CN110865677B - 基准源电路、芯片、电源及电子设备 - Google Patents

基准源电路、芯片、电源及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN110865677B
CN110865677B CN201911252891.9A CN201911252891A CN110865677B CN 110865677 B CN110865677 B CN 110865677B CN 201911252891 A CN201911252891 A CN 201911252891A CN 110865677 B CN110865677 B CN 110865677B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
resistor
electrically connected
current
generating unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911252891.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110865677A (zh
Inventor
杨毓俊
樊磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chipone Technology Beijing Co Ltd
Original Assignee
Chipone Technology Beijing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chipone Technology Beijing Co Ltd filed Critical Chipone Technology Beijing Co Ltd
Priority to CN201911252891.9A priority Critical patent/CN110865677B/zh
Publication of CN110865677A publication Critical patent/CN110865677A/zh
Priority to JP2022522061A priority patent/JP7371244B2/ja
Priority to PCT/CN2020/132741 priority patent/WO2021115148A1/zh
Priority to KR1020227021185A priority patent/KR102678802B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of CN110865677B publication Critical patent/CN110865677B/zh
Priority to US17/727,687 priority patent/US20220244749A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本公开涉及基准源电路、芯片、电源及电子设备，所述电路包括：第一电流产生单元，用于产生第一电流；基准电压产生单元，电连接于所述第一电流产生单元，用于利用所述第一电流产生带隙基准电压；基准电流产生单元，电连接于所述第一电流产生单元及所述基准电压产生单元，用于利用所述第一电流产生带隙基准电流。通过以上电路，本公开实施例可以在一个基准源电路中产生带隙基准电压和带隙基准电流，且复用第一电流产生单元，可以实现高增益、双环路同时工作，可以节约成本，相较于相关技术设计两个单独的基准源可以节约芯片面积。

Description

基准源电路、芯片、电源及电子设备
技术领域
本公开涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种基准源电路、芯片、电源及电子设备。
背景技术
带隙基准源作为集成电路系统中的基本模块，其目的是产生一个与电源和温度无关的电压基准或电流基准。目前芯片内部常用的带隙基准为单独的带隙电压源或带隙电流源。由于半导体工艺中的电阻通常具有一定的温度系数，导致相关技术中的带隙电压源与带隙电流源难以同时实现，需要制作两个单独的电路，成本较高且浪费了芯片面积。
发明内容
有鉴于此，本公开提出了一种一种基准源电路，所述电路包括：
第一电流产生单元，用于产生第一电流；
基准电压产生单元，电连接于所述第一电流产生单元，用于利用所述第一电流产生带隙基准电压；
基准电流产生单元，电连接于所述第一电流产生单元及所述基准电压产生单元，用于利用所述第一电流产生带隙基准电流。
在一种可能的实施方式中，所述基准电压产生单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容，其中：
所述第一晶体管的漏极电连接于所述第二晶体管的源极、第三晶体管的源极及电压源，所述第一晶体管的栅极电连接于所述第二电阻的第一端、所述第三晶体管的漏极、所述第五晶体管的集电极及启动电路，用于接收启动电路输出的启动信号，所述第一晶体管的源极电连接于所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端，所述第一晶体管的源极用于输出所述带隙基准电压，
所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端电连接于所述第一电流产生单元，
所述第二电阻的第二端电连接于所述第三电容的第一端，
所述第二晶体管的漏极电连接于所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的集电极，
所述第三电阻的第一端电连接于所述第一电流产生单元，
所述第五晶体管的基极、所述第四晶体管的基极电连接于所述第一电流产生单元，
所述第五晶体管的射极、所述第四晶体管的射极、所述第三电阻的第二端、所述第二电容的第二端接地。
在一种可能的实施方式中，所述第一电流产生单元包括第四电阻、第五电阻、第六晶体管、第七晶体管，其中：
所述第四电阻的第一端电连接于所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端、所述第五电阻的第一端、所述第六晶体管的基极，所述第四电阻的第二端电连接于所述第六晶体管的集电极、所述第七晶体管的基极、所述第四晶体管的基极，
所述第五电阻的第二端电连接于所述第七晶体管的集电极、所述第五晶体管的基极，
所述第六晶体管的射极、所述第七晶体管的射极电连接于所述第三电阻的第一端，
其中，所述第六晶体管的集电极用于产生所述第一电流。
在一种可能的实施方式中，所述基准电流产生单元包括所述第二晶体管、所述第四晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第五电容、第六电阻、第七电阻、第八电阻，其中：
所述第八晶体管的栅极电连接于所述第二晶体管的栅极，所述第八晶体管的源极电连接于所述第二晶体管的源极、所述第十二晶体管的源极、所述第十三晶体管的源极，所述第八晶体管的漏极电连接于所述第九晶体管的集电极，
所述第九晶体管的基极电连接于所述第十晶体管的源极、所述第十一晶体管的集电极、所述第八电阻的第一端，
所述第十晶体管的栅极电连接于所述第六电阻的第一端、所述第九晶体管的集电极、所述第八晶体管的漏极，所述第六电阻的第二端电连接于所述第五电容的第一端，所述第十一晶体管的基极电连接于所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端、所述第六晶体管的基极及所述第一电容的第二端，所述第十一晶体管的射极电连接于所述第七电阻的第一端，
所述第五电容的第二端、所述第九晶体管的射极、所述第七电阻的第二端、所述第八电阻的第二端接地，
所述第十二晶体管的栅极电连接于所述第十二晶体管的漏极、所述第十三晶体管的栅极、所述第十晶体管的漏极，
所述第十三晶体管的漏极用于输出所述带隙基准电流。
在一种可能的实施方式中，所述第三电阻的阻值等于所述第四电阻与所述第五电阻的并联的电阻值，所述第四电阻的阻值等于所述第七电阻的阻值。
根据本公开的另一方面，提出了一种芯片，所述芯片包括：
所述的基准源电路。
根据本公开的另一方面，提出了一种电源，所述电源包括：
所述的芯片。
根据本公开的另一方面，提出了一种电子设备，所述电子设备包括：
所述的电源。
通过以上电路，本公开实施例可以在一个基准源电路中产生带隙基准电压和带隙基准电流，且复用第一电流产生单元，可以实现高增益、双环路同时工作，可以节约成本，相较于相关技术设计两个单独的基准源可以节约芯片面积。
根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。
附图说明
包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。
图1示出了根据本公开一实施方式的基准源电路的示意图。
图2示出了根据本公开一实施方式的基准源电路的示意图。
具体实施方式
以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。
在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。
另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。
请参阅图1，图1示出了根据本公开一实施方式的基准源电路的示意图。
如图1所示，所述电路包括：
第一电流产生单元10，用于产生第一电流；
基准电压产生单元20，电连接于所述第一电流产生单元10，用于利用所述第一电流产生带隙基准电压；
基准电流产生单元30，电连接于所述第一电流产生单元10及所述基准电压产生单元20，用于利用所述第一电流产生带隙基准电流。
通过以上电路，本公开实施例可以在一个基准源电路中产生带隙基准电压和带隙基准电流，且复用第一电流产生单元，可以实现高增益、双环路同时工作，可以节约成本，相较于相关技术设计两个单独的基准源可以节约芯片面积。
所述基准源电路可以设置在电子设备中，所述电子设备也可以称为移动设备，移动设备可以指各种形式的接入移动设备、用户单元、用户设备、用户站、移动站、移动台(Mobile Station，MS)、远方站、远程移动设备、移动设备、用户移动设备、终端设备(terminal equipment)、无线通信设备、用户代理或用户装置。用户设备还可以是蜂窝电话、无绳电话、会话启动协议(Session Initiation Protocol，SIP)电话、无线本地环路(Wireless Local Loop，WLL)站、个人数字处理(Personal Digital Assistant，PDA)、具有无线通信功能的手持设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备、车载设备、可穿戴设备，未来5G网络中的用户设备或者未来演进的公用陆地移动通信网络(PublicLand Mobile Network，PLMN)中的移动设备等，本公开实施例对此并不限定。
下面对基准源电路中各个单元的可能实现方式进行介绍。
请参阅图2，图2示出了根据本公开一实施方式的基准源电路的示意图。
在一种可能的实施方式中，如图2所示，所述基准电压产生单元20可以包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2，其中：
所述第一晶体管Q1的漏极电连接于所述第二晶体管Q2的源极、第三晶体管Q3的源极及电压源VDD，所述第一晶体管Q1的栅极电连接于所述第二电阻R2的第一端、所述第三晶体管Q3的漏极、所述第五晶体Q5管的集电极及启动电路，用于接收启动电路输出的启动信号，所述第一晶体管Q1的源极电连接于所述第一电阻R1的第一端、所述第一电容C1的第一端、所述第二电容C2的第一端，所述第一晶体管Q1的源极用于输出所述带隙基准电压VBG，
所述第一电容C1的第二端、所述第一电阻R1的第二端电连接于所述第一电流产生单元10，
所述第二电阻R2的第二端电连接于所述第三电容C3的第一端，
所述第二晶体管Q2的漏极电连接于所述第二晶体管Q2的栅极、所述第三晶体管Q3的栅极、所述第四晶体管Q4的集电极，
所述第三电阻R3的第一端电连接于所述第一电流产生单元10，
所述第五晶体管Q5的基极、所述第四晶体管Q4的基极电连接于所述第一电流产生单元10，
所述第五晶体管Q5的射极、所述第四晶体管Q4的射极、所述第三电阻R3的第二端、所述第二电容C2的第二端接地。
其中，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3可以为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)，第四晶体管Q4、第五晶体管Q5可以为三极管。
应该说明的是，本公开实施例对启动电路的具体实施方式不做限定，本领域技术人员可以参照相关技术实现。
在一个示例中，当需要产生带隙基准电压和带隙基准电流时，启动电路可以输出启动信号以启动基准源电路产生带隙基准电压和带隙基准电流。
在一个示例中，所述启动信号可以为脉冲信号。
在一种可能的实施方式中，所述第一电流产生单元可以产生与绝对温度成正比(proportional to absolute temperature，PTAT)电流，即所述第一电流可以为PTAT电流。
在一种可能的实施方式，如图2所示，所述第一电流产生单元10可以包括第四电阻R4、第五电阻R5、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7，其中：
所述第四电阻R4的第一端电连接于所述第一电容C1的第二端、所述第一电阻R1的第二端、所述第五电阻R5的第一端、所述第六晶体管Q6的基极，所述第四电阻R4的第二端电连接于所述第六晶体管Q6的集电极、所述第七晶体管Q7的基极、所述第四晶体管Q4的基极，
所述第五电阻R5的第二端电连接于所述第七晶体管Q7的集电极、所述第五晶体管Q5的基极，
所述第六晶体管Q6的射极、所述第七晶体管Q7的射极电连接于所述第三电阻R3的第一端，
其中，所述第六晶体管的集电极用于产生所述第一电流IPTAT。
在一个示例中，所述第一电流的大小可以为：
Figure GDA0003119459330000071
其中，R4表示所述第四电阻R4的阻值，R5表示所述第五电阻R5的阻值，VT表示温度的电压当量，其中，VT＝kT/q，其中k为波耳兹曼常数(1.38×10–23J/K)，T为热力学温度，即绝对温度，q为电子电荷(1.6×10–19C)。在常温下，VT≈26mV。
在一种可能的实施方式中，第六晶体管Q6、第七晶体管Q7可以为三极管，且第六晶体管Q6与第七晶体管Q7的数目之比可以为1：n，n为大于1的整数。当然，本公开对第六晶体管Q6与第七晶体管Q7的具体数目之比不做限定，本领域技术人员可以根据需要确定。
在一种可能的实施方式中，如图2所示，所述带隙基准电压VBG可以为：VBE+IPTAT·(R1+R3)，由
Figure GDA0003119459330000072
可得：
Figure GDA0003119459330000073
其中，“·”表示乘法操作，“||”表示并联，“+”表示加法操作，VBE表示所述第六晶体管的基射电压，VBE为负温度系数，R1表示所述第一电阻的阻值，R4表示所述第四电阻的阻值，R5表示所述第五电阻的阻值，VT表示温度的电压当量，VT为正温度系数，n表示第七晶体管与第六晶体管的个数比值。
本公开实施例可以通过设置第一电阻R1、第四电阻R4、第五电阻R5的阻值大小以实现带隙基准电压VBG的零温度系数。当然，本公开对第一电阻R1、第四电阻R4、第五电阻R5的具体阻值不做限定，本领域技术人员可以根据实际情况确定。
在一种可能的实施方式，如图2所示，所述基准电流产生单元30可以包括所述第二晶体管Q2、所述第四晶体管Q4、第八晶体管Q8、第九晶体管Q9、第十晶体管Q10、第十一晶体管Q11、第十二晶体管Q12、第十三晶体管Q13、第五电容C5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8，其中：
所述第八晶体管Q8的栅极电连接于所述第二晶体管Q2的栅极，所述第八晶体管Q8的源极电连接于所述第二晶体管Q2的源极、所述第十二晶体管Q12的源极、所述第十三晶体管Q13的源极，所述第八晶体管Q8的漏极电连接于所述第九晶体管Q9的集电极，
所述第九晶体管Q9的基极电连接于所述第十晶体管Q10的源极、所述第十一晶体管Q11的集电极、所述第八电阻R8的第一端，
所述第十晶体管Q10的栅极电连接于所述第六电阻R6的第一端、所述第九晶体管Q9的集电极、所述第八晶体管Q8的漏极，所述第六电阻R6的第二端电连接于所述第五电容C5的第一端，所述第十一晶体管Q11的基极电连接于所述第四电阻R4的第一端、所述第五电阻R5的第一端、所述第六晶体管Q6的基极及所述第一电容C1的第二端，所述第十一晶体管Q11的射极电连接于所述第七电阻R7的第一端，
所述第五电容C5的第二端、所述第九晶体管Q9的射极、所述第七电阻R7的第二端、所述第八电阻R8的第二端接地，
所述第十二晶体管Q12的栅极电连接于所述第十二晶体管Q12的漏极、所述第十三晶体管Q13的栅极、所述第十晶体管Q10的漏极，
所述第十三晶体管Q13的漏极用于输出所述带隙基准电流IBG。
在一种可能的实施方式中，第八晶体管Q8、第十晶体管Q10、第十二晶体管Q12、第十三晶体管Q13可以为MOSFET，第九晶体管Q9、第十一晶体管Q11可以为三极管。
在一个示例中，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3，第四晶体管Q4、第五晶体管Q5形成基准电压产生单元中的运算放大器，其运放增益约为A1＝gm4·(ro3||ro5)，其中，ro3表示第三晶体管Q3的漏源小信号输出阻抗，ro5表示第五晶体管Q5的漏源小信号输出阻抗，gm4表示第四晶体管Q4的跨导，且第四晶体管Q4的跨导与第五晶体管Q5、第九晶体管Q9的跨导相等。可以看出，基准电压产生单元为电压串联负反馈，电压闭环输出阻抗是开环输出阻抗的1/A1倍，因此，输出的带隙基准电压的驱动力较高。
在一个示例中，第二晶体管Q2、第四晶体管Q4、第八晶体管Q8、第九晶体管Q9、第十晶体管Q10形成基准电流产生单元的运算放大器，其运放增益约为A2＝gm4·(ro8||ro9)，其中，ro8表示第八晶体管Q8的漏源小信号输出阻抗，ro9表示第九晶体管Q9的漏源小信号输出阻抗。可以看出，基准电流产生单元为电流串联负反馈，电流闭环输出阻抗是开环输出阻抗的A2倍。
本公开实施例的基准电压产生单元、基准电流产生单元通过共用第一电流产生单元10、且共用第二晶体管Q2和第四晶体管Q4，可以实现在一个电路中产生两种带隙基准(带隙基准电压和带隙基准电流)，相较于相关技术中不采用运算放大器实现基准源，本公开实施例通过双运放环路，可以实现高增益双环路同时工作，成本较低且占用版图面积小。且，本公开实施例的基准源电路，带隙基准电压的驱动力较高，带隙基准电流的输出阻抗较大，有利于提高工作效率。
如图2所示，第六晶体管Q6及第三电阻R3，与第十一晶体管Q11及第七电阻R7形成了电流镜，因此基准电流产生单元30可以利用第一电流IPTAT得到带隙基准电流IBG＝ICTAT+IPTAT，其中，ICTAT表示流经第八电阻R8的电流，其中
Figure GDA0003119459330000091
因此，可以得到
Figure GDA0003119459330000092
其中，VBE表示所述第六晶体管Q6的基射电压，VBE为负温度系数，R8表示所述第八电阻R8的阻值，R4表示所述第四电阻R4的阻值，R5表示所述第五电阻R5的阻值，VT表示温度的电压当量，VT为正温度系数，n表示第七晶体管与第六晶体管的个数比值。
本公开实施例可以通过调整第八电阻R8和第四电阻R4的电阻值，以实现带隙基准电流IBG的零温度系数。
当然，本公开实施例对第八电阻R8和第四电阻R4具体阻值不做限定，本领域技术人员可以根据实际情况设定。
在一种可能的实施方式中，本公开可以设置第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第七电阻R7满足以下关系，以使得本公开实施例中更好的输出带隙基准电压和带隙基准电流：
所述第三电阻的阻值等于所述第四电阻与所述第五电阻的并联的电阻值，所述第四电阻的阻值等于所述第七电阻的阻值，即，R3＝R4||R5，R4＝R7，其中，R3表示所述第三电阻，R4表示所述第四电阻，R5表示所述第五电阻，R7表示所述第七电阻。
通过以上电路，本公开实施例可以在一个电路中同时产生零温度系数的带隙基准电流和带隙基准电压，相较于相关技术，成本较低、且占用版图面积较小，有利于推广利用。
以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (5)

1.一种基准源电路，其特征在于，所述电路包括：
第一电流产生单元，用于产生第一电流；
基准电压产生单元，电连接于所述第一电流产生单元，用于利用所述第一电流产生带隙基准电压；
基准电流产生单元，电连接于所述第一电流产生单元及所述基准电压产生单元，用于利用所述第一电流产生带隙基准电流，
所述第一电流产生单元包括第四电阻、第五电阻、第六晶体管、第七晶体管，其中：
所述第四电阻的第一端电连接于所述基准电压产生单元、所述第五电阻的第一端、所述第六晶体管的基极，所述第四电阻的第二端电连接于所述第六晶体管的集电极、所述第七晶体管的基极、所述基准电压产生单元，
所述第五电阻的第二端电连接于所述第七晶体管的集电极、所述基准电压产生单元，
所述第六晶体管的射极、所述第七晶体管的射极电连接于所述基准电压产生单元，其中，所述第六晶体管的集电极用于产生所述第一电流，
所述基准电压产生单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容，其中：
所述第一晶体管的漏极电连接于所述第二晶体管的源极、第三晶体管的源极及电压源，所述第一晶体管的栅极电连接于所述第二电阻的第一端、所述第三晶体管的漏极、所述第五晶体管的集电极及启动电路，用于接收启动电路输出的启动信号，所述第一晶体管的源极电连接于所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端，所述第一晶体管的源极用于输出所述带隙基准电压，
所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端电连接于所述第一电流产生单元，
所述第二电阻的第二端电连接于所述第三电容的第一端，
所述第二晶体管的漏极电连接于所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的集电极，
所述第三电阻的第一端电连接于所述第一电流产生单元，
所述第五晶体管的基极、所述第四晶体管的基极电连接于所述第一电流产生单元，
所述第五晶体管的射极、所述第四晶体管的射极、所述第三电阻的第二端、所述第二电容的第二端接地，
所述第四电阻的第一端电连接于所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端，所述第四电阻的第二端电连接于所述第四晶体管的基极，
所述第五电阻的第二端电连接于所述第五晶体管的基极，
所述第六晶体管的射极、所述第七晶体管的射极电连接于所述第三电阻的第一端，
所述基准电流产生单元包括所述第二晶体管、所述第四晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第五电容、第六电阻、第七电阻、第八电阻，其中：
所述第八晶体管的栅极电连接于所述第二晶体管的栅极，所述第八晶体管的源极电连接于所述第二晶体管的源极、所述第十二晶体管的源极、所述第十三晶体管的源极，所述第八晶体管的漏极电连接于所述第九晶体管的集电极，
所述第九晶体管的基极电连接于所述第十晶体管的源极、所述第十一晶体管的集电极、所述第八电阻的第一端，
所述第十晶体管的栅极电连接于所述第六电阻的第一端、所述第九晶体管的集电极、所述第八晶体管的漏极，所述第六电阻的第二端电连接于所述第五电容的第一端，所述第十一晶体管的基极电连接于所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端、所述第六晶体管的基极及所述第一电容的第二端，所述第十一晶体管的射极电连接于所述第七电阻的第一端，
所述第五电容的第二端、所述第九晶体管的射极、所述第七电阻的第二端、所述第八电阻的第二端接地，
所述第十二晶体管的栅极电连接于所述第十二晶体管的漏极、所述第十三晶体管的栅极、所述第十晶体管的漏极，
所述第十三晶体管的漏极用于输出所述带隙基准电流。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第三电阻的阻值等于所述第四电阻与所述第五电阻的并联的电阻值，所述第四电阻的阻值等于所述第七电阻的阻值。
3.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：
如权利要求1或2任一项所述的基准源电路。
4.一种电源，其特征在于，所述电源包括：
如权利要求3所述的芯片。
5.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
如权利要求4所述的电源。
CN201911252891.9A 2019-12-09 2019-12-09 基准源电路、芯片、电源及电子设备 Active CN110865677B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911252891.9A CN110865677B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 基准源电路、芯片、电源及电子设备
JP2022522061A JP7371244B2 (ja) 2019-12-09 2020-11-30 基準電源回路、チップ、電源及び電子機器
PCT/CN2020/132741 WO2021115148A1 (zh) 2019-12-09 2020-11-30 基准源电路、芯片、电源及电子设备
KR1020227021185A KR102678802B1 (ko) 2019-12-09 2020-11-30 기준 전원 회로, 칩, 전원 및 전자 기기
US17/727,687 US20220244749A1 (en) 2019-12-09 2022-04-22 Reference source circuit, chip, power supply, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911252891.9A CN110865677B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 基准源电路、芯片、电源及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110865677A CN110865677A (zh) 2020-03-06
CN110865677B true CN110865677B (zh) 2022-04-19

Family

ID=69657896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911252891.9A Active CN110865677B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 基准源电路、芯片、电源及电子设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220244749A1 (zh)
JP (1) JP7371244B2 (zh)
KR (1) KR102678802B1 (zh)
CN (1) CN110865677B (zh)
WO (1) WO2021115148A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110865677B (zh) * 2019-12-09 2022-04-19 北京集创北方科技股份有限公司 基准源电路、芯片、电源及电子设备
CN115268552B (zh) * 2021-04-30 2023-12-19 炬芯科技股份有限公司 一种基准电压和基准电流产生电路、集成芯片和方法
TWI783563B (zh) * 2021-07-07 2022-11-11 新唐科技股份有限公司 參考電流/電壓產生器與電路系統
CN117251020B (zh) * 2023-11-20 2024-02-09 苏州贝克微电子股份有限公司 一种高精度零温漂的基准电压电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103163935A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 中国科学院微电子研究所 一种cmos集成电路中基准电流源产生电路
CN104156023A (zh) * 2014-08-01 2014-11-19 电子科技大学 一种高精度带隙基准电路
CN105912066A (zh) * 2016-06-02 2016-08-31 西安电子科技大学昆山创新研究院 一种低功耗高psrr的带隙基准电路

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5109187A (en) * 1990-09-28 1992-04-28 Intel Corporation CMOS voltage reference
US6087820A (en) * 1999-03-09 2000-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Current source
US6225856B1 (en) * 1999-07-30 2001-05-01 Agere Systems Cuardian Corp. Low power bandgap circuit
CN100483290C (zh) * 2006-12-28 2009-04-29 东南大学 Cmos基准源电路
US7893754B1 (en) * 2009-10-02 2011-02-22 Power Integrations, Inc. Temperature independent reference circuit
CN102279618A (zh) * 2010-06-08 2011-12-14 中国科学院微电子研究所 一种低成本曲率校正带隙基准电流电压源电路
CN102419609B (zh) * 2010-09-27 2015-07-08 联咏科技股份有限公司 参考电压与参考电流产生电路
US8698479B2 (en) * 2012-03-30 2014-04-15 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Bandgap reference circuit for providing reference voltage
TWI457743B (zh) * 2012-09-20 2014-10-21 Novatek Microelectronics Corp 能帶隙參考電路及其雙輸出自我參考穩壓器
US9086706B2 (en) * 2013-03-04 2015-07-21 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Low supply voltage bandgap reference circuit and method
CN104793690A (zh) * 2015-04-27 2015-07-22 西安电子科技大学 一种高精度带隙基准源
CN205620849U (zh) * 2016-05-12 2016-10-05 桂林电子科技大学 一种全cmos基准电压源
CN109976425B (zh) * 2019-04-25 2020-10-27 湖南品腾电子科技有限公司 一种低温度系数基准源电路
TWI720610B (zh) * 2019-09-10 2021-03-01 新唐科技股份有限公司 帶隙參考電壓產生電路
CN110865677B (zh) * 2019-12-09 2022-04-19 北京集创北方科技股份有限公司 基准源电路、芯片、电源及电子设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103163935A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 中国科学院微电子研究所 一种cmos集成电路中基准电流源产生电路
CN104156023A (zh) * 2014-08-01 2014-11-19 电子科技大学 一种高精度带隙基准电路
CN105912066A (zh) * 2016-06-02 2016-08-31 西安电子科技大学昆山创新研究院 一种低功耗高psrr的带隙基准电路

Also Published As

Publication number Publication date
KR102678802B1 (ko) 2024-06-27
KR20220101186A (ko) 2022-07-19
US20220244749A1 (en) 2022-08-04
JP7371244B2 (ja) 2023-10-30
WO2021115148A1 (zh) 2021-06-17
CN110865677A (zh) 2020-03-06
JP2022551949A (ja) 2022-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110865677B (zh) 基准源电路、芯片、电源及电子设备
CN101382812B (zh) 参考电压电路
CN100514249C (zh) 一种带隙基准源产生装置
US7675353B1 (en) Constant current and voltage generator
JP2005537528A (ja) 低電力バンドギャップ回路
WO2023097857A1 (zh) 带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法
US11029718B2 (en) Low noise bandgap reference apparatus
CN111338417A (zh) 电压基准源以及基准电压输出方法
CN109343641B (zh) 一种高精度的电流基准电路
JP2008305150A (ja) バンドギャップ回路
JP2024500588A (ja) ノイズ低減のため入力増幅器を有するバンドギャップ基準
US7119620B2 (en) Method and system for constant or proportional to absolute temperature biasing for minimizing transmitter output power variation
JP2014149692A (ja) 定電圧源
TW201447533A (zh) 能帶隙參考電壓產生電路與使用其的電子系統
CN116865740B (zh) 一种模拟乘法器电路
US6225856B1 (en) Low power bandgap circuit
CN107422777A (zh) Ptat电流源
JP4083573B2 (ja) 高周波増幅装置
CN211791452U (zh) 一种功率放大器的控制电路
CN107422775A (zh) 适用于低电源电压工作的电压基准电路
CN112306142A (zh) 一种负电压基准电路
CN112181042A (zh) 一种适用于宽电压范围的负电压基准电路
CN116896138B (zh) 一种低压自启动电路结构
Liu et al. A novel low-noise bandgap reference with an active RC filter
CN211577764U (zh) 带隙基准电路及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant