CN105846397A - 一种高精度过温保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种高精度过温保护电路，其包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。

Description

一种高精度过温保护电路

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种高精度过温保护电路。

背景技术

随着半导体集成电路技术的不断发展以及半导体工艺的进步，集成电路的集成度越来越高，功耗也越来越大，从而使得芯片局部温度过高，对芯片损坏较大。为使集成电路芯片免受高温的损坏，需要设计专门的过温保护电路。温度超过一定阈值时，过温保护电路输出关断信号，从而使芯片部分或完全停止工作。

传统的过温保护电路一般通过电压比较器来实现，通过调节电阻的阻值来实现热关断、热开启以及迟滞量的调节。在不同的工艺条件下，电阻的阻值变化很大，且不同的电源电压下，电阻上的电压也会随之改变，不同的工艺和电源电压时，电路的温度阈值点和热迟滞量将发生较大变化。这种过温保护电路，同时受电阻以及正负温度系数器件影响，影响因素多，而且受工艺影响较大，不容易调节到精确的热关断温度，无法实现高精度过温保护。

发明内容

因此，针对上述的问题，本发明提出一种高精度过温保护电路，该过温保护电路通过带隙基准电路产生一个与温度无关的基准电压V_ref；采用阈值产生电路产生两个阈值电压；利用比较器比较所述两个阈值电压与两个NPN三极管基极发射极电压差之和，实现过温保护。该方法可以实现高精度过温保护，保证电路的温度阈值点和热迟滞量基本不受工艺和电源电压变化的影响。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案如下：

一种高精度过温保护电路，包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。两个NPN三极管基极发射极电压差之和为整个电路温度检测对应的电压，迟滞比较器输出电路从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择出的一个阈值电压是由基准电压得到的一个参照电压，两者比较来判断是否过温，避免电路的温度阈值点和热迟滞量受工艺和电源电压变化的影响。

其中，作为一种简单可行的方案，所述迟滞比较器输出电路包括比较器和传输门，阈值产生电路产生的两个阈值电压通过传输门的开启与关断选择一阈值电压作为所述比较器的负极输入端，两个NPN三极管串联后，连接于所述比较器的正极输入端，利用三极管基极与发射极两端电压差的负温特性检测电路温度变化，并将温度转化为与之对应的电压信号。

作为一个优选的方案，所述带隙基准电路包括电源电压VDD、PMOS管MP1、PMOS管MP2、第一运算放大器OP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一NPN三极管QN1、第二NPN三极管QN2及接地端GND；所述PMOS管MP1的源极与PMOS管MP2的源极及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP1的栅极与第一运算放大器OP1的输出端及PMOS管MP2的栅极连接；所述PMOS管MP1的漏极与第一电阻R1的输入端连接；所述第一电阻R1的输出端与第一运算放大器OP1的负极输入端以及第一NPN三极管QN1集电极和基极连接；所述第一NPN三极管QN1的发射极与第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地；所述PMOS管MP2的源极与PMOS管MP1的源极及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP2的栅极与第一运算放大器OP1的输出端及PMOS管MP1的栅极连接；所述PMOS管MP2的漏极与第二电阻R2的输入端连接；所述第二电阻R2的输出端与第一运算放大器OP1的正极输入端以及第三电阻R3的输入端连接；所述第三电阻R3的输出端与第二NPN三极管QN2集电极和基极连接；所述第二NPN三极管QN2的发射极与第一NPN三极管QN1的发射极连接，并接地。

所述阈值产生电路包括第二运算放大器OP2、第四电阻R4、第五电阻R5及第六电阻R6；所述第二运算放大器OP2的正极输入端与所述PMOS管MP2的漏极以及第二电阻R2的输入端连接，连接点为d；所述第二运算放大器OP2的负极输入端与其输出端连接，构成一个单位增益缓冲器；所述第二运算放大器OP2的输出端与第四电阻R4的输入端连接；所述第四电阻R4的输出端与第五电阻R5的输入端连接；第五电阻R5的输出端与第六电阻R6的输入端连接；第六电阻R6的输出端与第一NPN三极管QN1的发射极以及第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地。

所述迟滞比较器输出电路包括第一传输门TG1、第二传输门TG2、PMOS管MP3、第三NPN三极管QN3、第四NPN三极管QN4、比较器COMP、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3及输出电压Votp；所述第一传输门TG1的输入端与第四电阻R4的输出端以及第五电阻R5的输入端连接，连接点为f；所述第一传输门TG1的输出端与第二传输门TG2的输出端以及比较器COMP的负极输入端连接；所述第一传输门TG1的PMOS控制端与第二反相器INV2的输出端以及第三反相器INV3的输入端连接，连接点为k；所述第一传输门TG1的NMOS控制端C1与第一反相器INV1的输出端以及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j；所述第二传输门TG2的输入端与第五电阻R5的输出端以及第六电阻R6的输入端连接，连接点为g；所述第二传输门TG2的输出端与第一传输门TG1的输出端以及比较器COMP的负极输入端连接；所述第二传输门TG2的PMOS控制端与第一反相器INV1的输出端以及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j；所述第二传输门TG2的NMOS控制端C1与第二反相器INV2的输出端以及第三反相器INV3的输入端连接，连接点为k；所述PMOS管MP3的源极与PMOS管MP1的源极、PMOS管MP2的源极以及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP1的栅极、第一运算放大器OP1的输出端以及PMOS管MP2的栅极连接；所述PMOS管MP3的漏极与第三NPN三极管QN3集电极和基极以及比较器COMP的正极输入端连接；所述第三NPN三极管QN3的发射极与第四NPN三极管QN4集电极和基极连接，所述第四NPN三极管QN4的发射极与第六电阻R6的输出端、第一NPN三极管QN1的发射极以及第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地；所述比较器COMP的输出端连接第一反相器INV1的输入端；所述第一反相器INV1的输出端连接第二反相器INV2的输入端；第二反相器INV2的输出端连接第三反相器INV3的输入端；第三反相器INV3的输出端连接输出电压V_otp。

作为优选方式，所述第一NPN三极管QN1、第二NPN三极管QN2、第三NPN三极管QN3和第四NPN三极管QN4的基极、发射极电压差为负温度系数，即其随着绝对温度上升，电压绝对值减小。

作为优选方式，所述PMOS管MP1、PMOS管MP2的宽长比相等，设定PMOS管MPn的宽长比为(W/L)_MPn，则(W/L)_MP1＝(W/L)_MP2。

本发明采用上述方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：

本发明通过合理设计带隙基准电路，得到与温度无关的基准电压V_ref，并且该基准电压不受电源电压变化、正负温度系数器件及工艺影响。

本发明利用一个阈值可调的高精度迟滞比较器，通过带隙基准电路得到基准电压V_ref，并产生两个与温度无关的基准电压V_g及V_f，分别接入两个传输门的输入端，通过两个传输门选择输出其中一个电压信号V_h作为比较器的负极输入端，且采用具有负温特性的两个三极管基极与发射极电压差之和V_i作为比较器的正极输入端，通过比较电压信号V_h和两个三极管基极与发射极电压差之和V_i，实现过温保护，该电路的温度阈值点和热迟滞量基本不受工艺和电源电压变化的影响，精度高。

本发明所采用的技术方案简单，成本低廉，易于大规模应用，具有很好的实用性。

附图说明

图1为本发明一种高精度过温保护电路的电路原理图。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

参见图1，本发明的一种高精度过温保护电路，包括带隙基准电路100、阈值产生电路200及迟滞比较器输出电路300；所述带隙基准电路100、阈值产生电路200及迟滞比较器输出电路300顺次电性连接；所述带隙基准电路100用于产生一个与温度无关的基准电压V_ref；所述阈值产生电路用于产生两个阈值电压(V_g和V_f)；所述迟滞比较器输出电路通过采用比较器比较所述两个阈值电压与两个NPN三极管基极发射极电压差之和，实现过温保护。其中，所述两个阈值电压通过传输门的开启与关断选择一阈值电压V_h作为所述比较器的负极输入端；所述两个NPN三极管串联并连接于所述比较器的正极输入端，利用三极管基极与发射极两端电压差的负温特性检测电路温度变化，并将温度转化为与之对应的电压信号V_i。

作为一个具体的实施例，参见图1，所述带隙基准电路100包括电源电压VDD、PMOS管MP1、PMOS管MP2、第一运算放大器OP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一NPN三极管QN1、第二NPN三极管QN2及接地端GND；所述PMOS管MP1的源极与PMOS管MP2的源极及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP1的栅极与第一运算放大器OP1的输出端及PMOS管MP2的栅极连接；所述PMOS管MP1的漏极与第一电阻R1的输入端连接；所述第一电阻R1的输出端与第一运算放大器OP1的负极输入端以及第一NPN三极管QN1集电极和基极连接；所述第一NPN三极管QN1的发射极与第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地；所述PMOS管MP2的源极与PMOS管MP1的源极及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP2的栅极与第一运算放大器OP1的输出端及PMOS管MP1的栅极连接；所述PMOS管MP2的漏极与第二电阻R2的输入端连接；所述第二电阻R2的输出端与第一运算放大器OP1的正极输入端以及第三电阻R3的输入端连接；所述第三电阻R3的输出端与第二NPN三极管QN2集电极和基极连接；所述第二NPN三极管QN2的发射极与第一NPN三极管QN1的发射极连接，并接地。

所述阈值产生电路200包括第二运算放大器OP2、第四电阻R4、第五电阻R5及第六电阻R6；所述第二运算放大器OP2的正极输入端与所述PMOS管MP2的漏极以及第二电阻R2的输入端连接，连接点为d；所述第二运算放大器OP2的负极输入端与其输出端连接，构成一个单位增益缓冲器；所述第二运算放大器OP2的输出端与第四电阻R4的输入端连接；所述第四电阻R4的输出端与第五电阻R5的输入端连接；第五电阻R5的输出端与第六电阻R6的输入端连接；第六电阻R6的输出端与第一NPN三极管QN1的发射极以及第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地。

所述迟滞比较器输出电路300包括第一传输门TG1、第二传输门TG2、PMOS管MP3、第三NPN三极管QN3、第四NPN三极管QN4、比较器COMP、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3及输出电压V_otp；所述第一传输门TG1的输入端与第四电阻R4的输出端以及第五电阻R5的输入端连接，连接点为f；所述第一传输门TG1的输出端与第二传输门TG2的输出端以及比较器COMP的负极输入端连接；所述第一传输门TG1的PMOS控制端与第二反相器INV2的输出端以及第三反相器INV3的输入端连接，连接点为k；所述第一传输门TG1的NMOS控制端C1与第一反相器INV1的输出端以及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j；所述第二传输门TG2的输入端与第五电阻R5的输出端以及第六电阻R6的输入端连接，连接点为g；所述第二传输门TG2的输出端与第一传输门TG1的输出端以及比较器COMP的负极输入端连接；所述第二传输门TG2的PMOS控制端与第一反相器INV1的输出端以及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j；所述第二传输门TG2的NMOS控制端C1与第二反相器INV2的输出端以及第三反相器INV3的输入端连接，连接点为k；所述PMOS管MP3的源极与PMOS管MP1的源极、PMOS管MP2的源极以及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP1的栅极、第一运算放大器OP1的输出端以及PMOS管MP2的栅极连接；所述PMOS管MP3的漏极与第三NPN三极管QN3集电极和基极以及比较器COMP的正极输入端连接；所述第三NPN三极管QN3的发射极与第四NPN三极管QN4集电极和基极连接，所述第四NPN三极管QN4的发射极与第六电阻R6的输出端、第一NPN三极管QN1的发射极以及第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地；所述比较器COMP的输出端连接第一反相器INV1的输入端；所述第一反相器INV1的输出端连接第二反相器INV2的输入端；第二反相器INV2的输出端连接第三反相器INV3的输入端；第三反相器INV3的输出端连接输出电压V_otp；

作为优选方式，所述第一NPN三极管QN1、第二NPN三极管QN2、第三NPN三极管QN3和第四NPN三极管QN4的基极、发射极电压差为负温度系数，即其随着绝对温度上升，电压绝对值减小。

作为优选方式，所述PMOS管MP1、PMOS管MP2的宽长比相等，设定PMOS管MPn的宽长比为(W/L)_MPn，则(W/L)_MP1＝(W/L)_MP2。

为了产生一个与温度无关且不受电源电压变化、正负温度系数器件及工艺影响的基准电压V_ref，本发明通过合理设计带隙基准电路，可得到一个与温度无关且不受电源电压变化、正负温度系数器件及工艺影响的基准电压ref，具体说明如下：

假设第一NPN三极管QN1和第二NPN三极管QN2的发射区面积比A_E1:A_E2＝1:N(N为大于1的正整数)，MP1和MP2的宽长比相等，即(W/L)_MP1＝(W/L)_MP2；

本发明所述的运算放大器OP1的作用是调节PMOS管的栅极电压V_c确保节点V_a和节点V_b相等，则

$V_{R3}=V_{BE1}-V_{BE2}=V_{T}ln\frac{I_{Q1}}{I_{S1}}-V_{T}ln\frac{I_{Q2}}{I_{S2}}=V_{T}ln\frac{I_{Q1}*I_{S2}}{I_{Q2}*I_{S1}}---\left(1\right)$

式中，V_BE是三极管NPN的基极与发射极电压差，V_BE1为第一三极管QN1的基极与发射极电压差，V_BE2为第二三极管QN2的基极与发射极电压差，V_T＝kT/q为热电压，k为玻尔兹曼常数，q为电荷量；I_Q1，I_Q2分别为流过NPN管QN1和QN2的集电极电流，I_S1，I_S2分别为QN1和QN2的集电极饱和电流。

由于QN1和QN2的发射区面积比A_E1:A_E2＝1:N(N为大于1的正整数)，则

I_S1:I_S2＝A_E1:A_E2＝1:N(2)

由于MP1和MP2的宽长比相等，且工作在饱和区，则

I_Q1:I_Q2＝1:1(3)

将式子(2)(3)代入到(1)中，可得

V_R3＝V_TlnN，则

因此可以得到基准电压

V_ref＝V_d＝V_BE2+I_Q2*(R2+R3)＝V_BE2+(1+R2/R3)*V_TlnN

从上式可知，由于V_BE2(三极管基极和发射极电压差，随温度上升会降低)呈负温特性，而热电压V_T呈正温特性，本发明通过调节电阻R2和R3的比值及三极管QN1和QN2的发射极面积比即可得到与温度无关的基准电压V_ref，并且该基准电压也不受电源电压变化影响。

为了提供两个受电源电压和温度及工艺影响较小的电压阈值点，分别作为热关断和热开启时对应的翻转电平，满足对温度翻转点的精确检测，实现精确热关断与开启阈值的设置，作为一个具体方案，本发明采用第二运算放大器OP2的输出端与负输入端相连，构成一个单位增益缓冲器，所述第二运算放大器OP2的正极输入端连接基准电压V_ref，则运放输出端输出电压V_e等于V_ref，接着，通过第二运算放大器OP2的输出端连接三个具体有同种类型的电阻R4、R5、R6，利用电阻R4、R5、R6分压后产生的两个阈值电压V_f、V_g输出给比较器COMP，作为比较器COMP负极输入端的两个阈值输入点。通过调整电阻R4、R5、R6的阻值比例即可得到不同的阈值电压，实现精确热关断与开启阈值的设置。根据电路设计可得电压V_f、V_g，如下式所示：

$V_f=\frac{R5+R6}{R4+R5+R6}*V_{ref}$

$V_g=\frac{R6}{R4+R5+R6}*V_{ref}$

由上式可知，V_f、V_g大小只和基准电压V_ref以及R4、R5、R6的电阻比例有关，不受电源电压、温度以及工艺的影响。

为了实现精确过温保护，作为一个具体方案，本发明利用阈值产生电路已设置好的两个阈值电压V_f和V_g，通过两个传输门选择输出其中一个电压信号V_h作为比较器的负极输入端，且采用具有负温特性的两个三极管基极与发射极电压差之和V_i作为比较器的正极输入端，通过比较电压信号V_h和两个三极管基极与发射极电压差之和V_i，实现过温保护，该电路的温度阈值点和热迟滞量基本不受工艺和电源电压变化的影响，精度高。

具体工作原理如下：

参见图1，本发明利用三极管基极发射极两端电压差的负温特性，通过第三三极管QN3和第四三极管QN4作为温度传感器检测温度变化，并将温度转化为与之对应的电压信号V_i(V_i＝V_BE3+V_BE4),并接入比较器COMP的正极输入端。热关断阈值点电压V_f和热开启阈值点电压V_g作为二选一传输门的两个输入端，接入比较器COMP的负极输入端。

当温度正常时，温度传感器输出电压V_i＞V_f＞V_g，因此，比较器输出高电平，再经过第一反相器INV1输出低电平V_j和第二反相器INV2输出高电平V_k，则传输门TG1关断，TG2开启，此时比较器COMP的负极输入端输入电压V_g，第三反相器INV3输出V_otp维持低电平。

随着温度的升高，三极管的基极与发射极电压差下降，V_i随之下降，当V_g＜V_i＜V_f时，由于此时V_h＝V_g，比较器输出不会发生变化，随着温度的进一步升高，当V_i下降至V_i＜V_g时，比较器发生翻转，此时传输门TG1开启，TG2关断，V_h＝V_f，V_otp输出高电平，实现过温保护。此时V_g即为过温翻转点。

当温度从过温状态下降时，三极管的基极与发射极电压差上升，V_i随之增大，当V_g＜V_i＜V_f时，由于此时V_h＝V_f，比较器输出不会发生变化。随着温度的进一步减小，当V_i增加至V_i＞V_f时，比较器翻转，此时传输门TG1关断，TG2开启，V_i＝V_f，V_otp输出低电平，解除过温保护。此时V_f即为解除过温保护翻转点。

综上，V_g和V_f分别是过温翻转点和解除过温保护翻转点，其差值(V_g-V_f)的大小决定了热迟滞量。

所以，以上分析表明，该过温保护电路具有很高的精度，对于电源电压的变化引起阈值点漂移和迟滞量的变化具有很强的抑制作用。由于电路的热关断点和热开启点的电压通过同种类型的电阻对基准电压V_ref分压得到，对于因电阻工艺的偏差造成的误差具有一定的抑制能力。而且电路的阈值点温度可以根据要求灵活调节，实用性强，可集成于各种电路。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种高精度过温保护电路，其特征在于：包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。

2.根据权利要求1所述的一种高精度过温保护电路，其特征在于：所述迟滞比较器输出电路包括比较器和传输门，阈值产生电路产生的两个阈值电压通过传输门的开启与关断选择一阈值电压作为所述比较器的负极输入端，两个NPN三极管串联后，连接于所述比较器的正极输入端，利用三极管基极与发射极两端电压差的负温特性检测电路温度变化，并将温度转化为与之对应的电压信号。

3.根据权利要求1或2所述的一种高精度过温保护电路，其特征在于：所述带隙基准电路包括电源电压VDD、PMOS管MP1、PMOS管MP2、第一运算放大器OP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一NPN三极管QN1、第二NPN三极管QN2及接地端GND；所述PMOS管MP1的源极与PMOS管MP2的源极及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP1的栅极与第一运算放大器OP1的输出端及PMOS管MP2的栅极连接；所述PMOS管MP1的漏极与第一电阻R1的输入端连接；所述第一电阻R1的输出端与第一运算放大器OP1的负极输入端以及第一NPN三极管QN1集电极和基极连接；所述第一NPN三极管QN1的发射极与第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地；所述PMOS管MP2的源极与PMOS管MP1的源极及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP2的栅极与第一运算放大器OP1的输出端及PMOS管MP1的栅极连接；所述PMOS管MP2的漏极与第二电阻R2的输入端连接；所述第二电阻R2的输出端与第一运算放大器OP1的正极输入端以及第三电阻R3的输入端连接；所述第三电阻R3的输出端与第二NPN三极管QN2集电极和基极连接；所述第二NPN三极管QN2的发射极与第一NPN三极管QN1的发射极连接，并接地。

4.根据权利要求3所述的一种高精度过温保护电路，其特征在于：所述阈值产生电路包括第二运算放大器OP2、第四电阻R4、第五电阻R5及第六电阻R6；所述第二运算放大器OP2的正极输入端与所述PMOS管MP2的漏极以及第二电阻R2的输入端连接，连接点为d；所述第二运算放大器OP2的负极输入端与其输出端连接，构成一个单位增益缓冲器；所述第二运算放大器OP2的输出端与第四电阻R4的输入端连接；所述第四电阻R4的输出端与第五电阻R5的输入端连接；第五电阻R5的输出端与第六电阻R6的输入端连接；第六电阻R6的输出端与第一NPN三极管QN1的发射极以及第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地。

5.根据权利要求3所述的一种高精度过温保护电路，其特征在于：所述迟滞比较器输出电路包括第一传输门TG1、第二传输门TG2、PMOS管MP3、第三NPN三极管QN3、第四NPN三极管QN4、比较器COMP、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3及输出电压Votp；所述第一传输门TG1的输入端与第四电阻R4的输出端以及第五电阻R5的输入端连接，连接点为f；所述第一传输门TG1的输出端与第二传输门TG2的输出端以及比较器COMP的负极输入端连接；所述第一传输门TG1的PMOS控制端与第二反相器INV2的输出端以及第三反相器INV3的输入端连接，连接点为k；所述第一传输门TG1的NMOS控制端C1与第一反相器INV1的输出端以及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j；所述第二传输门TG2的输入端与第五电阻R5的输出端以及第六电阻R6的输入端连接，连接点为g；所述第二传输门TG2的输出端与第一传输门TG1的输出端以及比较器COMP的负极输入端连接；所述第二传输门TG2的PMOS控制端与第一反相器INV1的输出端以及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j；所述第二传输门TG2的NMOS控制端C1与第二反相器INV2的输出端以及第三反相器INV3的输入端连接，连接点为k；所述PMOS管MP3的源极与PMOS管MP1的源极、PMOS管MP2的源极以及电源电压VDD连接；所述PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP1的栅极、第一运算放大器OP1的输出端以及PMOS管MP2的栅极连接；所述PMOS管MP3的漏极与第三NPN三极管QN3集电极和基极以及比较器COMP的正极输入端连接；所述第三NPN三极管QN3的发射极与第四NPN三极管QN4集电极和基极连接，所述第四NPN三极管QN4的发射极与第六电阻R6的输出端、第一NPN三极管QN1的发射极以及第二NPN三极管QN2的发射极连接，并接地；所述比较器COMP的输出端连接第一反相器INV1的输入端；所述第一反相器INV1的输出端连接第二反相器INV2的输入端；第二反相器INV2的输出端连接第三反相器INV3的输入端；第三反相器INV3的输出端连接输出电压V_otp。

6.根据权利要求3所述的一种高精度过温保护电路，其特征在于：所述第一NPN三极管QN1、第二NPN三极管QN2、第三NPN三极管QN3和第四NPN三极管QN4的基极、发射极电压差为负温度系数，即其随着绝对温度上升，电压绝对值减小。

7.根据权利要求3所述的一种高精度过温保护电路，其特征在于：所述PMOS管MP1、PMOS管MP2的宽长比相等，设定PMOS管MPn的宽长比为(W/L)_MPn，则(W/L)_MP1＝(W/L)_MP2。