JPH06236844A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH06236844A
JPH06236844A JP4327893A JP4327893A JPH06236844A JP H06236844 A JPH06236844 A JP H06236844A JP 4327893 A JP4327893 A JP 4327893A JP 4327893 A JP4327893 A JP 4327893A JP H06236844 A JPH06236844 A JP H06236844A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理体の処理熱の温度分布の均一化が図れ
ると共に、排気流による熱影響の解消を可能にする処理
装置を提供する。 【構成】 ウエハWを載置する載置台2と、この載置台
2を介してウエハWに熱を供給する発熱体3とをエアギ
ャップ4を介して平行に配置する。載置台2の下面に装
着されて発熱体3の上面を転動する転動ローラ5と、載
置台2の外周面に接触する伝達ローラ7及び案内ローラ
6によって載置台2を平行面上に回転可能に支持する。
伝達機構8を介してパルスモータ9と伝達ローラ7とを
連結し、パルスモータ9からの回転駆動を載置台2に伝
達する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、載置台上に載置され
る被処理体に熱を供給して処理を行う処理装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、フォトリソグラフィー技術を用いて回路パターン
を縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理す
ると共に、適宜熱処理を施している。
【0003】このような処理を行う場合、図10に示す
処理システムが使用されている。この処理システムは、
被処理体としての半導体ウエハW(以下にウエハとい
う)を搬入・搬出するローダ部40と、ウエハWをブラ
シ洗浄するブラシ洗浄装置42と、ウエハWを高圧ジェ
ット水で洗浄するジェット水洗浄装置44と、ウエハW
の表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置46
と、ウエハWを所定温度に冷却する冷却処理装置48
と、ウエハWの表面にレジストを塗布するレジスト塗布
装置50と、レジスト塗布の前後でウエハWを加熱して
プリベーク又はポストベークを行う加熱処理装置52及
びウエハWの周縁部のレジストを除去するレジスト除去
装置54等を一体的に集合化して作業効率の向上を図っ
ている。
【0004】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路56が設けら
れ、このウエハ搬送路56に各装置40〜54が正面を
向けて配設され、ウエハ搬送体58が各装置40〜54
とウエハWの受け渡しを行うためにウエハ搬送路56上
を移動し得るようになっている。
【0005】上記加熱処理装置52は、ウエハ搬送路5
6側に向く開口部52Aを有する多数の加熱処理装置5
2が多段に積み重なった1つのブロック体として設けら
れ、かつ複数のブロック体が並設されている。そして、
各加熱処理装置52は、例えば図11及び図12に示す
ように、ウエハWを載置する載置台である熱板60と、
熱板60を介してウエハWに熱を供給する発熱体62
と、熱板60の上方に処理空間64を形成すべく配置さ
れると共に、加熱処理時に発生するガスを排気するカバ
ー部材66及び熱板60及び発熱体62に穿設された貫
通孔68を挿通してウエハWを熱板60上で受け渡しす
る支持ピン70とで主要部が構成されている。この場
合、図11に示す加熱処理装置52においては、支持ピ
ン70を固定し、熱板60と発熱体62を昇降シリンダ
72のピストン74にて昇降可能にして、支持ピン70
を熱板60上に出没可能に形成している。一方、図12
に示す加熱処理装置52においては、熱板60及び発熱
体62を固定し、支持ピン70を支持ピン昇降用シリン
ダ76のピストン78に連結して熱板60上に出没可能
に形成されている。なお、図12において、熱板60の
外周部には筒状のシャッタ80が昇降可能に配設されて
おり、このシャッタ80はシャッタ昇降用シリンダ82
のピストン84に連結されて、処理空間64を外部から
区画し得るようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の加熱処理装置においては、熱板60と発熱体6
2とが接触した一体構造であるため、発熱体62近傍の
温度が高くなり熱板60表面の温度分布精度が十分でな
く、ウエハWの面内膜厚精度が低下するという問題があ
った。また、図12に示す加熱処理装置においてはシャ
ッタ80によってある程度の排気流による影響を解消す
ることができるが、排気流の分布状態が偏り固定化する
と、この排気流によるウエハWへの熱影響によってウエ
ハW表面の膜厚精度が低下するという問題がある。更に
は、熱板60と発熱体62とが一体であるため、熱板6
0のクリーニングやメンテナンス性が悪いという問題も
あった。
【0007】上記問題を解決する手段として、例えば図
13に示すように、熱板60と発熱体62との間に熱伝
導の大きな金属球86を介在させて熱板60を回転軸8
8によって回転することにより排気流の均一化を図れる
ようにしたものが考えられているが(実開昭57−84
738号公報参照)、この構造のものは金属球86の部
分が高温になり、温度分布が不均一になり易いという問
題があり、また熱板60のクリーニングやメンテナンス
性が悪い。また、図14に示すように、熱板60と発熱
体62との間にスペーサ90を介在させて空間92を設
けて熱板60の温度分布の向上を図れるようにしたもの
が考えられているが(実開平3−120028号公報参
照)、この構造のものは熱板60が回転しないため、熱
板60の上方の排気流の熱影響を受け易いという問題が
ある。
【0008】したがって、この種の加熱処理装置におい
て、熱板表面の温度分布の均一化、排気流による熱影響
の解消、かつ熱板のクリーニング及びメンテナンス性の
向上が望まれているのが現状である。
【0009】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の処理熱の温度分布の均一化が図れると共
に、排気流による熱影響の解消を可能にすることを第1
の目的とし、また、熱板のクリーニング及びメンテナン
ス性の向上を図れるようにすることを第2の目的とする
処理装置を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体を載置する載置台
と、この載置台を介して上記被処理体に熱を供給する発
熱体とを具備する処理装置を前提とし、上記載置台と発
熱体とを適宜間隔をおいて平行に配置し、上記載置台を
平行面上に回転可能に形成すると共に、回転駆動手段に
連結してなるものである。
【0011】この発明において、上記載置台と発熱体と
は間隔をおいて平行に配置されていれば、間隔は任意で
よいが、好ましくは間隔は可及的に狭い方がよい。ま
た、上記載置台は発熱体との平行面上を回転するもので
あれば、回転駆動手段との連結形態は任意でよいが、好
ましくは載置台と回転駆動手段とを着脱可能に形成する
と共に、載置台を発熱体側から取り外し可能に形成する
方がよい。また、上記回転駆動手段は、例えば駆動源で
あるモータからの駆動をギア、ローラあるいはベルトや
チェーン等の伝達機構を介して載置台の外周に係合する
ローラやギアを回転するもの、あるいは、モータの駆動
軸を直接載置台に係合させて回転させるものなどを使用
することができる。
【0012】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、被処理体を載置する載置台と発熱体とを適宜間
隔をおいて平行に配置すると共に、回転駆動手段によっ
て載置台を平行面上に回転することにより、載置台は回
転しながら発熱体からの熱をエアギャップを介して伝達
されるため、温度分布が均一となり、被処理体の面内温
度分布精度を向上することができる。また、載置台上に
載置される被処理体も載置台と同時に回転するため、被
処理体上方の気流による熱的影響が均一となり、処理精
度の向上を図ることができる。
【0013】また、載置台と回転駆動手段とを着脱可能
に形成すると共に、載置台を発熱体側から取り外し可能
に形成することにより、載置台を回転駆動手段及び発熱
体から取外してクリーニングすることができると共に、
保守・点検等を行うことができる。
【0014】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を図10に
示した半導体ウエハの塗布現像装置に使用される加熱処
理装置に適用した場合について説明する。
【0015】◎第一実施例 図1はこの発明の第一実施例の加熱処理装置の概略斜視
図、図2は加熱処理装置の要部平面図、図3は図2のA
−A断面図が示されている。
【0016】実施例の加熱処理装置は、ほぼ矩形状に形
成される筐体1内に、被処理体であるウエハWを載置す
る載置台2と、載置台2を介してウエハWに熱を供給す
る発熱体3とを微小間隔4(具体的には約0.5mmのエ
アギャップ)を設けて互いに平行に配置してなる。この
場合、載置台2は円盤状の熱伝導性の良好なアルミニウ
ム合金にて形成されており、その同心円上の4箇所の下
面に設けた凹部内に回転可能な転動ローラ5が装着され
ており、これら転動ローラ5が発熱体3の上面を転動し
得るようになっている。また、載置台2の外周面には2
つの案内ローラ6と、回転駆動伝達用の伝達ローラ7が
それぞれ円周方向に120°の等間隔で接触して、載置
台2を発熱体3と平行面上で回転可能に支持している。
したがって、載置台2は転動ローラ5によって垂直方向
が支持され、案内ローラ6と伝達ローラ7によって水平
方向が回転可能に支持されている。
【0017】そして、伝達ローラ7は、伝達機構8を介
して回転駆動源であるパルスモータ9と連結されて、パ
ルスモータ9からの回転駆動を載置台2に伝達し得るよ
うになっている。この場合、伝達機構8は、伝達ローラ
7を装着してベアリング8aによって回転可能に支承さ
れる伝達軸8bに装着される従動側プーリ8cと、パル
スモータ9の駆動軸9aに装着される駆動側プーリ8d
と、これらプーリ8c,8dを連結する伝達ベルト8e
とで構成されている。なお、案内ローラ6、伝達ローラ
7及び伝達機構8を構成する各部材は、断熱性を有する
合成ゴムや合成樹脂等にて形成されている。
【0018】上記発熱体3は、熱伝導性の良好なアルミ
ニウム合金にて形成される一対の円盤状の上板3aと下
板3bとの間に面状ヒータ3cを介在したサンドイッチ
構造となっている。なお、発熱体3は必ずしもこのよう
なサンドイッチ構造である必要はなく、例えば発熱体本
体内にヒータをドーナツ状に埋設した構造のもの、ある
いは遠赤外線ヒータを用いたものなどにて形成すること
ができる。
【0019】上記のように構成される載置台2と発熱体
3の共通の同心円上の3箇所にはそれぞれ貫通孔10が
穿設されており、これら貫通孔10内にウエハ受け渡し
用の支持ピン11が挿通し得るようになっている。この
場合、支持ピン11は支持ピン昇降用シリンダ12のピ
ストン12aに連結されて発熱体3及び載置台2の貫通
孔10を貫通してウエハWの支持・受け渡しを行うよう
になっている。
【0020】なお、載置台2の上面にはウエハWと載置
台2との接触を避けるためのスペーサ13が円周方向に
6つ設けられている。このスペーサ13は、図4に示す
ように、扁平小判形のセラミックス製の板部材にて形成
されており、このスペーサ13の一端側に穿設された取
付孔13aにカラー14を介して貫通する取付ねじ15
を載置台2の上面に刻設されたねじ孔16にねじ込むこ
とによって載置台2上に装着される。
【0021】また、載置台2の外周側の下端には、載置
台2と発熱体3の貫通孔10を合致させるための断面逆
L字状の検出片17が垂下されており、この検出片17
の有無を原点位置検出センサ18によって検出し得るよ
うになっている。したがって、原点位置検出用センサ1
8によって検出片17の存在を検出し、その信号をパル
スモータ9に伝達して、パルスモータ9を停止すること
によって載置台2と発熱体3の貫通孔10が合致し、支
持ピン11の昇降が可能となる。なお、載置台2の外周
には接触式の温度センサ19が配置されており、この温
度センサ19によって載置台2の加熱温度を測定及び制
御することができるようになっている。あるいは、発熱
体上板3aと載置台表面の温度差が予め判明していれ
ば、上板3aに温度センサーを埋込み、上板3aの温度
測定により間接的な制御も可能である。また、載置台2
の外周側には、回転駆動機構部を覆うと共に、エアギャ
ップ4内の空気が外部に漏れるのを防止するためのカバ
ー1bが設けられている。
【0022】一方、上記筐体1の上部には、筐体1の上
部に設けられた凹状部1aと共働して処理室20を形成
するカバー部材21が配置されている。このカバー部材
21には排気通路22が設けられると共に、側部には排
気孔23が設けられており、熱処理時に発生する処理室
20内のガスを排気通路22及び排気孔23を介して吸
引排気し得るようになってる。また、筐体1の側部にも
同様の目的で排気通路22aと排気孔23aが設けられ
ている。
【0023】また、筐体の一側の上部には、係合片24
が突設されると共に、この係合片24から水平に水平係
合ピン25が突設され、他側の上部には係合溝26が設
けられている。これら水平係合ピン25と係合溝26
は、それぞれ上段に位置する加熱処理装置の筐体1の底
部端部に設けられた係合段部27又は垂直係合ピン28
と係合し得るようになっている。
【0024】なお、載置台2の周囲には多数の通気用の
小孔29aを穿設した筒状のシャッタ29が図示しない
シャッタ昇降用シリンダによって昇降可能に配設されて
おり(図1参照)、このシャッタ29によってウエハW
の熱処理時に処理部と外部とが区画されるようになって
いる。
【0025】次に、上記のように構成された加熱処理装
置の動作について説明する。まず、図1に示すように、
ウエハ搬送体58によって載置台2の上方に搬送された
ウエハWは上昇した支持ピン11に受け渡され、支持ピ
ン11の下降によって載置台2の上面のスペーサ13上
に載置される。次に、シャッタ29が上昇して処理部と
外部が区画され、この状態でパルスモータ9が駆動して
伝達機構8を介して伝達ローラ7を回転すると共に、伝
達ローラ7に接触する載置台2を水平方向に回転する。
そして、発熱体3からの熱がエアギャップ4を介して載
置台2に伝達され、載置台2の上面からウエハWに伝達
される。したがって、発熱体3自身に内面温度の不均一
があったとしても、エアギャップ4により鈍化され、ま
た、載置台2が回転しているために加熱が曲部的に集中
することなく分散されることになり、発熱体3から載置
台2を介してウエハWに伝達される熱の温度分布は均一
となる。また、ウエハWは載置台2と共に水平方向に回
転するので、排気流に偏りがあったとしても局部的に強
く影響を受け続けることはなく、ウエハW全体にわたっ
て時々刻々影響を受ける場所が移動するため、処理時に
発生するガスの排気流の偏った熱的影響を受けることな
く、均一に加熱処理され、ウエハW表面に塗布されるレ
ジストの膜厚を均一にすることができる。
【0026】処理後に載置台2をクリーニングあるいは
交換や点検・修理する場合には、伝達ローラ7及び案内
ローラ6に沿わせて載置台2を上方に持ち上げて、載置
台2をパルスモータ9及び伝達機構8との連結を解除す
ると共に、発熱体3から取り外せばよい。なおこの場
合、伝達ローラ7及び案内ローラ6に常時載置台2側に
弾性力を付勢するばね(図示せず)を設け、載置台2の
取り外し時にはこのばねの弾性力に抗して載置台2を取
り外すようにすれば、処理時の載置台2の回転を確実に
することができる。また、伝達ローラ7及び案内ローラ
6を載置台2との接触位置と非接触位置に切換可能に形
成することにより、載置台2の取り外しを容易にするこ
とができる。
【0027】◎第二実施例 図5はこの発明の第二実施例における加熱処理装置の要
部平面図、図6は図5のB−B断面図、図7は図5のC
−C断面図が示されている。
【0028】第二実施例における加熱処理装置は、載置
台2と発熱体3とを接触させることなくエアギャップ4
を介して平行に配置して、更に温度分布精度の向上と載
置台2の取り外しの容易化を図れるようにした場合であ
る。すなわち、発熱体3の側面に取付けられた断熱性を
有する軸受31に回転軸32を支承し、この回転軸32
に装着される垂直・水平案内ローラ30に90°のV溝
30aを設け、このV溝30a面に載置台2の下端隅角
部2aを接触支持させることにより、上記第一実施例の
転動ローラ5を用いずに載置台2の垂直方向及び水平方
向を支持できるようにした場合である。
【0029】したがって、第二実施例に示す加熱処理装
置においては、載置台2と発熱体3自身とは全く接触す
る部分がなく、発熱体3からの熱をエアギャップ4を介
して載置台2に伝達することができるので、熱の温度分
布精度の向上が図れ、ウエハW表面に塗布されるレジス
トの膜厚を更に均一にすることができる。また、載置台
2を取り外す場合には、載置台2と垂直・水平案内ロー
ラ30との接触による垂直方向の抵抗が少ないので、大
きな力を要することなく、載置台2を上方に持ち上げる
だけで、載置台2を取り外すことができる。
【0030】なお、第二実施例において、伝達機構8に
駆動ギア8fと従動ギア8gを用いた以外は上記第一実
施例と同様であるので、同一部分には同一符号を付し
て、その説明は省略する。また、第二実施例において、
垂直・水平案内ローラ30の1つを伝達ローラとして使
用することができ、このように構成することにより、加
熱処理装置の構造を簡略化することができると共に、載
置台2の取り外しを更に容易にすることができる。
【0031】◎第三実施例 図8はこの発明の第三実施例の加熱処理の要部断面図、
図9は第三実施例における載置台2と発熱体3の分解斜
視図が示されている。
【0032】第三実施例における加熱処理装置は、載置
台2の回転駆動手段の更に別の実施例を示した場合であ
る。すなわち、パルスモータ9の駆動軸9aの上端部
に、例えば断面が四角形等の非円形の連結部33を設
け、この連結部33を載置台2の下面中心位置に設けら
れた四角孔34に摺動可能に嵌合させるようにした場合
である。このように構成することにより、パルスモータ
9からの回転駆動を駆動軸9aから直接載置台2に伝達
することができるので、伝達機構8を設ける必要がなく
なり、装置の小型化を図ることができる。また、載置台
2を取り外す場合は、載置台2を持ち上げて四角孔34
と連結部33との係合を解けばよい。なおこの場合、処
理時にパルスモータ9に生じる熱を載置台2側に伝達し
ないように、又は、載置台2の熱がパルスモータ9に伝
達しないように駆動軸9aを断熱性部材にて形成してお
く方が望ましい。更に、長軸、ギヤ、耐熱ベルトを使用
してもよい。また、載置台2の支持を安定にするために
は、上記第二実施例で使用した垂直・水平案内ローラ3
0を用いればよい。なお、第三実施例において、その他
の部分は上記第一実施例及び第二実施例と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略す
る。
【0033】上記実施例では、この発明の処理装置を半
導体ウエハの塗布現像装置に適用した場合について説明
したが、被処理体は必ずしも半導体ウエハである必要は
なく、例えばガラス基板やLCD基板、セラミックス基
板、CD等であってもよく、また、塗布現像装置以外の
加熱処理装置にも適用できることは勿論である。更に、
載置台2の回転駆動手段の駆動源としてパルスモータ等
のモータの他に、渦電流を利用したもの、超音波モー
タ、リニアモータ等を利用してもよい。
【0034】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置は、上記のように構成されているので、以下のよう
な効果が得られる。
【0035】1)請求項1に記載の処理装置によれば、
被処理体を載置する載置台と発熱体とを適宜間隔をおい
て平行に配置すると共に、回転駆動手段によって載置台
を平行面上に回転するので、載置台表面の熱の温度分布
が均一となり、被処理体の面内温度分布精度を向上する
ことができる。また、載置台上に載置される被処理体も
載置台と同時に回転するので、被処理体上方の気流によ
る熱的影響が均一となり、処理精度の向上を図ることが
できる。
【0036】2)請求項2に記載の処理装置によれば、
載置台と回転駆動手段とを着脱可能に形成すると共に、
載置台を発熱体側から取り外し可能に形成するので、載
置台のクリーニングの容易化が図れると共に、メンテナ
ンス性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の処理装置の第一実施例の概略斜視図
である。
【図2】第一実施例の処理装置の要部平面図である。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】この発明における案内ローラとスペーサを示す
分解斜視図である。
【図5】この発明の第二実施例の処理装置の要部平面図
である。
【図6】図5のB−B断面図である。
【図7】図5のC−C断面図である。
【図8】この発明の第三実施例の処理装置の要部断面図
である。
【図9】第三実施例における載置台と回転駆動手段との
連結構造を示す分解斜視図である。
【図10】この発明の処理装置を適用する処理システム
を示す斜視図である。
【図11】従来の処理装置の要部断面図である。
【図12】従来の別の処理装置の要部断面図である。
【図13】従来の更に別の処理装置の要部断面図であ
る。
【図14】従来の更に別の処理装置の要部断面図であ
る。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(被処理体) 2 載置台 2a 下端隅角部 3 発熱体 4 エアギャップ(間隔) 5 転動ローラ 6 案内ローラ 7 伝達ローラ 8 伝達機構 9 パルスモータ(回転駆動源) 30 垂直・水平案内ローラ 33 連結部 34 四角孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を載置する載置台と、この載置
    台を介して上記被処理体に熱を供給する発熱体とを具備
    する処理装置において、 上記載置台と発熱体とを適宜間隔をおいて平行に配置
    し、 上記載置台を平行面上に回転可能に形成すると共に、回
    転駆動手段に連結してなることを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 載置台と回転駆動手段とを着脱可能に形
    成すると共に、載置台を発熱体側から取り外し可能に形
    成してなることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000243687A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Tokyo Electron Ltd 基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法
JP2002270493A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 被処理体の加熱処理装置及びその排気方法
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JP2008016768A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2008112980A (ja) * 2006-09-21 2008-05-15 Toshiba Corp 改善された温度均一性で半導体ウェハを加熱する装置及び方法

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