JPS582607B2 - 温度検知回路 - Google Patents
温度検知回路Info
- Publication number
- JPS582607B2 JPS582607B2 JP51026060A JP2606076A JPS582607B2 JP S582607 B2 JPS582607 B2 JP S582607B2 JP 51026060 A JP51026060 A JP 51026060A JP 2606076 A JP2606076 A JP 2606076A JP S582607 B2 JPS582607 B2 JP S582607B2
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- Japan
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- transistor
- temperature
- vbe
- power
- stage
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H5/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
- H02H5/04—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
- H02H5/044—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using a semiconductor device to sense the temperature
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は過熱によってその性能を危うくする回路ある
いは装置の発熱を検知して、それを保護するための制御
信号を出す温度検知回路に関する。
いは装置の発熱を検知して、それを保護するための制御
信号を出す温度検知回路に関する。
従来から、例えばパワーＩＣにおいては、その内部に過
熱保護機能を備えていないものは、外部にヒューズある
いは電子的な特別の保護回路を用いているが、これによ
れば前者においては動作毎に交換が必要であり、後者に
おいては回路が複雑となったり、その動作によってパワ
ーＩＣに出力歪を与えたりしている。
熱保護機能を備えていないものは、外部にヒューズある
いは電子的な特別の保護回路を用いているが、これによ
れば前者においては動作毎に交換が必要であり、後者に
おいては回路が複雑となったり、その動作によってパワ
ーＩＣに出力歪を与えたりしている。
また内部に過熱保護機能を備えているものでも前記の後
者と同様の欠点がある。
者と同様の欠点がある。
そこでこの発明は、例えばパワーＩＣの内部に組込んで
も、あるいは外部に設けてもその構成が極めて簡単とな
り、且つ保護するための信号はデジタル的な信号となる
ように、シュミット回路を用いて、その初段のトランジ
スタの温度特性を有効に利用し、温度ヒステリシス特性
を有するようにした、温度検知回路を提供しようとする
ものである。
も、あるいは外部に設けてもその構成が極めて簡単とな
り、且つ保護するための信号はデジタル的な信号となる
ように、シュミット回路を用いて、その初段のトランジ
スタの温度特性を有効に利用し、温度ヒステリシス特性
を有するようにした、温度検知回路を提供しようとする
ものである。
以下、パワーＩＣについての−実施例を図を参照して説
明する。
明する。
第１図において、Ａはパワー増幅部、Ｂは検知回路部で
ある。
ある。
パワー増幅部Ａにおいては、十Ｂ１，−Ｂ，の２電源方
式とし、ＯＣＬ増幅器とする。
式とし、ＯＣＬ増幅器とする。
そして、トランジスタＱｌｒＱ２，Ｑ３，Ｑ４は差動増
幅部を構成し、Ｑ５はブリドウイブ、Ｑ６，Ｑ７，Ｑ８
，Ｑ９はパワ一段のトランジスタである。
幅部を構成し、Ｑ５はブリドウイブ、Ｑ６，Ｑ７，Ｑ８
，Ｑ９はパワ一段のトランジスタである。
また、トランジスタＱｒｏｔＱ１１は抵抗Ｒ１，Ｒ２、
ダイオードＤ１でバイアス電位を与えられる定電流負荷
である。
ダイオードＤ１でバイアス電位を与えられる定電流負荷
である。
なお、ダイオードＤ２はパワ一段のトランジスタのＶＢ
Ｅの温度補償用のダイオードである。
Ｅの温度補償用のダイオードである。
一方、検知回路部Ｂにおいては、エミツタ抵抗Ｒ３を共
通とするトランジスタＱ１２＋Ｑ１３でシュミット回路
を構成し、トランジスタＱ１２のエミツタ電流■１とト
ランジスタＱ１３のエミツタ電流■２との関係は、■１
＜１２に設定し、更にトランジスタＱ．２のベース電位
〔Ｘ点〕は、そのトランジスタＱ１２が導通しない電位
に一定に設定する。
通とするトランジスタＱ１２＋Ｑ１３でシュミット回路
を構成し、トランジスタＱ１２のエミツタ電流■１とト
ランジスタＱ１３のエミツタ電流■２との関係は、■１
＜１２に設定し、更にトランジスタＱ．２のベース電位
〔Ｘ点〕は、そのトランジスタＱ１２が導通しない電位
に一定に設定する。
ツエナーダイオードＤＺはこのＸ点の定電位供給用であ
る。
る。
またＱ１４は、前記シュミット回路によって制御される
スイッチングトランジスタで、そのコレクタは、パワー
増幅部ＡのトランジスタＱ１０，Ｑ１１のベースのＹ点
に接続する。
スイッチングトランジスタで、そのコレクタは、パワー
増幅部ＡのトランジスタＱ１０，Ｑ１１のベースのＹ点
に接続する。
そして、以上のパワー増幅部Ａと検知回路部Ｂとは同一
ペレット内にまとめてＩＣ化し、特にパワ一段のトラン
ジスタＱ８，Ｑ９とシュミット回路を構成する一方のト
ランジスタＱ１２とは、熱的に結合状態となるように配
置する。
ペレット内にまとめてＩＣ化し、特にパワ一段のトラン
ジスタＱ８，Ｑ９とシュミット回路を構成する一方のト
ランジスタＱ１２とは、熱的に結合状態となるように配
置する。
以上において、検知回路部ＢのトランジスタＱ１２，Ｑ
１３にシリコンのものを使用し、それらのｖＢＥ（トラ
ンジスタの導通に要するベース・エミツタ間電圧）の温
度特性は２ｍｖ／℃で、常温２５℃では０．６５Ｖとす
る。
１３にシリコンのものを使用し、それらのｖＢＥ（トラ
ンジスタの導通に要するベース・エミツタ間電圧）の温
度特性は２ｍｖ／℃で、常温２５℃では０．６５Ｖとす
る。
そこで、トランジスタＱ１。のＶＢＥ’（エミツク・ベ
ース間に実際加わる電圧）を０．６５Ｖ以下にする値に
Ｘ点の電位を設定すると、常温においては、トランジス
タＱ１２は遮断、Ｑ１３は導通し、この結果トランジス
タＱ１４は遮断となる。
ース間に実際加わる電圧）を０．６５Ｖ以下にする値に
Ｘ点の電位を設定すると、常温においては、トランジス
タＱ１２は遮断、Ｑ１３は導通し、この結果トランジス
タＱ１４は遮断となる。
従って、Ｙ点の電位は抵抗Ｒ１，Ｒ２、ダイオードＤ１
で決まる正常な電位となるので、パワー増幅部Ａは正常
に働き、入力ＩＮに加わる微少音声信号は出力ＯＵＴに
接続した負荷（スピーカ）を作動させるまでに増幅され
る。
で決まる正常な電位となるので、パワー増幅部Ａは正常
に働き、入力ＩＮに加わる微少音声信号は出力ＯＵＴに
接続した負荷（スピーカ）を作動させるまでに増幅され
る。
この時、出力が大きくなったり、あるいは過負荷になり
、出力段のトランジスタＱ８，Ｑ９のコレクタ損失が大
きくなると、発熱を生じ、この発熱は検知回路部Ｂのト
ランジスタＱ１２にも影響を及ぼし、そのＶＢＥを下げ
るようになる。
、出力段のトランジスタＱ８，Ｑ９のコレクタ損失が大
きくなると、発熱を生じ、この発熱は検知回路部Ｂのト
ランジスタＱ１２にも影響を及ぼし、そのＶＢＥを下げ
るようになる。
ここで、前記Ｘ点の電位差を一Ｂ１に対して０．５■に
設定し、導通しているトランジスタＱ１３のエミツタ電
流■２による抵抗Ｒ３での電圧降下■２Ｒ３を０．ＩＶ
に設定すると、トランジスタＱ１２のＶＢＥ’は０．４
Ｖである。
設定し、導通しているトランジスタＱ１３のエミツタ電
流■２による抵抗Ｒ３での電圧降下■２Ｒ３を０．ＩＶ
に設定すると、トランジスタＱ１２のＶＢＥ’は０．４
Ｖである。
従って、トランジスタＱ１。はＶＢＥが０．４Ｖになっ
た時導通する。
た時導通する。
このｖＢＥ＝ｏ．４ｖになる時の温度は、前記特性２ｍ
Ｖ／℃で計算すると１５０℃である。
Ｖ／℃で計算すると１５０℃である。
従って、パワ一段のトランジスタＱ８，Ｑ９が１５０℃
に致ると、トランジスタＱ１２のＶＢＥはＶＢＥ’に等
しくなって、そのトランジスタＱ１２は導通するように
なる。
に致ると、トランジスタＱ１２のＶＢＥはＶＢＥ’に等
しくなって、そのトランジスタＱ１２は導通するように
なる。
この結果、トランジスタＱ１３はそのベース電流が断た
れて遮断し、次段のトランジスタＱ１４は導通ずるよう
になる。
れて遮断し、次段のトランジスタＱ１４は導通ずるよう
になる。
従って、パワー増幅部ＡのトランジスタＱ１ｏｒＱＨの
ベースＹ点は一Ｂ１に接地されて、パワー増幅部Ａはそ
の機能を失うようになる。
ベースＹ点は一Ｂ１に接地されて、パワー増幅部Ａはそ
の機能を失うようになる。
すなわち、パワー増幅部Ａは瞬時に動作を停止する。
ここにおいて、トランジスタＱ１３も熱的影響を受けて
、そのＶＢＥも０．４ｖ位になるが、他方のトランジス
タＱ１２が導通することにより、そのコレクタ・エミツ
タ間の電圧は約０．ＩＶ位になるので、電流はすべてこ
のトランジスタＱ１２に吸い込まれ、このトランジスタ
Ｑ１３は遮断状態を続ける。
、そのＶＢＥも０．４ｖ位になるが、他方のトランジス
タＱ１２が導通することにより、そのコレクタ・エミツ
タ間の電圧は約０．ＩＶ位になるので、電流はすべてこ
のトランジスタＱ１２に吸い込まれ、このトランジスタ
Ｑ１３は遮断状態を続ける。
上記のように、トランジスタＱ１２が導通ずることによ
り、抵抗Ｒ３にはそのエミツタ電流によって■１Ｒ３な
る電圧降下を生ずる。
り、抵抗Ｒ３にはそのエミツタ電流によって■１Ｒ３な
る電圧降下を生ずる。
前記したように■１〈■２に設定してあるので、電圧降
下はＩ１Ｒ３＜Ｉ２Ｒ３となり、その差のＩＯＲ３（但
し、Ｉｏ＝Ｉ２−Ｉ１）だけ（トランジスタＱ１２のエ
ミッタ電位がこの時点で下るようになる。
下はＩ１Ｒ３＜Ｉ２Ｒ３となり、その差のＩＯＲ３（但
し、Ｉｏ＝Ｉ２−Ｉ１）だけ（トランジスタＱ１２のエ
ミッタ電位がこの時点で下るようになる。
従って、そのトランジスタＱ１２が再度遮断するために
は、温度特性を有するＶＢＥが０．４Ｖ＋ＩｏＲ３の電
圧以上となることが必要である。
は、温度特性を有するＶＢＥが０．４Ｖ＋ＩｏＲ３の電
圧以上となることが必要である。
すなわち、■ｏＲ３はヒステリシス電圧となる。
ここで１。
Ｒ３＝５０ｍＶに設定してみると、前記ＶＢＥの温度特
性２ｍＶ／℃から、対応する温度差は２５℃となるため
、１５０℃−２５℃＝１２５℃に温度が下った時点で始
めてＶＢＥは０．４５Ｖに上昇し、このＶＢＥがこの０
．４５Ｖを若干越える時点でＶＢＢ＞ＶＢＥ’となるの
でトランジスタＱ１２は再度遮断するようになる。
性２ｍＶ／℃から、対応する温度差は２５℃となるため
、１５０℃−２５℃＝１２５℃に温度が下った時点で始
めてＶＢＥは０．４５Ｖに上昇し、このＶＢＥがこの０
．４５Ｖを若干越える時点でＶＢＢ＞ＶＢＥ’となるの
でトランジスタＱ１２は再度遮断するようになる。
この結果、トランジスタＱ１３導通、Ｑ１４遮断となっ
て、Ｙ点の電位は正常に戻り、パワー増幅部Ａは瞬時に
動作を開始するようになる。
て、Ｙ点の電位は正常に戻り、パワー増幅部Ａは瞬時に
動作を開始するようになる。
以上から明らかなように、検知回路部Ｂにはヒステリシ
ス特性をもたせ、トランジスタＱ１２が導通する温度と
遮断する温度とを異ならせて、後者を低い温度に設定し
たものである。
ス特性をもたせ、トランジスタＱ１２が導通する温度と
遮断する温度とを異ならせて、後者を低い温度に設定し
たものである。
第２図にこの様子を示す。
まず、イはトランジスタＱ＋２のｖＢＥの温度特性で、
２ｍＶ／℃傾斜をもたせてある。
２ｍＶ／℃傾斜をもたせてある。
ｖＢＥは、温度が１５０℃で０．４Ｖ、１２５℃で０．
４５Ｖである。
４５Ｖである。
また唱マトランジスタＱ１２の導通ＯＮ、遮断ＯＵＴの
ヒステリシス特性を示す図でイのｖＢＥに対応する異な
るＶＢＥ’で導通、遮断を行なっている。
ヒステリシス特性を示す図でイのｖＢＥに対応する異な
るＶＢＥ’で導通、遮断を行なっている。
ここで、前記説明を繰返せば、２５℃ではＶＢＥは０．
６５Ｖであルカ、ｖＢＥ′が０．４ｖであるために、■
ＢＥ〉■ＢＥ′となって、トランジスタＱ１２は遮断し
ており、この状態は順次加熱により温度が上昇し、１５
０℃になるまで続く。
６５Ｖであルカ、ｖＢＥ′が０．４ｖであるために、■
ＢＥ〉■ＢＥ′となって、トランジスタＱ１２は遮断し
ており、この状態は順次加熱により温度が上昇し、１５
０℃になるまで続く。
そして、この１５０℃の時点でＶＢＥ＝０．４Ｖになる
ので、■ＢＥ−■ＢＥ′となって、トランジスタＱ１２
は導通して、パワー増幅部Ａの機能を停止させると共に
、今度は■ＢＥ′が０．４５Ｖに変る。
ので、■ＢＥ−■ＢＥ′となって、トランジスタＱ１２
は導通して、パワー増幅部Ａの機能を停止させると共に
、今度は■ＢＥ′が０．４５Ｖに変る。
この後温度が下降し、１２５℃になるとｖＢＥ−０．４
５■になるため、その温度を若干下降した時点で、ＶＢ
Ｅ＞ＶＢＥ’となって、そのトランジスタＱ１２は遮断
し、ＶＢＥ’＝〇．４Ｖ、すなわちｖＢＥ〉■ＢＥ′と
なり、より深く遮断するようになる。
５■になるため、その温度を若干下降した時点で、ＶＢ
Ｅ＞ＶＢＥ’となって、そのトランジスタＱ１２は遮断
し、ＶＢＥ’＝〇．４Ｖ、すなわちｖＢＥ〉■ＢＥ′と
なり、より深く遮断するようになる。
従って温度は１２５℃〜１５０℃の間を上昇・下降する
ようになる。
ようになる。
以上はヒステリシス電圧となる■。
Ｒ３（ＩＯ＝Ｉ２−ＩＩ）を５０ ｍＶに設定した場合
であるが、これを大きくすればＶＢＢ’の変化が大きく
なるので、トランジスタＱ１２の導通・遮断の温度差は
より大きくなる。
であるが、これを大きくすればＶＢＢ’の変化が大きく
なるので、トランジスタＱ１２の導通・遮断の温度差は
より大きくなる。
またトランジスタＱ１２のベース電位、すなわちＸ点の
電位（従ってＶＢＥ’となる）は、温度特性を有しても
差しつかえないが、その温度特性がＶＢＥと同じ方向（
第２図イから明らかなように負特性）であれば、係数を
そのＶＢＥの温度係数よりも小さくしなければ、導通・
遮断の温度差が狭くなる傾向となるので、導通・遮断が
頻繁に起るようになり好ましくない。
電位（従ってＶＢＥ’となる）は、温度特性を有しても
差しつかえないが、その温度特性がＶＢＥと同じ方向（
第２図イから明らかなように負特性）であれば、係数を
そのＶＢＥの温度係数よりも小さくしなければ、導通・
遮断の温度差が狭くなる傾向となるので、導通・遮断が
頻繁に起るようになり好ましくない。
しかし、正特性の場合は導通・遮断の温度差が広がる傾
向となるので、差しつかえない。
向となるので、差しつかえない。
以上の図示に基ずく実施例は、検知回路部ＢをパワーＩ
Ｃに組込んで、所定温度の検知により、シュミット回路
からの制御信号で、定電流負荷となるトランジスタを遮
断させて、パワー増幅部Ａの機能を停止させたものであ
るが、この機能停止には必ずしもこれに限られず、その
部分Ａの電源遮断、あるいは入力音声信号の遮断その他
の適宜手段によることができ、これによってパワーＩＣ
の過熱防止を図ることができる。
Ｃに組込んで、所定温度の検知により、シュミット回路
からの制御信号で、定電流負荷となるトランジスタを遮
断させて、パワー増幅部Ａの機能を停止させたものであ
るが、この機能停止には必ずしもこれに限られず、その
部分Ａの電源遮断、あるいは入力音声信号の遮断その他
の適宜手段によることができ、これによってパワーＩＣ
の過熱防止を図ることができる。
なお、パワー増幅部Ａと検知回路部Ｂを同一ペレットで
モノリミツクＩＣとするとその感応速度は非常に早いが
、ハイブリットＩＣ化されたパワー増幅部Ａと検知回路
部Ｂとを熱的に結合させてもその効果は著しい。
モノリミツクＩＣとするとその感応速度は非常に早いが
、ハイブリットＩＣ化されたパワー増幅部Ａと検知回路
部Ｂとを熱的に結合させてもその効果は著しい。
またこのように、検知回路部ＢをパワーＩＣに一体に組
込んだことにより、一部の素子の破壊が全体を使用不能
にするＩＣの性質からみれば、極めて有利なものである
が、この検知回路部Ｂはこのような応用のみに限られる
ものではない。
込んだことにより、一部の素子の破壊が全体を使用不能
にするＩＣの性質からみれば、極めて有利なものである
が、この検知回路部Ｂはこのような応用のみに限られる
ものではない。
例えば、ＩＣ化されていない単独のパワートランジスタ
の過熱防止、モータの過熱防止、トランスあるいは定電
圧用ＩＣの過熱防止等に利用できる。
の過熱防止、モータの過熱防止、トランスあるいは定電
圧用ＩＣの過熱防止等に利用できる。
又、実施例のシュミット回路は後段トランジスタの出力
を初段のエミツタに正帰還し、初段トランジスタのエミ
ツタ電位を変える事によってヒステリシスを与えている
が、本発明に利用されるシュミット回路はこれに限らず
、後段トランジスタの出力を初段トランジスタのベース
に正帰還し、初段トランジスタのベース電位を変える事
によってヒステリシスを与える方法等、従来用いられて
いる種々のシュミット回路のいずれを用いてもよいＯ すなわちこの発明に係る温度検知回路は、シュミット回
路の初段トランジスタと被検出の発熱部とを熱的に結合
し、発熱部の正常温度状態においては該初段トランジス
タが導通状態にならない程度の固定バイアスを該初段ト
ランジスタのベースに加え、該初段トランジスタのＶＢ
Ｈの温度特性を利用して発熱部の温度が所定の温度に達
した時にシュミット回路を反転させ、次段のトランジス
タの出力を制御信号としたものである。
を初段のエミツタに正帰還し、初段トランジスタのエミ
ツタ電位を変える事によってヒステリシスを与えている
が、本発明に利用されるシュミット回路はこれに限らず
、後段トランジスタの出力を初段トランジスタのベース
に正帰還し、初段トランジスタのベース電位を変える事
によってヒステリシスを与える方法等、従来用いられて
いる種々のシュミット回路のいずれを用いてもよいＯ すなわちこの発明に係る温度検知回路は、シュミット回
路の初段トランジスタと被検出の発熱部とを熱的に結合
し、発熱部の正常温度状態においては該初段トランジス
タが導通状態にならない程度の固定バイアスを該初段ト
ランジスタのベースに加え、該初段トランジスタのＶＢ
Ｈの温度特性を利用して発熱部の温度が所定の温度に達
した時にシュミット回路を反転させ、次段のトランジス
タの出力を制御信号としたものである。
このため次段のトランジスタの出力からの制御信号は温
度に対してヒステリシス特性を有するようになるので、
温度制御にとって極めて好的で、パワーのＩＣ、あるい
はトランジスタに応用する場合はデジタル制御となるの
で聴きずらい歪が出るおそれもない。
度に対してヒステリシス特性を有するようになるので、
温度制御にとって極めて好的で、パワーのＩＣ、あるい
はトランジスタに応用する場合はデジタル制御となるの
で聴きずらい歪が出るおそれもない。
第１図はＩＣ化した場合のパワーＩＣの回路図、第２図
イはＶＢＥの温度特性図、ロは温度ヒステリシス特性図
である。 Ｑ１２＋Ｑ１３・・・・・・シュミット回路を構成する
トランジスタ、ＶＢＥ・・・・・・トランジスタの導通
に要するベース・エミツタ間電圧、ＶＢＥ’・・・・・
・ベース・エミツク間に実際加わる電圧。
イはＶＢＥの温度特性図、ロは温度ヒステリシス特性図
である。 Ｑ１２＋Ｑ１３・・・・・・シュミット回路を構成する
トランジスタ、ＶＢＥ・・・・・・トランジスタの導通
に要するベース・エミツタ間電圧、ＶＢＥ’・・・・・
・ベース・エミツク間に実際加わる電圧。
Claims (1)
- １ プリドライブ用トランジスタに定電流の設定電流を
供給する定電流設定用トランジスタのベース入力とシュ
ミット回路の出力とを接続し、このシュミット回路の初
段トランジスタと被検出の発熱部であるパワートランジ
スタとを熱的に結合し、パワートランジスタの正常温度
状態においては該初段トランジスタが遮断状態きなる固
定バイアスを該初段トランジスタのベースに加え、該初
段トランジスタのＶｂｅの温度特性を利用してパワート
ランジスタの温度が所定の温度に達した時前記初段トラ
ンジスタを導通させ、シュミット回路を反転させて前記
電流設定用トランジスタを遮断し、パワートランジスタ
の機能を停止するとともに前記初段トランジスタの導通
温度は遮断温度より高く設定したことを特徴とする温度
検知回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51026060A JPS582607B2 (ja) | 1976-03-12 | 1976-03-12 | 温度検知回路 |
| DE19772710762 DE2710762C2 (de) | 1976-03-12 | 1977-03-11 | Übertemperatur-Schutzschaltungsanordnung |
| US05/776,810 US4092693A (en) | 1976-03-12 | 1977-03-11 | Temperature sensing protection circuit for ic power chip having thermal hysteresis characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51026060A JPS582607B2 (ja) | 1976-03-12 | 1976-03-12 | 温度検知回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52109982A JPS52109982A (en) | 1977-09-14 |
| JPS582607B2 true JPS582607B2 (ja) | 1983-01-18 |
Family
ID=12183129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51026060A Expired JPS582607B2 (ja) | 1976-03-12 | 1976-03-12 | 温度検知回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4092693A (ja) |
| JP (1) | JPS582607B2 (ja) |
| DE (1) | DE2710762C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60102603U (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-12 | 株式会社 小泉測機製作所 | デジタル表示式プラニメ−タ |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE3517342A1 (de) * | 1985-05-14 | 1986-11-20 | Grundig E.M.V. Elektro-Mechanische Versuchsanstalt Max Grundig holländ. Stiftung & Co KG, 8510 Fürth | Leistungsverstaerker mit mehreren endstufen |
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