JP6472871B2 - 温度独立型電流生成用装置 - Google Patents
温度独立型電流生成用装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6472871B2 JP6472871B2 JP2017510664A JP2017510664A JP6472871B2 JP 6472871 B2 JP6472871 B2 JP 6472871B2 JP 2017510664 A JP2017510664 A JP 2017510664A JP 2017510664 A JP2017510664 A JP 2017510664A JP 6472871 B2 JP6472871 B2 JP 6472871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- voltage
- current
- coupled
- voltage generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 238000002135 phase contrast microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
- G05F1/463—Sources providing an output which depends on temperature
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/59—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/563—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices including two stages of regulation at least one of which is output level responsive, e.g. coarse and fine regulation
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/245—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Claims (19)
- 電圧を提供するように構成された電圧生成器であって、
演算増幅器の反転入力で前記電圧を受信するように構成された前記演算増幅器と、
前記演算増幅器の非反転入力に結合された電圧生成器抵抗と、
前記演算増幅器の前記非反転入力と前記電圧生成器抵抗とに結合された第一のダイオードと、
を含む電圧生成器と、
前記電圧生成器に結合され、前記電圧生成器からの前記電圧に基づいて電流を提供するように構成された電流生成器であって、温度が上昇するにつれて抵抗が増加する第一の特性を有する第一のコンポーネントと、温度が上昇するにつれて抵抗が減少する第二の特性を有する第二のコンポーネントとを含み、前記第一のコンポーネントを通る第一の電流と前記第二のコンポーネントを通る第二の電流は、前記電圧生成器によって提供される前記電圧に応じた電流値を有する、電流生成器と、
を含む装置であって、
前記第一のコンポーネントの前記第一の特性における、温度が上昇するにつれて抵抗が増加する割合は、前記第二のコンポーネントの前記第二の特性における、温度が上昇するにつれて抵抗が減少する割合と等しく、前記第二のコンポーネントの抵抗の電気的特性は、前記電圧生成器抵抗の電気的特性と整合し、前記第二のコンポーネントは、前記第一のダイオードの電気的特性と整合する電気的特性を有する第二のダイオードに結合されている、装置。 - 前記第一および第二のコンポーネントは抵抗器である、請求項1に記載の装置。
- 前記第二のダイオードは基準電圧に結合される、請求項2に記載の装置。
- 前記第一のコンポーネントは前記第二のコンポーネントとは異なる材料を含む、請求項2に記載の装置。
- 前記第一のコンポーネントは前記第二のコンポーネントと並列に結合される、請求項2に記載の装置。
- メモリに関連付けられた入力バッファをさらに含み、前記入力バッファは、前記電流生成器から前記電流を受信するように構成される、請求項1に記載の装置。
- 電圧を提供するように構成された電圧生成器であって、
第一の演算増幅器の反転入力で前記電圧を受信するように構成された前記第一の演算増幅器と、
前記第一の演算増幅器の非反転入力に結合された電圧生成器抵抗と、
前記第一の演算増幅器の前記非反転入力と前記電圧生成器抵抗とに結合された第一のダイオードと、
を含む電圧生成器と、
前記電圧生成器に結合され、前記電圧生成器から提供される前記電圧に基づいて電流を提供するように構成された電流生成器であって、
第二の演算増幅器の反転入力で前記電圧を受信するように構成された前記第二の演算増幅器と、
第一のトランジスタであって、前記第一のトランジスタのゲートが前記第二の演算増幅器の出力に結合される、第一のトランジスタと、
第二のトランジスタであって、前記第二のトランジスタのゲートが前記第二の演算増幅器の前記出力に結合される、第二のトランジスタと、
前記第一のトランジスタのドレインに結合された第一の抵抗と、
前記第一のトランジスタの前記ドレインに結合された第二の抵抗であって、前記第二の抵抗、前記第一の抵抗および前記第一のトランジスタの前記ドレインが前記第二の演算増幅器の非反転入力にさらに結合される、第二の抵抗と、
前記第二の抵抗に直列に結合された第二のダイオードであって、前記第二の抵抗および前記第二のダイオードの電気的特性が前記電圧生成器抵抗および前記第一のダイオードの電気的特性に夫々整合される、第二のダイオードと、
を含む電流生成器と、
を含む、装置。 - 前記電流生成器の出力電流は、前記第二のトランジスタによって提供される、請求項7に記載の装置。
- 前記第一の抵抗および前記第二の抵抗は、前記第二のトランジスタによって提供される前記出力電流を、ある温度範囲にわたって一定に維持するように構成される、請求項8に記載の装置。
- 前記第一の抵抗を通る第一の電流は、温度が上昇するにつれて減少し、前記第二の抵抗を通る第二の電流は、温度が上昇するにつれて増加する、請求項7に記載の装置。
- 前記電圧生成器は、
前記第一の演算増幅器の前記反転入力に結合され、かつ、前記第一の演算増幅器の出力にさらに結合される第三の抵抗と、
前記第一の演算増幅器の前記反転入力に結合された第四の抵抗と、
前記第四の抵抗および接地電圧に結合された第三のダイオードと、
をさらに含む、請求項7に記載の装置。 - 前記第一および第二のトランジスタはpチャネルトランジスタを含む、請求項11に記載の装置。
- 前記第一の抵抗はNaa抵抗器である、請求項7に記載の装置。
- 前記第一の抵抗はトリマブルである、請求項7に記載の装置。
- 演算増幅器と、前記演算増幅器の非反転入力に結合された電圧生成器ダイオードおよび電圧生成器抵抗を含む電圧生成器抵抗コンポーネントとを含み、電圧を提供するように構成された電圧生成器と、
前記電圧生成器に結合された電流生成器であって、前記電圧に基づいて出力電流を提供するように構成され、
ノードに結合された、温度が上昇するにつれて増加する第一の抵抗と、
前記第一の抵抗と同じ電圧を受信するように前記ノードに結合された第二の抵抗であって、温度が上昇するにつれて減少する第二の抵抗と、
を含む電流生成器と、
を含む装置であって、
前記第二の抵抗は、温度が上昇するにつれて前記第一の抵抗が増加する割合と等しい割合で減少するように構成され、前記第二の抵抗の電気的特性は、前記電圧生成器抵抗の電気的特性と整合し、前記第一の抵抗を通る第一の電流および前記第二の抵抗を通る第二の電流は、前記電圧生成器により提供される前記電圧に応じた電流値を有する、装置。 - 前記電流生成器は、前記第二の抵抗に結合されたダイオードを含み、前記ダイオードの電気的特性は、前記電圧生成器ダイオードの電気的特性と整合するように構成される、請求項15に記載の装置。
- 前記第一の抵抗は450kΩであり、前記第二の抵抗は100kΩであり、前記電圧生成器抵抗は100kΩである、請求項15に記載の装置。
- 前記電流生成器の前記出力電流は、温度に依存しない、請求項15に記載の装置。
- 前記電圧生成器は、前記電流生成器にバンドギャップ電圧を提供するように構成されたバンドギャップ電圧生成器を含む、請求項15に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2014/085092 WO2016029340A1 (en) | 2014-08-25 | 2014-08-25 | Apparatuses for temperature independent current generations |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017526077A JP2017526077A (ja) | 2017-09-07 |
JP6472871B2 true JP6472871B2 (ja) | 2019-02-20 |
Family
ID=55398559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017510664A Active JP6472871B2 (ja) | 2014-08-25 | 2014-08-25 | 温度独立型電流生成用装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10073477B2 (ja) |
EP (1) | EP3186688A4 (ja) |
JP (1) | JP6472871B2 (ja) |
KR (1) | KR102027046B1 (ja) |
CN (1) | CN106716289B (ja) |
WO (1) | WO2016029340A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6472871B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-02-20 | マイクロン テクノロジー,インク. | 温度独立型電流生成用装置 |
US9886047B2 (en) * | 2015-05-01 | 2018-02-06 | Rohm Co., Ltd. | Reference voltage generation circuit including resistor arrangements |
EP3329339A4 (en) | 2015-07-28 | 2019-04-03 | Micron Technology, INC. | APPARATUSES AND METHODS FOR CONSTANT CURRENT SUPPLY |
US10775827B2 (en) | 2017-10-25 | 2020-09-15 | Psemi Corporation | Controllable temperature coefficient bias circuit |
US10331151B1 (en) | 2018-11-28 | 2019-06-25 | Micron Technology, Inc. | Systems for generating process, voltage, temperature (PVT)-independent current |
JP2021110994A (ja) * | 2020-01-07 | 2021-08-02 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 定電流回路 |
US11036248B1 (en) * | 2020-03-02 | 2021-06-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a semiconductor device and circuit |
US11217294B2 (en) * | 2020-04-17 | 2022-01-04 | Micron Technology, Inc. | Techniques for adjusting current based on operating parameters |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4035693A (en) * | 1974-07-02 | 1977-07-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Surge voltage arrester with spark gaps and voltage-dependent resistors |
US4857823A (en) | 1988-09-22 | 1989-08-15 | Ncr Corporation | Bandgap voltage reference including a process and temperature insensitive start-up circuit and power-down capability |
US4970415A (en) * | 1989-07-18 | 1990-11-13 | Gazelle Microcircuits, Inc. | Circuit for generating reference voltages and reference currents |
JPH03228365A (ja) | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体抵抗回路 |
JPH0934566A (ja) | 1995-07-17 | 1997-02-07 | Olympus Optical Co Ltd | 電流源回路 |
US6087820A (en) * | 1999-03-09 | 2000-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Current source |
US6778008B2 (en) * | 2002-08-30 | 2004-08-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Process-compensated CMOS current reference |
JP2004206633A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路及び電子回路 |
JP4353826B2 (ja) | 2004-02-26 | 2009-10-28 | 株式会社リコー | 定電圧回路 |
JP4469657B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-05-26 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4103859B2 (ja) | 2004-07-07 | 2008-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 基準電圧発生回路 |
JP4746326B2 (ja) | 2005-01-13 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7224209B2 (en) | 2005-03-03 | 2007-05-29 | Etron Technology, Inc. | Speed-up circuit for initiation of proportional to absolute temperature biasing circuits |
US20060232326A1 (en) * | 2005-04-18 | 2006-10-19 | Helmut Seitz | Reference circuit that provides a temperature dependent voltage |
JP2007060544A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Micron Technol Inc | 温度係数が小さいパワー・オン・リセットを生成する方法及び装置 |
US7514987B2 (en) | 2005-11-16 | 2009-04-07 | Mediatek Inc. | Bandgap reference circuits |
US7385453B2 (en) | 2006-03-31 | 2008-06-10 | Silicon Laboratories Inc. | Precision oscillator having improved temperature coefficient control |
JP4868918B2 (ja) | 2006-04-05 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 基準電圧発生回路 |
JP4836125B2 (ja) | 2006-04-20 | 2011-12-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4866158B2 (ja) | 2006-06-20 | 2012-02-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | レギュレータ回路 |
US7646213B2 (en) * | 2007-05-16 | 2010-01-12 | Micron Technology, Inc. | On-die system and method for controlling termination impedance of memory device data bus terminals |
US7834610B2 (en) | 2007-06-01 | 2010-11-16 | Faraday Technology Corp. | Bandgap reference circuit |
US7636010B2 (en) | 2007-09-03 | 2009-12-22 | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. | Process independent curvature compensation scheme for bandgap reference |
JP4417989B2 (ja) | 2007-09-13 | 2010-02-17 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 電流源装置、オシレータ装置およびパルス発生装置 |
KR101372736B1 (ko) | 2007-09-28 | 2014-03-26 | 삼성전자주식회사 | 통신 시스템에서 피드백 정보 송신 장치 및 방법 |
US20090121699A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Jae-Boum Park | Bandgap reference voltage generation circuit in semiconductor memory device |
US7848067B2 (en) * | 2008-04-16 | 2010-12-07 | Caterpillar S.A.R.L. | Soft start motor control using back-EMF |
EP2277177B1 (de) * | 2008-04-24 | 2017-08-02 | Hochschule für Technik und Wirtschaft des Saarlandes | Schichtwiderstand mit konstantem temperaturkoeffizienten sowie herstellung eines solchen schichtwiderstands |
CN101650997A (zh) * | 2008-08-11 | 2010-02-17 | 宏诺科技股份有限公司 | 电阻器及应用该电阻器的电路 |
TWI367412B (en) | 2008-09-08 | 2012-07-01 | Faraday Tech Corp | Rrecision voltage and current reference circuit |
JP5241523B2 (ja) | 2009-01-08 | 2013-07-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 基準電圧生成回路 |
US8093956B2 (en) * | 2009-01-12 | 2012-01-10 | Honeywell International Inc. | Circuit for adjusting the temperature coefficient of a resistor |
JP5599983B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-10-01 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
DE102009040543B4 (de) * | 2009-09-08 | 2014-02-13 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Schaltung und Verfahren zum Trimmen einer Offsetdrift |
US7893754B1 (en) | 2009-10-02 | 2011-02-22 | Power Integrations, Inc. | Temperature independent reference circuit |
US8680840B2 (en) | 2010-02-11 | 2014-03-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuits and methods of producing a reference current or voltage |
JP5735792B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-06-17 | ローム株式会社 | コンパレータ、それを利用したスイッチングレギュレータの制御回路、スイッチングレギュレータ、電子機器 |
US8264214B1 (en) | 2011-03-18 | 2012-09-11 | Altera Corporation | Very low voltage reference circuit |
CN103163935B (zh) * | 2011-12-19 | 2015-04-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种cmos集成电路中基准电流源产生电路 |
US9030186B2 (en) | 2012-07-12 | 2015-05-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Bandgap reference circuit and regulator circuit with common amplifier |
US9929150B2 (en) | 2012-08-09 | 2018-03-27 | Infineon Technologies Ag | Polysilicon diode bandgap reference |
JP5885683B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-03-15 | 株式会社東芝 | 降圧レギュレータ |
KR20140137024A (ko) * | 2013-05-16 | 2014-12-02 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 처리 방법 |
JP6472871B2 (ja) | 2014-08-25 | 2019-02-20 | マイクロン テクノロジー,インク. | 温度独立型電流生成用装置 |
EP3329339A4 (en) | 2015-07-28 | 2019-04-03 | Micron Technology, INC. | APPARATUSES AND METHODS FOR CONSTANT CURRENT SUPPLY |
-
2014
- 2014-08-25 JP JP2017510664A patent/JP6472871B2/ja active Active
- 2014-08-25 KR KR1020177007861A patent/KR102027046B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-25 CN CN201480082104.XA patent/CN106716289B/zh active Active
- 2014-08-25 WO PCT/CN2014/085092 patent/WO2016029340A1/en active Application Filing
- 2014-08-25 US US14/421,068 patent/US10073477B2/en active Active
- 2014-08-25 EP EP14900474.9A patent/EP3186688A4/en not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-08-02 US US16/053,765 patent/US10678284B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106716289A (zh) | 2017-05-24 |
CN106716289B (zh) | 2019-11-01 |
KR20170046159A (ko) | 2017-04-28 |
US20160252920A1 (en) | 2016-09-01 |
JP2017526077A (ja) | 2017-09-07 |
US20180341282A1 (en) | 2018-11-29 |
EP3186688A1 (en) | 2017-07-05 |
WO2016029340A1 (en) | 2016-03-03 |
EP3186688A4 (en) | 2018-04-25 |
US10678284B2 (en) | 2020-06-09 |
US10073477B2 (en) | 2018-09-11 |
KR102027046B1 (ko) | 2019-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6472871B2 (ja) | 温度独立型電流生成用装置 | |
US10459466B2 (en) | Apparatuses and methods for providing constant current | |
US9958887B2 (en) | Device having internal voltage generating circuit | |
TWI754450B (zh) | 記憶體裝置以及提供寫入電壓的方法 | |
US9437314B2 (en) | Precharge control signal generator and semiconductor memory device therewith | |
US10606300B2 (en) | Methods and apparatuses including a process, voltage, and temperature independent current generator circuit | |
TWI753792B (zh) | 感測放大器以及非揮發性記憶體的操作方法 | |
US11342010B2 (en) | Managing bit line voltage generating circuits in memory devices | |
JP5492702B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10319449B1 (en) | Memory device and operation method thereof | |
US9836074B2 (en) | Current generation circuits and semiconductor devices including the same | |
US11830540B2 (en) | Circuit for sensing antifuse of DRAMs | |
TWI666539B (zh) | 參考電流產生器及使用其之記憶體裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170414 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170414 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180313 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6472871 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |