CN104967096B - 用于高边功率开关的过温保护电路 - Google Patents

用于高边功率开关的过温保护电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于高边功率开关的过温保护电路，具体包括：基准电压产生模块、温度检测模块、输出控制及整形模块、正反馈迟滞模块以及保护模块；基准电压产生模块产生与温度和电源电压无关的稳定电压；温度检测模块将温度信号转化为电压信号；输出控制及整形模块根据检测信号的变化输出过温控制信号；正反馈迟滞模块根据过温输出控制信号调节温度检测信号，实现温度迟滞；本发明提出的过温保护电路可用于高边功率开关等功率集成电路中，热关断阈值点不会随着电源电压的变化而变化，同时本发明能和不同输入控制电平的功率开关电路很好的兼容，适用于各种幅值输入控制电平的高边功率开关电路中。

Description

用于高边功率开关的过温保护电路
技术领域
本发明涉及一种适用于高边功率开关的过温保护电路，适用于功率集成电路领域。
背景技术
高边功率开关电路是一种将功率器件、栅极驱动电路及保护电路集成在一起的混合集成电路，广泛应用于各个领域，但是功率开关管在工作时会产生较高的温度，过高的温度会造成功率开关管的热击穿，导致功率器件永久性的损坏，因此，芯片内部一般都会在功率管附近集成过温保护电路，实现对芯片温度进行实时监控，当温度超过阈值时对功率开关管进行关断。
传统的过温保护电路利用了PTAT电流和纵向PNP的PN结对温度敏感的特性，由于PN结正向导通压降具有负温度系数，而偏置电流具有正温度系数，从而组成温度传感器，检测温度的变化。随着芯片温度的升高，PN结导通电压越来越低，而电阻上的电压则会越来越高，当温度超过设置的阈值温度时，比较器输出发生翻转，比较器此时输出高电平，经过整形模块后使得芯片进入热关断状态，并且通过施密特触发器实现了温度的滞回。
传统方案的缺陷在于，传统的过温保护电路只能用于低压集成电路，不能够用于高边功率开关等智能功率集成电路中，因为高边功率开关的电源电压一般是几伏到几十伏之间，且要保证电源电压在几伏到几十伏之间变动时电路热关断阈值点不变，但传统的过温保护电路的热关断阈值点会随着电源电压的变化出现较大误差，这会对功率开关电路工作的可靠性产生很大影响。传统的过温保护电路还用到了比较器，温度滞回用到了施密特触发器，电路结构比较复杂。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于解决现有GMA增材制造中，成形尺寸宽度不一致及喷嘴到熔敷层上表面距离变化的问题，提供一种GMA增材制造双被动视觉传感测装置及其检测方法。
为了解决传统过温保护方案的不能用于高边功率开关等高压环境和热关断阈值点易受到电源电压波动的影响的缺陷，本发明提出了一种用于高边功率开关电路的过温保护电路。
本发明的技术方案为：一种用于高边功率开关的过温保护电路，包括：基准电压产生模块，温度检测模块，输出控制及整形模块，正反馈迟滞模块和保护模块，其中，
所述的基准电压产生模块的输入端与电源电压相连，产生与温度和电源电压无关的稳定电压，且输出电压可调，输出端给其他模块供电；所述温度检测模块的输出端与输出控制及整形模块的输入端相连，所述温度检测模块用于检测芯片温度的变化，并且将温度信号转换为电压信号；所述输出控制及整形模块的输出端作为智能高边功率开关过温保护电路的输出且与正反馈迟滞模块相连，根据检测信号的变化输出过温控制信号以及对电路输出进行整形；正反馈迟滞模块的输出端与温度检测模块相连，块根据过温输出控制信号调节温度检测信号，实现温度迟滞，防止热振荡现象；保护模块根据过温保护电路的输出控制功率开关管的开启和关断。
所述温度检测模块将转换后的电压信号和三极管的导通压降进行判断，若大于了三极管的导通压降，则输出控制及整形模块输出高电平触发保护模块关断功率开关管同时启动正反馈迟滞模块。
进一步的，所述基准电压产生模块包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第二NPN管Q2、第三NPN管Q3，其中，第三电阻R3的一端与电源电压相连，另一端与第一NMOS管MN1的漏端和第二NMOS管MN2的栅极并联，第一NMOS管MN1的栅极分别与第三NMOS管MN3和第一PMOS管MP1的漏端相连，第二NMOS管MN2的漏端与电源电压相连，源端与第三PMOS管MP3的源端相连，第一PMOS管MP1的栅极与第二PMOS管MP2的栅极相连，第二PMOS管MP2的栅极和漏端并联，并与第二NPN管Q2的集电极相连，第三PMOS管MP3的栅极与第四PMOS管MP4的栅极相连，第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源端以及第六电阻R6的一端均接至基准电压产生模块的输出端，并且产生第一电压节点A，第四PMOS管MP4的栅极和漏端并联，并与第三NPN晶体管Q3的集电极相连，第三NMOS管MN3的栅极与第四NMOS管MN4的栅极相连，第四NMOS管MN4的栅极和漏端并联，并与第三PMOS管MP3的漏端相连，第二NPN管Q2的基极与第三NPN管Q3的基极相连，并与第六电阻R6的另一端和第七电阻R7的一端相连，并且产生第二电压节点B，第三NPN管Q3的发射极与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端和第二NPN管Q2的发射极相连，第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4的源端和第五电阻R5、第七电阻R7的另一端均接至地电位。
进一步的，所述温度检测模块包括：第一电流源I1、第二电流源I2、第一电阻R1和第一NPN管Q1，第一电流源I1和第二电流源I2的高电位端接至基准电压产生模块的输出端，第一电流源I1的低电位端与第一电阻R1的一端和第一NPN管Q1的集电极相连，并且产生第三电压节点C，第二电流源I2的低电位端与第一NPN管Q1的集电极相连，第一电阻R1的另一端和第一NPN管Q1的发射极均接至地电位。
进一步的，所述输出控制及整形模块包括：第三电流源I3、第五NMOS管MN5、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6，第五PMOS管MP5的栅极和第七NMOS管MN7的栅极相连，并分别和第五NMOS管MN5的漏极和第三电流源I3的低电位端相连，第六PMOS管MP6的栅极和第八NMOS管MN8的栅极相连，并分别和第五PMOS管MP5和第七NMOS管MN7的漏极相连，第六PMOS管MP6的漏极和第八NMOS管MN8的漏极相连，并作为过温保护电路的输出端，第三电流源I3的高电位端、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6的源极均接至基准电压产生模块的输出端，第五、第七和第八NMOS管的源极与地电位相连。
进一步的，所述正反馈迟滞模块包括：第六NMOS管MN6、第二电阻R2和第三反相器IV3，第六NMOS管的栅极与第三反相器IV3的输出端相连，第六NMOS管MN6的漏端与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与输出响应模块的输入端相连，第六NMOS管MN6的源端接至地电位。
进一步的，所述保护模块包括：第九NMOS管MN9，第九NMOS管的栅极与过温保护电路的输出端VOUT端相连，漏极与功率开关管的栅极相连，源极与地电位相连。
进一步的，所述温度检测模块第一NPN管Q1设置在功率开关芯片中最易发热的功率开关管附近，使得第一NPN管能够更加精确的检测芯片温度的变化。
本发明的有益效果：
1)本发明提出的过温保护电路可用于高边功率开关等功率集成电路中，在高压条件下也能对电路进行精确的过温保护，且电路中只需要第二NMOS管为高压管即可。
2)本发明提出的过温保护电路热关断阈值点不会随着电源电压的变化而变化，时刻对芯片进行精确的过温保护，工作性能稳定。
3)通过调节电阻R6和电阻R7的阻值可以任意调节芯片过温后过温保护电路输出高电平的电压幅值，使其能和不同输入控制电平的功率开关电路很好的兼容，适用于各种输入控制电平的功率开关电路中。
4)由于正反馈迟滞模块的引入，当过温保护后，芯片温度需要降到一个设定的迟滞温度才能解除对芯片的关断保护，防止了芯片在温度阈值点附近的不稳定开启和热震荡，且可以通过调节电阻R2的值设定滞回温度的大小。
附图说明
图1是本发明提出的一种用于高边功率开关的过温保护电路的原理框图。
图2是本发明提出的一种用于高边功率开关的过温保护电路的实施电路图。
图3是本发明提出的一种用于高边功率开关的过温保护电路的保护模块实施电路图。
图4是依照本发明提出的过温保护电路的A节点的波形图。
图5是依照本发明提出的过温保护电路的B节点输出随温度变化波形图。
图6是依照本发明提出的过温保护电路的输出波形图。
10为基准电压产生模块，20为温度检测模块，30为输出控制及整形模块，40为正反馈迟滞模块，50为保护模块。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如图1所示，一种用于高边功率开关的过温保护电路，包括：基准电压产生模块10，温度检测模块20，输出控制及整形模块30，正反馈迟滞模块40和保护模块50，其中，
所述的基准电压产生模块10的输入端与电源电压相连，产生与温度和电源电压无关的稳定电压，且输出电压可调，输出端给其他模块供电；所述温度检测模块20的输出端与输出控制及整形模块30的输入端相连，所述温度检测模块20用于检测芯片温度的变化，并且将温度信号转换为电压信号；所述输出控制及整形模块30的输出端作为智能高边功率开关过温保护电路的输出且与正反馈迟滞模块40相连，根据检测信号的变化输出过温控制信号以及对电路输出进行整形；正反馈迟滞模块40的输出端与温度检测模块20相连，根据过温输出控制信号调节温度检测信号，实现温度迟滞，防止热振荡现象；保护模块50根据过温保护电路的输出控制功率开关管的开启和关断。
所述温度检测模块20将转换后的电压信号和三极管的导通压降进行判断，若大于了三极管的导通压降，则输出控制及整形模块30输出高电平触发保护模块关断功率开关管同时启动正反馈迟滞模块40。
具体的，在本发明的一个实施例中，如图2所示，基准电压产生模块10包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第二NPN管Q2、第三NPN管Q3，其中，第三电阻R3的一端与电源电压相连，另一端与第一NMOS管MN1的漏端和第二NMOS管MN2的栅极并联，第一NMOS管MN1的栅极分别与第三NMOS管MN3和第一PMOS管MP1的漏端相连，第二NMOS管MN2的漏端与电源电压相连，源端与第三PMOS管MP3的源端相连，第一PMOS管MP1的栅极与第二PMOS管MP2的栅极相连，第二PMOS管MP2的栅极和漏端并联，并与第二NPN管Q2的集电极相连，第三PMOS管MP3的栅极与第四PMOS管MP4的栅极相连，第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源端以及第六电阻R6的一端均接至基准电压产生模块的输出端，并且产生第一电压节点A，第四PMOS管MP4的栅极和漏端并联，并与第三NPN晶体管Q3的集电极相连，第三NMOS管MN3的栅极与第四NMOS管MN4的栅极相连，第四NMOS管MN4的栅极和漏端并联，并与第三PMOS管MP3的漏端相连，第二NPN管Q2的基极与第三NPN管Q3的基极相连，并与第六电阻R6的另一端和第七电阻R7的一端相连，并且产生第二电压节点B，第三NPN管Q3的发射极与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端和第二NPN管Q2的发射极相连，第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4的源端和第五电阻R5、第七电阻R7的另一端均接至地电位。
如图2所示，温度检测模块20包括：第一电流源I1、第二电流源I2、第一电阻R1和第一NPN管Q1，第一电流源I1和第二电流源I2的高电位端接至基准电压产生模块的输出端，第一电流源I1的低电位端与第一电阻R1的一端和第一NPN管Q1的集电极相连，并且产生第三电压节点C，第二电流源I2的低电位端与第一NPN管Q1的集电极相连，第一电阻R1的另一端和第一NPN管Q1的发射极均接至地电位。
如图2所示，输出控制及整形模块30包括：第三电流源I3、第五NMOS管MN5、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6，第五PMOS管MP5的栅极和第七NMOS管MN7的栅极相连，并分别和第五NMOS管MN5的漏极和第三电流源I3的低电位端相连，第六PMOS管MP6的栅极和第八NMOS管MN8的栅极相连，并分别和第五PMOS管MP5和第七NMOS管MN7的漏极相连，第六PMOS管MP6的漏极和第八NMOS管MN8的漏极相连，并作为过温保护电路的输出端，第三电流源I3的高电位端、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6的源极均接至基准电压产生模块的输出端，第五、第七和第八NMOS管的源极与地电位相连。
如图2所示，正反馈迟滞模块40包括：第六NMOS管MN6、第二电阻R2和第三反相器IV3，第六NMOS管的栅极与第三反相器IV3的输出端相连，第六NMOS管MN6的漏端与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与输出响应模块的输入端相连，第六NMOS管MN6的源端接至地电位。
如图3所示，保护模块50包括：第九NMOS管MN9，第九NMOS管的栅极与过温保护电路的输出端VOUT端相连，漏极与功率开关管的栅极相连，源极与地电位相连。
所述温度检测模块第一NPN管Q1设置在功率开关芯片中最易发热的功率开关管附近。
在本发明的实施例中，上述用于高边功率开关的过温保护电路的工作原理如下：
基准电压产生模块采用带隙基准结构，产生一个与电源电压和温度无关的稳定基准电压输出，当电源电压VBB增大导致A节点电位增大时，B节点的电位也会相应的增大，由于电阻R4的存在使得晶体管Q2的基极-发射极电压VBE2大于晶体管Q3的VBE3，因此Q1的集电极电流大于Q2的集电极电流，经过两个电流镜镜像之后MP1管的漏端电流大于MP3管的漏端电流，MN3管的漏端电位被抬高，MN1管的漏端电位降低，MN2管的栅极电位被拉低，使得A节点输出电压降低。因此电路引入负反馈稳定了A节点处输出电压幅值，使得基准电路输出一个与电源电压无关的稳定电压(如5V电压)，因此，基准电压模块输出的A节点电压不会随着电源电压的变化而变化,保证了热关断阈值点不受电源电压变化的影响，工作性能稳定。
双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数，即
VBE通常小于所以VBE与T负相关，从上式也可以知道，VBE随温度变化关系与自身有关。
若两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下，那么它们的基极-发射极电压差值就与绝对温度成正比。电路中Q3发射极的面积是Q2的N倍，稳定时Q2和Q3的集电极电流近似相等，由IC＝IS exp(VBE/VT)得：
所以
这样，VBE的差值就表现出正温度系数。
所以得到基准电压：
因此合理选取R2、R3和N的值可以使得基准电压VA的温度系数为零。此时VB＝1.25V。
此时合理选取R3和R4的阻值比例可以得到任意不同幅值的与电源电压和温度无关的恒定电压，能和不同输入控制电平的智能功率开关电路很好的兼容，适用于各种输入控制电平的智能功率开关电路中，且电路中只需要NMOS晶体管M2为高压管即可。
如果将过温阈值点设置为T0，则电阻R1和电阻R2的阻值应选取为：
式中VBE为NPN晶体管Q1在T0温度时的BE结导通压降。
当芯片温度低于热关断阈值点T0时，节点C的电位VC小于NPN晶体管Q1的BE结导通压降VBE，NPN晶体管Q1截止，此时MN5管导通，经过输出整形电路后过温保护电路输出低电平控制信号，保护模块中的MN9管截止，此时表明芯片工作温度正常。
由于NPN三极管基极与发射极电压VBE具有负温度系数的特性，随着温度的升高，VBE将会降低，但只要温度没有超过热关断阈值点，NPN晶体管Q1将会始终截止，过温保护电路输出低电平控制信号，智能功率开关电路正常工作。
当温度超过热关断阈值点时，NPN晶体管Q1的BE结导通压降VBE继续降低，此时节点C的电位VC大于NPN晶体管Q1的BE结导通压降VBE，NPN晶体管Q1导通，此时MN5管截止，经过输出整形电路后过温保护电路输出高电平控制信号，此时保护模块中的MN9管处于导通状态，将功率开关管的栅电位拉低至接近地电位，功率开关管关断，表明芯片工作温度异常，芯片停止工作，且输出的高电平信号经过反相器IV3后使得MN6管截止，这样在C点产生了附加的电位，进一步加速了NPN晶体管Q1的导通。这时三极管Q1的基极电压VC变为：
从式(6)(7)可以看出，要解除过温保护，需要C点电位VC重新小于NPN晶体管Q1的导通压降VBE，从而关断NPN晶体管Q1。但由于过温之后C点的电位比过温前提高了，这样由VBE的负温特性可知只有温度降至更低温度点T1(T1<T0)时才能关断NPN晶体管Q1，解除过温保护。T0温度与T1温度之差就是迟滞温度。可以通过改变电阻R2的值改变温度点T1的值，从而调节迟滞温度值。
引入迟滞温度避免了电路在热关断阈值点附近的热震荡，避免功率器件的误开启，提高电路的稳定性。
图4为依照本发明提出的过温保护电路的A节点的波形图，由图中可以看出当电源电压在6V—45V之间任意变动时，均能得到稳定的5V电压，保证了热关断阈值点不受电源电压变化的影响，工作性能稳定。
图5为依照本发明提出的过温保护电路的B节点输出随温度变化的波形图，由图可知基准电压产生模块输出电压在-50—140℃的温度系数为8ppm/℃，温度系数较低，说明基准电压产生模块的输出电压几乎不会受温度变化的影响，进一步保证了热关断阈值点的稳定。
图6为本发明的过温保护电路的输出波形图，仿真温度由-50℃到200℃，由图可以看出当芯片温度高于140℃时，保护电路输出高电平，显示芯片工作温度异常，经保护模块后关断功率开关管，芯片停止工作，当芯片温度降低到120℃时过温保护电路输出低电平，经保护模块后重新开启功率开关管，芯片重新开始工作，中间有20℃的滞回温度，防止了芯片热振荡现象的产生。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (6)

1.一种用于高边功率开关的过温保护电路，其特征在于，包括：基准电压产生模块，温度检测模块，输出控制及整形模块，正反馈迟滞模块和保护模块，其中，
所述的基准电压产生模块的输入端与电源电压相连，产生与温度和电源电压无关的稳定电压，且输出电压可调，输出端给其他模块供电；所述温度检测模块的输出端与输出控制及整形模块的输入端相连，所述温度检测模块用于检测芯片温度的变化，并且将温度信号转换为电压信号；所述输出控制及整形模块的输出端作为高边功率开关过温保护电路的输出且与正反馈迟滞模块相连，根据检测信号的变化输出过温控制信号以及对电路输出进行整形；正反馈迟滞模块的输出端与温度检测模块相连，根据过温输出控制信号调节温度检测信号，实现温度迟滞；保护模块根据过温保护电路的输出控制功率开关管的开启和关断；
所述温度检测模块将转换后的电压信号和三极管的导通压降进行判断，若大于了三极管的导通压降，则输出控制及整形模块输出高电平触发保护模块关断功率开关管同时启动正反馈迟滞模块；
所述基准电压产生模块包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第二NPN管Q2、第三NPN管Q3，其中，第三电阻R3的一端与电源电压相连，另一端与第一NMOS管MN1的漏端和第二NMOS管MN2的栅极并联，第一NMOS管MN1的栅极分别与第三NMOS管MN3和第一PMOS管MP1的漏端相连，第二NMOS管MN2的漏端与电源电压相连，源端与第三PMOS管MP3的源端相连，第一PMOS管MP1的栅极与第二PMOS管MP2的栅极相连，第二PMOS管MP2的栅极和漏端并联，并与第二NPN管Q2的集电极相连，第三PMOS管MP3的栅极与第四PMOS管MP4的栅极相连，第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源端以及第六电阻R6的一端均接至基准电压产生模块的输出端，并且产生第一电压节点A，第四PMOS管MP4的栅极和漏端并联，并与第三NPN管Q3的集电极相连，第三NMOS管MN3的栅极与第四NMOS管MN4的栅极相连，第四NMOS管MN4的栅极和漏端并联，并与第三PMOS管MP3的漏端相连，第二NPN管Q2的基极与第三NPN管Q3的基极相连，并与第六电阻R6的另一端和第七电阻R7的一端相连，并且产生第二电压节点B，第三NPN管Q3的发射极与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端和第二NPN管Q2的发射极相连，第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4的源端和第五电阻R5、第七电阻R7的另一端均接至地电位。
2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测模块包括：第一电流源I1、第二电流源I2、第一电阻R1和第一NPN管Q1，第一电流源I1和第二电流源I2的高电位端接至基准电压产生模块的输出端，第一电流源I1的低电位端与第一电阻R1的一端和第一NPN管Q1的集电极相连，并且产生第三电压节点C，第二电流源I2的低电位端与第一NPN管Q1的集电极相连，第一电阻R1的另一端和第一NPN管Q1的发射极均接至地电位。
3.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述输出控制及整形模块包括：第三电流源I3、第五NMOS管MN5、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6，第五PMOS管MP5的栅极和第七NMOS管MN7的栅极相连，并分别和第五NMOS管MN5的漏极和第三电流源I3的低电位端相连，第六PMOS管MP6的栅极和第八NMOS管MN8的栅极相连，并分别和第五PMOS管MP5和第七NMOS管MN7的漏极相连，第六PMOS管MP6的漏极和第八NMOS管MN8的漏极相连，并作为过温保护电路的输出端，第三电流源I3的高电位端、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6的源极均接至基准电压产生模块的输出端，第五、第七和第八NMOS管的源极与地电位相连。
4.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述正反馈迟滞模块包括：第六NMOS管MN6、第二电阻R2和第三反相器IV3，第六NMOS管的栅极与第三反相器IV3的输出端相连，第六NMOS管MN6的漏端与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与温度检测模块的第一NPN管Q1的基极相连，第六NMOS管MN6的源端接至地电位。
5.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述保护模块包括：第九NMOS管MN9，第九NMOS管的栅极与过温保护电路的输出端VOUT端相连，漏极与功率开关管的栅极相连，源极与地电位相连。
6.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测模块第一NPN管Q1设置在功率开关芯片中最易发热的功率开关管附近。
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