TWI505062B - 溫度獨立參考電路 - Google Patents

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Description

溫度獨立參考電路
本揭示內容一般地係有關於溫度獨立參考電路，更特定言之，係有關於在半導體晶片上製造的溫度獨立電壓參考與溫度獨立電流參考電路。
多年來溫度獨立參考電路已廣泛地用於積體電路(ICs)中。溫度獨立參考電路之目的係用以產生參考電壓及/或參考電流，該電壓與電流實質上係隨著溫度變化而不變的。於ICs的先前技術中，往往係在相同的矽晶片上使用各別的電路產生溫度補償參考電壓及溫度補償參考電流。典型地，首先導出溫度獨立電壓參考，而接著使用該溫度獨立電壓導出溫度獨立電流。然而，此方法的缺點在於用以分開地產生該參考電壓及參考電流的該電路，通常係為複雜的並且典型地佔用大面積的半導體(例如，矽)晶粒。
本發明係揭露一種溫度獨立參考電路，包括具有共同耦合的基極之第一及第二雙極電晶體。第一及第二電阻器其係在該第二雙極電晶體之該射極與接地之間串聯地耦合。該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2。該等電阻值係如此以致介於該等第一及第二雙極電晶體之該基極-射極電壓間的一電壓差的一溫度係數，TC1，實質上係等於TC2 x(R2/(R1+R2))+TC3 x(R1/(R1+R2))，導致該參考電流實質上不隨著溫度而變化。一第三電阻器其係在一節點與該第二雙極電晶體之該集極之間耦合，具有一數值以致在該節點處產生一參考電壓，其實質上不隨溫度而變化包括具有共同耦合的基極之第一及第二雙極電晶體，根據本發明之溫度獨立參考電路包括具有共同耦合的基極之第一及第二雙極電晶體，包含第一及第二電阻器其係在該第二雙極電晶體之該射極與接地之間串聯地耦合。該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2。該等電阻值係如此以致介於該等第一及第二雙極電晶體之該基極-射極電壓間的一電壓差的一溫度係數，TC1，實質上係等於TC2 x(R2/(R1+R2))+TC3 x(R1/(R1+R2))，導致該參考電流實質上不隨著溫度而變化。一第三電阻器其係在一節點與該第二雙極電晶體之該集極之間耦合，具有一數值以致在該節點處產生一參考電壓，其實質上不隨溫度而變化。
於以下的說明中提出具體細節，諸如元件類型、傳導性型式、電壓、分量值、組構等，為了提供對於本發明之完整的瞭解。然而，熟知相關技藝之人士將查知的是該等具體細節並非為實踐所說明的該等具體實施例所必需。
應查知的是儘管揭示於特定電路組構中使用特定電晶體型式的IC(例如，N通道場效電晶體)，但於可任擇的具體實施例中亦可使用不同的電晶體型式(例如，P通道)。於其他具體實施例中，經由實例所顯示的一些或是所有的金屬-氧化物-半導體場效電晶體(MOSFET)元件可以雙極接合電晶體(BJTs)、絕緣閘極場效電晶體(IGFETs)、或是提供電晶體功能的其他元件結構取代。再者，熟知積體電路與電壓及/或電流參考電路之技藝之人士應瞭解的是，諸如經由該等圖式中之實例所圖示的電晶體元件可與其他的電晶體元件結構一體成型，或是以其他方式製作或組構，以致不同的元件均分共同的連接部分以及半導體區域(例如，N井、基板等)。針對此揭示內容之目的，“接地”或“接地電位”係與參考電壓或電位對照所定義或測量的電路或IC之所有其他電壓或電位有關。
圖1係圖示溫度獨立參考電路100的電路概略視圖，用於同時地在積體電路(IC)上產生溫度補償參考電壓與溫度補償參考電流。(於本申請案之上下文中，該名詞“IC”係理解為與一單塊元件同義。)溫度獨立參考電路100包括NPN雙極電晶體Q1、Q2、Q3及Q4。電晶體Q1及Q2係與元件相配的，Q1之射極尺寸相關於Q2之射極尺寸的比值為“a”，其中“a”係為大於1的整數。Q2之射極係顯示為接地。Q1之射極，節點Vx ，係經由串聯的電阻器R1及R2接地。於所示的該具體實施例中，溫度獨立電流參考IREF 流經電阻器R1及R2，其中IREF =Vx /(R1+R2)。Q1之集極，節點102，係與Q3之基極以及電阻器R3之端部耦合。R3之另一端部，節點103，係與電晶體Q4之射極連接。節點103提供溫度獨立電壓參考VREF ，如以下更為詳細的說明，其係源自於該溫度獨立電流參考IREF 。
繼續圖1之實例，電晶體Q4之基極係與Q3之集極，電阻器R4，以及p通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體(PMOS)MP1之汲極共同地耦合。R4之另一端部與MP1之源極係與電壓供給電位VDD連接。MP1之閘極係經耦合用以接收開機(power-up；PU)信號，其係確保該電路之正確作動。於開機下，VDD由接地電位快速提高且PU係初始為低的以驅動電流進入Q4之基極。當VDD抵達一足夠高之電位供電路100作動時，開機信號PU轉變為高的，從而關掉MP1。
溫度獨立參考電路100進一步包括PMOS電晶體MP2，其係於VDD與Q4之集極之間耦合。MP2之閘極與汲極係共同地以與NPN電晶體Q1及Q2的一電流鏡組構與相配的PMOS電晶體MP3及MP4之閘極耦合，俾以反射溫度獨立電流參考IREF 通過MP4供IC上的別處輸出。
業界從業人員應查知的是圖1之電路產生溫度補償電流IREF ，該電流接著用以在節點103處產生溫度補償電壓VREF 。為達到此結果，電阻器R3及R1具有一M之比值並係相配的，意指由於其由相同材料構成位在該IC上，所以具有相同的電阻之溫度係數。於一具體實施例中，R1與R3包含以P型摻雜劑植入或擴散的半導體材料。
溫度係數TC可定義為當該溫度變化1℃時，物理性質之相對改變。電阻器R3及R1之該溫度係數，TC3，係為正數並大於ΔVBE 之正溫度係數，TC1。特別地，ΔVBE 係為跨越電晶體Q1之基極至射極的電壓與跨越電晶體Q2之基極至射極的電壓之差值。電阻器R2係以與電阻器R3及R1不同的材料類型(例如，多晶矽)構成。R2之溫度係數，TC2，亦係為正數但小於TC1。當此電路係正確地作動時，流經Q1及Q2的電流係藉由電流鏡電晶體MP2及MP3強制其相等，導致橫過串聯電阻R1及R2的ΔVBE 。該電阻比R1/R2經選定，致使TC1=TC2 x(R2/(R1+R2))+TC3 x(R1/(R1+R2))。如此致使該結合的電阻，R1+R2，溫度上的變化與ΔVBE 中溫度上的變化相同，導致流經R1及R2的電流IREF 其不隨溫度而變化。
為了充分瞭解溫度獨立參考電路100之作動，溫度獨立電流參考IREF 可以數學方程式加以表示：
為達到溫度獨立電流參考IREF ，該ΔVBE 的變化百分比應等於總電阻(R1+R2)的變化百分比。如進一步顯示，該ΔVBE 中的變化百分比可藉由以下該方程式(2)加以計算：
其中ΔVBEF 代表在一最終溫度下，介於Q1與Q2之間基極至射極電壓上的差值，以及ΔVBEI 代表在一初始溫度下，介於Q1與Q2之間基極至射極電壓上的差值。
熟知此技藝之人士所瞭解的是ΔVBE 可根據以下方程式加以確定：
ΔVBE =VBE2 -VBE1 =VT ‧ln a　(3)
其中ln係為自然對數，“a”係為Q1相關於Q2之相對尺寸比，以及VT 係為常數其僅隨著溫度變化而變化。將此結果導入以下所示方程式(4)中，依據VT 所得ΔVBE 之變化百分比：
其中VTF 係為在一最終溫度下該常數VT 之數值，以及VTI 係為在一初始溫度下該常數VT 之數值。
如所顯示，(R1+R2)的變化百分比可藉由以下方程式(5)加以計算：
以上方程式能夠視每一電阻器之電阻的變化百分比而定，藉由設定R1及R2而得以完成，致使該總電阻之隨著溫度變化的總變化百分比與ΔVBE 之隨著溫度變化的總變化百分比相配。如以上所說明，於一具體實施例中，電阻器R1及R2係由不同材料構成，因此電阻值隨著溫度變化的變化百分比，該等電阻間係為不同的℃。
經由實例，假若吾等假設涵蓋溫度100℃該ΔVBE 變化33%(例如，ΔVBEF =48mV，ΔVBEI =36mV)，以及R1及R2在相同的溫度範圍下分別地變化60%及6%，則R1對R2的比例可為50/50，意指R1提供30%以及R2提供3%的溫度補償，實質上抵銷ΔVBE 之33%的變化。易言之，該結合電阻中，R1+R2，隨溫度變化百分比係經設定為與ΔVBE 中隨溫度變化百分比相同，導致流經R1及R2的電流IREF 其實質上不隨溫度變化。
現就溫度獨立參考電路100之該溫度獨立電壓參考觀點而言，於節點103處產生的輸出參考電壓VREF ，係針對橫過電阻器R3的電壓，VR3 ，其係藉由IREF 所建立(例如，VR3 =R3 x IREF )。由於IREF 實質上如上所述未隨著溫度變化，所以電壓VR3 擁有與R3相同的溫度係數(亦即，TC3)。如所顯示，該輸出參考電壓VREF 係為Q3之該VBE 的總和(VBE3 )，其典型地具有溫度係數-2mV/℃，加上電壓VR3 其具有正的溫度係數TC4。以不同的數學項式陳述，
VREF =VBE3 +VR3 　(6)
方程式(6)顯示為達到溫度獨立電壓VREF ，該電壓降VR3 隨溫度之變化實質上必需等於VBE3 隨溫度之變化的絕對值。亦即，VR3 之該溫度變化係經設定大約為+2mV/℃，用以實質上抵銷該VBE3 之溫度變化。
另一檢查方式在於電阻R3係用以抵銷VBE3 隨一已知溫度範圍之變化，如以下方程式(7)中所表示，其中分別在高與低溫度下，VBE3F 及VBE3I 係為最終與初始基極-射極電壓，以及VR3F 與VR3I 係為橫過R3的最終及初始電壓。
VBE3F -VBE3I =-(VR3F -VR3I )　(7)
例如，吾等假設VBE3 之溫度係數係確切地為-2mV/℃，因此涵蓋100℃的溫度增加，該橫過VBE3 之電壓降降低200mV。為達成溫度獨立輸出參考電壓VREF ，該電壓降VR3 隨著相同的溫度增加100℃亦必需增加200mV。由於R3及R1係為相配的電阻器(亦即，由相同材料構成)，所以其涵蓋一單元溫度之電阻值變化的百分比係為相同的。該參考輸出電流IREF 係根據以上提供之說明加以設定，意指R3可藉由該以下方程式加以確定。
其中ΔVR3 =VR3F -VR3I 及ΔVR1 =VR1F -VR1I 。由於該R1之電阻值及IREF 而設定VR1 的變化。於該實例中，VR3 的變化係為200mV。因此，R3可經確定以致涵蓋於一單元溫度的變化該電壓VBE3 的降低係與電壓降VR3 的增加相同。
圖2係圖示一溫度獨立參考電路200的另一示範電路概略視圖，用於同時地在積體電路(IC)上產生溫度補償參考電壓與溫度補償參考電流。就每一方面而言，溫度獨立參考電路200係與圖1之電路100相同，不同之處在於溫度獨立參考電路100中電阻器R4係由溫度獨立參考電路200中PMOS電晶體MP5取代。PMOS電晶體MP5其之功能如同另一電流鏡電晶體，確保該流經NPN電晶體Q3的電流維持不隨溫度而變化。此外，以電晶體MP5取代電阻器R4的另一優點係用以減小溫度獨立參考電路200之總面積。業界的從業人員應瞭解的是，此改良消除了圖1之該具體實施例中所出現該VREF 中相對較小的誤差項。此誤差項易於因該電壓VBE3 中電流密度的改變而造成該VREF 中些微的改變。
儘管本發明已結合特定具體實施例加以說明，但熟知此技藝之人士應查知的是複數的修改及變化係充分地涵蓋於本發明之範疇內。因此，該說明書與圖式係視為具說明性而非為限定的意義。
IREF ．．．溫度獨立電流參考/溫度補償電流
MP1-MP5．．．p通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體
PU．．．開機信號
Q1-Q4．．．NPN雙極電晶體
R1-R4．．．電阻器
VDD．．．電壓供給電位
VBE3 ．．．Q3之VBE 的總和
VREF ‧‧‧溫度獨立電壓參考/溫度補償電壓
VR3 ‧‧‧電壓
Vx ‧‧‧節點
100‧‧‧溫度獨立參考電路
102‧‧‧節點
103‧‧‧節點
200‧‧‧溫度獨立參考電路
本發明係經由該等伴隨圖式之圖解中的實例，並非具限制性，加以說明，其中：
圖1係圖示一溫度獨立參考電路的一電路概略視圖，用於同時地在一積體電路(IC)上產生一溫度補償參考電壓與一溫度補償參考電流。
圖2係圖示一溫度獨立參考電路的另一示範電路概略視圖，用於同時地在一積體電路(IC)上產生一溫度補償參考電壓與一溫度補償參考電流。
IREF ．．．溫度獨立電流參考/溫度補償電流
MP1-MP4．．．p通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體
PU．．．開機信號
Q1-Q4．．．NPN雙極電晶體
R1-R4．．．電阻器
VDD．．．電壓供給電位
VBE3 ．．．Q3之VBE 的總和
VREF ．．．溫度獨立電壓參考/溫度補償電壓
VR3 ．．．電壓
Vx ．．．節點
100．．．溫度獨立參考電路
102．．．節點
103．．．節點

Claims (31)

  1. 一種在半導體基板上製造的溫度獨立參考電路，其包含：第一及第二雙極電晶體，該第一雙極電晶體之基極與集極係與該第二雙極電晶體之基極耦合，該第二雙極電晶體之射極與該第一雙極電晶體之射極的尺寸比係等於N，其中N係為大於1的整數，該第一雙極電晶體之射極係與一接地電位耦合；第一及第二電阻器，其係在該第二雙極電晶體之射極與該接地電位之間串聯地耦合，該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2；第一及第二電晶體，其係相關於該等第一及第二雙極電晶體而佈置作為一電流鏡，以致當將電力供給至該溫度獨立參考電路時，一參考電流流經該等第一及第二雙極電晶體之每一者，該等第一及第二電阻值係如此以致介於該等第一及第二雙極電晶體之基極-射極電壓間的一電壓差的一溫度係數，TC1，實質上係等於TC2 x (R2/(R1+R2))+TC3 x (R1/(R1+R2))導致該參考電流實質上不隨著溫度而變化；一第三雙極電晶體，該第三雙極電晶體之射極係與該接地電位耦合，該第三雙極電晶體之基極係與第二雙極電晶體之集極耦合，以及一第三電阻器，其係在該第二雙極電晶體之集極與一節點之間耦合，當將電力供給至該溫度獨立參考電路 時，該參考電流流經該第三電阻器，該第三電阻器具有第三電阻值，R3，以及第三溫度係數TC3，該第三電阻值係如此以致該第三雙極電晶體之基極-射極電壓的變化百分比實質上係等於跨越該第三電阻器的一電壓降隨著溫度變化之變化百分比，從而導致在該節點處產生一參考電壓，其實質上不隨溫度而變化。
  2. 如申請專利範圍第1項之溫度獨立參考電路，其中該第一及第三電阻器包含一第一材料類型，且該第二電阻器包含一第二材料類型。
  3. 如申請專利範圍第2項之溫度獨立參考電路，其中該第一材料類型包含一p型植入物。
  4. 如申請專利範圍第2項之溫度獨立參考電路，其中該第二材料類型包含多晶矽。
  5. 如申請專利範圍第1項之溫度獨立參考電路，其進一步包含一第四雙極電晶體，該第四雙極電晶體之基極係與該第三雙極電晶體之集極耦合，該第四雙極電晶體之射極係與該節點耦合，以及該第四雙極電晶體之集極係與該電流鏡之該第二電晶體耦合。
  6. 如申請專利範圍第5項之溫度獨立參考電路，其中該第一及第二電晶體分別包含第一及第二p通道場效電晶體。
  7. 如申請專利範圍第6項之溫度獨立參考電路，其進一步包含一第三p通道場效電晶體，其係與該等第一及第二p通道場效電晶體耦合，該第三p通道場效電晶體係經組構以輸出該參考電流。
  8. 一種製造於半導體基板上之積體電路(IC)，包含： 第一及第二雙極電晶體，該第一雙極電晶體之基極與集極係與該第二雙極電晶體之基極耦合；第一及第二電阻器，其係在該第二雙極電晶體之射極與該接地電位之間串聯地耦合，該第一電阻器包含一第一材料類型且該第二電阻器包含一第二材料類型，該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2；一電流鏡，其係耦接至該第一及第二雙極電晶體以致當將電力供給至該IC時，一第一電流流經該等第一及第二雙極電晶體之每一者，該等第一及第二電阻值係如此以致該第一電流實質上不隨著溫度而變化。
  9. 如申請專利範圍第8項之IC，其中該第二雙極電晶體之射極與該第一雙極電晶體之射極的尺寸比係等於N，其中N係為大於1的整數。
  10. 如申請專利範圍第8項之IC，其中該第一雙極電晶體之射極係與一接地電位耦合。
  11. 如申請專利範圍第10項之IC，其進一步包含一第三電阻器，其係在該第二雙極電晶體之集極與一節點之間耦合，當將電力供給至該IC時，該第一電流流經該第三電阻器，該第三電阻器具有第三電阻值，R3，以及第三溫度係數TC3。
  12. 如申請專利範圍第11項之IC，其中介於該等第一及第二雙極電晶體之基極-射極電壓間的一電壓差的一溫度係數，TC1，實質上係等於TC2 x (R2/(R1+R2))+TC3 x (R1/(R1+R2))。
  13. 如申請專利範圍第11項之IC，其中該第三電阻器包含該第一材料類型。
  14. 如申請專利範圍第8項之IC，其中該第一材料類型包含 一p型植入物。
  15. 如申請專利範圍第14項之IC，其中該第二材料類型包含多晶矽。
  16. 一種製造於半導體基板上之積體電路(IC)，包含：第一及第二雙極電晶體，該第一雙極電晶體之基極與集極係與該第二雙極電晶體之基極耦合；第一及第二電阻器，其係在該第二雙極電晶體之射極與該接地電位之間串聯地耦合，該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2；一電流鏡，其係耦接至該第一及第二雙極電晶體以致當將電力供給至該IC時，一第一電流流經該等第一及第二雙極電晶體之每一者，該等第一及第二電阻值係如此以致該第一電流實質上不隨著溫度而變化；及一第三雙極電晶體，該第三雙極電晶體之射極係與該接地電位耦合，該第三雙極電晶體之基極係與第二雙極電晶體之集極耦合。
  17. 如申請專利範圍第16項之IC，其進一步包含一第四雙極電晶體，該第四雙極電晶體之基極係與該第三雙極電晶體之集極耦合，該第四雙極電晶體之射極係與該第二雙極電晶體之集極耦合，以及該第四雙極電晶體之集極係與該電流鏡耦合。
  18. 如申請專利範圍第17項之IC，其中該電流鏡包含第一及第二p通道場效電晶體。
  19. 如申請專利範圍第18項之IC，其進一步包含一第三p通道場效電晶體，其係與該等第一及第二p通道場效電晶體耦合，該第三p通道場效電晶體係經組構以輸出該第一電流。
  20. 如申請專利範圍第19項之IC，其進一步包含一第四電阻器，其係耦接於一電源線及該第三雙極電晶體之集極之間。
  21. 如申請專利範圍第20項之IC，其進一步包含一第四p通道場效電晶體，其係耦接於該電源線及該第三雙極電晶體之集極之間。
  22. 如申請專利範圍第21項之IC，其中該第四p通道場效電晶體之閘極係被耦接以接收一開機訊號，其在該IC之開機下係初始為低的，而在電源線達到足夠高以操作IC之電位之後，該開機訊號轉變為高的。
  23. 如申請專利範圍第16項之IC，其中該第一電阻器包含一第一材料類型且該第二電阻器包含一第二材料類型。
  24. 如申請專利範圍第23項之IC，其中該第一材料類型包含一p型植入物。
  25. 如申請專利範圍第23項之IC，其中該第二材料類型包含多晶矽。
  26. 如申請專利範圍第16項之IC，其進一步包含一第三電阻器，其係在該第二雙極電晶體之集極與一節點之間耦合，當將電力供給至該IC時，該第一電流流經該第三電阻器，該第三電阻器具有第三電阻值，R3，以及第三溫度係數TC3。
  27. 如申請專利範圍第26項之IC，其中介於該等第一及第二雙極電晶體之基極-射極電壓間的一電壓差的一溫度係數，TC1，實質上係等於TC2 x (R2/(R1+R2))+TC3 x (R1/(R1+R2))。
  28. 一種製造於半導體基板上之積體電路(IC)，包含：第一及第二雙極電晶體，該第一雙極電晶體之基極與集極係與該第二雙極電晶體之基極耦合，該第二雙極電晶體之 射極與該第一雙極電晶體之射極的尺寸比係等於N，其中N係為大於1的整數，該第一雙極電晶體之射極係與一接地電位耦合；第一及第二電阻器，其係在該第二雙極電晶體之射極與該接地電位之間串聯地耦合，該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2；一電流鏡，其係耦接至該第一及第二雙極電晶體以致當將電力供給至該IC時，一第一電流流經該等第一及第二雙極電晶體之每一者，該等第一及第二電阻值係如此以致介於該等第一及第二雙極電晶體之基極-射極電壓間的一電壓差的一溫度係數，TC1，實質上係等於TC2 x (R2/(R1+R2))+TC3 x (R1/(R1+R2))導致該第一電流實質上不隨著溫度而變化。
  29. 一種製造於半導體基板上之積體電路(IC)，其包含：第一及第二雙極電晶體，該第一雙極電晶體之基極與集極係與該第二雙極電晶體之基極耦合；第一及第二電阻器，其係在該第二雙極電晶體之射極與一接地電位之間串聯地耦合，該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2；一第三電阻器，其係在該第二雙極電晶體之集極與一節點之間耦合；其中介於該等第一及第二雙極電晶體之基極-射極電壓間的一電壓差的一溫度係數，TC1，係與結合的電阻，R1+R2，之溫度改變成比例，導致流經R1及R2之一參考電流實質上不隨著溫度而變化，該參考電流流經該等第一及第二雙極電晶體之各者及該第三電阻器，從而導致在該節點處產生一參 考電壓，其實質上不隨溫度而變化。
  30. 一種製造於半導體基板上之積體電路(IC)，其包含：第一及第二雙極電晶體，該第一雙極電晶體之基極與集極係與該第二雙極電晶體之基極耦合；第一及第二電阻器，其係在該第二雙極電晶體之射極與一接地電位之間串聯地耦合，該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2；一第三電阻器，其係在該第二雙極電晶體之集極與一節點之間耦合，當將電力供給至該IC時，第一電流流經該第三電阻器，該第三電阻器具有第三電阻值，R3，以及第三溫度係數TC3；及一電流鏡，其係耦接至該第一及第二雙極電晶體以致當將電力供給至該IC時，一第一電流流經該等第一及第二雙極電晶體之每一者，該等第一及第二電阻值係如此以致該第一電流實質上不隨著溫度而變化。
  31. 一種製造於半導體基板上之積體電路(IC)，其包含：第一及第二雙極電晶體，該第一雙極電晶體之基極與集極係與該第二雙極電晶體之基極耦合；第一及第二電阻器，其係在該第二雙極電晶體之射極與一接地電位之間串聯地耦合，該第一及第二電阻器分別地具有第一及第二電阻值，R1及R2，以及第三及第二溫度係數，TC3及TC2；一第三雙極電晶體，該第三雙極電晶體之射極係與該接地電位耦合，該第三雙極電晶體之基極係與第二雙極電晶體之集極耦合；及一第三電阻器，其係在該第二雙極電晶體之集極與一節點之間耦合，該第三電阻器具有第三電阻值，R3，以及第三 溫度係數TC3；一電流鏡，其係耦接至該第一及第二雙極電晶體以致當將電力供給至該IC時，一第一電流流經該等第一及第二雙極電晶體之每一者，該等第一及第二電阻值係如此以致該第一電流實質上不隨著溫度而變化。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6635544B2 (en) 2001-09-07 2003-10-21 Power Intergrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure
US7786533B2 (en) * 2001-09-07 2010-08-31 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with edge termination structure
US8093621B2 (en) 2008-12-23 2012-01-10 Power Integrations, Inc. VTS insulated gate bipolar transistor
US7557406B2 (en) * 2007-02-16 2009-07-07 Power Integrations, Inc. Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor
US7859037B2 (en) 2007-02-16 2010-12-28 Power Integrations, Inc. Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout
US8653583B2 (en) * 2007-02-16 2014-02-18 Power Integrations, Inc. Sensing FET integrated with a high-voltage transistor
US7595523B2 (en) * 2007-02-16 2009-09-29 Power Integrations, Inc. Gate pullback at ends of high-voltage vertical transistor structure
US7964912B2 (en) 2008-09-18 2011-06-21 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar
US20100155831A1 (en) * 2008-12-20 2010-06-24 Power Integrations, Inc. Deep trench insulated gate bipolar transistor
US7871882B2 (en) 2008-12-20 2011-01-18 Power Integrations, Inc. Method of fabricating a deep trench insulated gate bipolar transistor
US7893754B1 (en) 2009-10-02 2011-02-22 Power Integrations, Inc. Temperature independent reference circuit
US8634218B2 (en) 2009-10-06 2014-01-21 Power Integrations, Inc. Monolithic AC/DC converter for generating DC supply voltage
US8310845B2 (en) 2010-02-10 2012-11-13 Power Integrations, Inc. Power supply circuit with a control terminal for different functional modes of operation
US8547165B1 (en) * 2012-03-07 2013-10-01 Analog Devices, Inc. Adjustable second-order-compensation bandgap reference
US8653600B2 (en) 2012-06-01 2014-02-18 Power Integrations, Inc. High-voltage monolithic schottky device structure
US9455621B2 (en) 2013-08-28 2016-09-27 Power Integrations, Inc. Controller IC with zero-crossing detector and capacitor discharge switching element
US10325988B2 (en) 2013-12-13 2019-06-18 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped field plates
US9543396B2 (en) 2013-12-13 2017-01-10 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions
JP6472871B2 (ja) 2014-08-25 2019-02-20 マイクロン テクノロジー，インク． 温度独立型電流生成用装置
US9590504B2 (en) 2014-09-30 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Flipped gate current reference and method of using
EP3329339A4 (en) * 2015-07-28 2019-04-03 Micron Technology, INC. APPARATUSES AND METHODS FOR CONSTANT CURRENT SUPPLY
US9667154B2 (en) 2015-09-18 2017-05-30 Power Integrations, Inc. Demand-controlled, low standby power linear shunt regulator
US10379566B2 (en) 2015-11-11 2019-08-13 Apple Inc. Apparatus and method for high voltage bandgap type reference circuit with flexible output setting
US9602009B1 (en) 2015-12-08 2017-03-21 Power Integrations, Inc. Low voltage, closed loop controlled energy storage circuit
US9629218B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Power Integrations, Inc. Thermal protection for LED bleeder in fault condition
US10523183B2 (en) * 2018-01-31 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dynamic high voltage (HV) level shifter with temperature compensation for high-side gate driver
US12021439B2 (en) 2019-05-24 2024-06-25 Power Integrations, Inc. Switching delay for communication
KR102216650B1 (ko) 2019-11-05 2021-02-17 국방과학연구소 적응형 가드 셀 선택을 기초로 한 cfar 탐지 방법 및 그 시스템
CN110865677B (zh) * 2019-12-09 2022-04-19 北京集创北方科技股份有限公司 基准源电路、芯片、电源及电子设备
US11942900B2 (en) 2021-10-14 2024-03-26 Power Integrations, Inc. Signal compensation with summed error signals

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969566A (en) * 1996-06-20 1999-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Circuit configuration for generating a reference potential
US20030201821A1 (en) * 2001-06-28 2003-10-30 Coady Edmond Patrick Curvature-corrected band-gap voltage reference circuit
US20040041622A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-04 Winsbond Electronics Corporation Stable current source circuit with compensation circuit
US20070035286A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Analog Integrations Corporation Bandgap reference voltage circuit

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3740581A (en) 1972-03-08 1973-06-19 Hughes Aircraft Co Precision switching circuit for analog signals
US4777580A (en) 1985-01-30 1988-10-11 Maxim Integrated Products Integrated full-wave rectifier circuit
US4875151A (en) 1986-08-11 1989-10-17 Ncr Corporation Two transistor full wave rectifier
US4871686A (en) 1988-03-28 1989-10-03 Motorola, Inc. Integrated Schottky diode and transistor
US4866585A (en) 1988-06-08 1989-09-12 Das Pawan K AC to DC solid state power supply using high frequency pulsed power switching
JPH022179A (ja) 1988-06-13 1990-01-08 Fujitsu Ltd メタル・セミコンダクタ・ｆｅｔ
US4982260A (en) 1989-10-02 1991-01-01 General Electric Company Power rectifier with trenches
US5008794A (en) 1989-12-21 1991-04-16 Power Integrations, Inc. Regulated flyback converter with spike suppressing coupled inductors
US5072268A (en) 1991-03-12 1991-12-10 Power Integrations, Inc. MOS gated bipolar transistor
US5164891A (en) 1991-08-21 1992-11-17 Power Integrations, Inc. Low noise voltage regulator and method using a gated single ended oscillator
US5258636A (en) 1991-12-12 1993-11-02 Power Integrations, Inc. Narrow radius tips for high voltage semiconductor devices with interdigitated source and drain electrodes
US5285367A (en) 1992-02-07 1994-02-08 Power Integrations, Inc. Linear load circuit to control switching power supplies under minimum load conditions
US5323044A (en) 1992-10-02 1994-06-21 Power Integrations, Inc. Bi-directional MOSFET switch
US5274259A (en) 1993-02-01 1993-12-28 Power Integrations, Inc. High voltage transistor
US5313082A (en) 1993-02-16 1994-05-17 Power Integrations, Inc. High voltage MOS transistor with a low on-resistance
KR960002457B1 (ko) * 1994-02-07 1996-02-17 금성일렉트론주식회사 정전압회로
US5510972A (en) 1994-06-29 1996-04-23 Philips Electronics North America Corporation Bridge rectifier circuit having active switches and an active control circuit
CN1162191A (zh) * 1996-03-04 1997-10-15 摩托罗拉公司 电压和电流基准电路
DE19610135C1 (de) 1996-03-14 1997-06-19 Siemens Ag Elektronische Einrichtung, insbesondere zum Schalten elektrischer Ströme, für hohe Sperrspannungen und mit geringen Durchlaßverlusten
US5612567A (en) 1996-05-13 1997-03-18 North Carolina State University Schottky barrier rectifiers and methods of forming same
US6207994B1 (en) 1996-11-05 2001-03-27 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor with multi-layer conduction region
US6168983B1 (en) 1996-11-05 2001-01-02 Power Integrations, Inc. Method of making a high-voltage transistor with multiple lateral conduction layers
US6800903B2 (en) 1996-11-05 2004-10-05 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor with multi-layer conduction region
JP3988262B2 (ja) 1998-07-24 2007-10-10 富士電機デバイステクノロジー株式会社 縦型超接合半導体素子およびその製造方法
JP4024936B2 (ja) 1998-09-01 2007-12-19 沖電気工業株式会社 電圧発生回路
WO2000017993A1 (fr) 1998-09-17 2000-03-30 Seiko Epson Corporation Dispositif d'alimentation, procede d'alimentation, dispositif electronique portatif et montre electronique
US6252288B1 (en) 1999-01-19 2001-06-26 Rockwell Science Center, Llc High power trench-based rectifier with improved reverse breakdown characteristic
US6084277A (en) 1999-02-18 2000-07-04 Power Integrations, Inc. Lateral power MOSFET with improved gate design
US6150871A (en) * 1999-05-21 2000-11-21 Micrel Incorporated Low power voltage reference with improved line regulation
TW565630B (en) 1999-09-07 2003-12-11 Sixon Inc SiC wafer, SiC semiconductor device and method for manufacturing SiC wafer
US6349047B1 (en) 2000-12-18 2002-02-19 Lovoltech, Inc. Full wave rectifier circuit using normally off JFETs
US7186609B2 (en) 1999-12-30 2007-03-06 Siliconix Incorporated Method of fabricating trench junction barrier rectifier
US6468847B1 (en) 2000-11-27 2002-10-22 Power Integrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor
US6509220B2 (en) 2000-11-27 2003-01-21 Power Integrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor
US6768171B2 (en) 2000-11-27 2004-07-27 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor with JFET conduction channels
US6424007B1 (en) 2001-01-24 2002-07-23 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor with buried conduction layer
US7016171B2 (en) 2001-02-01 2006-03-21 Hydro-Aire, Inc. Current fault detector and circuit interrupter and packaging thereof
FR2825806B1 (fr) * 2001-06-08 2003-09-12 St Microelectronics Sa Circuit de polarisation a point de fonctionnement stable en tension et en temperature
US6555873B2 (en) 2001-09-07 2003-04-29 Power Integrations, Inc. High-voltage lateral transistor with a multi-layered extended drain structure
US7221011B2 (en) 2001-09-07 2007-05-22 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-gradient drain doping profile
US7786533B2 (en) 2001-09-07 2010-08-31 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with edge termination structure
US6635544B2 (en) 2001-09-07 2003-10-21 Power Intergrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure
US6573558B2 (en) 2001-09-07 2003-06-03 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure
US6555883B1 (en) 2001-10-29 2003-04-29 Power Integrations, Inc. Lateral power MOSFET for high switching speeds
JP3998454B2 (ja) 2001-10-31 2007-10-24 株式会社東芝 電力用半導体装置
US6552597B1 (en) 2001-11-02 2003-04-22 Power Integrations, Inc. Integrated circuit with closely coupled high voltage output and offline transistor pair
US6583663B1 (en) 2002-04-22 2003-06-24 Power Integrations, Inc. Power integrated circuit with distributed gate driver
US6661276B1 (en) 2002-07-29 2003-12-09 Lovoltech Inc. MOSFET driver matching circuit for an enhancement mode JFET
US6707263B1 (en) 2002-09-30 2004-03-16 Osram Sylvania Inc. High-intensity discharge lamp ballast with live relamping feature
US6865093B2 (en) 2003-05-27 2005-03-08 Power Integrations, Inc. Electronic circuit control element with tap element
CN100543632C (zh) * 2003-08-15 2009-09-23 Idt-紐威技术有限公司 采用cmos技术中电流模式技术的精确电压/电流参考电路
US6919753B2 (en) * 2003-08-25 2005-07-19 Texas Instruments Incorporated Temperature independent CMOS reference voltage circuit for low-voltage applications
US6933769B2 (en) * 2003-08-26 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Bandgap reference circuit
FR2860307B1 (fr) * 2003-09-26 2005-11-18 Atmel Grenoble Sa Circuit integre avec fonction de demarrage automatique
TWI224869B (en) 2004-03-25 2004-12-01 Richtek Techohnology Corp Apparatus for driving depletion type junction field effect transistor
US7235827B2 (en) 2004-04-20 2007-06-26 Power-One, Inc. Vertical power JFET with low on-resistance for high voltage applications
US20050242411A1 (en) 2004-04-29 2005-11-03 Hsuan Tso [superjunction schottky device and fabrication thereof]
TWI258261B (en) 2004-05-18 2006-07-11 Richtek Techohnology Corp JFET driving circuit applied to DC/DC converter and method thereof
US20060086974A1 (en) 2004-10-26 2006-04-27 Power Integrations, Inc. Integrated circuit with multi-length power transistor segments
US7135748B2 (en) 2004-10-26 2006-11-14 Power Integrations, Inc. Integrated circuit with multi-length output transistor segment
EP1808051A1 (en) 2004-10-27 2007-07-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Startup flicker suppression in a dimmable led power supply
DE102004062357A1 (de) * 2004-12-14 2006-07-06 Atmel Germany Gmbh Versorgungsschaltung zur Erzeugung eines Referenzstroms mit vorgebbarer Temperaturabhängigkeit
US7245510B2 (en) 2005-07-07 2007-07-17 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for conditional response to a fault condition in a switching power supply
US7453709B2 (en) 2005-07-08 2008-11-18 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for increasing the power capability of a power supply
US20070146020A1 (en) 2005-11-29 2007-06-28 Advanced Analogic Technologies, Inc High Frequency Power MESFET Gate Drive Circuits
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US20080018261A1 (en) 2006-05-01 2008-01-24 Kastner Mark A LED power supply with options for dimming
CN100570527C (zh) * 2006-06-16 2009-12-16 义隆电子股份有限公司 参考电压产生电路
US7757565B2 (en) 2006-08-24 2010-07-20 Board Of Trustees Operating Michigan State University Self-powered sensor
US7381618B2 (en) 2006-10-03 2008-06-03 Power Integrations, Inc. Gate etch process for a high-voltage FET
US7557406B2 (en) 2007-02-16 2009-07-07 Power Integrations, Inc. Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor
US7468536B2 (en) 2007-02-16 2008-12-23 Power Integrations, Inc. Gate metal routing for transistor with checkerboarded layout
US7595523B2 (en) 2007-02-16 2009-09-29 Power Integrations, Inc. Gate pullback at ends of high-voltage vertical transistor structure
JP5089193B2 (ja) 2007-02-22 2012-12-05 株式会社小糸製作所 発光装置
US7893754B1 (en) 2009-10-02 2011-02-22 Power Integrations, Inc. Temperature independent reference circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969566A (en) * 1996-06-20 1999-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Circuit configuration for generating a reference potential
US20030201821A1 (en) * 2001-06-28 2003-10-30 Coady Edmond Patrick Curvature-corrected band-gap voltage reference circuit
US20040041622A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-04 Winsbond Electronics Corporation Stable current source circuit with compensation circuit
US20070035286A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Analog Integrations Corporation Bandgap reference voltage circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Popa, C., Mitrea, O., "Optimal curvature-compensated BiCMOS bandgap reference," Image and Signal Processing and Analysis, 2001年, pp.507-510 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120135175A (ko) 2012-12-12
US8278994B2 (en) 2012-10-02
US20110298529A1 (en) 2011-12-08
CN103760946A (zh) 2014-04-30
US20110121889A1 (en) 2011-05-26
US20120146715A1 (en) 2012-06-14
KR101253449B1 (ko) 2013-04-11
US7999606B2 (en) 2011-08-16
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