JP2799529B2 - 安定化電源回路 - Google Patents
安定化電源回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】電子機器には、一般に安定化電源
回路が使用され、これはパワートランジスタと出力電圧
をフィードバックしパワートランジスタのベース電流を
制御する制御回路部とによって構成されている。本発明
は、このような安定化電源回路の改良に関するものであ
る。
回路が使用され、これはパワートランジスタと出力電圧
をフィードバックしパワートランジスタのベース電流を
制御する制御回路部とによって構成されている。本発明
は、このような安定化電源回路の改良に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のＰＮＰパワートランジス
タとそのベースに接続された制御回路部とよりなる安定
化電源回路の一例のブロック図である。
タとそのベースに接続された制御回路部とよりなる安定
化電源回路の一例のブロック図である。
【０００３】ＰＮＰトランジスタＴｒは、パワートラン
ジスタが使用され、そのエミッタは入力端子ＶI に、そ
のコレクタは出力端子ＶO に、そのベースは制御回路部
Ｃの制御入力端子ＶINに接続されている。エミッタとベ
ースとの間には抵抗Ｒが接続されている。抵抗Ｒの作用
については後述する。
ジスタが使用され、そのエミッタは入力端子ＶI に、そ
のコレクタは出力端子ＶO に、そのベースは制御回路部
Ｃの制御入力端子ＶINに接続されている。エミッタとベ
ースとの間には抵抗Ｒが接続されている。抵抗Ｒの作用
については後述する。
【０００４】制御回路部Ｃの電源入力端子ＶI １は入力
端子ＶIに、その出力端子ＶO １は出力端子ＶO に接続
され、その接地端子ＧＮＤ１は接地されている。
端子ＶIに、その出力端子ＶO １は出力端子ＶO に接続
され、その接地端子ＧＮＤ１は接地されている。
【０００５】抵抗Ｒは、制御回路部Ｃの制御入力端子Ｖ
INの高温時のリーク電流により、ＰＮＰトランジスタＴ
ｒが誤動作することを防止する。たとえば、接合の温度
Ｔj が約１５０℃になると、制御回路部Ｃの内部の過熱
保護回路が動作状態となり、ＰＮＰトランジスタＴｒが
導通しなくなり、そのコレクタ電流ＩC は、通常はほと
んど流れないのであるが、抵抗Ｒがない場合には、制御
入力端子ＶINのリークがあると、これはドライブ電流Ｉ
D となり、ドライブ電流ＩD はＰＮＰトランジスタＴｒ
の電流増幅率ｈFE（約２００）倍され、出力側へ電流が
流れてしまう。
INの高温時のリーク電流により、ＰＮＰトランジスタＴ
ｒが誤動作することを防止する。たとえば、接合の温度
Ｔj が約１５０℃になると、制御回路部Ｃの内部の過熱
保護回路が動作状態となり、ＰＮＰトランジスタＴｒが
導通しなくなり、そのコレクタ電流ＩC は、通常はほと
んど流れないのであるが、抵抗Ｒがない場合には、制御
入力端子ＶINのリークがあると、これはドライブ電流Ｉ
D となり、ドライブ電流ＩD はＰＮＰトランジスタＴｒ
の電流増幅率ｈFE（約２００）倍され、出力側へ電流が
流れてしまう。
【０００６】ところが、抵抗Ｒがあると、リーク電流に
よるドライブ電流ＩD の抵抗Ｒでの電圧降下が、ＰＮＰ
トランジスタＴｒのＶBEに達しなければ、ＰＮＰトラン
ジスタＴｒは導通しないため、万一リークがあっても誤
動作を防ぐことができる。
よるドライブ電流ＩD の抵抗Ｒでの電圧降下が、ＰＮＰ
トランジスタＴｒのＶBEに達しなければ、ＰＮＰトラン
ジスタＴｒは導通しないため、万一リークがあっても誤
動作を防ぐことができる。
【０００７】このような過熱保護動作のため、一般に抵
抗ＲをＰＮＰトランジスタＴｒのエミッタとベースとの
間に設けて、過熱保護動作をさせていた。
抗ＲをＰＮＰトランジスタＴｒのエミッタとベースとの
間に設けて、過熱保護動作をさせていた。
【０００８】しかし、抵抗Ｒがあると、たとえば、出力
側に大きな容量（約１０００μＡ以上）が接続されてい
る場合に、入力側の電圧を瞬時に遮断すると、出力側に
容量があるため、出力電圧はただちには変動しないた
め、入力側より出力側の電圧が高くなり、抵抗Ｒには電
流ＩB´が流れ、ＰＮＰトランジスタＴｒが逆トランジ
スタ動作を起こす。
側に大きな容量（約１０００μＡ以上）が接続されてい
る場合に、入力側の電圧を瞬時に遮断すると、出力側に
容量があるため、出力電圧はただちには変動しないた
め、入力側より出力側の電圧が高くなり、抵抗Ｒには電
流ＩB´が流れ、ＰＮＰトランジスタＴｒが逆トランジ
スタ動作を起こす。
【０００９】この動作により、出力側から入力側へ過大
電流が流れ、ＰＮＰトランジスタＴｒを破壊する恐れが
あった。このため、従来は、ＰＮＰトランジスタＴｒを
保護するために、図６に示すような保護ダイオードＤを
付加する必要があった。
電流が流れ、ＰＮＰトランジスタＴｒを破壊する恐れが
あった。このため、従来は、ＰＮＰトランジスタＴｒを
保護するために、図６に示すような保護ダイオードＤを
付加する必要があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の回路によれば、
過熱による誤動作を防止するための保護抵抗を設けた
り、ＰＮＰトランジスタＴｒの過大電流による破壊を防
止するための保護ダイオードを付加する必要があった。
過熱による誤動作を防止するための保護抵抗を設けた
り、ＰＮＰトランジスタＴｒの過大電流による破壊を防
止するための保護ダイオードを付加する必要があった。
【００１１】本発明の目的は、保護抵抗や保護ダイオー
ドを設けることなく、安定化電源回路を得ることにあ
る。
ドを設けることなく、安定化電源回路を得ることにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の安定化電源回路
は、入力端子と出力端子との間に接続されたＰＮＰ型パ
ワートランジスタと、ＰＮＰ型パワートランジスタのベ
ースに接続された出力電圧をフィードバックさせる制御
回路部と、動作時に制御回路部に作用してＰＮＰ型パワ
ートランジスタを遮断する過熱保護回路と、入力端子と
過熱保護回路との間に接続された定電流回路となるトラ
ンジスタ回路とによって構成され、該トランジスタ回路
は過熱保護回路の動作時にＰＮＰ型パワートランジスタ
のエミッタ・ベース間を短絡するようにされている。
は、入力端子と出力端子との間に接続されたＰＮＰ型パ
ワートランジスタと、ＰＮＰ型パワートランジスタのベ
ースに接続された出力電圧をフィードバックさせる制御
回路部と、動作時に制御回路部に作用してＰＮＰ型パワ
ートランジスタを遮断する過熱保護回路と、入力端子と
過熱保護回路との間に接続された定電流回路となるトラ
ンジスタ回路とによって構成され、該トランジスタ回路
は過熱保護回路の動作時にＰＮＰ型パワートランジスタ
のエミッタ・ベース間を短絡するようにされている。
【００１３】
【作用】過熱保護回路が動作するとトランジスタ回路が
動作しパワートランジスタの動作を停止させる。したが
って保護抵抗を省略することができ、さらに、保護ダイ
オードも省略することができる。
動作しパワートランジスタの動作を停止させる。したが
って保護抵抗を省略することができ、さらに、保護ダイ
オードも省略することができる。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の回路図である。
図６の従来例と異なるところは、制御回路部Ｃと並列に
過熱保護回路Ａが接続されており、入力端子ＶI とＰＮ
ＰトランジスタＴｒのベースおよび過熱保護回路の出力
端子ＩO との間に、トランジスタＴｒ１およびＴｒ２か
らなるカレントミラー回路が接続されていることであ
る。これは定電流回路であって、トランジスタＴｒ２を
流れる電流は一定にされる。
図６の従来例と異なるところは、制御回路部Ｃと並列に
過熱保護回路Ａが接続されており、入力端子ＶI とＰＮ
ＰトランジスタＴｒのベースおよび過熱保護回路の出力
端子ＩO との間に、トランジスタＴｒ１およびＴｒ２か
らなるカレントミラー回路が接続されていることであ
る。これは定電流回路であって、トランジスタＴｒ２を
流れる電流は一定にされる。
【００１５】トランジスタＴｒ１およびＴｒ２のエミッ
タは入力端子ＶI に接続され、それぞれのベースは共通
に接続され、トランジスタＴｒ１のコレクタはそのベー
スおよび過熱保護回路Ａの出力端子ＩO に接続されてい
る。
タは入力端子ＶI に接続され、それぞれのベースは共通
に接続され、トランジスタＴｒ１のコレクタはそのベー
スおよび過熱保護回路Ａの出力端子ＩO に接続されてい
る。
【００１６】トランジスタＴｒ２のコレクタは、ＰＮＰ
トランジスタＴｒのベースに接続されている。
トランジスタＴｒのベースに接続されている。
【００１７】過熱保護回路Ａの入力端子ＶI ２は、制御
回路部Ｃの入力端子ＶI １に接続され、その接地端子Ｇ
ＮＤ２は接地されている。
回路部Ｃの入力端子ＶI １に接続され、その接地端子Ｇ
ＮＤ２は接地されている。
【００１８】この過熱保護回路Ａは、接合温度Ｔj ＝１
５０℃付近で電流入力を制御する回路であって、通常は
制御回路部Ｃを含む電源用ＩＣに予め設けられているか
ら、これを利用することができる。
５０℃付近で電流入力を制御する回路であって、通常は
制御回路部Ｃを含む電源用ＩＣに予め設けられているか
ら、これを利用することができる。
【００１９】まず、接合温度Ｔj がたとえば１５０℃付
近に達した過熱保護動作時について考察する。
近に達した過熱保護動作時について考察する。
【００２０】従来例と同様に、過熱保護動作後には、ド
ライブ電流ＩD ≒０となるように動作するが、高温時で
あるので、制御回路部Ｃのわずかなリーク（Ｔj ＝１５
０℃で１μＡ以下）が発生している。しかし、過熱保護
回路Ａにも同様にＴj ≒１５０℃で動作しているため、
電流ＩO １（約１００μＡ）が流れ、トランジスタＴｒ
１およびＴｒ２が導通する。
ライブ電流ＩD ≒０となるように動作するが、高温時で
あるので、制御回路部Ｃのわずかなリーク（Ｔj ＝１５
０℃で１μＡ以下）が発生している。しかし、過熱保護
回路Ａにも同様にＴj ≒１５０℃で動作しているため、
電流ＩO １（約１００μＡ）が流れ、トランジスタＴｒ
１およびＴｒ２が導通する。
【００２１】トランジスタＴｒ２は、そのコレクタが制
御回路部Ｃの制御入力端子ＶINに接続されているが、こ
このリーク電流は、前述のようにＴj ＝１５０℃で１μ
Ａ以下であるため、トランジスタＴｒ２は飽和状態とな
っており、そのＶCEは約０．１Ｖとなっている。これに
よりＰＮＰトランジスタＴｒは、所定のＶBEに達するこ
となく導通しないので、高温でのリークによる誤動作を
防ぐことができる。したがって、図６の抵抗Ｒを設ける
必要がない。
御回路部Ｃの制御入力端子ＶINに接続されているが、こ
このリーク電流は、前述のようにＴj ＝１５０℃で１μ
Ａ以下であるため、トランジスタＴｒ２は飽和状態とな
っており、そのＶCEは約０．１Ｖとなっている。これに
よりＰＮＰトランジスタＴｒは、所定のＶBEに達するこ
となく導通しないので、高温でのリークによる誤動作を
防ぐことができる。したがって、図６の抵抗Ｒを設ける
必要がない。
【００２２】常温の時は、過熱保護回路Ａは動作せず、
したがってダイオード接続されているトランジスタＴｒ
１およびＴｒ２はともに動作せず、図１の回路は、図６
の回路の抵抗Ｒがない場合と同様になる。
したがってダイオード接続されているトランジスタＴｒ
１およびＴｒ２はともに動作せず、図１の回路は、図６
の回路の抵抗Ｒがない場合と同様になる。
【００２３】次に、入力が遮断され出力側が入力側より
高い電圧となった場合について考察する。
高い電圧となった場合について考察する。
【００２４】出力側から見ると、ＰＮＰトランジスタＴ
ｒとトランジスタＴｒ２とは順方向であるが、制御回路
部Ｃと加熱保護回路Ａは、入力が遮断されたときは動作
していないため、これらには電流が流れ込まない。図１
の回路では、従来例での抵抗Ｒに対応するものはないか
ら、これに流れる電流ＩB´に対応するものもない。
ｒとトランジスタＴｒ２とは順方向であるが、制御回路
部Ｃと加熱保護回路Ａは、入力が遮断されたときは動作
していないため、これらには電流が流れ込まない。図１
の回路では、従来例での抵抗Ｒに対応するものはないか
ら、これに流れる電流ＩB´に対応するものもない。
【００２５】よって、ＰＮＰトランジスタＴｒの逆トラ
ンジスタ動作が起こらなくなり、出力側から入力側へ過
大電流が流れず、ＰＮＰトランジスタＴｒの破壊する恐
れはなくなる。
ンジスタ動作が起こらなくなり、出力側から入力側へ過
大電流が流れず、ＰＮＰトランジスタＴｒの破壊する恐
れはなくなる。
【００２６】図２は、具体的な回路の一例である。この
例では、制御回路部に設けた過熱保護回路（点線で囲ま
れている）の一部をカレントミラー回路の過熱保護回路
の一部として利用している。
例では、制御回路部に設けた過熱保護回路（点線で囲ま
れている）の一部をカレントミラー回路の過熱保護回路
の一部として利用している。
【００２７】制御回路部は、トランジスタＴｒ３と、比
較器Ｂと、定電流源として使用されるＪＦＥＴ（ジャン
クション・フィールド・エフェクト・トランジスタ）Ｔ
ｒ１０と、過熱保護回路を構成するトランジスタＴｒ４
およびＴｒ５等により構成されている。端子ＩO ，
ＶIN，ＶO ，ＶO １およびＧＮＤ１等はそれぞれ図１と
対応している。ＪＦＥＴＴｒ１０の代わりに、定電流源
とはならないが２００ＫΩ程度の抵抗で代用することも
できる。端子ＶI １，ＶI ２等については省略してあ
る。
較器Ｂと、定電流源として使用されるＪＦＥＴ（ジャン
クション・フィールド・エフェクト・トランジスタ）Ｔ
ｒ１０と、過熱保護回路を構成するトランジスタＴｒ４
およびＴｒ５等により構成されている。端子ＩO ，
ＶIN，ＶO ，ＶO １およびＧＮＤ１等はそれぞれ図１と
対応している。ＪＦＥＴＴｒ１０の代わりに、定電流源
とはならないが２００ＫΩ程度の抵抗で代用することも
できる。端子ＶI １，ＶI ２等については省略してあ
る。
【００２８】トランジスタＴｒ３のコレクタおよびエミ
ッタはそれぞれＰＮＰトランジスタＴｒと接地に接続さ
れて、トランジスタＴｒ３のベースは、比較器Ｂの出力
に接続されている。ＰＮＰトランジスタＴｒの出力側
は、抵抗ＲA およびＲB により接地され、それらの接続
部は比較器Ｂの一方の端子に接続されている。比較器Ｂ
の他方の端子は、基準電圧（Ｖｒｅｆ）回路Ｅを介して
抵抗Ｒ１およびＲ２により分圧され、分圧された電圧
は、トランジスタＴｒ４およびＴｒ５のベースに与えら
れる。トランジスタＴｒ４およびＴｒ５のエミッタなら
びに基準電圧回路Ｅは接地され、トランジスタＴｒ４の
コレクタは、トランジスタＴｒ３のベースに接続されて
いる。
ッタはそれぞれＰＮＰトランジスタＴｒと接地に接続さ
れて、トランジスタＴｒ３のベースは、比較器Ｂの出力
に接続されている。ＰＮＰトランジスタＴｒの出力側
は、抵抗ＲA およびＲB により接地され、それらの接続
部は比較器Ｂの一方の端子に接続されている。比較器Ｂ
の他方の端子は、基準電圧（Ｖｒｅｆ）回路Ｅを介して
抵抗Ｒ１およびＲ２により分圧され、分圧された電圧
は、トランジスタＴｒ４およびＴｒ５のベースに与えら
れる。トランジスタＴｒ４およびＴｒ５のエミッタなら
びに基準電圧回路Ｅは接地され、トランジスタＴｒ４の
コレクタは、トランジスタＴｒ３のベースに接続されて
いる。
【００２９】また、トランジスタＴｒ５のコレクタは、
ＪＦＥＴＴｒ１０を介して、カレントミラー回路のトラ
ンジスタＴｒ１のコレクタおよびベースに接続されてい
る。
ＪＦＥＴＴｒ１０を介して、カレントミラー回路のトラ
ンジスタＴｒ１のコレクタおよびベースに接続されてい
る。
【００３０】常温の時は、過熱保護回路は動作せず、Ｐ
ＮＰトランジスタＴｒの出力電圧は、比較器Ｂおよびト
ランジスタＴｒ３等よりなる回路によりフィードバック
され、定電圧を得ることができる。
ＮＰトランジスタＴｒの出力電圧は、比較器Ｂおよびト
ランジスタＴｒ３等よりなる回路によりフィードバック
され、定電圧を得ることができる。
【００３１】過熱保護動作は、トランジスタＴｒ４およ
びＴｒ５のＶBEの温度特性（−２ｍＶ／℃）を利用して
行なわれる。基準電圧回路Ｅの電圧約１．２５Ｖを抵抗
Ｒ１およびＲ２により分圧し、常温で約０．４Ｖの電圧
をトランジスタＴｒ４のベースに入力している。常温た
とえば約２５℃付近では、トランジスタＴｒ４のＶBEは
約０．６５Ｖであるが、トランジスタＴｒ４は、そのベ
ースに約０．４Ｖしか入力されていないから、導通しな
い。したがって、トランジスタＴｒ３のベース電流を引
込まないため、トランジスタＴｒ３は正常に動作しす出
力は正常に出る。
びＴｒ５のＶBEの温度特性（−２ｍＶ／℃）を利用して
行なわれる。基準電圧回路Ｅの電圧約１．２５Ｖを抵抗
Ｒ１およびＲ２により分圧し、常温で約０．４Ｖの電圧
をトランジスタＴｒ４のベースに入力している。常温た
とえば約２５℃付近では、トランジスタＴｒ４のＶBEは
約０．６５Ｖであるが、トランジスタＴｒ４は、そのベ
ースに約０．４Ｖしか入力されていないから、導通しな
い。したがって、トランジスタＴｒ３のベース電流を引
込まないため、トランジスタＴｒ３は正常に動作しす出
力は正常に出る。
【００３２】一方、高温時たとえば約１５０℃になる
と、トランジスタＴｒ４のＶBEは０．４Ｖに低下するた
め、これは導通し、トランジスタＴｒ３のベース電流を
引込み、これを遮断するから、出力も遮断される。この
ときトランジスタＴｒ５も導通し、カレントミラー回路
のトランジスタＴｒ１を導通させ、前述のようにＰＮＰ
トランジスタＴｒを遮断する。
と、トランジスタＴｒ４のＶBEは０．４Ｖに低下するた
め、これは導通し、トランジスタＴｒ３のベース電流を
引込み、これを遮断するから、出力も遮断される。この
ときトランジスタＴｒ５も導通し、カレントミラー回路
のトランジスタＴｒ１を導通させ、前述のようにＰＮＰ
トランジスタＴｒを遮断する。
【００３３】図３は、他の実施例の回路図である。図２
の実施例と異なるところは、基準電圧回路Ｅから接地に
至る分圧回路の抵抗Ｒ１とＲ２の間に抵抗Ｒ３を追加し
たことである。抵抗Ｒ１とＲ３の接続部をトランジスタ
Ｔｒ５のベースに接続し、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ２の接続部
をトランジスタＴｒ４のベースに接続してある。したが
って、温度が上昇すると、トランジスタＴｒ５の方が早
く動作し、これに接続されるカレントミラー回路のトラ
ンジスタＴｒ１を導通させ、ＰＮＰトランジスタＴｒの
導通を阻止する。各抵抗の値を選択することにより、カ
レントミラー回路および制御回路部のそれぞれの過熱保
護回路の動作温度を独立して自由に設定できる。
の実施例と異なるところは、基準電圧回路Ｅから接地に
至る分圧回路の抵抗Ｒ１とＲ２の間に抵抗Ｒ３を追加し
たことである。抵抗Ｒ１とＲ３の接続部をトランジスタ
Ｔｒ５のベースに接続し、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ２の接続部
をトランジスタＴｒ４のベースに接続してある。したが
って、温度が上昇すると、トランジスタＴｒ５の方が早
く動作し、これに接続されるカレントミラー回路のトラ
ンジスタＴｒ１を導通させ、ＰＮＰトランジスタＴｒの
導通を阻止する。各抵抗の値を選択することにより、カ
レントミラー回路および制御回路部のそれぞれの過熱保
護回路の動作温度を独立して自由に設定できる。
【００３４】この回路例は、過熱保護動作点の温度にお
ける制御回路部のリークが大きく、制御回路部の過熱保
護動作開始前にＰＮＰトランジスタＴｒの過熱保護動作
を開始させておく必要がある場合に有用である。
ける制御回路部のリークが大きく、制御回路部の過熱保
護動作開始前にＰＮＰトランジスタＴｒの過熱保護動作
を開始させておく必要がある場合に有用である。
【００３５】図４は、さらに他の実施例の回路図であ
る。図２および図３の実施例と異なるところは、制御回
路部の過熱保護回路のトランジスタがＴｒ４，Ｔｒ６，
Ｔｒ７と３段にされていることである。カレントミラー
回路のトランジスタＴｒ１に接続されているトランジス
タＴｒ５のベースは、トランジスタＴｒ６のベースに接
続されているから、カレントミラー回路の過熱保護回路
もトランジスタ３段によって増幅されている。これによ
り過熱保護動作が急峻になる。
る。図２および図３の実施例と異なるところは、制御回
路部の過熱保護回路のトランジスタがＴｒ４，Ｔｒ６，
Ｔｒ７と３段にされていることである。カレントミラー
回路のトランジスタＴｒ１に接続されているトランジス
タＴｒ５のベースは、トランジスタＴｒ６のベースに接
続されているから、カレントミラー回路の過熱保護回路
もトランジスタ３段によって増幅されている。これによ
り過熱保護動作が急峻になる。
【００３６】抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の接続点ａをトランジ
スタＴｒ４のベースに接続することは図２の実施例と同
様である。トランジスタＴｒ４のコレクタは、抵抗Ｒ４
を介して基準電圧回路Ｅに接続され、また、これはトラ
ンジスタＴｒ６のベースに接続される。トランジスタＴ
ｒ６のコレクタは抵抗Ｒ５を介して基準電圧回路Ｅに接
続され、また、これはトランジスタＴｒ７のベースに接
続される。トランジスタＴｒ７のコレクタはトランジス
タＴｒ３のベースに接続されている。
スタＴｒ４のベースに接続することは図２の実施例と同
様である。トランジスタＴｒ４のコレクタは、抵抗Ｒ４
を介して基準電圧回路Ｅに接続され、また、これはトラ
ンジスタＴｒ６のベースに接続される。トランジスタＴ
ｒ６のコレクタは抵抗Ｒ５を介して基準電圧回路Ｅに接
続され、また、これはトランジスタＴｒ７のベースに接
続される。トランジスタＴｒ７のコレクタはトランジス
タＴｒ３のベースに接続されている。
【００３７】常温時は、図２の実施例について説明した
と同様の理由で、トランジスタＴｒ４は導通しない。よ
ってトランジスタＴｒ６が導通する。そのため、トラン
ジスタＴｒ７のベース電流が引込まれ、トランジスタＴ
ｒ７は導通しない。したがってトランジスタＴｒ３の動
作を妨げない。また、これとベースを共通にするトラン
ジスタＴｒ５も動作しないから、カレントミラー回路の
トランジスタＴｒ１も導通せず、トランジスタＴｒは正
常に動作する。
と同様の理由で、トランジスタＴｒ４は導通しない。よ
ってトランジスタＴｒ６が導通する。そのため、トラン
ジスタＴｒ７のベース電流が引込まれ、トランジスタＴ
ｒ７は導通しない。したがってトランジスタＴｒ３の動
作を妨げない。また、これとベースを共通にするトラン
ジスタＴｒ５も動作しないから、カレントミラー回路の
トランジスタＴｒ１も導通せず、トランジスタＴｒは正
常に動作する。
【００３８】高温になると、たとえば１５０℃で、図２
の実施例と同様な理由で、トランジスタＴｒ４が導通す
る。そして、トランジスタＴｒ６が導通せずトランジス
タＴｒ７が導通する。したがって、トランジスタＴｒ３
のベース電流を引抜くため、これは導通しなくなり出力
は遮断される。
の実施例と同様な理由で、トランジスタＴｒ４が導通す
る。そして、トランジスタＴｒ６が導通せずトランジス
タＴｒ７が導通する。したがって、トランジスタＴｒ３
のベース電流を引抜くため、これは導通しなくなり出力
は遮断される。
【００３９】図４の回路においては、抵抗Ｒ１とＲ２と
の接続点ａと接地との間には、抵抗Ｒ２と並列にトラン
ジスタＴｒ４しか接続されていないから、そのベース電
流Ｉ B による抵抗Ｒ１とＲ２の分圧比のずれが小さくな
り、したがって、動作点温度のばらつきを小さくでき
る。もし、ＩB が大きいと、抵抗Ｒ２に流れる電流に比
べて抵抗Ｒ１に流れる電流の方がＩB 分だけ大きくな
り、抵抗Ｒ１とＲ２による分圧比がずれてくる。図２の
例では、トランジスタＴｒ４とＴｒ５がベースを共通に
２個接続されているから、ベース電流は２ＩB となり、
図４の例に比べてずれが大きくなる。
の接続点ａと接地との間には、抵抗Ｒ２と並列にトラン
ジスタＴｒ４しか接続されていないから、そのベース電
流Ｉ B による抵抗Ｒ１とＲ２の分圧比のずれが小さくな
り、したがって、動作点温度のばらつきを小さくでき
る。もし、ＩB が大きいと、抵抗Ｒ２に流れる電流に比
べて抵抗Ｒ１に流れる電流の方がＩB 分だけ大きくな
り、抵抗Ｒ１とＲ２による分圧比がずれてくる。図２の
例では、トランジスタＴｒ４とＴｒ５がベースを共通に
２個接続されているから、ベース電流は２ＩB となり、
図４の例に比べてずれが大きくなる。
【００４０】図５は、過熱保護回路のトランジスタが１
段の場合と３段の場合の、カレントミラー回路に接続さ
れる過熱保護回路の動作の比較を示すグラフである。縦
軸は、カレントミラー回路のトランジスタＴｒ１のコレ
クタ電流の大きさを示し、横軸は接合の温度Ｔj を示
す。曲線Ａは１段の場合、曲線Ｂは３段の場合である。
高温時に制御回路部のトランジスタＴｒ３のリーク電流
が大きく、たとえば、Ｔ j ＝１５０℃以下のときに、出
力電圧の制御に支障がある場合は、図５に示されるよう
に、トランジスタ１段の曲線Ａの特性のほうが、たとえ
ばＴj ＝１００℃付近から緩やかに動作するため誤動作
の恐れがない。
段の場合と３段の場合の、カレントミラー回路に接続さ
れる過熱保護回路の動作の比較を示すグラフである。縦
軸は、カレントミラー回路のトランジスタＴｒ１のコレ
クタ電流の大きさを示し、横軸は接合の温度Ｔj を示
す。曲線Ａは１段の場合、曲線Ｂは３段の場合である。
高温時に制御回路部のトランジスタＴｒ３のリーク電流
が大きく、たとえば、Ｔ j ＝１５０℃以下のときに、出
力電圧の制御に支障がある場合は、図５に示されるよう
に、トランジスタ１段の曲線Ａの特性のほうが、たとえ
ばＴj ＝１００℃付近から緩やかに動作するため誤動作
の恐れがない。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、従来の
ように保護抵抗や保護ダイオードを設けなくても、高温
時のリーク電流による誤動作を防止し、しかも出力から
入力への過電流による破壊を防止することができる。
ように保護抵抗や保護ダイオードを設けなくても、高温
時のリーク電流による誤動作を防止し、しかも出力から
入力への過電流による破壊を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】具体的な回路の一例である。
【図３】他の具体的な一例の回路図である。
【図４】さらに他の具体例の回路図である。
【図５】過熱保護回路のトランジスタが１段の場合と３
段の場合の比較を示すグラフである。
段の場合の比較を示すグラフである。
【図６】従来の回路のブロック図である。
Ａ 過熱保護回路 Ｂ 比較器 Ｃ 制御回路部 Ｄ 保護ダイオード Ｅ 基準電圧回路 Ｔｒ ＰＮＰトランジスタ Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３，Ｔｒ４，Ｔｒ５，Ｔｒ６，Ｔ
ｒ７ トランジスタＴｒ１０ ＪＦＥＴ
ｒ７ トランジスタＴｒ１０ ＪＦＥＴ
Claims (1)
- 【請求項１】 入力端子と出力端子との間に接続された
ＰＮＰ型パワートランジスタと、 ＰＮＰ型パワートランジスタのベースに接続された出力
電圧をフィードバックさせる制御回路部と、 動作時に制御回路部に作用してＰＮＰ型パワートランジ
スタを遮断する過熱保護回路と、 入力端子と過熱保護回路との間に接続された定電流回路
となるトランジスタ回路とよりなり、 該トランジスタ回路は過熱保護回路の動作時にＰＮＰ型
パワートランジスタのエミッタ・ベース間を短絡するこ
とを特徴とする安定化電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26956791A JP2799529B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 安定化電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26956791A JP2799529B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 安定化電源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05108174A JPH05108174A (ja) | 1993-04-30 |
| JP2799529B2 true JP2799529B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=17474164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26956791A Expired - Lifetime JP2799529B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 安定化電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2799529B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9500661D0 (en) * | 1995-01-13 | 1995-03-08 | Autotronics Eng Int Ltd | Electrical apparatus |
| CN113220062B (zh) * | 2021-05-08 | 2022-12-13 | 西安微电子技术研究所 | 一种双极线性稳压器的过温保护电路 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP26956791A patent/JP2799529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05108174A (ja) | 1993-04-30 |
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Legal Events
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