JPS58223340A - 半導体ウエハの乾燥装置 - Google Patents
半導体ウエハの乾燥装置Info
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- JPS58223340A JPS58223340A JP10623982A JP10623982A JPS58223340A JP S58223340 A JPS58223340 A JP S58223340A JP 10623982 A JP10623982 A JP 10623982A JP 10623982 A JP10623982 A JP 10623982A JP S58223340 A JPS58223340 A JP S58223340A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 45
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- JZUFKLXOESDKRF-UHFFFAOYSA-N Chlorothiazide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC2=C1NCNS2(=O)=O JZUFKLXOESDKRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010041349 Somnolence Diseases 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
表面に酸化皮膜を形成した半導体基板(以下ウェハとい
う)VCフォトレシストヲ塗布して、所だのパターンを
焼イ」けた後、酸化皮j1央をエツチングして′−子部
材を作成するVCは、ウェハを十分に洗浄して完全に乾
燥してからフォトレジスト(r塗布する必要がある。
う)VCフォトレシストヲ塗布して、所だのパターンを
焼イ」けた後、酸化皮j1央をエツチングして′−子部
材を作成するVCは、ウェハを十分に洗浄して完全に乾
燥してからフォトレジスト(r塗布する必要がある。
もしウェハの乾燥が不十分であると、フォトレジストの
1月着力が弱く、第1図に示すように、ウェハ(1)ノ
酸化皮膜(2)」二にフォトレジストパターン(3)を
9+R−Jけた時に、フォトレジストパターン(3)の
周縁部が酸化皮膜(2)より浮き上るので、第2図に示
すように、エツチングを施した時に、エツチング液が、
浮き上ったフォトレジストパターン(3)の周縁部後面
に浸入して、酸化皮膜(2)のサイドエツテンク量が多
くなり、好ましくない。
1月着力が弱く、第1図に示すように、ウェハ(1)ノ
酸化皮膜(2)」二にフォトレジストパターン(3)を
9+R−Jけた時に、フォトレジストパターン(3)の
周縁部が酸化皮膜(2)より浮き上るので、第2図に示
すように、エツチングを施した時に、エツチング液が、
浮き上ったフォトレジストパターン(3)の周縁部後面
に浸入して、酸化皮膜(2)のサイドエツテンク量が多
くなり、好ましくない。
次表は、酸化皮膜約470OAのウェハを、乾燥処理条
tトを変えて、同一条件でエツチングした時のザイドエ
ッチング量を、本元明者が実測した結果を示すものであ
る。
tトを変えて、同一条件でエツチングした時のザイドエ
ッチング量を、本元明者が実測した結果を示すものであ
る。
上衣で明らかなように、乾燥温匿が高い程ザイドエツテ
ング量が少く、減圧して乾燥するほど、乾燥温度を低く
しても、す1ドエツチング量が増力口し々いということ
が分る。
ング量が少く、減圧して乾燥するほど、乾燥温度を低く
しても、す1ドエツチング量が増力口し々いということ
が分る。
七の/こめ、従来は、洗浄の終ったウェハ(1)を完全
に乾燥するため、熱ノ虱炉や熱板あるいに赤外線照射等
により乾燥していたが、これらの方法によれば、いずれ
も、ウェハ(1)が200 c以上の高温になるので、
次の工程で、フォトレジストく塗布するために、放冷す
るか、窒素等の不イ占性ガスを吹き付けて、強制的に室
温まで降下させていた。
に乾燥するため、熱ノ虱炉や熱板あるいに赤外線照射等
により乾燥していたが、これらの方法によれば、いずれ
も、ウェハ(1)が200 c以上の高温になるので、
次の工程で、フォトレジストく塗布するために、放冷す
るか、窒素等の不イ占性ガスを吹き付けて、強制的に室
温まで降下させていた。
従って、冷却に長時間ヲ要し、生産能率が低下するとと
もに、ウェハ乾燥装置とフ第1・1/シスト塗布装置の
間に、冷却用コンベヤや強制冷却装置を必要とした。
もに、ウェハ乾燥装置とフ第1・1/シスト塗布装置の
間に、冷却用コンベヤや強制冷却装置を必要とした。
さらに、従来の熱風炉や赤外線照射等の装置は熱効率が
悪く、かつ装置が大型であった。
悪く、かつ装置が大型であった。
本発明は、洗浄の終ったウェハ(1)を、減圧下におい
て熱板をもって加熱することに」;す、ウェハ(1)を
室温近りVC保ったま捷迅速に乾燥するようにして、」
二連の欠点を解消した乾燥装置に関するもので、第3図
以下−に示す実施例tこ基いて具体的に説明する。
て熱板をもって加熱することに」;す、ウェハ(1)を
室温近りVC保ったま捷迅速に乾燥するようにして、」
二連の欠点を解消した乾燥装置に関するもので、第3図
以下−に示す実施例tこ基いて具体的に説明する。
第3図は、本発明の装置な使用して、ウェハ(])の乾
燥とフオ]・レジスト塗布を連続的に行う装置を[暗示
するもので、ウェハ(1)の、■!:行力向方向、後方
(以下方向はウェハ(1)の進行方向に対していう)よ
り、(4)はウェハ供給装置、(AIは以下に詳述する
本発明装置、(5)はウェハ着脱装置、([i)はフォ
トレジスト回転塗布装置、(7)はウェハ収納装置1M
−1(8)は各装置間を連絡するウェハ(1)のコンベ
ヤである。
燥とフオ]・レジスト塗布を連続的に行う装置を[暗示
するもので、ウェハ(1)の、■!:行力向方向、後方
(以下方向はウェハ(1)の進行方向に対していう)よ
り、(4)はウェハ供給装置、(AIは以下に詳述する
本発明装置、(5)はウェハ着脱装置、([i)はフォ
トレジスト回転塗布装置、(7)はウェハ収納装置1M
−1(8)は各装置間を連絡するウェハ(1)のコンベ
ヤである。
本発明装置(Aの後方と前方のコンベヤ[8)(13)
k連絡する、互に平行をなす左右1対の無端ベルト(
9)(9)は、駆動ローラf1.0) 10)と従動ロ
ーラ(TI) (+1.)と、両日−ラ(10) (1
1)の中間下方のテンションローラ(1匂(12)に什
(け回され、図示を省略した駆動装置により同期して周
回し、テンションローラ(1匂(1鋤に係止した引張り
はね(]B)により常時緊張して、ウェハ(1)ヲ搬送
する。
k連絡する、互に平行をなす左右1対の無端ベルト(
9)(9)は、駆動ローラf1.0) 10)と従動ロ
ーラ(TI) (+1.)と、両日−ラ(10) (1
1)の中間下方のテンションローラ(1匂(12)に什
(け回され、図示を省略した駆動装置により同期して周
回し、テンションローラ(1匂(1鋤に係止した引張り
はね(]B)により常時緊張して、ウェハ(1)ヲ搬送
する。
無端ベル) (9)(9)上辺のウェハ搬送部直下には
、′眠気ヒータ(図示せず)を内蔵し、上面形がウェハ
(1)より大型の熱板(14,lが固設されている。
、′眠気ヒータ(図示せず)を内蔵し、上面形がウェハ
(1)より大型の熱板(14,lが固設されている。
熱板(14)の上面(fこおける各無端ベルト(9)の
下方には、無端ベルl−(9)が奥部まで嵌入しうる下
向台形溝05)が切設され、同じく上面要所に穿設した
真空成層孔06)は、熱板04)の側面に設けた弔】排
気口(17)に接続され、第1排気口(17)は図示を
省略した減圧源に接続されている。
下方には、無端ベルl−(9)が奥部まで嵌入しうる下
向台形溝05)が切設され、同じく上面要所に穿設した
真空成層孔06)は、熱板04)の側面に設けた弔】排
気口(17)に接続され、第1排気口(17)は図示を
省略した減圧源に接続されている。
壕だ、熱板(14)の前部要所に、昇降自在かつ気密に
貫設した、左右1対の位置決めビン(18)(+8)の
下端同志は、水平杆(+9)kもって連結され、水平杆
09)は、その下向に設けたソレノイド(財)が常時は
伸長して、熱板(14)の下面に当接し、各ビン(18
)は、熱板(14)の上面より突出している。なお該位
置決めビンα8)は、水平方向に出入できるようにして
もよい。
貫設した、左右1対の位置決めビン(18)(+8)の
下端同志は、水平杆(+9)kもって連結され、水平杆
09)は、その下向に設けたソレノイド(財)が常時は
伸長して、熱板(14)の下面に当接し、各ビン(18
)は、熱板(14)の上面より突出している。なお該位
置決めビンα8)は、水平方向に出入できるようにして
もよい。
熱板04)および上記無端ベルト(9)(9)の上方に
は、下面開口部がウェハ(1)より大型の減圧箱(21
)が、昇降自在に設置され、減圧箱(21)の上板(Z
Xa)の中火に設けた第2排気口□□□)は、図示を省
略した減圧源に接続されている。
は、下面開口部がウェハ(1)より大型の減圧箱(21
)が、昇降自在に設置され、減圧箱(21)の上板(Z
Xa)の中火に設けた第2排気口□□□)は、図示を省
略した減圧源に接続されている。
減圧箱(21)の下端面には、熱板(14〕の上面に圧
接しうる気密パツキン(F)と、各下向台形溝(1b)
に気密に嵌合しつるゴム製のベルト押え(ロ)・)が固
設されている。
接しうる気密パツキン(F)と、各下向台形溝(1b)
に気密に嵌合しつるゴム製のベルト押え(ロ)・)が固
設されている。
上述構成の本発明装置tにおいて、両無端ベルト(9)
(9)vCより搬送されたウェハ(1)が、第5図に示
すように、位置決めビン(113)(+8)VC当接し
て、熱板(I4)の中火に位置した時に、無端ベルト(
9)(9)を停止し、かつソレノイド(20)全作動さ
せて、位置決めビン(18)(18) ’に熱板(]4
)内に没入させるとともに、減圧箱(21)を下降させ
る。
(9)vCより搬送されたウェハ(1)が、第5図に示
すように、位置決めビン(113)(+8)VC当接し
て、熱板(I4)の中火に位置した時に、無端ベルト(
9)(9)を停止し、かつソレノイド(20)全作動さ
せて、位置決めビン(18)(18) ’に熱板(]4
)内に没入させるとともに、減圧箱(21)を下降させ
る。
すると、第7図に示すように、減圧箱(21)の各ベル
ト押え−)が、熱板04)の下向台形溝05)に嵌入し
て、奥部に無端ベルl−((J) k 、テンションロ
ーフ +12)(’) 引張りはね(19)に抗して押
し込みつつ、下向台形溝(15)の1同面に圧J妾する
とともに、気密パツキン(4)+7)E、熱板(捗)の
」二面に圧接して、減圧箱(21)は気密となる。
ト押え−)が、熱板04)の下向台形溝05)に嵌入し
て、奥部に無端ベルl−((J) k 、テンションロ
ーフ +12)(’) 引張りはね(19)に抗して押
し込みつつ、下向台形溝(15)の1同面に圧J妾する
とともに、気密パツキン(4)+7)E、熱板(捗)の
」二面に圧接して、減圧箱(21)は気密となる。
ついで、減圧源を作動させれば、減圧箱(21)が減圧
されるとともに、ウェハ(1)は、熱板04)に吸着さ
れて平均に加熱されるので、ウエノ・(1)(l−j:
、低温で迅速に乾燥される。
されるとともに、ウェハ(1)は、熱板04)に吸着さ
れて平均に加熱されるので、ウエノ・(1)(l−j:
、低温で迅速に乾燥される。
ウェハ(1)乾燥後、減圧を停止し、減圧箱(21)(
el昇さぜれば、引張りばね(1B)の付勢により、各
無端ベルト(9)が下向台形溝(工5)より」−昇して
、ウェハ(1)が熱板04)より浮上するので、無端ベ
ルト(9)とコンベヤ(8)により、ウェハ(1)ヲ次
工程に移送することができる。
el昇さぜれば、引張りばね(1B)の付勢により、各
無端ベルト(9)が下向台形溝(工5)より」−昇して
、ウェハ(1)が熱板04)より浮上するので、無端ベ
ルト(9)とコンベヤ(8)により、ウェハ(1)ヲ次
工程に移送することができる。
しかる後、ソレノイド(財))により、位置決めビン(
+13)(+8)を上昇させて、上述の操作を繰返すこ
とにより、多数のウェハ(1)全連続的に自動乾燥する
ことができる。
+13)(+8)を上昇させて、上述の操作を繰返すこ
とにより、多数のウェハ(1)全連続的に自動乾燥する
ことができる。
上述のように、本発明装置は、ウェハ(1)を低温(6
0〜70C)で減圧乾燥するので、乾燥時間が短縮され
、かつ乾燥装置が小型になるとともに、乾燥を終了した
ウェハ(1)が短時間で室昌に到達するので、頭語し/
でような冷却のための装置が不用となり、生産性と熱効
率が向上するとともに、全装置を小型化することができ
、かつ耐熱性の部材を心安としない。
0〜70C)で減圧乾燥するので、乾燥時間が短縮され
、かつ乾燥装置が小型になるとともに、乾燥を終了した
ウェハ(1)が短時間で室昌に到達するので、頭語し/
でような冷却のための装置が不用となり、生産性と熱効
率が向上するとともに、全装置を小型化することができ
、かつ耐熱性の部材を心安としない。
なお上述においで、ウェハ(1)の位置決めに使用した
位置決めビン(18)に代えて、マイクロスイッチ等の
物品、1火知装置を使用してもよく、また、減1−E箱
(21)に比して、ウェハ(1)が著しく小型の場合V
Cは、これらの停止装置を省略することもできる。
位置決めビン(18)に代えて、マイクロスイッチ等の
物品、1火知装置を使用してもよく、また、減1−E箱
(21)に比して、ウェハ(1)が著しく小型の場合V
Cは、これらの停止装置を省略することもできる。
捷た、力ロ熱温度が低いので、小型のウェハ(1)の熱
による反りが少く、真空吸着装置を省1116しても、
平均かつ迅速にR1定温度に加熱することができる。
による反りが少く、真空吸着装置を省1116しても、
平均かつ迅速にR1定温度に加熱することができる。
さらに、上記実施例においては、第2排気口幽)を減圧
箱(21)に設けたが、これを熱板04)の角部等に設
けてもよい。
箱(21)に設けたが、これを熱板04)の角部等に設
けてもよい。
第1図は、フォトレジストパターンを焼イζjけたウェ
ハの要部拡大断面図、 第2図は、エツチングしたウェハの要部拡大断面図、 第3図は、本発明装置とフォトレジスト塗布装置を開示
する正面図、 第4図は、本発明装置の正面図、 第5図は、第4図X−X線矢視図、 第6図は、第4図Y−Y線−目笛図、 第7図は、本発明装置減圧中の状態を示す第6図に相当
する断面図である。 (N本発明装f& (])ウニ・・(2)酸化
皮11m (8’)フォトレジストパタ
ーン(4)ウェハ供給装置 (5)ウニ・・着脱装置
(0)フォト1/シスト回転塗布装置 (7)ウェハ収納装置(8)コンベヤ (9)無端ベルト (10)駆動ローラ01)従
動ローラ (12)テンションp−203)引張
りはね (14)熱板(15)下向台形溝
(I6)真空吸着孔07)第1排気口 (1B
)位置決めビン09)水平杆 (20)ソレ
ノイド(21)減圧箱 (21a)上板(2
2)第2排気口 (羽)気密パツキン(財)ベル
ト押え
ハの要部拡大断面図、 第2図は、エツチングしたウェハの要部拡大断面図、 第3図は、本発明装置とフォトレジスト塗布装置を開示
する正面図、 第4図は、本発明装置の正面図、 第5図は、第4図X−X線矢視図、 第6図は、第4図Y−Y線−目笛図、 第7図は、本発明装置減圧中の状態を示す第6図に相当
する断面図である。 (N本発明装f& (])ウニ・・(2)酸化
皮11m (8’)フォトレジストパタ
ーン(4)ウェハ供給装置 (5)ウニ・・着脱装置
(0)フォト1/シスト回転塗布装置 (7)ウェハ収納装置(8)コンベヤ (9)無端ベルト (10)駆動ローラ01)従
動ローラ (12)テンションp−203)引張
りはね (14)熱板(15)下向台形溝
(I6)真空吸着孔07)第1排気口 (1B
)位置決めビン09)水平杆 (20)ソレ
ノイド(21)減圧箱 (21a)上板(2
2)第2排気口 (羽)気密パツキン(財)ベル
ト押え
Claims (4)
- (1)適宜の、駆動装置により周回して、上面水平部(
においてウェハ會搬送し、下部に張力付与装置を設けた
無端ベルトと、 無端ベルトのウェハ搬送面の直下に位置して、上面に無
端ベルトが奥部捷で嵌入しうる溝を切設し、ヒータを内
蔵した、上面がウェハより大型のウェハ加熱用熱板と、 ト面開口して、熱板および無端ベルトの」−力に昇降自
在に設置され、下端面に、熱板の上面にBE接しうる気
密材と、熱板の上記谷溝に気密に嵌合しつるベルト押え
を固設した減I3:、箱とよりなり、熱板と減圧粕の少
くとも一力を、減圧源に接続してなる半導体ウエノ・の
乾燥装置。 - (2) フ第1・レジストを塗布する回転塗布機を連
結してなる狗、lr′1″請求の範囲第(1)項に記載
の装置。 - (3)熱板の要所に、ウェハ位置決めビンを設けてなる
特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項に記載の装置
。 - (4)熱板の上面要所に、ウェハ吸着孔を設けでなる竹
許詞求の範囲第(1)項乃キ第にう)項のいずれかに記
載の装置* 。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10623982A JPS58223340A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10623982A JPS58223340A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58223340A true JPS58223340A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14428560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10623982A Pending JPS58223340A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58223340A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60169148A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の搬送方法及びその装置 |
US4548688A (en) * | 1983-05-23 | 1985-10-22 | Fusion Semiconductor Systems | Hardening of photoresist |
JPS61131532A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Tokuda Seisakusho Ltd | シ−ト状材料の熱処理装置 |
JPS61201440A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハのアライメント装置 |
JPS61263136A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 薄板物品の支持テ−ブル |
JPS6232619A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-12 | Tokuda Seisakusho Ltd | シ−ト状材料の熱処理装置 |
JPS6254443A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-03-10 | F S I Japan Kk | ウエ−ハ等の乾燥方法および装置 |
JPS6247132U (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-23 |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP10623982A patent/JPS58223340A/ja active Pending
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