KR102027046B1 - 온도 독립적 전류 발전을 위한 장치들 및 방법들 - Google Patents

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Abstract

온도에 무관한 전류를 제공하기 위한 장치들이 설명된다. 예시적인 장치들은 온도 변화들에 동등하게 그리고 반대로 반응하도록 구성된 두 개의 구성요소(115a, 115b)를 포함하는 전류 발전기(110)를 포함한다. 두 개의 구성요소(115a, 115b)의 반응들은 전류 발전기(110)에 의해 제공되는 전류가 온도에 무관하게 유지되게 할 수 있다. 전류 발전기(110) 내 두 개의 구성요소(115a, 115b) 중 하나는 전압을 전류 발전기(110)에 제공하도록 구성된 전압원(105)에 포함된 구성요소를 미러링할 수 있다.

Description

온도 독립적 전류 발전을 위한 장치들 및 방법들{APPARATUSES AND METHODS FOR TEMPERATURE INDEPENDENT CURRENT GENERATIONS}
전류 발전기들은 다른 회로에 제공될 수 있는 낮은 변동성을 갖는 전류를 생성하기 위해 사용되는 전기 회로들이다. 전류 발전기에 의해 제공되는 전류는 프로세스, 전압, 또는 온도(PVT; process, voltage, 또는 temperature) 변화들에 둔감한 것이 바람직할 수 있다. 전기 부품들의 물리적 속성들은 온도가 변함에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 저항기의 저항은 온도가 증가함에 따라 증가할 수 있다. 저항기가 전류 발전기 회로에 포함되는 경우, 온도가 변화함에 따라 출력 전류가 변화될 수 있다. 연산 증폭기들 및 트랜지스터들은 온도 변화들을 보상하기 위해 사용될 수 있다. 보통 많은 추가 구성요소가 PVT 보상을 위해 필요하다. 이는 전류 발전기에 대한 부품 비용의 증가 및 레이아웃 면적 증가로 이어질 수 있다. 그것은 또한 전류 발전기의 전력 소모를 증가시킬 수 있다.
본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른 예시적인 장치는 전압을 제공하도록 구성될 수 있는 전압 발전기, 및 상기 전압 발전기에 접속될 수 있고 상기 전압 발전기로부터의 상기 전압에 기초하여 전류를 제공하도록 구성될 수 있는 전류 발전기로서, 온도가 증가함에 따라 증가할 수 있는 속성을 갖는 제1 구성요소 및 온도가 증가함에 따라 감소할 수 있는 상기 속성을 갖는 제2 구성요소를 포함할 수 있는, 상기 전류 발전기를 포함할 수 있되, 상기 제2 구성요소는 상기 제1 구성요소가 상기 속성을 증가시키는 속도와 동일한 속도로 상기 속성을 감소시키도록 구성될 수 있고, 상기 제2 구성요소는 상기 전압 발전기의 저항과 매칭을 이룰 수 있다.
본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른 예시적인 장치는 전압을 제공하도록 구성될 수 있는 전압 발전기, 상기 전압 발전기에 접속될 수 있고 반전 입력에 상기 전압을 수용하도록 구성될 수 있는 연산 증폭기, 제1 트랜지스터의 게이트가 상기 연산 증폭기의 출력에 접속될 수 있는 상기 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터의 게이트가 상기 연산 증폭기의 상기 출력에 접속될 수 있는 상기 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 드레인에 접속될 수 있는 제1 저항, 상기 제1 트랜지스터의 상기 드레인에 접속될 수 있는 제2 저항이되, 상기 제2 저항, 상기 제1 저항, 및 상기 제1 트랜지스터의 상기 드레인은 또한 상기 연산 증폭기의 비-반전 입력에 접속될 수 있는, 상기 제2 저항, 및 상기 제2 저항기와 직렬로 접속될 수 있는 다이오드이되, 상기 제2 저항 및 상기 다이오드는 상기 전압 발전기에 포함될 수 있는 전압 발전기 다이오드 및 전압 발전기 저항과 매칭이 이뤄질 수 있는, 상기 다이오드를 포함할 수 있다.
본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른 예시적인 장치는 연산 증폭기, 및 상기 연산 증폭기에 접속된 전압 발전기 저항 및 전압 발전기 다이오드를 포함할 수 있는 전압 발전기로서, 전압을 제공하도록 구성될 수 있는, 상기 전압 발전기, 및 상기 전압 발전기에 접속된 전류 발전기로서, 상기 전압에 기초하여 바이어스 전류를 제공하도록 구성될 수 있고, 온도가 증가함에 따라 증가할 수 있는 제1 저항을 포함하는 제1 구성요소; 및 온도가 증가함에 따라 감소할 수 있는 제2 저항을 포함하는 제2 구성요소로서, 상기 제1 구성요소가 상기 제1 저항을 증가시키는 속도와 동일한 속도로 상기 제2 저항을 감소시키도록 구성될 수 있고, 상기 전압 발전기 저항과 매칭을 이룰 수 있는, 상기 제2 구성요소를 포함할 수 있는, 상기 전류 발전기를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 장치의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전류 발전기의 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 일정 온도 범위에서 회로 내 전류의 도식이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 메모리의 일부분의 블록도이다.
소정의 세부사항들이 본 발명의 실시예들에 대한 충분한 이해를 제공하기 위해 아래에 제시된다. 그러나, 해당 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 실시예들이 이들 특정한 세부사항 없이도 실시될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 게다가, 본원에 설명된 본 발명의 특정한 실시예들은 예로서 제공되고 본 발명의 범위를 이들 특정한 실시예들로 제한하는 것으로 사용되지 않아야 한다. 다른 사례들에서, 주지된 회로들, 제어 신호들, 타이밍 프로토콜들, 및 소프트웨어 동작들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 회피하기 위해 상세하게 제시되지 않았다. 본 출원에서 사용될 때, 장치는 예를 들어, 집적 회로, 메모리 디바이스, 메모리 시스템, 전자 디바이스 또는 시스템, 스마트폰, 태블릿, 컴퓨터 서버 등을 지칭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전압 발전기(105) 및 전류 발전기(110)를 포함하는 장치(100)의 블록도이다. 본 출원에서 사용될 때, 장치는 예를 들어, 집적 회로, 메모리 디바이스, 메모리 시스템, 전자 디바이스 또는 시스템, 스마트폰, 태블릿, 컴퓨터, 서버 등을 지칭할 수 있다. 전압 발전기는 전압(Vin)을 전류 발전기(110)에 제공할 수 있다. 전류 발전기(110)는 전압(Vin)에 적어도 부분적으로 기초하여, 출력 전류(Iout)를 제공할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 전류(Iout)는 메모리 디바이스의 입력 버퍼(도 1에 미도시)에 바이어스 전류로서 제공될 수 있거나 또는 전류(Iout)는 전류를 입력으로서 사용할 수 있는 다른 회로에 제공될 수 있다.
전류 발전기(110)는 온도 변화들에 동등하게 그러나 반대로 반응하는 구성요소들(115a, 115b)을 포함할 수 있다. 이들 구성요소의 반대의 동등한 반응들은 전류(Iout)가 온도와 무관하게 한다. 반응들은 구성요소의 속성 예를 들어, 저항, 커패시턴스, 및/또는 임피던스의 변화를 포함할 수 있다. 다른 구성요소 속성들이 또한 온도 변화들에 반응하도록 설계될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 회로(200)를 예시한다. 회로(200)는 전류 발전기(210) 및 전압 발전기(205)를 포함하며, 이는 도 1로 이전에 설명되고 그에 예시된 전류 발전기(110) 및 전압 발전기(105)를 위해 사용될 수 있다. 회로(200)는 온도에 무관한 출력 전류(Iout)를 제공할 수 있다. 전류 발전기(210)는 전압 발전기(205)로부터 전압(Vin)을 수용할 수 있다. 전압(Vin)은 연산 증폭기(op-앰프)(235)의 반전 입력으로 수용될 수 있다. op-앰프(235)의 출력은 트랜지스터(240)의 게이트에 제공될 수 있다. 트랜지스터(240)는 p-채널 트랜지스터 또는 다른 트랜지스터 유형일 수 있다. 트랜지스터(240)의 드레인은 저항(260)에 접속될 수 있다. 저항(260)은 레그(280)에 병렬로 접속될 수 있다. 레그(280)는 제2 저항(250)을 포함하며, 이는 다이오드(255)와 직렬로 접속된다. 다이오드(255)는 전압 기준 예를 들어, 접지에 접속된다. 트랜지스터(240)의 드레인은 또한 op-앰프(235)의 비-반전 입력에 접속될 수 있다. 전압(Vfb)은 op-앰프(235)의 비-반전 입력에서 측정될 수 있다. 제2 트랜지스터(245)는 트랜지스터(240)의 게이트에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(245)는 p-채널 트랜지스터 또는 다른 트랜지스터 유형일 수 있다. 트랜지스터들(240, 245)의 소스들은 전압원에 접속될 수 있다. 출력 전류(Iout)는 트랜지스터(245)에 의해 제공될 수 있다. 출력 전류(Iout)는 아래에 설명될 바와 같이, 온도에 독립적일 수 있다.
계속해서 도 2를 참조하면, 전압 발전기(205)는 해당 기술분야에 공지된 온도 독립적 전압 발전기 또는 신규한 전압 발전기일 수 있다. 도 2에 예시된 전압 발전기(205)의 예시적인 실시예에서, 전압 발전기(205)는 밴드 갭 전압 발전기이다. 저항(204)은 저항(212) 및 연산 증폭기(230)의 반전 입력에 접속된다. 저항(204)은 또한 op-앰프(230)의 출력 및 저항(220) 및 다이오드(225)를 포함하는 레그(270)에 접속된다. 저항(212)은 op-앰프(230)의 반전 입력에 접속되고 또한 다이오드(215)에 접속된다. 저항(220)은 op-앰프(230)의 비-반전 입력 및 다이오드(225)에 접속된다. 저항들(204, 212, 220)에 대한 저항의 크기는 전압(Vin)의 원하는 값을 제공하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 원하는 전압(Vin) = 1.25 V라면, 저항(212)은 10KΩ인 것으로 선택될 수 있고, 저항(204, 220)은 100KΩ인 것으로 선택될 수 있다. 전류 발전기(210)의 레그(280)의 저항(250) 및 다이오드(255)는 전압 발전기(205)의 레그(270)의 저항(220) 및 다이오드(225)와 매칭을 이루는 것으로 선택될 수 있다. 즉, 저항(250)의 전기적 특성들은 저항(220)의 전기적 특성들과 유사하고, 다이오드(225)의 전기적 특성들은 다이오드(255)의 전기적 특성들과 유사하다. 이는 Vfb를 Vin과 동일하게 할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 레그(280)의 저항(250) 및 다이오드(255) 및 레그(270)의 저항(220) 및 다이오드(225)는 동일한 전기적 특성들을 가질 수 있다.
저항들(250, 260)은 전류 발전기(210)의 구성요소들을 나타낼 수 있다. 저항들(250, 260)은 도 1의 전류 발전기(110)에 포함된 구성요소들(115a, 115b)에 대응할 수 있다. 저항(250)의 저항은 온도의 증가에 따라 감소할 수 있다. 이는 저항(250)에 걸친 저항기 전류(Iptat)가 온도가 증가함에 따라 증가하게 할 수 있다. 그러나, 출력 전류(Iout)는 저항(260)에 의해 저항 전류(Iptat)의 변화들에 반응하여 달라지는 것이 예방될 수 있다. 저항(250)에 반해, 저항(260)의 저항은 온도가 증가함에 따라 증가할 수 있다. 이는 저항(260)에 걸친 저항 전류(Ictat)가 온도가 증가함에 따라 감소하게 할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 저항(250) 및 다이오드(255)는 구성요소(115a)에 대응한다. 저항들(250, 260)은 온도 변화들에 유사하게 반응할 수 있다. 다이오드(255)에 걸친 전압 강하는 온도가 변화함에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 다이오드(255)에 걸친 전압 강하는 온도가 증가함에 따라 감소할 수 있고, 저항들(250, 260)의 저항은 양자 모두 온도가 증가함에 따라 감소할 수 있다. 온도 증가에 반응한 다이오드(255)에 걸친 전압 강하의 속도는 저항 전류(Iptat)가 온도가 증가함에 따라 증가할 수 있게 하는 것일 수 있다. 저항 전류(Icat)는 이전 단락에서 설명된 바와 같이 온도 증가에 따라 감소할 수 있다. 이는 출력 전류(Iout)가 온도 변화들에 반응하여 달라지는 것을 방지할 수 있다.
저항 전류(Ictat)가 저항 전류(Iptat) 변화들과 동일한 속도로, 그러나 반대 방향으로 달라질 때, 출력 전류(Iout)는 일정 온도 범위에서 일정할 수 있다. 이러한 원리는 도 3에서 예시된다. 저항 전류들(Ictat 및 Iptat)이 일정 온도 범위에서 예시된다. 저항 전류들(Ictat 및 Iptat) 양자가 온도 범위에서 달라지더라도, 전류들(Ictat 및 Iptat)의 합은 일정하게 유지되고, 그 결과 출력 전류(Iout)가 온도에 무관하게 된다.
저항(260)의 저항은 온도에 따른 저항의 변화가 저항(250)의 온도에 따른 저항의 변화를 바로 미러링하도록 선택될 수 있다. 저항들(250 및 260)은 온도 변화들에 서로 다르게 반응하는 상이한 물질들을 포함할 수 있다. 저항(260)을 위해 선택되는 저항값은 저항들(250, 260)의 물질 속성들에 따를 수 있다. 예를 들어, 저항(250)은 100kΩ일 수 있고 저항 전류(Iptat)가 0.35uA/100℃만큼 증가하게 할 수 있다. 저항(260)은 보통 "Naa"로서 지칭되는, p-기판에서의 N+ 도핑의 긴 경로일 수 있다. 저항(260)은 저항 전류(Ictat)가 -1.6uA/100℃만큼 감소하게 할 수 있다. 저항 전류(Ictat)는 저항(260)의 전류가 450KΩ일 때 저항 전류(Iptat)에 대항할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 전류 발전기(210)는 트리밍 가능한 저항(260)으로 제조될 수 있다. 이는 저항(260)의 저항이 전류 발전기(210)의 제조 이후 저항(250)의 속성들에 맞춰 조정되게 할 수 있다. 저항(260)은 제품 제조 프로세스의 부분으로서 트리밍될 수 있거나 이후 시점에 사용자가 저항(260)을 조정하게 하기 위해 트리밍되지 않고 남겨질 수 있다.
회로(200)는 다른 온도 독립적 전류 발전기들보다 적은 전력 및 레이아웃 면적을 소모할 수 있다. 회로(200)는 또한 출력 전류에 다른 전류 발전기들보다 적은 변동성을 제공할 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하여 앞에서 설명한 예의 저항값들에 대해, 회로(200)는 대략 20uA의 전류 및 200um x 100um의 레이아웃 면적을 소모할 수 있다. 상이한 소비 전류 및 레이아웃 면적이 전압 및 전류 발전기들을 위해 선택된 구성요소들에 적어도 부분적으로 기초하여 가능할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 회로(200)를 포함할 수 있는 메모리의 일부분의 블록도이다. 메모리(400)는 예를 들어, 휘발성 메모리 셀들(예를 들어, DRAM 메모리 셀들, SRAM 메모리 셀들 등), 비-휘발성 메모리 셀들(예를 들어, 플래시 메모리 셀들, PCM 셀들 등), 또는 몇몇 다른 유형의 메모리 셀들일 수 있는, 메모리 셀들의 어레이(402)를 포함한다.
메모리(400)는 명령 버스(408)를 통해 메모리 명령들을 수신하고 다양한 메모리 동작을 수행하기 위해 메모리(400) 내에 대응하는 제어 신호들을 발생시키는 명령 디코더(406)를 포함한다. 명령 디코더(406)는 메모리 어레이(402)에 대해 다양한 동작을 수행하기 위한 메모리 명령들이 명령 버스(408)에 인가되는 것에 응답한다. 예를 들어, 명령 디코더(406)는 메모리 어레이(402)로부터 데이터를 판독하고 이에 데이터를 기록하기 위한 내부 제어 신호들을 발생시키는 데 사용된다. 로우 및 컬럼 어드레스 신호들은 어드레스 버스(420)를 통해 메모리(400)에 인가되어 어드레스 래치(410)에 제공된다. 그 후 어드레스 래치는 별개의 컬럼 어드레스 및 별개의 로우 어드레스를 출력한다.
로우 및 컬럼 어드레스들은 어드레스 래치(410)에 의해 각각, 로우 어드레스 디코더(422) 및 컬럼 어드레스 디코더(428)에 제공된다. 컬럼 어드레스 디코더(428)는 각각의 컬럼 어드레스들에 대응하는 어레이(402)를 통해 연장되는 비트 라인들을 선택한다. 로우 어드레스 디코더(422)는 수신된 로우 어드레스들에 대응하는 어레이(402) 내 메모리 셀들의 각각의 로우들을 활성화하는 워드 라인 구동기(424)에 연결된다. 수신된 컬럼 어드레스에 대응하는 선택된 데이터 라인(예를 들어, 비트 라인 또는 비트 라인들)은 판독 데이터를 입력-출력 데이터 버스(440)를 통해 데이터 출력 버퍼(434)에 제공하기 위해 판독/기록 회로(430)에 접속된다. 기록 데이터는 데이터 입력 버퍼(444) 및 메모리 어레이 판독/기록 회로(430)를 통해 메모리 어레이(402)에 인가된다. 메모리는 메모리(400)의 입력 버퍼 이를테면 입력 버퍼(444)에 바이어스 전류를 제공하는 회로(442)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로(442)는 도 2의 회로(200), 또는 개시된 본 발명의 실시예에 따른 임의의 회로를 포함할 수 있다.
통상의 기술자들은 본 출원에 개시된 실시예들과 관련되어 설명된 다양한 예시적인 논리 블록, 구성, 모듈, 회로, 및 알고리즘 스텝이 전자 하드웨어, 프로세서에 의해 실행되는 컴퓨터 소프트웨어, 또는 양자의 조합들로서 구현될 수 있다는 것을 더 이해할 것이다. 다양한 예시적인 구성요소, 블록, 구성, 모듈, 회로, 및 단계는 그것들의 기능면에서 일반적으로 위에서 설명되었다. 그러한 기능이 하드웨어로서 구현되는지 또는 프로세서 실행 가능한 명령들로서 구현되는지는 특정한 애플리케이션 및 전체 시스템 상에 부과된 설계 제약조건들에 따른다. 통상의 기술자들은 각각의 특정한 애플리케이션에 대해 다양한 방식으로 설명된 기능을 구현할 수 있으나, 그러한 구현 결정들은 본 발명의 범위에서 벗어나게 하는 것으로서 해석되지 않아야 한다.
개시된 실시예들에 대한 앞선 설명은 해당 기술분야의 통상의 기술자가 개시된 실시예들을 제조하거나 사용하게 하기 위해 제공된다. 이들 실시예에 대한 다양한 변형이 해당 기술분야의 통상의 기술자들에게 용이하게 명백할 것이고, 본 출원에 정의된 원리들은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 본 출원에 제시된 실시예들로 제한되는 것으로 의도되지 않고 다음 청구항들에 의해 정의된 원리들 및 신규한 피처들과 일치하는 가능한 가장 넓은 범위를 부여받을 것이다.

Claims (20)

  1. 장치로서,
    전압을 제공하도록 구성된 전압 발전기 - 상기 전압 발전기는
    연산 증폭기의 반전 입력에서 상기 전압을 수용하도록 구성된 상기 연산 증폭기,
    상기 연산 증폭기의 비-반전 입력에 접속된 전압 발전기 저항, 및
    상기 연산 증폭기의 비-반전 입력 및 상기 전압 발전기 저항에 접속된 제1 다이오드를 포함함 -; 및
    상기 전압 발전기에 접속되고 상기 전압 발전기로부터의 전압에 기초하여 전류를 제공하도록 구성된 전류 발전기를 포함하고, 상기 전류 발전기는 온도가 증가함에 따라 저항을 증가시키는 제1 속성을 갖는 제1 구성요소 및 온도가 증가함에 따라 저항을 감소시키는 상기 속성을 갖는 제2 구성요소를 포함하고, 상기 제1 구성요소에 걸친 제1 전류 및 상기 제2 구성요소에 걸친 제2 전류는 상기 전압 발전기의 전압으로부터 도출되고,
    상기 제2 구성요소는 상기 제1 구성요소가 상기 속성을 증가시키는 속도와 동일한 속도로 상기 속성을 감소시키도록 구성되고, 상기 제2 구성요소의 저항의 전기적 특성은 상기 전압 발전기 저항의 전기적 특성과 매칭을 이루고, 상기 제2 구성요소는 상기 제1 다이오드의 전기적 특성과 매칭을 이루는 전기적 특성을 갖는 제2 다이오드에 접속되는, 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 구성요소 및 상기 제2 구성요소는 저항들인, 장치.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 제2 다이오드는 기준 전압에 접속되는, 장치.
  4. 삭제
  5. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 구성요소는 상기 제2 구성요소와 상이한 물질을 포함하는, 장치.
  6. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 구성요소는 상기 제2 구성요소에 병렬로 접속되는, 장치.
  7. 청구항 1에 있어서, 메모리와 연관된 입력 버퍼를 더 포함하되, 상기 입력 버퍼는 상기 전류 발전기로부터 전류를 수용하도록 구성된, 장치.
  8. 장치로서,
    전압을 제공하도록 구성된 전압 발전기 - 상기 전압 발전기는
    제1 연산 증폭기의 반전 입력에서 상기 전압을 수용하도록 구성된 상기 제1 연산 증폭기,
    상기 제1 연산 증폭기의 비-반전 입력에 접속된 전압 발전기 저항, 및
    상기 제1 연산 증폭기의 비-반전 입력 및 상기 전압 발전기 저항에 접속된 제1 다이오드를 포함함 -;
    제2 연산 증폭기의 반전 입력에서 상기 전압을 수용하도록 구성된 상기 제2 연산 증폭기;
    제1 트랜지스터의 게이트가 상기 제2 연산 증폭기의 출력에 접속된 상기 제1 트랜지스터;
    제2 트랜지스터의 게이트가 상기 제2 연산 증폭기의 상기 출력에 접속된 상기 제2 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터의 드레인에 접속된 제1 저항;
    상기 제1 트랜지스터의 드레인에 접속된 제2 저항 - 상기 제2 저항, 상기 제1 저항, 및 상기 제1 트랜지스터의 드레인은 또한 상기 제2 연산 증폭기의 비-반전 입력에 접속됨 -; 및
    상기 제2 저항과 직렬로 접속된 제2 다이오드를 포함하고, 상기 제2 저항 및 상기 제2 다이오드의 전기적 특성은 각각 상기 전압 발전기 저항 및 상기 제1 다이오드의 전기적 특성과 매칭이 이뤄지는, 장치.
  9. 청구항 8에 있어서, 출력 전류는 상기 제2 트랜지스터에 의해 제공되는, 장치.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 제1 저항 및 상기 제2 저항은 상기 제2 트랜지스터에 의해 제공되는 상기 출력 전류를 일정 온도 범위에서 일정하게 유지하도록 구성된, 장치.
  11. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 저항에 걸친 제1 전류는 온도가 증가함에 따라 감소하고, 상기 제2 저항에 걸친 제2 전류는 온도가 증가함에 따라 증가하는, 장치.
  12. 청구항 8에 있어서, 상기 전압 발전기는
    상기 제1 연산 증폭기의 반전 입력에 접속되고 또한 상기 제1 연산 증폭기의 출력에 접속된 제3 저항,
    상기 반전 입력에 접속된 제4 저항, 및
    상기 제4 저항 및 접지 전압에 접속된 제3 다이오드를 더 포함하는, 장치.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터는 p-채널 트랜지스터들을 포함하는, 장치.
  14. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 저항은 Naa 저항인, 장치.
  15. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 저항은 트리밍(trimming) 가능한, 장치.
  16. 장치로서,
    연산 증폭기, 및 상기 연산 증폭기의 비-반전 입력에 접속된 전압 발전기 저항 및 전압 발전기 다이오드를 포함하는 전압 발전기 저항 구성요소를 포함하고 전압을 제공하도록 구성된 전압 발전기; 및
    상기 전압 발전기에 접속된 전류 발전기를 포함하고, 상기 전류 발전기는 상기 전압에 기초하여 출력 전류를 제공하도록 구성되고,
    노드에 접속되고 온도가 증가함에 따라 증가하는 제1 저항; 및
    상기 제1 저항과 동일한 전압을 수용하도록 상기 노드에 접속된 제2 저항을 포함하고, 상기 제2 저항은 온도가 증가함에 따라 감소하고, 상기 제2 저항은 상기 제1 저항이 증가하는 속도와 동일한 속도로 감소하도록 구성되고, 상기 제2 저항의 전기적 특성은 상기 전압 발전기 저항의 전기적 특성과 매칭을 이루고, 상기 제1 저항에 걸친 제1 전류 및 상기 제2 저항에 걸친 제2 전류는 상기 전압 발전기에 의해 제공되는 전압으로부터 도출되는, 장치.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 전류 발전기는 상기 제1 저항에 접속된 다이오드를 포함하고, 상기 다이오드의 전기적 특성은 상기 전압 발전기 다이오드의 전기적 특성과 매칭을 이루도록 구성된, 장치.
  18. 청구항 16에 있어서, 상기 제1 저항은 450kΩ이고, 상기 제2 저항은 100kΩ이고, 상기 전압 발전기 저항은 100kΩ인, 장치.
  19. 청구항 16에 있어서, 상기 출력 전류는 온도에 무관한, 장치.
  20. 청구항 16에 있어서, 상기 전압 발전기는 밴드 갭 전압을 상기 전류 발전기에 제공하도록 구성된 밴드 갭 전압 발전기를 포함하는, 장치.
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