JP2009225282A - 定電流回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】出力する定電流の値が低温から高温まで変化しない定電流回路を実現する。
【解決手段】カレントミラー回路を構成するPMOS1,2,3及びNMOS4,5と、NMOS4のソースとグランドとの間にダイオード接続されたトランジスタ6と、NMOS5のソースに接続された抵抗7と、抵抗7とグランドとの間にダイオード接続されたトランジスタ9と、NMOS5のソースに接続された抵抗8と、抵抗8とグランドとの間にダイオード接続されたトランジスタ10と、を備える。抵抗7は負の温度特性を持ち、抵抗8は、正の温度特性を持つ。トランジスタ6,9,10の比と、抵抗7,8の抵抗値によって、出力トランジスタPMOS3から出力する出力電流値が設定されると共に、温度による出力電流の変化が相殺される。
【選択図】図1
【解決手段】カレントミラー回路を構成するPMOS1,2,3及びNMOS4,5と、NMOS4のソースとグランドとの間にダイオード接続されたトランジスタ6と、NMOS5のソースに接続された抵抗7と、抵抗7とグランドとの間にダイオード接続されたトランジスタ9と、NMOS5のソースに接続された抵抗8と、抵抗8とグランドとの間にダイオード接続されたトランジスタ10と、を備える。抵抗7は負の温度特性を持ち、抵抗8は、正の温度特性を持つ。トランジスタ6,9,10の比と、抵抗7,8の抵抗値によって、出力トランジスタPMOS3から出力する出力電流値が設定されると共に、温度による出力電流の変化が相殺される。
【選択図】図1
Description
本発明は、定電流を出力する定電流回路に関する。
定電流回路は、定電流を負荷に供給する回路であり、例えば特許文献1の図1に示されたものがある。
特開2007−60485号公報
図2は、従来の定電流回路を示す図であり、特許文献1の図1に示されたものである。
この定電流回路は、Pチャネル型MOSトランジスタMP1,MP2,MP3,MP10と、Nチャネル型MOSトランジスタMN1,MN2と、抵抗R1とを備えている。MOSトランジスタMP1とMP2でカレントミラーを形成し、MOSトランジスタMN1,MN2でカレントミラーを形成し、MOSトランジスタMP1,MN1を含む電流路と、MOSトランジスタMP2,MN2を含む電流路とに、同じ電流値の電流を流している。それら電流路に流れる電流の電流値は、抵抗R1の抵抗値に依存している。
MOSトランジスタMP3は、各電流路に流れる電流に対応する定電流を出力する出力トランジスタになり、MOSトランジスタMP10は、高温時に生ずるリーク電流を補充するように機能する。
この定電流回路は、Pチャネル型MOSトランジスタMP1,MP2,MP3,MP10と、Nチャネル型MOSトランジスタMN1,MN2と、抵抗R1とを備えている。MOSトランジスタMP1とMP2でカレントミラーを形成し、MOSトランジスタMN1,MN2でカレントミラーを形成し、MOSトランジスタMP1,MN1を含む電流路と、MOSトランジスタMP2,MN2を含む電流路とに、同じ電流値の電流を流している。それら電流路に流れる電流の電流値は、抵抗R1の抵抗値に依存している。
MOSトランジスタMP3は、各電流路に流れる電流に対応する定電流を出力する出力トランジスタになり、MOSトランジスタMP10は、高温時に生ずるリーク電流を補充するように機能する。
前述の特許文献1に示された定電流回路によれば、リーク電流による定電流の変化を防止することができるが、温度変化によって、抵抗R1等の素子の特性が変化することによる定電流の変化を防止することができない。
本発明は、以上のような実情に鑑みてなされた発明であり、温度依存性の少ない定電流を出力する、定電流回路を実現することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の観点に係る定電流回路は、
一端が第1の電源にそれぞれ接続された第1の電流路と第2の電流路とに鏡像電流を流す第1のカレントミラー回路と、
前記第1の電流路の他端と第2の電源との間にダイオード接続された第1のトランジスタと、
前記第2の電流路の他端に一端が接続された第1の抵抗、及び該第1の抵抗の他端と第2の電源との間にダイオード接続された第2のトランジスタを含む第1の分岐路と、
前記第2の電流路の他端に一端が接続され、前記第1の抵抗とは逆の温度特性を持つ第2の抵抗、及び該第2の抵抗の他端と前記第2の電源との間にダイオード接続された第3のトランジスタを含み、前記第1の分岐路に対して並列な第2の分岐路と、
前記第2の電流路に流れる電流に対応する電流を出力端子から出力する出力回路と、
を備えることを特徴とする。
一端が第1の電源にそれぞれ接続された第1の電流路と第2の電流路とに鏡像電流を流す第1のカレントミラー回路と、
前記第1の電流路の他端と第2の電源との間にダイオード接続された第1のトランジスタと、
前記第2の電流路の他端に一端が接続された第1の抵抗、及び該第1の抵抗の他端と第2の電源との間にダイオード接続された第2のトランジスタを含む第1の分岐路と、
前記第2の電流路の他端に一端が接続され、前記第1の抵抗とは逆の温度特性を持つ第2の抵抗、及び該第2の抵抗の他端と前記第2の電源との間にダイオード接続された第3のトランジスタを含み、前記第1の分岐路に対して並列な第2の分岐路と、
前記第2の電流路に流れる電流に対応する電流を出力端子から出力する出力回路と、
を備えることを特徴とする。
なお、この定電流回路は、半導体基板に形成されていてもよい。
また、前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、バイポーラトランジスタであってもよい。
また、前記出力回路は、前記第2の電流路に流れる電流に対応する鏡像電流を出力トランジスタから出力させる第2のカレントミラー回路で構成してもよい。
また、前記第2の電流路に流れる電流の温度による変化は、前記第1の電流路、前記第1の分岐路及び前記第2の分岐路に流れる電流の温度による変化により、相殺されてもよい。
本発明によれば、出力する定電流の値が低温から高温まで変化しない定電流回路を実現することができる。
以下、図面に基づき、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る定電流回路を示す回路図である。
図1は、本発明の実施形態に係る定電流回路を示す回路図である。
この定電流回路は、第1の電源としての電源VDDにソースが接続された3個のPチャネル型MOSトランジスタ(以下、PMOSという)1,2,3を備えている。
PMOS1の制御電極であるゲートは、PMOS2のゲートと、該PMOS2のドレインとに接続され、PMOS1及びPMOS2がカレントミラーを構成している。PMOS2のゲートは、PMOS3のゲートに接続されている。
PMOS1の制御電極であるゲートは、PMOS2のゲートと、該PMOS2のドレインとに接続され、PMOS1及びPMOS2がカレントミラーを構成している。PMOS2のゲートは、PMOS3のゲートに接続されている。
PMOS1のドレインは、Nチャネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSという)4のゲート及びドレインに接続されると共に、NMOS5のゲートに接続され、NMOS4及びNMOS5がカレントミラーを構成している。
PMOS1及びNMOS4は、第1の電流路となり、PMOS2及びNMOS5は第2の電流路となる。
PMOS1及びNMOS4は、第1の電流路となり、PMOS2及びNMOS5は第2の電流路となる。
NMOS4のソースは、第1のトランジスタとしてのPNP型トランジスタ6のエミッタに接続されている。トランジスタ6のコレクタは、該トランジスタ6のベースと第2の電源であるグランドとに接続されている。
NMOS5のソースは、抵抗7の一端と、抵抗8の一端とに接続されている。抵抗7は、例えばポリシリコン等で形成されて負の温度特性を持つ。抵抗7の他端は、第2のトランジスタとしてのPNP型トランジスタ9のエミッタに接続されている。トランジスタ9のコレクタは、該トランジスタ9のベースと共にグランドに接続されている。つまり、トランジスタ9は、ダイオード接続されている。抵抗7及びトランジスタ9が第2の電流路に対する第1の分岐路を構成している。
抵抗8は、抵抗7とは逆に正の温度特性を持つ。抵抗8の他端は、第3のトランジスタとしてのPNP型トランジスタ10のエミッタに接続されている。トランジスタ10のコレクタは、該トランジスタ10のベースと共にグランドに接続されている。つまり、トランジスタ10はダイオード接続されている。この抵抗8とトランジスタ10とは、温度補償回路を形成するものであり、抵抗8及びトランジスタ10が第2の電流路に対する第2の分岐路を構成している。
この定電流回路は、共通の電源VDDにソースが接続されたPMOS1及びPMOS2のゲートには、PMOS2のドレイン電圧が印加され、NMOS4及びNMOS5のゲートには、PMOS1のドレイン電圧つまりNMOS4のドレイン電圧が印加される。そのため、PMOS1及びNMOS4を持つ電流路と、PMOS2及びNMOS5を持つ電流路には、同じ電流Iが流れ、NMOS4のソースの電圧V1とNMOS5のソースの電圧V2とが等しくなるように動作する。ゲートがPMOS2のドレインに接続された出力トランジスタのPMOS3は、PMOS2の第2のカレントミラー回路となり、電流Iを出力する。
NMOS5を流れる電流は分岐され、抵抗7及びトランジスタ9からなる分岐路と、抵抗8及びトランジスタ10からなる分岐路とに流れる。抵抗7及びトランジスタ9に流れる電流をI1、抵抗8及びトランジスタ10に流れる電流をI2とすると、I=I1+I2となる。
ここで、トランジスタ6、トランジスタ9.トランジスタ10の各ベース・エミッタ間電圧をそれぞれVBE6,VBE9,VBE10とし、抵抗7の抵抗値をR7、抵抗8の抵抗値をR8とすると、定電流回路が電圧V1と電圧V2とが等しくなるように動作するので、
VBE6=I1・R7+VBE9
=I2・R8+VBE10
と表すことができる。
VBE6=I1・R7+VBE9
=I2・R8+VBE10
と表すことができる。
数式(1)によれば、出力電流Iの値を、抵抗7の抵抗値R7、抵抗8の抵抗値R8と、トランジスタ6,9,10の比によって決めることができる。例えば抵抗7の抵抗値R7を340KΩ、抵抗8の抵抗値R8を180KΩ、トランジスタ6、9,10の比を1:1:10としてもよい。
また、抵抗7の抵抗値R7は負の温度特性を持ち、抵抗8の抵抗値R8は正の温度特性を持つので、温度による電流Iの変化を補正することが可能である。更に、温度補償回路は抵抗8及びトランジスタ10で構成されているので、抵抗8のみで温度補償を行うよりも細かな調整ができ、高精度の温度補償が可能になっている。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。
例えば、PMOS1,2,3及びNMOS4,5は、MOSトランジスタでなくてもよく、バイポーラトランジスタで構成することも可能である。
例えば、PMOS1,2,3及びNMOS4,5は、MOSトランジスタでなくてもよく、バイポーラトランジスタで構成することも可能である。
1,2,3 PMOS
4,5 NMOS
6,9,10 トランジスタ
7,8 抵抗
4,5 NMOS
6,9,10 トランジスタ
7,8 抵抗
Claims (5)
- 一端が第1の電源にそれぞれ接続された第1の電流路と第2の電流路とに鏡像電流を流す第1のカレントミラー回路と、
前記第1の電流路の他端と第2の電源との間にダイオード接続された第1のトランジスタと、
前記第2の電流路の他端に一端が接続された第1の抵抗、及び該第1の抵抗の他端と第2の電源との間にダイオード接続された第2のトランジスタを含む第1の分岐路と、
前記第2の電流路の他端に一端が接続され、前記第1の抵抗とは逆の温度特性を持つ第2の抵抗、及び該第2の抵抗の他端と前記第2の電源との間にダイオード接続された第3のトランジスタを含み、前記第1の分岐路に対して並列な第2の分岐路と、
前記第2の電流路に流れる電流に対応する電流を出力端子から出力する出力回路と、
を備えることを特徴とする定電流回路。 - 半導体基板に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の定電流回路。
- 前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ及び前記第3のトランジスタは、バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の定電流回路。
- 前記出力回路は、前記第2の電流路に流れる電流に対応する鏡像電流を出力トランジスタから出力させる第2のカレントミラー回路で構成したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の定電流回路。
- 前記第2の電流路に流れる電流の温度による変化は、前記第1の電流路、前記第1の分岐路及び前記第2の分岐路に流れる電流の温度による変化により、相殺されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の定電流回路。
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---|---|---|---|---|
JPS60159919A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-21 | モトローラ・インコーポレーテツド | ほぼ零温度係数を有するバイアス電流基準回路 |
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2008
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