CN103840434B - 一种用于功率模块的过温保护电路 - Google Patents

一种用于功率模块的过温保护电路 Download PDF

Info

Publication number
CN103840434B
CN103840434B CN201210480565.5A CN201210480565A CN103840434B CN 103840434 B CN103840434 B CN 103840434B CN 201210480565 A CN201210480565 A CN 201210480565A CN 103840434 B CN103840434 B CN 103840434B
Authority
CN
China
Prior art keywords
module
power model
output
thermal
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210480565.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103840434A (zh
Inventor
华庆
程德凯
黄祥钧
李泽宏
张波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GD Midea Air Conditioning Equipment Co Ltd
Original Assignee
Guangdong Midea Refrigeration Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Midea Refrigeration Equipment Co Ltd filed Critical Guangdong Midea Refrigeration Equipment Co Ltd
Priority to CN201210480565.5A priority Critical patent/CN103840434B/zh
Publication of CN103840434A publication Critical patent/CN103840434A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103840434B publication Critical patent/CN103840434B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开一种用于功率模块的过温保护电路，其包括：检测模块，用于检测功率模块的温度以生成检测信号；输出响应模块，输出响应模块与检测模块相连，包括第一NMOS管和齐纳二极管且之间具有第一节点，第一节点的电压根据检测信号产生变化，输出响应模块根据第一节点的电压输出控制信号；正反馈热迟滞模块，正反馈热迟滞模块分别与输出响应模块和检测模块相连，用于根据控制信号调节检测信号以实现热迟滞；保护模块，保护模块与输出响应模块相连，用于根据控制信号控制功率模块停止工作以实现对功率模块的保护。该用于功率模块的过温保护电路能够准确检测功率模块的温度，并具有热迟滞功能，可以有效防止热振荡现象的发生。

Description

一种用于功率模块的过温保护电路
技术领域
本发明涉及过温保护电路技术领域，特别涉及一种用于功率模块的过温保护电路。
背景技术
智能功率模块是一种将功率半导体器件、栅极驱动电路及保护电路等集成在一起的先进的混合集成电路，广泛应用于变频家电、逆变电源及工业电气自动化等各个领域。智能功率模块属于大功率半导体器件，工作时会产生较高的温度，因此，在其内部一般都含有过温保护电路，以实现对模块内部的温度进行实时监控，当温度超标时启动过温保护电路，达到保护智能功率模块的目的。
现有技术中应用于智能功率模块的传统的过温保护电路如图1所示。传统的过温保护电路包括PNP三极管Q1’、正温度系数热敏电阻R1’、电容C1’、电阻R2’和电阻R3’。其中，正温度系数热敏电阻R1’的一端连接供电电源的正端VCC，另一端连接PNP三极管Q1’的基极；电容C1’与正温度系数热敏电阻R1’并联；电阻R2’的一端连接PNP三极管Q1’的基极，另一端连接供电电源的负端GND；电阻R3’的一端连接PNP三极管Q1’的集电极，另一端作为该过温保护电路的输出端OUT，连接其他外部电路。
如图1所示，传统的过温保护电路工作原理如下：
（1）正常工作时，智能功率模块的温度比较低，正温度系数热敏电阻R1’的阻值较小，PNP三极管Q1’的发射极-基极未达到正向偏置条件，因此，PNP三极管Q1’截止，过温保护电路输出端OUT的电压VOUT为低电平，表示智能功率模块温度正常。
（2）当智能功率模块的温度升高时，正温度系数热敏电阻R1’的阻值随之变大，当温度上升至某一温度点Thigh时，PNP三极管Q1’的发射极-基极之间的电压VEB远大于其导通电压，PNP三极管Q1’饱和导通，Q1’集电极-发射极之间的压降很小，过温保护电路输出端OUT的电压VOUT变为高电平，表示智能功率模块温度异常。
现有的技术的缺点在于，在过温保护阈值点处必须使得PNP三极管Q1’工作在饱和区，这就要求正温度系数热敏电阻R1’必须在过温保护阈值点处具有突变的电阻值拐点。但是，热敏电阻在生产的过程中存在偏差，电阻值拐点具有很大的离散性，这将可能导致PNP三极管Q1’在过温保护阈值点处工作在放大区，导致过温保护阈值点出现较大误差。因此，传统的过温保护电路难以准确地检测智能功率模块的温度。
而且，当智能功率模块的温度大于过温保护阈值后，过温保护电路输出端OUT的电压VOUT变为高电平，该电压信号输入给相应的电路控制智能功率模块暂停工作、减小发热量，随之，智能功率模块的温度开始下降。但是，随着智能功率模块温度的下降，PNP三极管Q1’又会截止，VOUT重新变为低电平，此时智能功率模块又开始正常工作，致使智能功率模块的温度再次上升，如此反复，使得智能功率模块在过温保护阈值点附近发生热振荡，这种热振荡对智能功率模块的正常工作及可靠性都有很大影响。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述的技术缺陷之一。
为此，本发明的目的在于提出一种用于功率模块的过温保护电路，该用于功率模块的过温保护电路能够准确检测功率模块的温度，并具有热迟滞功能，可以有效防止热振荡现象的发生。
为达到上述目的，本发明的实施例提出的一种用于功率模块的过温保护电路，包括：检测模块，用于检测所述功率模块的温度以生成检测信号；输出响应模块，所述输出响应模块与所述检测模块相连，所述输出响应模块包括第一NMOS管和齐纳二极管，所述第一NMOS管的漏极与所述齐纳二极管的阴极相连且之间具有第一节点，所述第一节点的电压根据所述检测信号产生变化，所述输出响应模块根据所述第一节点的电压输出控制信号；正反馈热迟滞模块，所述正反馈热迟滞模块分别与所述输出响应模块的输出端和所述检测模块相连，用于根据所述控制信号调节所述检测信号以实现热迟滞；以及保护模块，所述保护模块与所述输出响应模块的输出端相连，用于根据所述控制信号控制所述功率模块停止工作以实现对所述功率模块的保护。
根据本发明实施例的用于功率模块的过温保护电路，其电路结构简单、可靠性高，在不增加电路复杂度的情况下，可准确地检测功率模块的温度，且该过温保护电路还具有热迟滞功能，可有效防止热振荡现象的发生。
在本发明的一个实施例中，当所述功率模块的温度小于等于第一温度阈值时，所述第一NMOS管导通以使所述第一节点的电压小于第一电压阈值，所述输出响应模块输出低电平控制信号。
进一步地，当所述功率模块的温度大于所述第一温度阈值时，所述第一NMOS管截止以使所述第一节点的电压大于第一电压阈值，所述输出响应模块输出高电平控制信号。
并且，所述保护模块根据所述高电平控制信号控制所述功率模块停止工作。
具体地，在本发明的一个实施例中，所述输出响应模块还包括：第二电阻，所述第二电阻的一端与电源相连，所述第二电阻的另一端与所述第一节点相连；第一电容，所述第一电容的一端与所述第一节点相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一NMOS管的源极和地相连；三极管，所述三极管的基极与所述齐纳二极管的阳极相连，所述三极管的集电极与所述电源相连，所述三极管的发射极作为所述输出响应模块的输出端；第三电阻，所述第三电阻的一端所述三极管的发射极相连，所述第三电阻的另一端接地。
所述检测模块包括：相互串联的第一电阻和负温度系数热敏电阻，所述第一电阻的一端与电源相连，所述负温度系数热敏电阻的一端接地，所述第一电阻和负温度系数热敏电阻之间具有第二节点。
并且，所述正反馈热迟滞模块包括：第四电阻，所述第四电阻的一端分别与所述第二节点和所述第一NMOS管的栅极相连；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第四电阻的另一端相连，所述第二NMOS管的栅极与所述输出响应模块的输出端相连，所述第二NMOS管的源极接地。
在本发明的实施例中，该用于功率模块的过温保护电路采用电阻、电容、三极管、MOS管等简单的元器件，节省了成本，并且可靠性还高。
在本发明的一个示例中，所述第一温度阈值为100℃~110℃，所述第一电压阈值为所述齐纳二极管的击穿电压和所述三极管的发射结开启电压之和。其中，所述齐纳二极管的击穿电压可以为7V。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为现有技术中应用于智能功率模块的传统的过温保护电路的电路图；
图2为根据本发明的实施例的用于功率模块的过温保护电路的原理方框图；
图3为根据本发明一个实施例的用于功率模块的过温保护电路的电路原理图；以及
图4为根据本发明一个实施例的用于功率模块的过温保护电路中热迟滞回路温度曲线图。
附图标记：
PNP三极管Q1’、正温度系数热敏电阻R1’、电容C1’、电阻R2’和电阻R3’，检测模块10、输出响应模块20、正反馈热迟滞模块30和保护模块40，第一NMOS管MN1和齐纳二极管D1，第一节点A，第二电阻R2、第一电容C1、三极管Q1和第三电阻R3，第一电阻R1和负温度系数热敏电阻Rx，第二节点B，第四电阻R4和第二NMOS管MN2。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
参照下面的描述和附图，将清楚本发明的实施例的这些和其他方面。在这些描述和附图中，具体公开了本发明的实施例中的一些特定实施方式，来表示实施本发明的实施例的原理的一些方式，但是应当理解，本发明的实施例的范围不受此限制。相反，本发明的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
下面参照附图描述根据本发明实施例提出的一种用于功率模块的过温保护电路。
如图2所示，该用于功率模块的过温保护电路包括检测模块10、输出响应模块20、正反馈热迟滞模块30和保护模块40。
其中，检测模块10用于检测功率模块的温度以生成检测信号。输出响应模块20与检测模块10相连，并且输出响应模块20包括第一NMOS（N-Mental-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体）管MN1和齐纳二极管D1，第一NMOS管MN1的漏极与齐纳二极管D1的阴极相连且第一NMOS管MN1与齐纳二极管D1之间具有第一节点A，第一节点A的电压根据检测模块10生成的检测信号产生变化，输出响应模块20根据第一节点A的电压输出控制信号。
在本发明的实施例中，如图2所示，正反馈热迟滞模块30分别与输出响应模块20的输出端OUT和检测模块10相连，用于根据控制信号调节检测信号以实现热迟滞，有效地防止热振荡现象的发生。保护模块40与输出响应模块20的输出端OUT相连，用于根据控制信号控制功率模块停止工作以实现对功率模块的保护。
进一步地，在本发明的一个实施例中，当功率模块的温度小于等于第一温度阈值时，第一NMOS管MN1导通以使第一节点A的电压小于第一电压阈值，输出响应模块20输出低电平控制信号，表示功率模块温度正常。当功率模块的温度大于第一温度阈值时，第一NMOS管MN1截止以使第一节点A的电压大于第一电压阈值，输出响应模块20输出高电平控制信号，表示功率模块的温度异常。保护模块40根据高电平控制信号控制功率模块停止工作以使功率模块的温度下降，从而实现对功率模块的保护。
具体地，在本发明的一个实施例中，如图3所示，输出响应模块20还包括第二电阻R2、第一电容C1、三极管Q1和第三电阻R3。其中，第二电阻R2的一端与电源VCC相连，第二电阻R2的另一端与第一节点A相连。第一电容C1的一端与第一节点A相连，第一电容C1的另一端分别与第一NMOS管MN1的源极和地GND相连。三极管Q1的基极与齐纳二极管D1的阳极相连，三极管Q1的集电极与电源VCC相连，三极管Q1的发射极作为输出响应模块20的输出端OUT。第三电阻R3的一端三极管Q1的发射极相连，第三电阻R3的另一端接地。三极管Q1为NPN三极管。
在本发明的实施例中，如图3所示，检测模块10具体包括第一电阻R1和负温度系数热敏电阻Rx。其中，第一电阻R1和负温度系数热敏电阻Rx相互串联连接，第一电阻R1的一端与电源VCC相连，负温度系数热敏电阻Rx的一端接地，并且第一电阻R1和负温度系数热敏电阻Rx之间具有第二节点B，第二节点B作为检测模块10的输出端。
如图3所示，正反馈热迟滞模块30具体包括第四电阻R4和第二NMOS管MN2。其中，第四电阻R4的一端分别与第二节点B和第一NMOS管MN1的栅极相连，第二NMOS管MN2的漏极与第四电阻R4的另一端相连，第二NMOS管MN2的栅极与输出响应模块20的输出端OUT相连，第二NMOS管MN2的源极接地。
所以说，本发明的实施例提出的用于功率模块的过温保护电路采用电阻、电容、三极管、MOS管等简单的元器件，节省了成本，并且可靠性还高。
在本发明的实施例中，上述用于功率模块的过温保护电路的工作原理如下：
（1）当功率模块工作在正常温度时，负温度系数热敏电阻Rx的阻值较高，检测模块10的输出端即第二节点B的电压VB为：
其中，Vth1为第一N沟道增强型MOS场效应晶体管MN1的阈值电压，VCC为电源VCC的电压。
此时，检测模块10输出端节点B的电压VB大于第一N沟道增强型MOS场效应晶体管MN1的阈值电压Vth1，所以MN1导通，第一节点A的电压则有：
VA<VD1+VBE
其中，VA为第一节点A的电压，VD1为齐纳二极管D1的击穿电压，VBE为NPN三极管Q1的发射结开启电压。
此时，第一节点A的电压VA小于齐纳二极管D 1的击穿电压与NPN三极管Q1的发射结开启电压之和VD1+VBE，即第一电压阈值，所以，Q1截止，输出响应模块20的输出端OUT的电压VOUT为低电平，即输出响应模块20的输出端OUT输出低电平控制信号，表示功率模块温度正常。
（2）随着功率模块温度的升高，负温度系数热敏电阻Rx的阻值开始下降，只要温度不超过某一温度点TTH+即第一温度阈值例如100℃~110℃，VB将一直大于Vth1，输出响应模块20的输出端OUT的电压VOUT保持为低电平。
（3）当功率模块的温度上升至超过第一温度阈值TTH+时，负温度系数热敏电阻Rx的阻值下降至RTH+，此时，检测模块10的输出端节点B的电压VB为：
其中，VBTH+为功率模块的温度上升至TTH+时检测模块10输出端B的电压。
此时，VBTH+小于第一N沟道增强型MOS场效应晶体管MN1的阈值电压Vth1，MN1截止，电源VCC开始通过第二电阻R2对第一电容C1充电，第一节点A的电压VA逐渐上升，当第一节点A的电压VA上升至齐纳二极管D1的击穿电压VD1与NPN三极管Q1的基极-发射极电压VBE之和VD1+VBE时（即第一电压阈值时），D1被反向击穿，Q1导通，输出响应模块20的输出端OUT的电压VOUT变为高电平，即输出响应模块20的输出端OUT输出高电平控制信号，表示功率模块温度异常，保护模块40根据高电平控制信号控制功率模块停止工作，功率模块的温度开始下降。
同时，输出响应模块20的输出端OUT的高电平电压信号VOUT反馈至正反馈热迟滞模块30中的第二N沟道增强型MOS场效应晶体管MN2的栅极，使得MN2导通。此时，检测模块10的输出端节点B的电压从VBTH+进一步降低为VBTH+’：
（4）当功率模块的温度又下降至TTH+时，因为：
VBTH+'<VBTH＋
所以，第一N沟道增强型MOS场效应晶体管MN1会继续保持截止状态，输出响应模块20的输出端OUT的电压VOUT继续保持为高电平状态，直到温度进一步降低至某一温度点TTH-时，其中，TTH-小于TTH+，负温度系数热敏电阻Rx的阻值升高至RTH-，此时：
其中，VBTH-为温度下降至TTH-时检测模块10的输出端节点B的电压。
此时，第一N沟道增强型MOS场效应晶体管MN1导通，输出响应模块20的输出端OUT的电压VOUT变为低电平状态，保护模块40根据低电平控制信号控制功率模块恢复正常工作，这就有效地防止了热振荡的产生。其中，热迟滞回路的温度曲线如图4所示。
在本发明的一个具体示例中，该用于功率模块的过温保护电路中各个元器件的基本参数设定为：
过温保护高阈值点即第一温度阈值的上限可以为110℃，过温保护低阈值点即第一温度阈值的下限可以为100℃。R1的电阻值可以为100KΩ。Rx为负温度系数热敏电阻，Rx在110℃时的电阻值为25KΩ；在100℃时的电阻值为50KΩ。MN1的阈值电压可以为3V。R2的电阻值可以为100KΩ。C1的电容值可以为10μF。齐纳二极管D1的击穿电压可以为7V。NPN型三极管Q1的基极-发射极的导通电压为0.7V。R3的阻值可以为100KΩ。第二N沟道增强型MOS场效应晶体管MN2的阈值电压可以为3V。R4的阻值可以为50KΩ。
根据本发明实施例提出的用于功率模块的过温保护电路，可通过选择适当的第一N沟道增强型MOS场效应晶体管MN1的阈值电压和齐纳二极管D1的击穿电压VD1来避开负温度系数热敏电阻Rx的电阻值拐点，不存在过温保护阈值点误差，实现对功率模块温度的准确检测。并且，由第二N沟道增强型MOS场效应晶体管MN2和第四电阻R4构成的正反馈热迟滞模块，可有效防止热振荡现象的发生，其中，可以通过调整第四电阻R4来改变热迟滞温差的大小。此外，该过温保护电路结构简单，可靠性高。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (7)

1.一种用于功率模块的过温保护电路，其特征在于，包括：
检测模块，用于检测所述功率模块的温度以生成检测信号，其中，所述检测模块包括：
相互串联的第一电阻和负温度系数热敏电阻，所述第一电阻的一端与电源相连，所述负温度系数热敏电阻的一端接地，所述第一电阻和负温度系数热敏电阻之间具有第二节点；
输出响应模块，所述输出响应模块与所述检测模块相连，所述输出响应模块包括第一NMOS管和齐纳二极管，所述第一NMOS管的漏极与所述齐纳二极管的阴极相连且之间具有第一节点，所述第一节点的电压根据所述检测信号产生变化，所述输出响应模块根据所述第一节点的电压输出控制信号，其中，所述输出响应模块还包括：
第二电阻，所述第二电阻的一端与电源相连，所述第二电阻的另一端与所述第一节点相连；
第一电容，所述第一电容的一端与所述第一节点相连，所述第一电容的另一端分别与所述第一NMOS管的源极和地相连；
三极管，所述三极管的基极与所述齐纳二极管的阳极相连，所述三极管的集电极与所述电源相连，所述三极管的发射极作为所述输出响应模块的输出端；
第三电阻，所述第三电阻的一端与所述三极管的发射极相连，所述第三电阻的另一端接地；
正反馈热迟滞模块，所述正反馈热迟滞模块分别与所述输出响应模块的输出端和所述检测模块相连，用于根据所述控制信号调节所述检测信号以实现热迟滞；以及
保护模块，所述保护模块与所述输出响应模块的输出端相连，用于根据所述控制信号控制所述功率模块停止工作以实现对所述功率模块的保护。
2.如权利要求1所述的用于功率模块的过温保护电路，其特征在于，当所述功率模块的温度小于等于第一温度阈值时，所述第一NMOS管导通以使所述第一节点的电压小于第一电压阈值，所述输出响应模块输出低电平控制信号。
3.如权利要求2所述的用于功率模块的过温保护电路，其特征在于，当所述功率模块的温度大于所述第一温度阈值时，所述第一NMOS管截止以使所述第一节点的电压大于第一电压阈值，所述输出响应模块输出高电平控制信号。
4.如权利要求3所述的用于功率模块的过温保护电路，其特征在于，所述保护模块根据所述高电平控制信号控制所述功率模块停止工作。
5.如权利要求1所述的用于功率模块的过温保护电路，其特征在于，所述正反馈热迟滞模块包括：
第四电阻，所述第四电阻的一端分别与所述第二节点和所述第一NMOS管的栅极相连；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第四电阻的另一端相连，所述第二NMOS管的栅极与所述输出响应模块的输出端相连，所述第二NMOS管的源极接地。
6.如权利要求2所述的用于功率模块的过温保护电路，其特征在于，所述第一温度阈值为100℃～110℃，所述第一电压阈值为所述齐纳二极管的击穿电压和所述三极管的发射结开启电压之和。
7.如权利要求6所述的用于功率模块的过温保护电路，其特征在于，所述齐纳二极管的击穿电压为7V。
CN201210480565.5A 2012-11-22 2012-11-22 一种用于功率模块的过温保护电路 Active CN103840434B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210480565.5A CN103840434B (zh) 2012-11-22 2012-11-22 一种用于功率模块的过温保护电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210480565.5A CN103840434B (zh) 2012-11-22 2012-11-22 一种用于功率模块的过温保护电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103840434A CN103840434A (zh) 2014-06-04
CN103840434B true CN103840434B (zh) 2017-08-25

Family

ID=50803676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210480565.5A Active CN103840434B (zh) 2012-11-22 2012-11-22 一种用于功率模块的过温保护电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103840434B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI511399B (zh) * 2014-07-02 2015-12-01 Wistron Corp 過溫度偵測電路
CN104819784A (zh) * 2015-04-29 2015-08-05 迈尔世通电气（苏州）股份有限公司 一种用于电机系统中功率电缆的监控系统
CN105162082A (zh) * 2015-08-25 2015-12-16 深圳市商宇电子科技有限公司 Ups充电器的过温保护电路
CN107592059A (zh) * 2017-09-19 2018-01-16 珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司 一种温度保护装置、方法、存储介质及设备
CN110299818B (zh) * 2018-03-21 2024-09-13 青岛朗进集团有限公司 一种双通道pfc功率模块电路
US10833668B2 (en) 2019-03-07 2020-11-10 Analog Devices International Unlimited Company Integrated and distributed over temperature protection for power management switches
CN110323760B (zh) * 2019-05-09 2021-08-27 广东电网有限责任公司 一种储能系统出力震荡抑制方法及抑制器
CN113014236B (zh) * 2021-03-08 2022-05-17 电子科技大学 一种无比较器的迟滞过温保护电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4092693A (en) * 1976-03-12 1978-05-30 Pioneer Electronic Corporation Temperature sensing protection circuit for ic power chip having thermal hysteresis characteristic
CN202334998U (zh) * 2011-11-02 2012-07-11 雷志远 线性led温控恒流变流电源
CN102646962A (zh) * 2012-04-18 2012-08-22 电子科技大学 一种用于功率器件的过温保护电路
CN102751700A (zh) * 2012-06-28 2012-10-24 惠州市德赛视听科技有限公司 一种过温保护电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4092693A (en) * 1976-03-12 1978-05-30 Pioneer Electronic Corporation Temperature sensing protection circuit for ic power chip having thermal hysteresis characteristic
CN202334998U (zh) * 2011-11-02 2012-07-11 雷志远 线性led温控恒流变流电源
CN102646962A (zh) * 2012-04-18 2012-08-22 电子科技大学 一种用于功率器件的过温保护电路
CN102751700A (zh) * 2012-06-28 2012-10-24 惠州市德赛视听科技有限公司 一种过温保护电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN103840434A (zh) 2014-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103840434B (zh) 一种用于功率模块的过温保护电路
CN101546920B (zh) 充电控制电路以及充电控制用半导体集成电路
CN104967096A (zh) 用于高边功率开关的过温保护电路
CN102646962B (zh) 一种用于功率器件的过温保护电路
CN103050940B (zh) 一种基于亚阈值mos管的过温保护电路
CN102751702B (zh) 一种用于智能功率模块的电流采样电路
CN203859700U (zh) 智能功率模块
CN103746543B (zh) 一种桥式驱动电路的电流检测装置
CN105075082A (zh) 栅极驱动电路
CN108107344B (zh) 一种适用于igbt驱动芯片的过热保护电路
CN102620843B (zh) 芯片过温监测器
CN104967095A (zh) 过温保护电路
CN103324240A (zh) 半导体装置
CN104218531A (zh) 短路保护电路及其短路保护方法
CN207612045U (zh) 一种保护芯片
CN201995175U (zh) 一种具有过热保护功能的led驱动电路
CN207946469U (zh) 负电压检测电路及电机驱动装置
CN106300248A (zh) 一种电流控制方式的欠压保护电路
CN102707223A (zh) 在常温下快速测试集成电路的过温测试保护电路
CN205429695U (zh) Igbt管保护电路以及使用该保护电路的功率模块
CN104124949A (zh) 自举电路、逆变器和空调器
CN204031117U (zh) 自调整温度的功率晶体管
CN203645530U (zh) 一种绝缘栅双极型晶体管的有源钳位电路
CN114977094A (zh) 欠压保护电路及电子设备
CN203827300U (zh) 一种接地集电极输出功放电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant