JPS58186B2 - チツプをパツケ−ジする装置 - Google Patents

チツプをパツケ−ジする装置

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JPS58186B2
JPS58186B2 JP54146610A JP14661079A JPS58186B2 JP S58186 B2 JPS58186 B2 JP S58186B2 JP 54146610 A JP54146610 A JP 54146610A JP 14661079 A JP14661079 A JP 14661079A JP S58186 B2 JPS58186 B2 JP S58186B2
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laser
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chips
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International Business Machines Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は金属加工装置、更に具体的に云えば、集成体
を修正する為に取替えられる集積回路を電気回路に組込
む装置に関する。
はんだボール・パッケージを使うＬＳＩ多重チップ・パ
ッケージを再加工する時、従来、不良チップを除去する
には、古いチップを引きはがし又は切取り、残っている
はんだを機械的に拭い取り、取替え用のチップを挿入し
、パッケージ全体を、ことととくのチップを含むパッケ
ージ全体の加熱を伴う標準的なはんだ再流動化用加熱に
かけている。
再熱作用が取替えなかったチップにとって有害であるこ
とが実証されているので、多くの場合、これは望ましく
ない。
米国特許第３７３５９１１号には、赤外線熱を発生する
炎加熱装置が記載されている。
この装置は赤外線温度感知装置を含んでいて、チップの
温度が許容値を越えた後、炎を消すことにより、加熱さ
れたチップの温度を制御する。
米国特許第３４０２４６０号には、導線並びにこの導線
を結合しようとする露出したＰ型又はＮ型区域をレーザ
で直接加熱することが記載されている。
レーザ・ビームが半導体装置の導線及びドープされたシ
リコン領域に直接的に達し、導体を加熱してそれをシリ
コンと融着する。
レーザの波長は１０６００Å（ネオジウム・レーザ）に
選ばれ、シリコンの吸収係数が比較的小さいシリコンの
臨界的な波長である１１０００Å近くの光を発生して、
レーザ・ビームのエネルギがシリコンを通過してシリコ
ン・チップの表面に集中せず、この熱がウェーハの表面
に集中する代りにウェーハの中に深く入り込むことによ
って、熱による損傷を避ける様にする。
米国特許第３６１４８３２号には、レーザによって導線
をチップに溶接することが記載されている。
この為、ビームをチップの上側に向け、鉛９０％錫１０
％のはんだを用いるはんだ再流動化方法により、導電条
片２１、導線１３及び金属接点１７を結合する。
この場合、導線及び接点は予め錫のはんだで被覆されて
いる。
レーザの種類は記載されていない。
米国特許第３９７０８１９号には、半導体チップの裏側
をレーザで加熱して、チップの破壊強さを小さくしてお
いて、チップ上の個々の装置を個別のチップに分離する
ことが出来る様にしている。
米国特許第３９３４０７３号には、導線をチップ上のラ
ンドに結合する為にレーザを使う方法が記載されている
。
違いは、導線が硝子基板の上に支持されていて、レーザ
・ビームを硝子を介して導線に照射しなければならない
ことである。
コラッド（Ｋｏｒａｄ）・ルビーの赤色レーザを使って
いる。
不透明な基板や、チップの裏側に適用することについて
は何も記載されていない。
米国特許第３４３５１８６号は、物体の裏側をレーザで
加工する点で関係があるが、基板は透明であり、被覆は
不透明である。
米国特許第３４８５９９６号には、透明な基板にレーザ
光を通して、金属化部分を加熱し、それを基板及びチッ
プ上のランドに溶接することが記載されている。
ビームが入射した金属が金であるかアルミナルであるか
に基づいて、レーザの帰還制御をしている。
ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ
Ｂｕｌｌｅｔ−ｉｎ誌２０．３９０８−９（１９７８年
３月号）所載のＬｅｖｅｒの論文’ Ａｐｐｌｙｉｎｇ
Ｒａｄｉａｎｔ Ｈｅａｔ ｔｏ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ
”には、白熱光源とチップとの間にフィルタを使うこと
により、又は可視範囲或いは近赤外線範囲のレーザの様
な源を使うことにより、１．１ミクロン未満の波長の放
射源からの光で、基板の裏側を溢光することが記載され
ている。
ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ
Ｂｕｌｌｅｔｉｎ誌２０、第８号、３２１６−３２１
７（１９７８年１月号）所載のり、Ｇｉａｃｏｍｏ他の
論文’Ｐｒ−ｅｖｅｎｔｉｏｎ ｏｆ Ｌａｎｄ
０ｐｅｎｓ Ｄｕｒｉｎｇ Ｉｎｆｒ−ａｒｅｄ
Ｒｅｗｏｒｋ ｏｆ Ｃｈｉｐｓ ”では、放射源を
用いてチップを加熱している。
スペクトルの内、１ミクロンより上の部分を沢光して、
０．２５乃至１ミクロンのスペクトルだけがチップを照
射する様にしている。
この発明は空気を抜いた室内で行われる。
その後、室に不活性ガスを充填して、はんだ並びにパッ
ドの酸化を防止すると共に、はんだづけ過程で使われる
融剤の炭化並びに破損を防止する。
この過程は工作物に容易に接近出来ない様な密閉した密
封室内で行われるから、自動化方法によって効率を最大
にする。
取替える必要があるのは成るチップだけであり、幾つか
のチップを担持するパッケージを高い温度に加熱すると
、チップを損傷する惧れがあるので、この発明が、基板
パッケージ上にある近隣のチップを不当に加熱せずに、
個々のチップを所定位置にはんだづけ出来る位の温度に
加熱することが出来る様な方法を提供することが、この
発明の重要な利点である。
更に、この方法は、チップの下面が回路及びはんだボー
ルを担持している時、放射をシリコン・チップ等の上面
に向ける時、赤外線よりも実質的に短い波長を持つ光源
を使って加熱することにより、チップの損傷が少なくな
るという知見を取入れている。
シリコンは短い波長に対して不透明であるから、放射は
チップの上面によって吸収され、そこで直接的に熱に変
換され、下側の回路の金属化部分、トランジスタ及び又
はその他の素子を保護する。
具体的に云うと、所定のチップの表面区域に局限した、
波長の短いアルゴン・イオン・レーザのビームを、チッ
プの所定位置にはんだづけしようとする上面（裏面）に
向ける。
レーザ光がチップの上面によって吸収され、チップのシ
リコンを透過しない。
シリコンは、１１０００Åが臨界的な波長であり、この
時シリコンの吸収係数は非常に小さい。
光は、シリコンが不透明に見える様な波長、即ち吸収係
数が非常に高くなる波長を持つ様に運ばれる。
所望の波長特性を持つ大形の非干渉性光源がこれ迄に確
認されていないので、温度監視装置によってその強度を
制御することの出来るレーザの様な干渉性光源が好まし
い源である。
第１図では、円筒形の真空室１０の中に、セラミックの
基板パッケージ１２を担持する工作物支持体１１が収容
されている。
複数個の多重回路チップ１４がセラミックの基板パッケ
ージ１２上に支持されている。
取替え用のチップ１４を普通のはんだボール１５により
、パッケージ１２上の導電性接触パッドに電気的並びに
機械的に固定しようとするものである。
再加工という名前で知られている方法では、不良のチッ
プ１４が、そのチップを切取り又は引離すことによって
、パッケージ１２から除去され、パッドに残っているは
んだを拭い取るが、これは従来周知である。
この発明は、取去ったチップの代りに、同じ特性を持つ
が欠陥のない新しいチップを設ける方法に関する。
パッケージ１２に結合しようとするチップ１４はその下
にはんだボール１５及び融剤を持っているが、前に説明
した様に、これは酸化しない様に保護しなければならな
い。
この為、チップ１４及びパッケージ１２を結合する前に
、室１０の側壁に設けた開口２２を通る導管２１に接続
した粗真空ポンプ１９及び拡散ポンプ２０によリ、円筒
形の真空室１０を真空にひく。
その後、はんだボール１５、パッド及び融剤をそれらが
加熱されている間保護する為に、弁６２及び配管６１を
介して、アルゴン、窒素、水素、ネオン、キセノン、ク
リプトン、ヘリウム又はその混合物の様な不活性ガスを
室１０に充填する。
第１図では、３つのチップ１４が示されているが、これ
は１列に配置された多数のチップを表わすものであり、
この紙面の奥の方に何列ものチップがある。
中心のチップ１４が、四角のチップ１４に対する断面が
四角のレーザ・ビーム３１からの熱によって、パッケー
ジ１２に結合しようとするチップである。
（形の異なるチップは適当な形のビームによって加熱さ
れる。
）ビーム３１の源はレーザ２６である。
これは、４７５９乃至５１４５Åの波長のエネルギを放
出するアルゴン・イオン・レーザであることが好ましい
。
こういう波長は非常に短いので、シリコン基板を持つチ
ップ１４はこういう波長では約１．５ × １０４ｃｍ
−１の大きな吸収係数を持つ。
つまり、レーザ・ビーム３１の入射エネルギ全体が、チ
ップ１４の厚さの最初の１０ミクロン以内で吸収される
。
チップ１４は基板の厚さが数百ミクロンであるから、チ
ップの下面にある回路は、チップ１４のシリコンのエネ
ルギ吸収容量が大きいことにより、過熱しない様に保護
される。
レーザ・ビーム３１の形の為、並びにチップ１４の上面
で熱が吸収され、そこから熱が、チップが薄いので、下
面へ非常に敏速に伝わるので、チップ１４は比較的一様
に加熱される。
前に述べた様に、レーザ・ビーム３１の形はチップ１４
の上面の形に合せである。
四角のチップでは、四角のビーム３１を投射する。
レーザ２６からのビーム２９は四角ではなく、従って普
通のレーザ反射鏡に見られる様なありふれたガウス形強
度変化を持っていない。
その代りに、レーザ２６を出て行くビーム２９は円柱形
であって、ビームの断面の何処でも比較的一様な強度で
ある。
これは、レーザ２６内でレーザ光源の両端で普通の鏡の
代りに一層口の鏡（反射器）を使い、後側鏡を１００％
反射性にすると共に、前側鏡を約８５％反射性にするこ
とによって達成される。
鏡の間の距離が焦点距離の２倍に等しい共焦点形式にす
ることが好ましい。
鏡３０が円柱形のビーム２９を受取って、それを四角の
形でチップ１４上へ反射する様に配置される。
鏡３０はビーム積分器であり、これが円形ビーム２９を
四角のビーム３１に変換する。
矩形のチップ１４の場合、鏡３０が略一様な断面強度を
持つ矩形のビームを発生する。
鏡３０からのビームが透明窓１６（弗化カルシウム又は
硝子）を通ってチップ１４へ通過する。
窓１６は、ナツトとボルト１８によってフランジ１９に
固定された環状の金属枠１７によって締付けられている
。
赤外線の光が室の窓１６の外側にある感知装置に通過し
なければならない場合、弗化カルシウムの窓１６を使う
。
窓１６が、真空装置で普通便われる種類の普通の弾性Ｏ
リング封じ９により、フランジ１９に封着される。
ビーム３１の内の実質的な光量がチップ１４から鏡３２
に反射される。
鏡３２は平担な鏡であることが好ましく、その光をチッ
プ１４に再び反射して、エネルギの節約をする。
使う全ての鏡は、使われるレーザ周波数で高度の反射性
でなければならない。
レーザ２６、レーザ・シャッタ２７、鏡３０及び鏡３２
は、図に示していないが、当業者の周知の手段により、
いずれも堅固に支持されている。
室１０及び真空ポンプ１９．２０は、所望の特定チップ
１４がビーム３１の下に来る様に、ねじ駆動装置とのク
ランク接続により、互いに直角なｘ及びｙ方向に独立に
水平移動が出来る様に摺動自在に支持された台（図に示
してない）の上に支持されている。
レーザ・シャッタ２７がビーム２９を遮っている時、所
望のチップをビーム３１と揃えるのに必要な位置へ、室
１０を動かすことが出来る。
次にシャッタ２７を（図示の様に）開き、チップ１４を
加熱して、パッケージ１２にはんだづけすることが出来
る様にする。
チップ１４の最高温度は、レーザ・ビーム３１が上面に
向けられた時、その上面で発生する。
この発明の別の一面として、チップ１４の上面の温度を
赤外線放射計又は検出器３６（バーンズ・エンジニアリ
ング社から入手し得る形式のもの）で監視する。
検出器３６は、プロセスの所望の温度を検出するのに適
した赤外線波長範囲内の適当な波長で最大感度を有する
。
検出器３６が温度の関数として変化する出力信号を発生
し、この信号がケーブル３７を介して帰還制御装置３８
に供給される。
帰還制御装置がケーブル３９を介してレーザ２６に接続
される。
装置３８は、工業用の制御に使うのに適したユーロファ
ーム・コントローラの様に、予定の温度分布を発生する
様にプログラムすることが出来、これによってレーザ２
６の出力強度を調節する。
温度分布は第２図に示す様になり、この温度分布は、熱
衝撃を避ける為に、はんだボール１５の融点より高い温
度まで図示の様に上昇する。
上側レベルははんだボール１５の融点より２０乃至５０
℃高い。
従って、チップ１４が所望の温度まで自動的に加熱され
る。
この温度は、レーザ・ビーム３１の強度並びに持続時間
の関数として変化する。
装置３８は後で第３図について説明する。
図示のビーム３１がチップ全体を覆う位に拡がっている
場合、はんだボール１５の場所がチップ１４の表面にわ
たって不規則である時には、その下にはんだボール１５
がある様なチップの成る領域だけに向けることの出来る
ペンシル形の細いレーザ・ビーム（第４図参照）を使う
方がよい。
この場合、はんだボール１５を加熱する為に、チップ１
４全体を加熱する必要はない。
更に、発明者がチップの温度の赤外線写真をサーモグラ
フ式に解析したところ、加熱される区域の下にはんだボ
ールがない区域では、チップに相当の熱の蓄積が生じ、
望ましくないことが判った。
勿論、はんだボール１５は、チップの下面から熱を逃が
すすぐれた放熱部になる。
更に、チップに沿った横方向の熱伝達は、薄いチップ１
４を通抜ける向きの熱伝達に較べると、相対的にずっと
遅い。
この場合、レーザ・ビームは計算機の制御の下に回転及
び走査鏡３０を操作して、チップを高速で走査する様に
し、薄膜レジストの露出や電子ビームによる加工に使わ
れる電子ビーム走査装置の場合と同様に、所望の区域だ
けに達する様にしなければならない。
この為、熱を必要とする区域だけが熱を受取る。
こういう実施例では、はんだを溶かし、チップ１４をパ
ッケージ１２と結合された最終位置へ移動させる位にチ
ップを加熱するまでには、チップ１４を何回か走査する
ことが必要である。
工作物支持体１１が、パッケージ１２の底部にあるピン
５１を受入れる孔５０を備えた上側の銅ブロック４２を
含む。
ブロック４２及びブロック４１の間に加熱コイル４０が
挾み込まれている。
レーザ・ビーム３１を加える前に、コイル４０を使って
パッケージ１２を約２００乃至２５０℃に加熱し、はん
だボール１５を溶かすのに必要なビーム３１の熱量を小
なくする。
こうするとチップ１４及びパッケージ１２の熱衝撃が低
下する。
ブロック４１及び４２（熱伝導をよくする為に銅で構成
される）は、銅ろう及び適当な融剤によって一緒にろう
づけする。
その中にあるコイル４０は、絶縁層によって銅及び銀か
ら電気的に保護される。
ブロック４２は、冷却剤を充填した冷却６部４３を設け
る為にくり抜いである。
６部４３が（図に示してない手段によって）相互接続さ
れると共に、ポンプ並びに放熱器に接続されることは、
周知の通りである。
冷却６部の冷却剤は、チップ１４及びパッケージが一緒
に結合された後、パッケージ１２を速やかに冷却する手
段になる。
ブロック４２には、パッケージ１２の底部から伸びるピ
ン５１と対応する場所に多数の孔５０がある。
ブロック４２とパッケージ１２との間の熱的な接触を最
大にする為に、この配置を用いる。
コイル４０が、交流電圧源４６、導線４５及びスイッチ
４４により、スイッチを閉じた時に電気的に加熱される
。
チップがレーザによって結合された時、スイッチ４４を
開き、６部４３に冷却剤を循環させる。
第２図について説明すると、時刻０からのチップの温度
変化は、約５乃至１５秒の初期期間Ｓ１の間、低い温度
Ｔ０から高い温度Ｔ１まで上昇する。
その後の２０乃至４０秒の期間ｔ１の間、温度はＴ１に
とどまる。
これは、大抵の場合、適切なはんだ接続を行うのに十分
な時間である。
その期間の後、期間Ｓ２の間、温度レベルＴ２まで下が
る。
その点で、チップははんだボール１５の融点より低くな
る様に冷却され、実真的にプロセスが完了する。
第３図は制御装置３８等のブロック図を示す。
前に赤外線放射計又は検出器と述べたチップ状態検出器
３６（第３図にも示す）は、レーザ・ビームによる加熱
の関数きして、チップ１４の状態を検出する任意の形式
の感知装置であってよい。
この検出器は、ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃ
ｌｏｓｕｒｅＢｕｌｌｅｔｉｎ誌２１、第６号、２５５
１−２（１９７８年１１月号）所載のＳ、１．Ｔａｎの
論文に記載される’ Ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌ Ｃｈｉｐ
Ｊｏｉ‐ｎｉｎｇ Ｍｏｎ１ ｔｏｒ “にすること
も考えられる。
これは、はんだが溶ける時のチップの動きを検出する為
に、検出器をｘ −ｙ配列に配置している。
制御装置３８が、始動スイッチ５１及び監視灯８０．８
２を持つプログラム制御器５０を含んでいる。
監視灯８０．８２は線６０．６２によって制御されるが
、第２図の加熱プログラムのサイクル進行中であること
を示している。
制御器５０が、線５２に信号を送出すことにより、手動
で調節し得る繰返しサイクル・クロック５３を始動させ
る。
クロック５３が設定点プログラム装置５７を付勢し、こ
のプログラム装置は前に述べた様に、５乃至１５秒の手
動で設定される期間の終りに、第２図の線Ｓ１に沿って
温度Ｔ１まで加熱する様に設定される。
温度Ｔ１が、プログラム装置５７の手動制御部によって
手動で設定される。
クロック５３からの線６５が、線Ｓ１に沿って加熱する
間、並びに温度Ｔ１が保たれる時間ｔ１の間、スイッチ
６４を介して線６３を比較器７２と接続する。
次にクロック５３が線５４をオフに転じ、プログラム装
置５７をその出発状態にリセットする。
時間ｔ１の後、クロック５３が線６５を遮断する時、リ
レー６４を開くことによってプログラム装置５７が比較
器７２から遮断されるが、設定点プログラム装置５９及
び線７１が付勢されて、ここで述べているプログラムの
最後の期間の間、Ｓ２に沿って温度Ｔ２まで冷却する間
、リレー７０を閉じて線６９を比較器７２に接続する。
クロック５３によって線５６がオフに転じ、プログラム
装置５９がリセットされるサイクルの終りまで、温度Ｔ
２がプログラム装置５９によって保たれる。
実際には、他の多数のプログラム・サイクルも同様に使
うことが出来るが、上に述べた所によって、比較器５２
を制御する為に、温度制御信号の一連の増加する値、一
定の値及び低下する値をどの様に発生するかが理解され
ると思われる。
比較器が検出器３６の出力を受取り、それを線６３又は
６９から比較器に入る現在の入力と比較する。
チップの温度が高すぎれば、線７４に出力が発生されて
出力制御器７５に対する信号が減少し、この出力制御器
がレーザ装置２６にあるレーザ電源に対する入力を調節
する。
他方、ケーブル３７の信号が比較器の他の入力６３，６
９の信号より小さいと判断すると、線７３の信号によっ
て、出力制御器７５からレーザ装置２６の電源に対する
入力が増加される。
第４図は、手動又は計算機（マイクロプロセッサ）の制
御によって、２つの鏡が交代的に駆動される様にした変
形鏡走査装置を含む様に第１図の構成を変更した場合の
部分平面図である。
窓１６（透明なので示してない）を通して見たパッケー
ジ１２の一部分を示しである。
パッケージ１２の上には幾つかのチップ１４があるが、
垂直方向にも水平方向にも、図に示した数よりずっと多
くてもよい。
ペンシル形の細いレーザ・ビーム２９が鏡３０′に向け
られることが示されている。
鏡３０′は垂直軸線の周りに若千傾いていて、ビーム３
１′を接近した別の鏡３０″へと右に向ける。
鏡３０″は紙面内の水平軸線の周りに若干上向きに、レ
ーザ・ビーム２９と平行に傾いており、この為２回反射
されたレーザ・ビーム３１′´が第１図の後側の列にあ
る右上のチップ１４に入る。
（第１図は断面図で、全てのチップが一直線上にある為
、後側の列は見ることが出来ない。
）鏡３０′を操作することにより、鏡３０″が固定され
たままでいれば、後側又は上側の列Ｂにある全てのチッ
プはこの列を横切って一直線状にＲ（右側）からＣ（中
央）を通ってＬ（左側）まで走査することが出来る。
他方、鏡３０′を一定位置に保つ場合、レーザを列Ｒに
沿って列Ｂから列Ｆ又はその他の希望する任意の列（図
に示してない）へ走査することが出来る。
一度に１つずつ又は両方を一緒に、鏡３０′及び鏡３０
″の両方を適当な順序で操作することにより１周知の計
算機プロッターの場合の様にＸ及びｙ方向の操作を組合
せて、直線並びに複雑な曲線を操作することが出来る。
鏡３０’（ｘ方向）を駆動する為、モータ８０を設け、
ケーブル８２及びスイッチ８６又は８８を介して計算機
８５又は手動制御装置９０に接続する。
同様に、鏡３０´´はモータ８１によって駆動される。
このモータがケーブル８３に接続され、それがスイッチ
８９又は８７を介して手動制御装置９０又は計算機８５
に接続される。
モータ８０，８１はスイッチ８８゜８９が閉じている時
は同期していて、プロセスを目で監視している操作員に
よって、手動制御装置９２．９３を廻すことが出来る様
にする。
この代りに、自動的なプロセス制御では、モータ８０゜
８１は歩進モータである。
いずれの組のモータも同じ軸に接続して、特定の形を持
つチップ１４の最適サイクルが得られる様に適正なプロ
セス制御を開発する様、又はマイクロプロセッサ８５に
制御情報を送込む代りに、手動制御によって１個のチッ
プを取外す場合、交代的に使うことが出来る。
勿論、一番簡単な制御方法は、３０’、３０”に接続さ
れた軸に設けたぎざつき輪（図に示してない）によって
、両方の鏡を廻すことである。
走査は１秒未満の内に行うべきであり、チップ１４の下
にある各列のはんだボール１５を加熱するに必要な線に
沿って繰り返すべきである。
この為、最も効率のよい方法は、計算機８５の力を借り
て走査することであり、こうすれば、歩進モータ８０゜
８１を極めて高速に駆動することが出来る。
この発明は、チップに対する浸透深さを最小限にする様
にレーザ周波数を選ぶことが出来る点で有用である。
更に、便利な距離からエネルギをチップに送込むのが容
易であり、その為種々の監視装置を、妨げなくチップの
近くに配置することが出来る。
レーザに代る熱源として、種々の非干渉性エネルギ源及
び他の干渉性エネルギ源を試してみたが殆んど成功しな
かった。
従来、写真用投影バルブが使われているが、監視するこ
とか出来ない程近づけなければならないので、エネルギ
・レベルの必要な制御が不可能であった。
ミニ酸素水素炎を使ってみた。
キセノン・アーク灯は１０ＫＷを使うが、それを小さな
孔に集束しなければならないし、フィルタ作用によって
更に強度が下がるので、不適切である。
この問題に対してレーザを首尾よく使う為には、適当な
正確の数多くの因子を組合せて、ここに説明した装置の
有用性を達成する必要がある。
紫外線放射も、融剤に対する有害な影響の為に望ましく
ない。
この為、帯域幅の狭い源が好ましく、適当な周波数のレ
ーザが理想的である。
【図面の簡単な説明】
第１図は標準的な機械的な走査装置（図に示してない）
を用いてチップを基板パッケージに結合する帰還制御形
レーザ作動装置の簡略側面図、第２図ははんだボールを
パッケージに結合する為のチップを加熱する温度対時間
関係を示すグラフ、第３図は第１図の装置の一部分を詳
しく示した略図、第４図は変形の走査鏡装置を用いた第
１図の装置の一部分の平面図である。 主な符号の説明、１２・・・・・・基板パッケージ、１
４・・・・・・チップ、１５・・・・・・はんだボール
、３１ ・・・・・レーザ・ビーム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 基板パッケージ上のパッドに接続する為のはんだ担
    持区域と共に回路をその下面に持つチップをパッケージ
    する装置に於て、前記チップが実質的に不透明である様
    な波長を持つ放射を前記チップの上面に向けるエネルギ
    手段を有する装置。
JP54146610A 1978-12-29 1979-11-14 チツプをパツケ−ジする装置 Expired JPS58186B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

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Publications (2)

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JPS5591847A JPS5591847A (en) 1980-07-11
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ID=25522236

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JP54146610A Expired JPS58186B2 (ja) 1978-12-29 1979-11-14 チツプをパツケ−ジする装置

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