６図のア
ンテナを堆積チャンバ内に伸延させるためのフィードス
ルー構成を示す拡大斜視説明図、第８図は本発明に従い
動作中にアンテナを冷却するために使用され得る冷却プ
ロ“ツクアセンブリの斜視図である。 １１・・・基板。 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ・−セル。 １６ａ、１６ｂ、１６ｃ・・・ｐ型領域、１８ａ、、１
８ｂ、１８ｃｍ真性領域、２０ａ、２０ｂ、２０ｃｍ−
−ｎ型領域、２２・・・７００層、　　　　　２４・・
・電極ブリッド。 ２８．３０．３２・・・チャンバ、 ３５・・・シールド、　　　　　３６・・・ガス供給管
。 ３８・・・マイクロ波エネルギー　源。 ４０・・・ヒータ、 ６４．９０，１１０・・・アンテナ、 ９２．１１２・・・外被、　　９４，１１４・・・内部
導体。 １００．１２０．１２２・・・スロット、１３０・・・
フィードスル一手段、 １３２・・・取付具、　　　　　１４０・・・通路。 １４２・・・７ランジ、　　　　１４４・・・リング部
材、１４８．１５６・・・圧縮力付加手段、１７０・・
・冷却手段、　　　　１７２・・・水冷ブロック。 １７８・・・熱伝導管。 手続補正口 昭和５８年１２月２Ｔ目 特許庁長官　　若　杉　和　夫　殿 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 名　称　　　エナージー・コンバージョン・デバイセス
・インコーホレーテッド ４、代　理　人　　　東京都新宿区新宿１丁目１番１４
号　山田ビル委任状 ８、補正の内容 （１）願書中、出願人の代表者を別紙の通り補充する。 ■正式図面を別紙の通り補充する。 （内容に変更なし） （３）委任状及び同訳文を別紙の通り補充する。 尚、同日付にて本願に関する優先権主張証明書差出書を
提出致しました。 手続補正口 昭和５８年１２月ＺＴ日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　殿 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 名　称　　　エナージー・コンバージョン・デバイセス
・インコーホレーテッド ４、代　理　人　　　東京都新宿区新宿１丁目１番１４
号　山田ピル８、補正の内容　　　明細書中、特許請求
の範囲を別紙の通り補正する。 ２、特許請求の範囲 ｆｉｌ　　基板に堆積された複数の半導体材料層を含む
型の光電池素子の製造装置であｐ、前記装置は、 それぞれ前記基板の進行通過時に、前記半導体材料層の
それぞれ１個を前記基板に堆積するように構成された複
数の堆積チャンバと、マイクロ波エネルギーの供給源と
、 前記マイクロ波エネルギーを前記堆積チャンバの少なく
とも１個と連結する連結手段と、少なくともｉｓの堆積
チャンバ内にマイクロ波エネルギー励起グロー放電プラ
ズマを形成し、前記少なくとも１個の堆積チャンバ内の
マイクロ波エネルギー励起グロー放電プラズマから前記
基板上に半導体材料層を形成すべく、この半導体を含む
少なくとも１つの化、金物を含む反応ガスを前記少なく
とも１個の堆積チャンバに導入するための手段 とを含む光電池素子の製造装置。 （２）　　基板材料ソースと、前記堆積チャンノ々を通
って前記基板材料を連続的に進行させるための手法とを
更に含む、特許請求の範囲第１項に記載の装置。 （３）　　前記連結手段が、前記少なくとも１個の堆積
チャンバ内に含まれるアンテナを特徴する特許請求の範
囲Ｍ１項に記載の装置。 （４）前記アンテナは、前記少なくとも１個の堆積チャ
ンバ内に無モードのマイクロ波エネルギー励起グロー放
電プラズマを形成するための手段を含む、特許請求の範
囲第３項に記載の装置。 （５）　　前記アンテナは、導体材料から形成された外
被と、前記外被中に配置され前記外被から電気的に絶縁
された内部導体と、前記外被に形成されたスロットとを
含む、特許請求の範囲第４項に記載の装置。 （６）フィクロ波エネルギーを前記堆積チャンバの各々
に連結するための手段と、各前記堆積チャンバ内のマイ
クロ波エネルギー励起グロー放電プラズマから前記基板
上に半導体材料層を堆積すべくこの半導体を含む少なく
とも１つの化合物を含む反応ガスを各前記堆積チャンバ
に導入するための手段とを更に含む、特許請求の範囲第
１項に記載の装置。 （７）　　マイクロ波エネルギー励起プラズマから基板
に材料を堆積するためのアセンブリであ）、前記アセン
ブリは、堆積チャンバと、マイクロ波エネルギー源と、
前記チャンバ内に伸延し前記マイクロ波エネルギ源に連
結されたアンテナとを含み、前記アンテナは、導体材料
から形成された外被と、前記外被内を伸延し前記外被か
ら電気的に絶縁された内部導体と、前記外被に形成され
たスロットとを含む、マイクロ波エネルギー励起プラズ
マから基板に材料を堆積するためのアセンブリ。 （８）前記外被の前記スロットが前記外被に溢って長手
方向に伸延する特許請求の範囲第１項または第７項に記
載のアセンブリ。 （９）前記スロットの幅寸法は、前記マイクロ波エネル
ギーの波長に較べて狭い特許請求の範囲第１項または第
７項に記載のアセンブリ。 （１０）前記スロットは、前記マイクロ波源のマイクロ
波周波数の約４分の１波長の長さ寸法を有する特許請求
の範囲第１項または第７項に記載のアセンブリ。 （Ｉｌｌ　　前記外被の内部に充填され前記内部導体及
び前記外被の内側表面と緊密に接触する絶縁材料を更に
含む、特許請求の範囲Ｍ１項または第７項に記載のアセ
ンブリ。 （１２１更に前記アンテナを冷却するための冷却手段を
含む特許請求の範囲第１項または第７項に記載のアセン
ブリ。 （１３＋　　前記冷却手段は、前記アンテナ外被に接触
する熱伝導材料の水冷ブロックを含む、特許請求の範囲
第１２項に記載のアセンブリ。 ■　前記ブロックに接触し、前記ブロックと前記外被と
を水冷すべく水を案内するように構成された熱伝導管を
更に含む、特許請求の範囲第１３項に記載のアセンブリ
。 ０９　　前記堆積チャンバは、前記アンテナが挿通でき
るように寸法決定された開口部を有する少なくとも１個
の壁を含み、前記アセンブリハ更にアンテナフィーｒス
ル一手段を含んでおり、前記手段は、前記チャンバ壁に
固定されるように構成され、前記チャンバ壁開口部に整
合する軸方向通路と環状フランジと内側表面とを有する
取付具と、前記通路内で前記７ランジに受容されるよう
に寸法決定され前記アンテナが通過できるように寸法決
定された可撓性リング状部材と、前記リングを半径方向
、内側方向及び外側方向に変形させ、前記アンテナ外被
の外側表面と前記通路の前記内側表面とにシール係合さ
せることによシ前記アンテナに真空シールフィーｒスル
ーを提供すべく、前記可撓性リングに圧縮力を加えるた
めの圧縮力付加手段とを含む、特許請求の範囲第７項に
記載のアセンブリ。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　基板に堆積された複数の半導体材料層を含む
    型の光電池素子の製造装置であり、前記装置は、 それぞれ前記基板の進行通過時に、前記半導体材料層の
    それぞれ１個を前記基板に堆積するように構成された複
    数の堆積チャンバと、マイクロ波エネルギーの供給源と
    。 前記マイクロ波エネルギーを前記堆積チャンバの少なく
    とも１個と連結する連結手段と、少な（とも１個の堆積
    チャンバ内にマイクロ波エネルギー励起グロー放電プラ
    ズマを形成し、前記少なくとも１個の堆積チャンバ内の
    マイクロ波エネルギー励起グロー放電プラズマから前記
    基板上に半導体材料層を形成すべ（、この半導体を含む
    少な（とも１つの化合物を前記少な（とも１個の堆積チ
    ャンバに導入するための手段 とを含む光電池素子の製造装置。
  2. （２）基板材料ソースと、前記堆積チャンバを通って前
    記基板材料を連続的に進行させるための手段とを更に含
    む、特許請求の範囲第１項に記載の装置。
  3. （３）前記連結手段が、前記少なくとも１個の堆積チャ
    ンバ内に含まれるアンテナを特徴する特許請求の範囲第
    １項に記載の装置。
  4. （４）　　前記アンテナは、前記少な（とも１個の堆積
    チャンバ内に無モードのマイクロ波エネルギー励起グロ
    ー放電プラズマを形成するための手段を含む、特許請求
    の範囲第３項に記載の装置。
  5. （５）前記アンテナは、導体材料から形成された外被と
    、前記外被中に配置され前記外被から電気的に絶縁され
    た内部導体と、前記外被に形成されたスロットとを含む
    、特許請求の範囲第４項に記載の装置。
  6. （６）マイクロ波エネルギーを前記堆積チャンバの各々
    に連結するための手段と、各前記堆積チャンバ内のマイ
    クロ波エネルギー励起グロー放電プラズマから前記基板
    上に半導体材料層を堆積すべくこの半導体を含む少なく
    とも１つの化合物を各前記堆積チャンバに導入するため
    の手段とを更に含む、特許請求の範囲第１項に記載の装
    置。
  7. （７）　　マイクロ波エネルギー励起プラズマから基板
    に材料を堆積するためのアセンブリであり、前記アセン
    ブリは、堆積チャンバと、マイクロ波エネルギー源と、
    前記チャンバ内に伸延し前記マイクロ波エネルギ源に連
    結されたアンテナとを含み、前記アンテナは、導体材料
    から形成された外被と、前記外被内を伸延し前記外被か
    ら電気的に絶縁された内部導体と、前記外被に形成され
    たスロットとを含む、マイクロ波エネルギー励起プラズ
    マから基板に材料を堆積するためのアセンブリ。
  8. （８）　　前記外被の前記スロットが前記外被に沿って
    長手方向に伸延する特許請求の範囲第１項または第７項
    に記載のアセンブリ。
  9. （９）前記スロットの幅寸法は、前記マイクロ波エネル
    ギーの波長に較べて狭い特許請求の範囲第１項または第
    ７項に記載のアセンブリ。 ａω　前記スロットは、前記マイクロ波源のマイクロ波
    周波数の約４分の１波長の長さ寸法を有する特許請求の
    範囲第１項または第７項に記載のアセンブリ。 住υ　前記外被の内部に充填され前記内部導体及び前記
    外被の内側表面と緊密に接触する絶縁材料を更に含む、
    特許請求の範囲第１項または第７項に記載のアセンブリ
    。 α２　更に前記アンテナを冷却するための冷却手段を含
    む特許請求の範囲第１項または第７項に記載のアセンブ
    リ。 ０３）前記冷却手段は、前記アンテナ外被に接触する熱
    伝導材料の水冷ブロックを含む、特許請求の範囲第１２
    項に記載のアセンブリ。 α乃　前記ブロックに接触し、前記ブロックと前記外被
    とを水冷すべく水を案内するように構成された熱伝導管
    を更に含む、特許請求の範囲第１３項に記載のアセンブ
    リ。 （ｌ！１９　　前記堆積チャンバは、前記アンテナが挿
    通できるように寸法決定された開口部を有する少な（と
    も１個の壁を含み、前記アセンブリは更にアンテナフィ
    ードスル一手段を含んでおり、前記手段は、前記チャン
    バ壁に固定されるように構成され、前記チャンバ壁開口
    部に整合する軸方向通路と環状７ランジと内側表面とを
    有する取付具と、前記通路内で前記７ランジに受容され
    るように寸法決定され前記アンテナが通過できるように
    寸法決定された可撓性リング状部材と、前記リングを半
    径方向、内側方向及び外側方向に変形させ、前記アンテ
    ナ外被の外側表面と前記通路の前記内側表面とにシール
    係合させることにより前記アンテナに真空シールフィー
    ドスルーを提供すべ（、＠記可撓性リングに圧縮力を加
    えるための圧縮力付加手段とを含む、特許請求の範囲第
    ７項に記載のアセンブリ。
JP58212316A 1982-11-12 1983-11-11 光電池素子の製造装置 Expired - Lifetime JPH0614513B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US441280 1982-11-12
US06/441,280 US4515107A (en) 1982-11-12 1982-11-12 Apparatus for the manufacture of photovoltaic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59100516A true JPS59100516A (ja) 1984-06-09
JPH0614513B2 JPH0614513B2 (ja) 1994-02-23

Family

ID=23752267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58212316A Expired - Lifetime JPH0614513B2 (ja) 1982-11-12 1983-11-11 光電池素子の製造装置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4515107A (ja)
EP (1) EP0109808B1 (ja)
JP (1) JPH0614513B2 (ja)
KR (1) KR910006675B1 (ja)
AU (1) AU560939B2 (ja)
BR (1) BR8306207A (ja)
CA (1) CA1212169A (ja)
DE (1) DE3373684D1 (ja)
ES (1) ES8600572A1 (ja)
IN (1) IN165522B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62112318A (ja) * 1985-11-12 1987-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JPS62118520A (ja) * 1985-11-18 1987-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子サイクロトロン共鳴を用いて被膜を形成する方法
JPS62145882A (ja) * 1985-12-20 1987-06-29 Canon Inc 光起電力素子の連続製造装置
JPS62152122A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Canon Inc 光起電力素子の連続製造装置
JPH05251356A (ja) * 1991-11-06 1993-09-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 被膜形成方法
JPH05304096A (ja) * 1991-11-06 1993-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
US5976259A (en) * 1985-02-14 1999-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
WO2021172065A1 (ja) * 2020-02-28 2021-09-02 国立大学法人東海国立大学機構 加工方法、加工装置、加工プログラムおよびエンドミル

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2550007A1 (en) * 1983-07-29 1985-02-01 Sanyo Electric Co Method for producing a semiconducting film and photovoltaic device obtained by the method
US4619729A (en) * 1984-02-14 1986-10-28 Energy Conversion Devices, Inc. Microwave method of making semiconductor members
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
DE3427057A1 (de) * 1984-07-23 1986-01-23 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum
US4566403A (en) * 1985-01-30 1986-01-28 Sovonics Solar Systems Apparatus for microwave glow discharge deposition
US4664939A (en) * 1985-04-01 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Vertical semiconductor processor
JPH0817159B2 (ja) * 1985-08-15 1996-02-21 キヤノン株式会社 堆積膜の形成方法
US6230650B1 (en) 1985-10-14 2001-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US6673722B1 (en) 1985-10-14 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US4837048A (en) * 1985-10-24 1989-06-06 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposited film
KR910003169B1 (ko) * 1985-11-12 1991-05-20 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨소 반도체 장치 제조 방법 및 장치
JPH0645885B2 (ja) * 1985-12-16 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0645888B2 (ja) * 1985-12-17 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0645890B2 (ja) * 1985-12-18 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPS62142778A (ja) * 1985-12-18 1987-06-26 Canon Inc 堆積膜形成法
US5160543A (en) * 1985-12-20 1992-11-03 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
JPH0651906B2 (ja) * 1985-12-25 1994-07-06 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH0746729B2 (ja) * 1985-12-26 1995-05-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US4834023A (en) * 1986-12-19 1989-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming deposited film
US5130170A (en) * 1989-06-28 1992-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation
US5114770A (en) * 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
DE69030140T2 (de) * 1989-06-28 1997-09-04 Canon Kk Verfahren und Anordnung zur kontinuierlichen Bildung einer durch Mikrowellen-Plasma-CVD niedergeschlagenen grossflächigen Dünnschicht
AU4768793A (en) * 1992-06-29 1994-01-24 United Solar Systems Corporation Microwave energized deposition process with substrate temperature control
US5476798A (en) * 1992-06-29 1995-12-19 United Solar Systems Corporation Plasma deposition process with substrate temperature control
JP3471356B2 (ja) * 1992-11-13 2003-12-02 エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド 薄膜蒸着用マイクロ波装置
FR2702119B1 (fr) * 1993-02-25 1995-07-13 Metal Process Dispositif d'excitation d'un plasma à la résonance cyclotronique électronique par l'intermédiaire d'un applicateur filaire d'un champ micro-onde et d'un champ magnétique statique.
JPH08232070A (ja) * 1994-12-26 1996-09-10 Canon Inc 堆積膜形成装置及びそれに用いられる電極
US6159300A (en) 1996-12-17 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device
DE19722272A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
JP2000192244A (ja) * 1998-10-16 2000-07-11 Canon Inc 堆積膜の形成装置及び形成方法
JP2003530487A (ja) * 2000-04-12 2003-10-14 アイクストロン、アーゲー 少なくとも１つの高周波貫通端子を備えた反応室
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US20120189846A1 (en) * 2007-01-03 2012-07-26 Lockheed Martin Corporation Cnt-infused ceramic fiber materials and process therefor
US8158217B2 (en) * 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
US20100279569A1 (en) * 2007-01-03 2010-11-04 Lockheed Martin Corporation Cnt-infused glass fiber materials and process therefor
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US20090081441A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Lockheed Martin Corporation Fiber Tow Comprising Carbon-Nanotube-Infused Fibers
US20090081383A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Lockheed Martin Corporation Carbon Nanotube Infused Composites via Plasma Processing
EP2398955B8 (en) 2009-02-17 2020-06-03 Applied NanoStructured Solutions, LLC Composites comprising carbon nanotubes on fiber
AU2010257117A1 (en) 2009-02-27 2011-08-11 Applied Nanostructured Solutions Llc Low temperature CNT growth using gas-preheat method
US20100224129A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Lockheed Martin Corporation System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ cnt growth
US20100260998A1 (en) * 2009-04-10 2010-10-14 Lockheed Martin Corporation Fiber sizing comprising nanoparticles
CN102388171B (zh) * 2009-04-10 2015-02-11 应用纳米结构方案公司 用于在连续移动的基底上生产碳纳米管的设备和方法
CA2758570A1 (en) * 2009-04-24 2010-12-16 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-based signature control material
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
CN102460447A (zh) 2009-04-27 2012-05-16 应用纳米结构方案公司 防止或除去复合结构结冰的基于cnt的电阻加热
WO2010126840A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-04 Lockheed Martin Corporation Method and system for close proximity catalysis for carbon nanotube synthesis
JP5823393B2 (ja) * 2009-08-03 2015-11-25 アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニーＡｐｐｌｉｅｄ Ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｓｏｌｕｔｉｏｎｓ， Ｌｌｃ 複合繊維へのナノ粒子の組み込み
KR20120099690A (ko) * 2009-11-02 2012-09-11 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. Ｃｎｔ 주입 아라미드 섬유 물질 및 그 방법
DE102009044496B4 (de) * 2009-11-11 2023-11-02 Muegge Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen
BR112012010907A2 (pt) * 2009-11-23 2019-09-24 Applied Nanostructured Sols "materiais compósitos de cerâmica contendo materiais de fibra infundidos em nanotubo de carbono e métodos para a produção dos mesmos"
EP2504226A4 (en) * 2009-11-23 2014-10-15 Applied Nanostructured Sols AIR CARRIED COMPOSITE STRUCTURES ADAPTED TO CARBON NANOTUBES
AU2010353294B2 (en) 2009-12-14 2015-01-29 Applied Nanostructured Solutions, Llc Flame-resistant composite materials and articles containing carbon nanotube-infused fiber materials
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
WO2011146151A2 (en) 2010-02-02 2011-11-24 Applied Nanostructured Solutions, Llc Fiber containing parallel-aligned carbon nanotubes
AU2011223738B2 (en) 2010-03-02 2015-01-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Spiral wound electrical devices containing carbon nanotube-infused electrode materials and methods and apparatuses for production thereof
CA2789664A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
WO2012037042A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
AU2011305809A1 (en) 2010-09-22 2013-02-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof
EP2629595A2 (en) 2010-09-23 2013-08-21 Applied NanoStructured Solutions, LLC CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
US9093599B2 (en) * 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
US11019715B2 (en) * 2018-07-13 2021-05-25 Mks Instruments, Inc. Plasma source having a dielectric plasma chamber with improved plasma resistance
WO2020078557A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus, system and method for depositing a material on a substrate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53110378A (en) * 1977-03-09 1978-09-27 Hitachi Ltd Plasma carrying device
JPS5578524A (en) * 1978-12-10 1980-06-13 Shunpei Yamazaki Manufacture of semiconductor device
JPS5743413A (en) * 1980-05-19 1982-03-11 Energy Conversion Devices Inc Semiconductor element and method of producing same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE863522C (de) * 1945-04-15 1953-01-19 Telefunken Gmbh Vorrichtung zur Regelung der Strahlungsdaempfung eines Hohlrohr-schlitzstrahlers
US3114652A (en) * 1960-04-15 1963-12-17 Alloyd Corp Vapor deposition process
US3471672A (en) * 1967-04-28 1969-10-07 Varian Associates Slotted waveguide applicator
US3939798A (en) * 1974-12-19 1976-02-24 Texas Instruments Incorporated Optical thin film coater
JPS6011404B2 (ja) * 1975-11-01 1985-03-26 住友電気工業株式会社 無線結合用同軸ケーブル
US4226898A (en) * 1978-03-16 1980-10-07 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process
DE2812523A1 (de) * 1978-03-22 1979-09-27 Kabel Metallwerke Ghh Abstrahlendes koaxiales hochfrequenz-kabel
GB2033355B (en) * 1978-09-07 1982-05-06 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor processing
FR2410803A1 (fr) * 1979-03-16 1979-06-29 Cim Lambda Dispositif pour le traitement thermique ou thermochimique, en continu, d'objets, par emission de micro-ondes
JPS55131175A (en) * 1979-03-30 1980-10-11 Toshiba Corp Surface treatment apparatus with microwave plasma
US4363828A (en) * 1979-12-12 1982-12-14 International Business Machines Corp. Method for depositing silicon films and related materials by a glow discharge in a disiland or higher order silane gas
CA1159012A (en) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
US4410558A (en) * 1980-05-19 1983-10-18 Energy Conversion Devices, Inc. Continuous amorphous solar cell production system
US4379181A (en) * 1981-03-16 1983-04-05 Energy Conversion Devices, Inc. Method for plasma deposition of amorphous materials
JPS5719567A (en) * 1981-05-22 1982-02-01 Hiroshi Adachi Ice making vessel
US4438723A (en) * 1981-09-28 1984-03-27 Energy Conversion Devices, Inc. Multiple chamber deposition and isolation system and method
FR2514033B1 (fr) * 1981-10-02 1985-09-27 Henaff Louis Installation pour le depot de couches minces en grande surface en phase vapeur reactive par plasma

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53110378A (en) * 1977-03-09 1978-09-27 Hitachi Ltd Plasma carrying device
JPS5578524A (en) * 1978-12-10 1980-06-13 Shunpei Yamazaki Manufacture of semiconductor device
JPS5743413A (en) * 1980-05-19 1982-03-11 Energy Conversion Devices Inc Semiconductor element and method of producing same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5976259A (en) * 1985-02-14 1999-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
US6113701A (en) * 1985-02-14 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
JPS62112318A (ja) * 1985-11-12 1987-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JP2654433B2 (ja) * 1985-11-12 1997-09-17 株式会社 半導体エネルギー研究所 珪素半導体作製方法
JPS62118520A (ja) * 1985-11-18 1987-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子サイクロトロン共鳴を用いて被膜を形成する方法
JPS62145882A (ja) * 1985-12-20 1987-06-29 Canon Inc 光起電力素子の連続製造装置
JPS62152122A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Canon Inc 光起電力素子の連続製造装置
JPH05251356A (ja) * 1991-11-06 1993-09-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 被膜形成方法
JPH05304096A (ja) * 1991-11-06 1993-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
WO2021172065A1 (ja) * 2020-02-28 2021-09-02 国立大学法人東海国立大学機構 加工方法、加工装置、加工プログラムおよびエンドミル

Also Published As

Publication number Publication date
AU560939B2 (en) 1987-04-30
CA1212169A (en) 1986-09-30
ES527158A0 (es) 1985-10-01
IN165522B (ja) 1989-11-04
DE3373684D1 (en) 1987-10-22
ES8600572A1 (es) 1985-10-01
US4515107A (en) 1985-05-07
EP0109808A2 (en) 1984-05-30
EP0109808B1 (en) 1987-09-16
KR910006675B1 (ko) 1991-08-30
AU2107583A (en) 1984-05-17
JPH0614513B2 (ja) 1994-02-23
EP0109808A3 (en) 1984-07-11
BR8306207A (pt) 1984-06-19
KR840006726A (ko) 1984-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59100516A (ja) 光電池素子の製造装置及びアセンブリ
US4492716A (en) Method of making non-crystalline semiconductor layer
EP2080216B1 (en) Method for forming a film with a graded bandgap by deposition of an amorphous material from a plasma
US6096389A (en) Method and apparatus for forming a deposited film using a microwave CVD process
US5629054A (en) Method for continuously forming a functional deposit film of large area by micro-wave plasma CVD method
US5976257A (en) Apparatus for continuously forming a large area deposited film by means of microwave plasma CVD process
EP1918414A1 (en) Film deposition of amorphous films with a graded bandgap by electron cyclotron resonance
GB2043042A (en) Production of semiconductor bodies made of amorphous silicon
JPS59177922A (ja) プロセスガス導入及び移送システム
JP2000192244A (ja) 堆積膜の形成装置及び形成方法
JPH0576171B2 (ja)
US6057005A (en) Method of forming semiconductor thin film
EP0100611B1 (en) Reduced capacitance electrode assembly
JPH084070B2 (ja) 薄膜半導体素子及びその形成法
JP3367981B2 (ja) 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
JP2810529B2 (ja) 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JPH06232429A (ja) 光起電力素子及びその形成方法及びその形成装置
JPH10229213A (ja) 半導体薄膜の形成方法
JP3262899B2 (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
JP2810531B2 (ja) 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JPH06184755A (ja) 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
Takagi et al. Large area multi-zone type VHF-PCVD system for a-Si and/spl mu/c-Si deposition
JP3658165B2 (ja) 光電変換素子の連続製造装置
JP3787444B2 (ja) 半導体薄膜の形成方法および装置
JPS62163314A (ja) 薄膜多層構造およびその形成方法