JPS586313B2 - ガ−ドリングを有するシヨツトキダイオ−ド及びその製法 - Google Patents
ガ−ドリングを有するシヨツトキダイオ−ド及びその製法Info
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- JPS586313B2 JPS586313B2 JP53071174A JP7117478A JPS586313B2 JP S586313 B2 JPS586313 B2 JP S586313B2 JP 53071174 A JP53071174 A JP 53071174A JP 7117478 A JP7117478 A JP 7117478A JP S586313 B2 JPS586313 B2 JP S586313B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガードリングを有するショットキダイオード及
びその製法に関する。
びその製法に関する。
従来の斯種ガードリングを有するショットキダイオード
は、第１図に示す如く例えばＮ型の例えばＳｉでなる半
導体基体１内にその主面２側よりリング状にＰＮ接合３
を形成すべくＰ型領域４がガードリングとして形成され
、一方半導体基体１の主面２上に上方よりみて内周面が
ガードリング５を構成せるＰ型領域４の幅内にある窓６
の穿設されてなる例えばＳｉＯでなる絶縁層７が形成さ
れ、然して半導体基体１の主面２上の絶縁層７の窓６内
に臨み且つガードリング５を構成せるＰ型領域４にて囲
まれた領域上にガードリング５を構成せるＰ型領域４の
絶縁層７の窓６内に臨む領域上及び絶縁層７上に延長せ
る金属電極８がショットキ接合９を形成すべく付され、
一方半導体基体１の金属電極８とは反対側の面上に電極
１１が付されてなる構成を有するを普通とする。
は、第１図に示す如く例えばＮ型の例えばＳｉでなる半
導体基体１内にその主面２側よりリング状にＰＮ接合３
を形成すべくＰ型領域４がガードリングとして形成され
、一方半導体基体１の主面２上に上方よりみて内周面が
ガードリング５を構成せるＰ型領域４の幅内にある窓６
の穿設されてなる例えばＳｉＯでなる絶縁層７が形成さ
れ、然して半導体基体１の主面２上の絶縁層７の窓６内
に臨み且つガードリング５を構成せるＰ型領域４にて囲
まれた領域上にガードリング５を構成せるＰ型領域４の
絶縁層７の窓６内に臨む領域上及び絶縁層７上に延長せ
る金属電極８がショットキ接合９を形成すべく付され、
一方半導体基体１の金属電極８とは反対側の面上に電極
１１が付されてなる構成を有するを普通とする。
又従来の斯種ガードリングを有するショットキダイオー
ドは、Ｎ型の半導体基体の主面上にリング状の窓の穿設
せるマスク層を形成し、次にこのマスク層をマスクとせ
るＰ型不純物の拡散処理により半導体基体内にガードリ
ングを構成するＰ型領域を形成し、次にこの拡散処理に
用いられたマスク層を半導体基体の主面上より除去して
後この半導体基体の主面上に窓の穿設された絶縁層を形
成し、次に金属の蒸着−エッチング処理により半導体基
体の主面上の絶縁層の窓に臨む領域にショットキ接合を
形成すべく金属電極を付し、又半導体基体の金属電極側
とは反対側の面上に他の電極を付して得られるを普通と
する。
ドは、Ｎ型の半導体基体の主面上にリング状の窓の穿設
せるマスク層を形成し、次にこのマスク層をマスクとせ
るＰ型不純物の拡散処理により半導体基体内にガードリ
ングを構成するＰ型領域を形成し、次にこの拡散処理に
用いられたマスク層を半導体基体の主面上より除去して
後この半導体基体の主面上に窓の穿設された絶縁層を形
成し、次に金属の蒸着−エッチング処理により半導体基
体の主面上の絶縁層の窓に臨む領域にショットキ接合を
形成すべく金属電極を付し、又半導体基体の金属電極側
とは反対側の面上に他の電極を付して得られるを普通と
する。
所で上述せる従来のガードリングを有するショットキダ
イオードの構成によれば、その金属電極８が絶縁層７の
窓６の内周面に直接接している構成を有し、そして一般
的には金属電極８及び半導体基体１の夫々と絶縁層７と
の間には比較的大なる熱膨脹係数の差を有するものであ
る。
イオードの構成によれば、その金属電極８が絶縁層７の
窓６の内周面に直接接している構成を有し、そして一般
的には金属電極８及び半導体基体１の夫々と絶縁層７と
の間には比較的大なる熱膨脹係数の差を有するものであ
る。
この為金属電極８を上述せる如く金属の蒸着−エッチン
グ処理によって得る場合、その金属の蒸着時の熱によっ
てその金属及び半導体基体１乃至Ｐ型領域４の絶縁層７
の窓６の内周面に対応する位置に歪が生じ易く、この為
金属と半導体基体の材料とによる合金が絶縁層７の窓６
の内周面に対応する位置に形成され易いものである。
グ処理によって得る場合、その金属の蒸着時の熱によっ
てその金属及び半導体基体１乃至Ｐ型領域４の絶縁層７
の窓６の内周面に対応する位置に歪が生じ易く、この為
金属と半導体基体の材料とによる合金が絶縁層７の窓６
の内周面に対応する位置に形成され易いものである。
従って上述せる従来のショットキダイオードの構成によ
れば、これが絶縁層７の窓６の内周面に対応する位置に
不必要に金属電極８の金属と半導体基体の材料とによる
合金の形成されたものとして得られ易いものであった。
れば、これが絶縁層７の窓６の内周面に対応する位置に
不必要に金属電極８の金属と半導体基体の材料とによる
合金の形成されたものとして得られ易いものであった。
又ガードリング５を形成せるＰ型領域４と半導体基体１
との間のＰＮ接合３の容量を小とすべくガードリング５
を構成せるＰ型領域４の深さを小とすれば、上述せる金
属電極８の金属と半導体基体１の材料とによる合金によ
ってＰＮ接合３の全てが失われて了うれを有していた。
との間のＰＮ接合３の容量を小とすべくガードリング５
を構成せるＰ型領域４の深さを小とすれば、上述せる金
属電極８の金属と半導体基体１の材料とによる合金によ
ってＰＮ接合３の全てが失われて了うれを有していた。
又Ｐ型領域４をＰＮ接合３の容量を小とすべく小なる面
積に形成するのが困難であった。
積に形成するのが困難であった。
従って上述せる従来のショットキダイオードの構成によ
れば、そのＰＮ接合３の容量の小なるガードリングを有
するショットキダイオードを得ることが困難であり、よ
って高速動作を得ることが困難であった。
れば、そのＰＮ接合３の容量の小なるガードリングを有
するショットキダイオードを得ることが困難であり、よ
って高速動作を得ることが困難であった。
更に上述せる従来のショットキダイオードの構成によれ
ば、それが、上述せる如くにリング状の窓の穿設せるマ
スク層を形成する場合と窓の穿設せる絶縁層を形成する
場合との２回も、窓を形成する工程を要し、しかも後者
の窓は前者の窓に対して位置決めして穿設することによ
り始めて得られ、従って目的とせるガードリングを有す
るショットキダイオードを歩留り良く容易に製るに多く
の困難を伴なうものであった等の欠点を有していた。
ば、それが、上述せる如くにリング状の窓の穿設せるマ
スク層を形成する場合と窓の穿設せる絶縁層を形成する
場合との２回も、窓を形成する工程を要し、しかも後者
の窓は前者の窓に対して位置決めして穿設することによ
り始めて得られ、従って目的とせるガードリングを有す
るショットキダイオードを歩留り良く容易に製るに多く
の困難を伴なうものであった等の欠点を有していた。
依って本発明は上述せる従来の欠点を一掃せる新規なガ
ードリングを有するショットキダイオード及びその製法
を提案せんとするもので、以下詳述する所より明らかと
なるであろう。
ードリングを有するショットキダイオード及びその製法
を提案せんとするもので、以下詳述する所より明らかと
なるであろう。
第２図は本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードの一例を示し、第１図との対応部分には同一
符号を付し詳細説明はこれを省略するも、絶縁層７がそ
の下面をして、第１図の場合と同様に半導体基体１の主
面２とのみ接して延長し、この絶縁層７の窓６の内周面
がＰ型領域４と接して上方に延長しているものであるが
、その絶縁層７の窓６の内周面上にＰ型不純物を含んで
Ｐ型を呈している例えば多結晶シリコンでなる多結晶半
導体層１０がガードリング５の一部としてＰ型領域４よ
りこれと接して層状に上方に延長している。
ダイオードの一例を示し、第１図との対応部分には同一
符号を付し詳細説明はこれを省略するも、絶縁層７がそ
の下面をして、第１図の場合と同様に半導体基体１の主
面２とのみ接して延長し、この絶縁層７の窓６の内周面
がＰ型領域４と接して上方に延長しているものであるが
、その絶縁層７の窓６の内周面上にＰ型不純物を含んで
Ｐ型を呈している例えば多結晶シリコンでなる多結晶半
導体層１０がガードリング５の一部としてＰ型領域４よ
りこれと接して層状に上方に延長している。
又金属電極８が、第１図の場合と同様に半導体基体１の
主面２上の絶縁層７の窓６に臨む領域内にショットキ接
合９を形成すべく金属の蒸着処理によって形成されてい
るものであるが、その金属電極８が、絶縁層７の窓６の
内周面上に多結晶半導体層１０を介して延長し、更にＰ
型領域４が多結晶半導体層１０よりのＰ型不純物の拡散
により形成されていることを除いては第１図の場合と同
様の構成を有する。
主面２上の絶縁層７の窓６に臨む領域内にショットキ接
合９を形成すべく金属の蒸着処理によって形成されてい
るものであるが、その金属電極８が、絶縁層７の窓６の
内周面上に多結晶半導体層１０を介して延長し、更にＰ
型領域４が多結晶半導体層１０よりのＰ型不純物の拡散
により形成されていることを除いては第１図の場合と同
様の構成を有する。
以上が本発明によるガードリングを有するショットキダ
イオードの一例構成であるが、次にその本発明による製
法の一例を第３図を伴なって述べるに、第２図との対応
部分には同一符号を付して示すも、第３図Ａに示す如く
、Ｎ型のＳｉでなる半導体基体１が予め用意され、然し
てその主面２上に例えば熱酸化処理によって第３図Ｂに
示す如くＳｉＯ２でなる絶縁層１７を、０．５〜１μｍ
の厚さに形成し、次に例えばデポジション法によって第
３図Ｃに示す如く絶縁層１７上にＰ型不純物となる例え
ばボロンを１×１０１７〜１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３の
濃度で含む例えば多結晶シリコンでなる多結晶半導体層
３１を、０．１〜１μｍの厚さに形成し、次に斯る絶縁
層１７及びＰ型不純物を含む多結晶半導体層３１でなる
積層体３２に対する選択的エッチング処理により、第３
図Ｄに示す如く絶縁層１７による窓６の穿設せる絶縁層
７とＰ型不純物を含む多結晶半導体層３１による窓３３
の穿設せる多結晶半導体層３４とよりなる積層体３２に
よる窓３５の穿設せる積層体３６を形成する。
イオードの一例構成であるが、次にその本発明による製
法の一例を第３図を伴なって述べるに、第２図との対応
部分には同一符号を付して示すも、第３図Ａに示す如く
、Ｎ型のＳｉでなる半導体基体１が予め用意され、然し
てその主面２上に例えば熱酸化処理によって第３図Ｂに
示す如くＳｉＯ２でなる絶縁層１７を、０．５〜１μｍ
の厚さに形成し、次に例えばデポジション法によって第
３図Ｃに示す如く絶縁層１７上にＰ型不純物となる例え
ばボロンを１×１０１７〜１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３の
濃度で含む例えば多結晶シリコンでなる多結晶半導体層
３１を、０．１〜１μｍの厚さに形成し、次に斯る絶縁
層１７及びＰ型不純物を含む多結晶半導体層３１でなる
積層体３２に対する選択的エッチング処理により、第３
図Ｄに示す如く絶縁層１７による窓６の穿設せる絶縁層
７とＰ型不純物を含む多結晶半導体層３１による窓３３
の穿設せる多結晶半導体層３４とよりなる積層体３２に
よる窓３５の穿設せる積層体３６を形成する。
但しこの場合の選択的エッチング処理に用いるエツチャ
ントとして絶縁層１７に対するエッチング速度が多結晶
半導体層３１に対するそれに比し大なる、例えば弗酸系
のバツファエッチング液でなるエツチャントを用い、依
って絶縁層７の窓６を多結晶半導体層３４の窓３３に比
し、０．１〜１μｍ程度、一回り大なる大いさとして形
成する。
ントとして絶縁層１７に対するエッチング速度が多結晶
半導体層３１に対するそれに比し大なる、例えば弗酸系
のバツファエッチング液でなるエツチャントを用い、依
って絶縁層７の窓６を多結晶半導体層３４の窓３３に比
し、０．１〜１μｍ程度、一回り大なる大いさとして形
成する。
次に再度デポジション法によって第３図Ｅに示す如く半
導体１の主面２上の積層体３６の窓３５に臨む領域及び
積層体３６上に一義的に延長せる上述せる多結晶半導体
層３１又は３４と同様のＰ型不純物を、１×１０１７〜
１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３の濃度で含む多結晶半導体層
５１を、０．３〜１μｍの厚きに形成し、次にこの多結
晶半導体層５１に対する一義的な例えばイオンエッチン
グ処理によって、多結晶半導体層５１をその１方よりみ
て絶縁層７の窓６の上述せる多結晶半導体層３４をその
上方よりみて絶縁層７の窓６の上述せる多結晶半導体層
３４にて影になっているリング状の領域上の領域を残し
て他の領域をエッチング除去し、斯して第３図Ｆに示す
如く多結晶半導体層３４による部と多結晶半導体層５１
による絶縁層７の窓６の内周面上にリング状に形成され
た半導体基体１．５と０．１〜１μｍの幅でリング状に
接している０．１〜１μｍ程度の厚さを有する部３７と
よりなるＰ型不純物を含む多結晶半導体層３８を形成す
る。
導体１の主面２上の積層体３６の窓３５に臨む領域及び
積層体３６上に一義的に延長せる上述せる多結晶半導体
層３１又は３４と同様のＰ型不純物を、１×１０１７〜
１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３の濃度で含む多結晶半導体層
５１を、０．３〜１μｍの厚きに形成し、次にこの多結
晶半導体層５１に対する一義的な例えばイオンエッチン
グ処理によって、多結晶半導体層５１をその１方よりみ
て絶縁層７の窓６の上述せる多結晶半導体層３４をその
上方よりみて絶縁層７の窓６の上述せる多結晶半導体層
３４にて影になっているリング状の領域上の領域を残し
て他の領域をエッチング除去し、斯して第３図Ｆに示す
如く多結晶半導体層３４による部と多結晶半導体層５１
による絶縁層７の窓６の内周面上にリング状に形成され
た半導体基体１．５と０．１〜１μｍの幅でリング状に
接している０．１〜１μｍ程度の厚さを有する部３７と
よりなるＰ型不純物を含む多結晶半導体層３８を形成す
る。
次に熱処理をなし多結晶半導体層３８に含まれているＰ
型不純物を半導体基体１内の多結晶半導体層３８の部３
７が接している領域下に拡散せしめ、斯くて第３図Ｇに
示す如くこの半導体基体１内にガードリング５を構成せ
るＰ型領域４を０．５μｍ以下の例えば０．３μｍの深
さに形成し、そしてそれと半導体基体１との間にＰＮ接
合３を形成し、次にＡＩ，Ｍｏ，Ｔｉ等の金属の蒸着処
理によって第３図Ｈに示す如く半導体基体１の主面２上
の多結晶半導体層３８の部３７の内周面を窓３９の内周
面とせるその窓３９に臨む領域、Ｐ型領域４の同様に窓
３９に臨む領域及び多結晶半導体層３８上に一義的に延
長せる金属層１８を付し、その金属層１８とこれが接し
ている半導体基体１の窓３９に臨む領域との間でショッ
トキ接合９を形成２し、且つ金属層１８とこれが接して
いるＰ型領域４との間でオーミツク接合を形成し、次に
この金属層１８に対する選択的エッチング処理により第
３図１に示す如く半導体基体１の窓３９に臨む領域にシ
ョットキ接合９を形成せる金属電極８を形成し、又この
金属電極８をマスクとせる多結晶半導体層３８に対する
エッチング処理をなし、斯くてＰ型領域４より連続延長
しＰ型領域４と共にガードリング５の一部を構成せる多
結晶半導体層３８による窓４０を形成せるＰ型不純物を
含む多結晶半導体層１０を形成し、然る後又はその前に
半導体基体１の金属電極８側とは反対側の面上に電極１
１を付し、斯くて第２図に示す目的とせるガードリング
を有するショットキダイオードを得る。
型不純物を半導体基体１内の多結晶半導体層３８の部３
７が接している領域下に拡散せしめ、斯くて第３図Ｇに
示す如くこの半導体基体１内にガードリング５を構成せ
るＰ型領域４を０．５μｍ以下の例えば０．３μｍの深
さに形成し、そしてそれと半導体基体１との間にＰＮ接
合３を形成し、次にＡＩ，Ｍｏ，Ｔｉ等の金属の蒸着処
理によって第３図Ｈに示す如く半導体基体１の主面２上
の多結晶半導体層３８の部３７の内周面を窓３９の内周
面とせるその窓３９に臨む領域、Ｐ型領域４の同様に窓
３９に臨む領域及び多結晶半導体層３８上に一義的に延
長せる金属層１８を付し、その金属層１８とこれが接し
ている半導体基体１の窓３９に臨む領域との間でショッ
トキ接合９を形成２し、且つ金属層１８とこれが接して
いるＰ型領域４との間でオーミツク接合を形成し、次に
この金属層１８に対する選択的エッチング処理により第
３図１に示す如く半導体基体１の窓３９に臨む領域にシ
ョットキ接合９を形成せる金属電極８を形成し、又この
金属電極８をマスクとせる多結晶半導体層３８に対する
エッチング処理をなし、斯くてＰ型領域４より連続延長
しＰ型領域４と共にガードリング５の一部を構成せる多
結晶半導体層３８による窓４０を形成せるＰ型不純物を
含む多結晶半導体層１０を形成し、然る後又はその前に
半導体基体１の金属電極８側とは反対側の面上に電極１
１を付し、斯くて第２図に示す目的とせるガードリング
を有するショットキダイオードを得る。
以上にて本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードの一例及びその製法の一例が明らかとなった
が、斯る本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードによれば、その金属電極８が絶縁層７の窓６
の内周面に直接接しては居らず、ガードリング５の一部
を構成せるＰ型不純物を含む多結晶半導体層１０を介し
て絶縁層７の窓６の内周面に対向し、然して金属電極８
及び半導体基体１の夫々とガードリング５の一部を構成
せるＰ型不純物を含む多結晶半導体層１０との間の熱膨
脹係数の差が、金属電極８及び半導体基体１の夫々と絶
縁層７との間のそれに比し格段的に小であるので、金属
電極８を上述せる如く金属の蒸着−エッチング処理によ
って得るときのその金属の蒸着時の熱によってその金属
及び半導体基体１の多結晶半導体層１０の窓４０の内周
面に対応する位置に歪が生ずることは実質的になく、又
半導体基体１の絶縁層７の窓６の内周面に対応する位置
にも、絶縁層７が多結晶半導体層１０の厚さ分金属電極
８による金属より離間していることにより、歪が実質的
に生ぜず、結局第１図にて上述せる従来のショットキダ
イオードの如くに金属と半導体基体の材料とによる合金
が形成されることが実質的に回避されるものである。
ダイオードの一例及びその製法の一例が明らかとなった
が、斯る本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードによれば、その金属電極８が絶縁層７の窓６
の内周面に直接接しては居らず、ガードリング５の一部
を構成せるＰ型不純物を含む多結晶半導体層１０を介し
て絶縁層７の窓６の内周面に対向し、然して金属電極８
及び半導体基体１の夫々とガードリング５の一部を構成
せるＰ型不純物を含む多結晶半導体層１０との間の熱膨
脹係数の差が、金属電極８及び半導体基体１の夫々と絶
縁層７との間のそれに比し格段的に小であるので、金属
電極８を上述せる如く金属の蒸着−エッチング処理によ
って得るときのその金属の蒸着時の熱によってその金属
及び半導体基体１の多結晶半導体層１０の窓４０の内周
面に対応する位置に歪が生ずることは実質的になく、又
半導体基体１の絶縁層７の窓６の内周面に対応する位置
にも、絶縁層７が多結晶半導体層１０の厚さ分金属電極
８による金属より離間していることにより、歪が実質的
に生ぜず、結局第１図にて上述せる従来のショットキダ
イオードの如くに金属と半導体基体の材料とによる合金
が形成されることが実質的に回避されるものである。
又この為ガードリング５を構成せるＰ型領域４と半導体
基体１との間のＰＮ接合３の容量を小ならしめるべくＰ
型領域４を上述せる如く０．５μｍ以下の例えば０．３
μｍの深さに浅く形成しても、ＰＮ接合３が失われて得
られるということがないものである。
基体１との間のＰＮ接合３の容量を小ならしめるべくＰ
型領域４を上述せる如く０．５μｍ以下の例えば０．３
μｍの深さに浅く形成しても、ＰＮ接合３が失われて得
られるということがないものである。
又Ｐ型領域４が半導体基体１と０．１〜１μｍ程度とい
う小なる幅でリング状に接している多結晶半導体層１０
よりのＰ型不純物の拡散により形成されるので、その面
積を十分小とし得、従ってＰＮ接合３の容量を十分小と
し得るものである。
う小なる幅でリング状に接している多結晶半導体層１０
よりのＰ型不純物の拡散により形成されるので、その面
積を十分小とし得、従ってＰＮ接合３の容量を十分小と
し得るものである。
従ってＰＮ接合３の容量を十分小とし得るので、高速動
作を得ることができるものである。
作を得ることができるものである。
又上述せる木発明の一例構成によれば、それが絶縁層７
及びガードリング５の一部としての多結晶半導体層１０
の一部となるＰ型不純物を含む多結晶半導体層３４より
なる窓３５を有する積層体３６を得る場合の１回の窓を
形成する工程だけで得られ、従って目的とするガードリ
ングを有するショットキダイオードを歩留り良く容易に
製ることか出来る等の大なる特徴を有するものである。
及びガードリング５の一部としての多結晶半導体層１０
の一部となるＰ型不純物を含む多結晶半導体層３４より
なる窓３５を有する積層体３６を得る場合の１回の窓を
形成する工程だけで得られ、従って目的とするガードリ
ングを有するショットキダイオードを歩留り良く容易に
製ることか出来る等の大なる特徴を有するものである。
又上述せる本発明によるガードリングを有するショット
キダイオードの製法によれば、上述せる所より明らかな
如く、目的とせるガードリングを有するショットキダイ
オードを歩留り良く容易に得ることが出来る大なる特徴
を有するものである。
キダイオードの製法によれば、上述せる所より明らかな
如く、目的とせるガードリングを有するショットキダイ
オードを歩留り良く容易に得ることが出来る大なる特徴
を有するものである。
次に第４図を伴なって本発明によるガードリングを有す
るショットキダイオードの他の例を述べるに、第２図と
の対応部分には同一符号を付し詳細説明はこれを省略す
るも、第２図の構成に於てそのガードリング５がそれを
構成せる多結晶半導体層１０の絶縁層７の窓６の内周面
上の部のみをもって構成された構成を有してなる事を除
いては第２図の場合と同様の構成を有する。
るショットキダイオードの他の例を述べるに、第２図と
の対応部分には同一符号を付し詳細説明はこれを省略す
るも、第２図の構成に於てそのガードリング５がそれを
構成せる多結晶半導体層１０の絶縁層７の窓６の内周面
上の部のみをもって構成された構成を有してなる事を除
いては第２図の場合と同様の構成を有する。
以上が本発明によるガードリングを有するショットキダ
イオードの他の一例構成であるが、次にその本発明によ
る製法の一例を第５図を伴なって述べるに、第４図及び
第３図との対応部分には同一符号を付して示すも、第５
図Ａに示す如くＮ型のＳｉでなる半導体基体１が予め用
意され、然してその主面２上に例えば熱酸化処理によっ
て第５図Ｂに示す都くＳｉＯ２でなる絶縁層１７を０．
６μｍ程度の厚さに形成し、次に例えば化学気相堆積法
によって第５図Ｃに示す如く絶縁層１７上に、例えばボ
ロンを高濃度に導入しているＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３
でなる酸化物の絶縁層３１′を形成し、次に斯る絶縁層
１７及び３１′でなる積層体３２′に対する選択的エッ
チング処理により、第５図Ｄに示す如く絶縁層１７によ
る窓６の穿設せる絶縁層７と絶縁層３１′による窓３３
′の穿設せる絶縁層３４′とよりなる積層体３２′によ
る窓３５’の穿設せる積層体３６′を形成する。
イオードの他の一例構成であるが、次にその本発明によ
る製法の一例を第５図を伴なって述べるに、第４図及び
第３図との対応部分には同一符号を付して示すも、第５
図Ａに示す如くＮ型のＳｉでなる半導体基体１が予め用
意され、然してその主面２上に例えば熱酸化処理によっ
て第５図Ｂに示す都くＳｉＯ２でなる絶縁層１７を０．
６μｍ程度の厚さに形成し、次に例えば化学気相堆積法
によって第５図Ｃに示す如く絶縁層１７上に、例えばボ
ロンを高濃度に導入しているＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３
でなる酸化物の絶縁層３１′を形成し、次に斯る絶縁層
１７及び３１′でなる積層体３２′に対する選択的エッ
チング処理により、第５図Ｄに示す如く絶縁層１７によ
る窓６の穿設せる絶縁層７と絶縁層３１′による窓３３
′の穿設せる絶縁層３４′とよりなる積層体３２′によ
る窓３５’の穿設せる積層体３６′を形成する。
この場合も第３図にて上述せる場合と同様に例えば弗酸
系のバツファエッチング液でなるエツチャントを用いて
、絶縁層７の窓６を絶縁層３ ４’の窓３３′に比し０
．１〜１μｍ程度大なる大いさとして形成する。
系のバツファエッチング液でなるエツチャントを用いて
、絶縁層７の窓６を絶縁層３ ４’の窓３３′に比し０
．１〜１μｍ程度大なる大いさとして形成する。
次にデポジション法によって第５図Ｅに示す如く第３図
Ｅの場合と同様にＰ型不純物を含む多結晶半導体層５１
を形成し、次に多結晶半導体層５１に対する例えばイオ
ンエッチング処理によって、第５図Ｆに示す如く絶縁層
７の窓６の内周面上にリング状に形成された多結晶半導
体層５１によるＰ型不純物を含む半導体基体１と０．１
〜１μｍ程度の幅で接している多結晶半導体層３７を形
成し、そのリング状の層に対する熱処理をなしてリング
状の多結晶半導体層３７をガードリング５の一部として
形成する。
Ｅの場合と同様にＰ型不純物を含む多結晶半導体層５１
を形成し、次に多結晶半導体層５１に対する例えばイオ
ンエッチング処理によって、第５図Ｆに示す如く絶縁層
７の窓６の内周面上にリング状に形成された多結晶半導
体層５１によるＰ型不純物を含む半導体基体１と０．１
〜１μｍ程度の幅で接している多結晶半導体層３７を形
成し、そのリング状の層に対する熱処理をなしてリング
状の多結晶半導体層３７をガードリング５の一部として
形成する。
次に第５図Ｇに示す如く絶縁層３４′を除去し、次に熱
処理により第５図Ｈに示す如く多結晶半導体層３７より
半導体基体１内にＰ型不純物を拡散してＰ型領域４を０
．５μｍ以下の例えば０．３μｍの深さに形成し、次に
金属の蒸着処理によって第５図Ｉに示す如く金属層１８
を付し、次に金属層１８に対するエッチング処理によっ
て第５図Ｊに示す如くショットキ接合９を形成すべく金
属電極８を形成し、然る後又はその前に電極１１を付し
、斯くて第４図に示す目的とせるガードリングを有する
ショットキダイオードを得る。
処理により第５図Ｈに示す如く多結晶半導体層３７より
半導体基体１内にＰ型不純物を拡散してＰ型領域４を０
．５μｍ以下の例えば０．３μｍの深さに形成し、次に
金属の蒸着処理によって第５図Ｉに示す如く金属層１８
を付し、次に金属層１８に対するエッチング処理によっ
て第５図Ｊに示す如くショットキ接合９を形成すべく金
属電極８を形成し、然る後又はその前に電極１１を付し
、斯くて第４図に示す目的とせるガードリングを有する
ショットキダイオードを得る。
以上にて本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードの他の例及びその製法の一例が明らかとなっ
たが、斯る本発明によるショットキダイオードによれば
、詳細説明はこれを省略するも、第２図の場合と同様の
動作をなし、又金属電極８が絶縁層７の窓６の内周面上
に直接接していないので、第２図及び第３図にて上述せ
る場合と同様の大なる特徴を有するものである。
ダイオードの他の例及びその製法の一例が明らかとなっ
たが、斯る本発明によるショットキダイオードによれば
、詳細説明はこれを省略するも、第２図の場合と同様の
動作をなし、又金属電極８が絶縁層７の窓６の内周面上
に直接接していないので、第２図及び第３図にて上述せ
る場合と同様の大なる特徴を有するものである。
又第５図に示す本発明の製法によれば、上述せる所より
明らかな如く第３図の場合に比し更に容易に歩留り良く
目的とせるガードリングを有するショットキダイオード
を製ることが出来るものである。
明らかな如く第３図の場合に比し更に容易に歩留り良く
目的とせるガードリングを有するショットキダイオード
を製ることが出来るものである。
尚上述に於いては本発明の僅かな例を示したに留まり、
上述せるＮ型をＰ型、Ｐ型をＮ型と読み替えた構成とす
ることも出来、その他本発明の精神を脱することなしに
種々の変型変更をなし得るであろう。
上述せるＮ型をＰ型、Ｐ型をＮ型と読み替えた構成とす
ることも出来、その他本発明の精神を脱することなしに
種々の変型変更をなし得るであろう。
第１図は従来のガードリングを有するショットキダイオ
ードを示す略線的断面図である。 第２図は本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードの一例を示す略線的断面図である。 第３図はその製法の一例を示す順次の工程での略線的断
面図である。 第４図は本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードの他の例を示す略線的断面図である。 第５図はその製法の一例を示す順次の工程での略線的断
面図である。 １……半導体基体、２……主面、３……ＰＮ接合、４…
…Ｐ型領域、５……ガードリング、６…１…窓、７，１
７……絶縁層、８……金属電極、９……ショットキ接合
、１０，３１，５１……Ｐ型不純物を含む層、１１……
電極、１８……金属層。
ードを示す略線的断面図である。 第２図は本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードの一例を示す略線的断面図である。 第３図はその製法の一例を示す順次の工程での略線的断
面図である。 第４図は本発明によるガードリングを有するショットキ
ダイオードの他の例を示す略線的断面図である。 第５図はその製法の一例を示す順次の工程での略線的断
面図である。 １……半導体基体、２……主面、３……ＰＮ接合、４…
…Ｐ型領域、５……ガードリング、６…１…窓、７，１
７……絶縁層、８……金属電極、９……ショットキ接合
、１０，３１，５１……Ｐ型不純物を含む層、１１……
電極、１８……金属層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の電導型を有する半導体基体を有し、該半導体
基体内にそれとの間でＰＮ接合を形成すべく第２の電導
型を有する半導体領域がガードリングとして形成され、
上記半導体基体の主面上にその上記半導体領域にて取囲
まれた領域を外部に臨ませる窓を有する絶縁層が形成さ
れ、上記半導体基体の主面上の上記絶縁層の窓に臨む領
域内に金属電極が金属の蒸着処理によってショットキ接
合を形成すべく附されてなるガードリングを有するショ
ットキダイオードに於いて、 上記絶縁層がその下面をして上記半導体基体の主面との
み接して延長し、上記絶縁層の窓の内周面が上記半導体
領域と接して上方に延長し、上記絶縁層の窓の内周面上
に第２の電導型を有する多結晶半導体層が上記ガードリ
ングの一部として上記半導体領域よりこれと連接して層
状に上方に延長し、 上記金属電極が上記絶縁層の窓の内周面１に上記多結晶
半導体層を介して延長し、 上記半導体領域が上記多結晶半導体層よりの第２の電導
型を有する不純物の拡散により形成されてなることを特
徴とするガードリングを有するショットキダイオード。 ２ 第１の電導型を有する半導体基体の主面上に第１の
絶縁層と第２の電導型を与える不純物を含む第１の多結
晶半導体層とがそれらの順に積層されてなる第１の積層
体を形成する工程と、該第１の積層体に対する選択的エ
ッチング処理により、上記第１の絶縁層による第１の窓
の穿設されてなる第２の絶縁層と上記第１の多結晶半導
体層による上方よりみて上記第１の窓に内包される大い
さの第２の窓の穿設されてなる第２の多結晶半導体層と
よりなる上記第１の積層体による上記第１及び第２の窓
よりなる第３の窓の穿設されてなる第２の積層体を形成
する工程と、 上記半導体基体の主面上の上記第２の積層体の第３の窓
に臨む領域上及び上記第２の積層体上に連続して延長せ
る第２の電導型を与える不純物を含む第３の多結晶半導
体層を形成する工程と、上記第３の多結晶半導体層に対
するエッチング処理により、当該第３の多結晶半導体層
を上方よりみて上記第２の絶縁層の第１の窓の上記第２
の多結晶半導体層にて影になっているリング状の領域上
の領域を残して他の領域を除去して、上記第２の多結晶
半導体層による部と上記第３の多結晶半導体層の上記第
１の絶縁層の第１の窓の内周面上にリング状に形成され
た部とよりなる第２の電導型を与える不純物を含む第４
の多結晶半導体層をガードリングの一部として形成する
工程と、熱処理により、上記第４の多結晶半導体層に含
まれている第２の電導型を与える不純物を上記半導体基
体内の上記第４の多結晶半導体層が接している領域下に
拡散せしめて、上記半導体基体内に第２の電導型を有す
る半導体領域を、上記半導体基体との間にＰＮ接合を形
成するように上記ガードリングの他部として形成する工
程と、 金属の蒸着処理によって、上記半導体基体の主面上の上
記第４の多結晶半導体層のリング状に形成された部の内
周面を第４の窓の内周面とするその第４の窓に臨む領域
、上記半導体領域の上記第４の窓に臨む領域及び上記第
４の多結晶半導体層上に連続延長せる金属層を、上記半
導体基体の上記第４の窓に臨む領域との間でショットキ
接合を形成し且つ上記半導体領域との間でオーミツク接
合を形成すべく付す工程とを含む事を特徴とするガード
リングを有するショットキダイオードの製法。 ３ 第１の電導型を有する半導体基体の主面上に第１の
絶縁層と該第１の絶縁層とは異なる材料でなる第３の絶
縁層とがそれらの順に順次積層されてなる第１の積層体
を形成する工程と、 該第１の積層体に対する選択的エッチング処理により、
上記第１の絶縁層による第１の窓の穿設されてなる第２
の絶縁層と上記第３の絶縁層による上方よりみて上記第
１の窓に内包される大いさの第２の窓の穿設されてなる
第４の絶縁層とよりなる、上記第１の積層体による上記
第１及び第２の窓よりなる第３の窓の穿設されてなる第
２の積層体を形成する工程と、 上記半導体基体の主面上の上記第２の積層体の第３の窓
に臨む領域上及び上記第２の積層体上に連続して延長せ
る第２の電導型蕃与える不純物を含む第３の多結晶半導
体層を形成する工程と、上記第３の多結晶半導体層に対
するエッチング処理により、当該第３の多結晶半導体層
を上方よりみて上記第２の絶縁層の第１の窓の上記第４
の絶縁層にて影になっているリング状の領域上の領域を
残して他の領域を除去して、上記第３の多結晶半導体層
の上記第１の絶縁層の第１の窓の内周面上にリング状に
リング状に形成された部よりなる第２の電導型を与える
不純物を含む第４の多結晶半導体層をガードリングの一
部として形成する工程と、 熱処理により、上記第４の多結晶半導体層に含まれてい
る第２の電導型を与える不純物を上記半導体内の上記第
４の多結晶半導体層が接している領域下に拡散せしめて
、上記半導体基体内に第２の電導型を有する半導体領域
を、上記半導体基体との間にＰＮ接合を形成するように
上記ガードリングの他部として形成する工程と、 金属の蒸着処理によって、上記半導体基体の主面上の上
記第４の多結晶半導体層のリング状に形成された部の内
周面を第４の窓の内周面とするその第４の窓に臨む領域
、上記半導体領域の上記第４の窓に臨む領域及び上記第
４の多結晶半導体層上に連続延長せる金属層を、上記半
導体基体の上記第４の窓に臨む領域との間でショットキ
接合を形成し且つ上記半導体領域との間でオーミック接
合を形成すべく付す工程とを含む事を特徴とするガード
リングを有するショットキダイオードの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53071174A JPS586313B2 (ja) | 1978-06-13 | 1978-06-13 | ガ−ドリングを有するシヨツトキダイオ−ド及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53071174A JPS586313B2 (ja) | 1978-06-13 | 1978-06-13 | ガ−ドリングを有するシヨツトキダイオ−ド及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54161887A JPS54161887A (en) | 1979-12-21 |
| JPS586313B2 true JPS586313B2 (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=13453023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53071174A Expired JPS586313B2 (ja) | 1978-06-13 | 1978-06-13 | ガ−ドリングを有するシヨツトキダイオ−ド及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586313B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59135791A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | 日本メクトロン株式会社 | フレキシブルジヤンパ |
| JPS6049510A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-18 | シャープ株式会社 | 導体配線付フィルムシ−ト |
| JPS61169906U (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | ||
| JPH0126745Y2 (ja) * | 1984-09-14 | 1989-08-10 | ||
| JPH0417556Y2 (ja) * | 1983-06-23 | 1992-04-20 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1148274A (en) * | 1980-03-24 | 1983-06-14 | International Business Machines Corporation | Method for making stable nitride-defined schottky barrier diodes |
| US4691435A (en) * | 1981-05-13 | 1987-09-08 | International Business Machines Corporation | Method for making Schottky diode having limited area self-aligned guard ring |
| US4796069A (en) * | 1981-05-13 | 1989-01-03 | International Business Machines Corporation | Schottky diode having limited area self-aligned guard ring and method for making same |
| JPS58210667A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509673A (ja) * | 1973-05-28 | 1975-01-31 |
-
1978
- 1978-06-13 JP JP53071174A patent/JPS586313B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509673A (ja) * | 1973-05-28 | 1975-01-31 |
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| JPH0417556Y2 (ja) * | 1983-06-23 | 1992-04-20 | ||
| JPS6049510A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-18 | シャープ株式会社 | 導体配線付フィルムシ−ト |
| JPH0126745Y2 (ja) * | 1984-09-14 | 1989-08-10 | ||
| JPS61169906U (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54161887A (en) | 1979-12-21 |
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