KR950001305B1 - 레이저에 의한 배선패턴 절단방법 및 장치 - Google Patents

레이저에 의한 배선패턴 절단방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용없음.

Description

레이저에 의한 배선패턴 절단방법 및 장치
제1도는 본 발명에 따른 레이저 처리장치의 1실시예를 도시한 도면.
제2a~c도는 제1도에 도시한 장치를 반도체 메모리 IC의 결합비트 구제동작에 적용한 경우의 투영패턴발생과 배선패턴절단 결과를 도시한 도면.
제3a, b도는 각각 반도체 메모리 IC의 결합비트 구제동작에 사용된 링크의 평면 및 단면을 도시한 도면.
제4도는 본 발명의 작용을 도시한 도면.
제5도는 본 발명의 작용효과를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
3, 6 : 미러 4 : 액정마스크
8 : 피가공물 11, 12 : 램프
34 : 전환용 배선패턴 37 : 기판
본 발명은 배선재료의 레이저 절단에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치 또는 고밀도 배선기판의 배선변경에 대해서 절단부 주변에 손상을 주는 일없이 레이저 절단을 실시하는 레이저에 의한 배선패턴절단방법 및 장치에 관한 것이다.
레이저에 의해 LSI배선패턴을 절단하는 기술에 대해서는 용장화 기술로서 ＂IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol, SC-16, No.5, Oct.1981, pp.506-513＂에 있어서 기술되어 있다. LSI의 Al 배선 절단에 대해서는 ＂Annals of the CIRP Vol.28/1, 1979, pp.113-116＂에 기재되어 있다.
상기 종래기술에서는 손상을 주지 않고 절단을 실행할 수 있는 레이저파워의 유효범위가 좁고 또한 레이저빔이 절단될 배선에서 벗어나면 손상이 발생하기 쉽다는 등의 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 반도체 장치 또는 고밀도 배선기판에 대해서 하층의 기판 또는 배선등에 손상을 주는 일없이 넓은 레이저 파워 출력범위에 걸쳐서 배선패턴 절단가공을 실행할 수 있도록 한 레이저에 의한 배선 패턴 절단방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반도체 장치(IC장치) 또는 고밀도 배선기판 등의 배선패턴에 대해서 배선패턴의 폭에 정합시킨 원하는 패턴을 투영해서 넓은 레이저파워 출력범위에 걸쳐서 레이저가공을 실행할 수 있도록 한 레이저에 의한 배선패턴 절단방법 및 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 10-9초 이하의 펄스폭을 갖는 레이저빔을 배선패턴상의 원하는 부분에 조사하는 것에 의해 상기 배선의 하층에 대해서 손상을 주는 일없이 IC장치 또는 고밀도 다층배선기판의 배선패턴을 레이저에 의해 절단하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공방법을 제공한다. 상기 고밀도 다층 배선기판으로서는 박막다층기판을 포함한다.
또한, 상기 다른 목적을 달성하기 위해서, 본명은10-9초 이하의 펄스폭을 갖고 또한 고출력의 레이저빔을 출력하는 레이저 광원과 이 레이저 광원에서 출력된 레이저빔을 원하는 패턴으로 형성해서 피가공물에 원하는 패턴을 투영하는 투영광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 가공장치를 제공한다.
또, 본 발명의 투영광학계는 투과형 액정 마스크를 갖는다.
또한, 본 발명은 상기 투영패턴의 상과 피가공물의 상을 촬상해서 표시하는 촬상/표시 수단을 구비한다.
즉, 본 발명에 따르면, 레이저 광원의 펄스폭을 제거현상이 발생하는 것보다 짧은 펄스로 하고, 레이저광의 조사영역을 액정투영 마스크에 의해 가공될 배선패턴의 폭으로 성형해서 조사하도록 하였다 이것에 의해, 정확하게 조사를 할 수 있게 하고, 또 손상을 주는 일없이 넓은 파워범위에 걸쳐서 절단을 실행할 수 있게 한 것이다.
레이저에 의한 배선패턴의 절단에 있어서는 열현상이 일어나는데 1ns이상의 시간이 걸린다. 그러므로, 본 발명자는 1ns이하의 펄스폭을 갖는 고파워 레이저빔을 반도체 장치 또는 고밀도다층 배선 기판상의 배선패턴의 원하는 부분에 조사해서 배선절단가공을 실행하면, 배선재료가 없어진 후에 레이저 펄스가 배선패턴으로 침입하는 일이 발생하지 않는다는 것을 발견하였다. 즉, 펄스폭이 1ns이하인 펄스 레이저빔이면, 배선절단가공을 할 수 있도록 고파워 출력 레벨로 조사되더라도, 레이저 펄스가 계속되고 있는 동안(1ns이하)에는 배선재료가 존재하므로 모든 레이저 에너지를 배선재료가 받게 된다. 이 때문에, IC장치 또는 고밀도 다층 배선기판에 있어서, 열팽창계수가 작은 SiO2등의 물질로 이루어진 절얀막을 사이에 두고 하층에 존재하는 Si등의 기판 또는 박막배선은 레이저광에 노출되지 않으므로 손상되는 일은 없다.
절단가공에 필요한 피크 파워 P는 대략 펄스폭 S의 제곱근에 반비례하고, 펄스폴 S와는 다음과 같은 관계에 있다.
여기에서, P0, S0는 각각 원래의 피크파워와 원래의 펄스폭이고 K는 비례상수이다.
펄스폭을 종래의 약 100ns에서 본 발명과 같이 약 100ps~300ps로 두자리수 짧게 하면, 피크파워는 종래 보다 10~20배로 크게 할 필요가 있다. 그러나, 필요한 에너지 E는 피크파워와 펄스폭의 곱, 즉 E=PㆍS이기 때문에 , K가 1전후인 경우 에너지E는 펄스폭의 제곱근에 비례하므로 종래값보다 한자라수 정도만 작게 한 값으로 줄여도 된다. 그러나, 이러한 모든 레이저 에너지를 배선재료가 받아내고 있으므로 하층에 손상을 주지 않고도 배선패턴을 절단할 수가 있다.
이것을 제4도에 도시한다. 알루미늄의 비등점은 약 2270℃이다. 그래서, 1ns이하의 짧은 펄스폭을 갖는 레이저빔이 예를 들면 알루미늄으로 이루어진 배선패턴의 표면에 조사되면, 그 에너지 흡수는 약 10-15sec의 매우 짧은 시간에서 실행된다.
한편 그 레이저 에너지가 알루미늄등으로 이루어진 배선패턴내에 있어서, 열로 변환하기 위해서는 약 1ns의 시간이 필요하다는 것을 발견하였다. 따라서, 1ns이하의 짧은 펄스폭을 갖는 레이저비임이면, 아무리 강한 레이저빔을 조사하더라도 열현상에 의한 배선패턴의 변화가 일어나기 전에 레이저펄스의 조사가 종료하므로, 배선패턴이 제거된 부분으로 레이저빔이 침입하는 일은 발생하지 않는다. 따라서, 배선패턴의 아래에 배치된 하층에 손상을 주는 일없이 배선패턴의 원하는 부분을 절단할 수가 있다.
또 액정 투영 마스크 등을 사용해서 배선패턴의 원하는 부분의 치수(폭)으로 레이저빔을 정확하게 정합시킬 수 있으므로, 배선패턴의 바깥쪽에 위치한 부분으로 레이저빔이 조사되지 않아 주변 및 하층에 손상을 주는 일없이 정확한 제거가공을 실행할 수가 있다.
이하, 본 발명의 1실시예를 제1도에 따라서 설명한다.
1ns(10-9초) 이하의 펄스폭을 갖는 레이저광원은 주지의 모드 동기(mode-lock) 방식에 의해서 얻을 수가 있다.
본 발명에 있어서 1ns(10-9초)의 펄스폭을 갖는 레이저는 연속출력형 광원이 아니고, 한번 즉 1펄스만 조사되는 단일펄스 출력형 광원을 사용한다.
수mjoul이고 또한 펄스폭이 1ns이하(100~300ps)인 레이저빔을 출력하는 피코초(pico-second) 레이저(1) (＂LASERS＂ published by University Science Books and witten by Anthony E. Siegman, pp. 1041-1131)에서 발사된 레이저빔(2)는 반사미러(3)에 의해 90°굴절되어 투과형 액정 마스크(4)로 유도된다. 그리고, 액정 마스크(4)의 광투과 패턴을 통과한 광(5)는 관찰용 하프미러(6)과 투영렌즈(7)을 통과한후, 액정패턴의 상이 투영되는 형태로 반도체 장치 또는 고밀도 다층기판 등의 피가공물(8)의 표면에 투영된다. 피가공물(8)은 XY테이블(9)에 탑재되어 테이블 제어전원(10)에 의해 자동적으로 운전된다.
액정마스크(4)는 투영패턴 조명램프(11)에 의해 조명되고 있고, 피가공물(8)은 물체 조명램프(12)에 의해 하프미러(13)을 거쳐서 조명되고 있다. 하프미러(13)의 뒤쪽에는 촬상관 또는 고체 촬상소자 등으로 이루어지는 촬상장치(14)가 배치된다. 촬상장치(14)는 피가공물(8)의 가공부를 촬상한다. 이렇게 해서 얻어진 상은 레이저빔에 의해 조사될 상의 부분을 패턴인식하는 화상판정장치(15)로 들어가고, 패턴인식에 의해 얻어진 상(16) 및 레이저빔에 의해 조사될 영역(17)을 TV모니터(18)상에 표시함과 동시에 액정패턴 제어기(19)로 그 신호로 보내고 액정마스크(4)에 레이저빔에 의해 조사될 영역(17)에 상당하는 부분을 투과패턴으로서 정확하게 반도체 장치 또는 고밀도 다층기판(8)상의 배선패턴(링크)의 원하는 부분과 정합하도록 발생시킨다. 액정 마스크 패턴이 레이저빔에 의해 조사될 영역에 만들어지고, 배선패턴이 투영패턴 조명램프에 의해 정확하게 배선패턴의 원하는 부분에 투영되고 있는 것이 촬상장치(14) 및 화상 판정장치(15)에 의해서 확인되면, 레이저 조사신호는 화상판정장치(15)에서 레이저를 제어하는 레이저 전원제어기(20)으로 보내진다. 따라서, 피가공물의 필요한 부분에만 정확하게 레이저빔조사를 할 수 있게 되었다.
화상판정 장치(15)는 레이저빔에 의해 조사될 다수의 조사위치를 나타내는 정보를 화상판정장치(15)에 공급하는 가공위치 입력장치(21)에 접속되어 있다. 따라서, 다수의 조사위치를 한번의 조작으로 레이저에 의해 가공할 수 있어, LSI메모리의 결함비트 구제가공에 대해 대폭적으로 처리속도를 향상할 수 있게 되었다.
제2a도는 피가공물의 촬상표시의 1예를 도시한 것이다. 제2b도는 액정마스크의 패턴의 1예를 도시한 것이다. 액정마스트의 영역에 대응하는 부분의 피가공물의 상(32)는 제3a도 및 제3b도에 도시한 바와 같이, LSI메모리의 결함비트에 대해서 교환가능한 구제링크이다. 여기에서는 상(32)는 외관이 불순물을 도우프한 가드링(33)으로 둘어싸여진, 예를 들면 폴리실리콘 등으로 이루어지는 4개의 구제링크(34a)~(34d)를 포함한다. 이들 링크중에서 링크(34b)와 (34d)는 가공위치 입력장치(21)에서 공급된 정보에 따라 절단하려고 하는 링크로서 도시되어 있다. 제2b도에 도시한 바와 같이, 액정마스크 패턴은 영역(35a)및 (35b)만이 레이저빔을 투과하는 영역으로서 패턴이 발생되고 있다. 제2c도는 구제링크가 제2b도에 도시한 패턴에 따라 조사된 레이저빔에 의해서 가공이 실행된 후의 상태를 도시한 것이다. 따라서, 다수의 링크를 한번의 조작으로 정확하게 가공할 수가 있다.
예를 들면 대용량의 반도체 메모리 IC의 제조에서는 수전의 기능소자를 한변이 수mm인 단일칩에 조립하기 때문에 생산효율을 높이는 것이 매우 곤란하다. 그러므로, 예비메모리셀을 칩내에 마련해 두고 결합메모리셀을 바꾸기 위해 전환할 수 있도록 하는 것이 제안되고 있다. 이러한 대체는 전환용 배선패턴을 사용해서 일반적으로 실행된다. 이 배선패턴은 레이저에 의해 제거해서 결함 메모리셀을 분리하고, 이전의 결함 메모리셀을 에비 메모리셀로 바꾸어서 접속할 수가 있다. 즉 대용량의 LSI 메모리 IC의 결함비트의 구제가공은 각각 메모리 IC의 평면도 및 단면도인 제3a도 및 제3b도에 도시한 방법으로 실행된다. 특히, 피코초 레이저빔은 예를 들면 Al배선패턴(36)에 접속된 전환용 배선패턴(34)에 약 106~109w/㎠의 출력파워로 조사해서 예비 메모리셀의 접속을 실현하는데 필요한 전환용 배선패턴(34)의 원하는 부분을 제거한다. 이때, 레이저빔은 투영패턴으로서 전환영 배선패턴의 폭과 거의 일치시켜서 조사한다. 전환용 배선패턴(34)는 기판 Si(37)상에 놓여진 절연용 산화막 SiO2(38)상에 형성된다. 전환용 배선패턴(34)는 포리실리콘, 알루미늄 또는 금속 실리사이드로 이루어진다. SiO2막(보호막)(39)는 전환용 배선패턴(34)상에 코팅된다.
이 실시예에서는 모든 레이저 에너지가 전환용 배선패턴(34)에 의해 받아내지고 있으므로, 기판(37)이 레이저빔에 의해 노출되는 일없이 전환용 배선패턴(34)의 원하는 부분(35)를 제거할 수 있다. Si등의 기판(37)은, 예를 들면 연전도율이 낮은 SiO2등의 절연막(38)을 사이에 두고 하층에 존재한다. 그러므로, Si등의 기판(37)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상, LSI메모리의 결함비트의 구제가공에 대해서 설명했지만, 본 발명은 박막다층구조 또는 고밀도 다층기판을 갖는 반도체 장치에도 적용할 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면 하층의 박막 배선 패턴에 손상을 주는 일없이 상층의 박막 배선패턴을 절단할 수 있다.
상기 설명에서 이해할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따르면 하층막에 손상을 주는 일없이 레이저빔에 의해 배선패턴을 용이하게 절단가공할 수가 있다(제5도).
또한, 본 발명에 의하면 자기정합을 실현하기 위하여 액정투영을 이용하므로, 정확한 레이저조사가 가능한다. 따라서, 레이저빔에 의해 절단할 링크 이외의 부분에 조사되는 일은 없다.
또한, 본 발명에 의하면 한번의 조작으로 가공되어야 할 부분의 수가 하나로 한정되지 않으므로, 가공효율을 매우 증가시킬 수가 있다.
또한, 본 발명에 의하면 액정마스크를 이용하는 것에 의해 전기적으로 패턴을 변경할 수 있으므로, 고속이며 순차적으로 마스킹 가공을 실행할 수가 있다.
이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라서 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지로 변경가능한 것은 물론이다.

Claims (21)

  1. 레이저에 의한 배선패턴 절단방법으로서, 10-9초 이하의 펄스폭과 106w/㎠이상의 에너지 밀도를 갖고, 레이저빔이 배선패턴상에 조사될 때, 펄스폭 허용 광에너지가 상기 배선패턴에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 배선패턴의 용융을 개시하는 단일펄스의 레이저빔을 마련하는 스텝, 상기 배선패턴의 폭에 대응하는 원하는 형상으로 상기 레이저빔을 형성하는 스텝, 상기 배선패턴의 부분 또는 원하는 부분상에 상기 레이저빔을 조정하는 스텝, 상기 레이저빔의 직접 조사를 통해서 상기 배선패턴을 절단하기 위해, 상기 단일펄스의 상기 레이저빔의 광에너지가 상기 배선패턴의 부분 또는 상기 원하는 부분에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 배선패턴의 부분 또는 상기 원하는 용융 및 증발하도록, 상기 배선패턴의 부분 또는 상기 원하는 부분상에 상기 레이저빔을 투영하는 스텝을 포함하는 배선패턴 절단방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에너지 밀도의 상한은 109w/㎠이하인 배선패턴 절단방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 패턴투영은 투영마스크를 사용해서 실행되는 배선패턴 절단방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 투영마스크에 발생되는 패턴은 촬상한 배선패턴의 상으로서 레이저에 의해 조사될 영역과 자기정합되는 배선패턴 절단방법.
  5. 반도체 장치상의 링크의 부분 또는 원하는 부분을 레이저에 의해 절단하는 방법으로서, 10-9초 이하의 펄스폭과 106w/㎠이상의 에너지 밀도를 레이저빔이 상기 링크상에 조사될 때, 펄스폭 허용 광에너지가 상기 링크에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 링크의 용융을 개시하는 단일펄스의 레이저빔을 마련하는 스텝, 상기 링크의 폭에 대응하는 원하는 형상으로 상기 레이저빔을 형성하는 스텝, 상기 링크의 부분 또는 상기 원하는 부분상에 상기 레이저빔을 조정하는 스텝, 상기 레이저빔의 직접 조사를 통해서 상기 링크를 절단하기 위해 상기 단일펄스의 상기 레이저빔의 광에너지가 상기 링크의 부분 또는 상기 원하는 부분에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 링크의 부분 또는 상기 원하는 부분이 용융 및 증발하도록, 상기 링크의 부분 또는 상기 원하는 부분상에 상기 레이저빔을 투영하는 스텝을 포함하는 절단방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 링크는 LSI메모리의 결합비트에 대한 구제가공에 사용되는 절단방법.
  7. 제6항에 있어서, 하층으로서 LSI메모리의 Si로 이루어진 기판을 포함하는 절단방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 레이저빔은 상기 링크의 폭으로 조사되도록 원하는 형상의 패턴으로 투영되는 절단방법.
  9. 고밀도 다층 배선기판상의 배선의 부분 또는 원하는 부분을 레이저에 의해 절단하는 방법으로서, 10-9초 이하의 펄스폭과 106w/㎠이상의 에너지 밀도를 갖고, 레이저빔이 상기 배선상에 조사될 때, 펄스폭 허용 광에너지가 상기 배선에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 배선의 용융을 개시하는 단일펀스의 레이저빔을 마련하는 스텝, 상기 배선의 폭에 대응하는 원하는 형상으로 상기 레이저빔을 형성하는 스텝, 상기 배선의 부분 또는 상기 원하는 부분상에 상기 레이저빔을 조정하는 스텝, 상기 레이저빔의 직접 조사를 통해서 상기 배선을 절단하기 위해, 상기 단일펄스의 상기 레이저빔의 광에너지가 상기 배선의 부분 또는 상기 원하는 부분에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 배선의 부분 또는 상기 원하는 부분이 용융 및 증발하도록, 상기 원하는 부분에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 배선의 부분 또는 상기 원하는 부분이 용융 및 증발하도록, 상기 배선의 부분 또는 상기 원하는 부분상에 상기 레이저빔을 투영하는 스텝을 포함하는 절단방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 고밀도 다층 배선기판으로서 박막다층기판을 포함하는 절단방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 레이저빔은 상기 배선의 폭으로 조사되도록 원하는 형상의 패턴으로 투영되는 절단방법.
  12. 10-9초 이하의 펄스폭을 갖고, 레이저빔이 배선패턴상에 조사될 때, 상기 펄스폭 허용 광에너지가 상기 배선패턴에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 배선패턴의 용융이 개시하도록 단일펄스의 고출력 레이저빔을 방사하는 레이저 광원 및 상기 배선패턴의 부분 또는 원하는 부분상에 상기 폭과 일치해서 조사되도록, 상기 레이저빔 광원에서 출력되고 상기 배선패턴의 폭에 대응하는 원하는 구조로 형성되며 대략 106w/㎠이상의 에너지 밀도를 갖는 단일펄스의 상기 레이저빔을 투영하는 투영 광학계를 포함하며, 이것에 의해, 레이저빔의 직접적인 조사를 통해서 상기 배선패턴을 절단하기 위해, 상기 투영 광학계에서 조사된 단일펄스의 상기 레이저빔의 광에너지가 상기 배선패턴의 부분 또는 상기 원하는 부분에 흡수되어 열에너지로 변환되고 상기 배선패턴의 부분 또는 원하는 부분에서 용융 및 증발이 실행되는 배선패턴 절단장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 투영광학계는 투과형 액정마스크를 갖는 배선패턴 절단장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 투영패턴의 상과 상기 배선패턴의 부분 또는 상기 원하는 부분의 상을 촬상해서 표시하는 촬상/표시수단 및 상기 촬상/표시수단상에 표시된 상기 투영패턴의 상기 상이 상기 배선패턴의 부분 또는 상기 원하는 부분의 상기 상과 일치하도록 상기 투영 광학계를 제어하는 제어수단을 또 포함하는 배선패턴 절단장치.
  15. 10-9초 이하의 펄스폭을 갖고, 레이저빔이 피가공물상에 조사될 때, 상기 펄스폭 허용 광에너지가 상기 피가공물에 흡수되고 열에너지로 변환되어 상기 피가공물의 용융이 개시하도록 단일펄스의 고출력 레이저빔을 방사하는 레이저 광원 및 상기 피가공물의 영역 또는 원하는 영역상에 상기 폭과 일치해서 조사되도록, 상기 레이저빔 광원에서 출력되고 가공될 상기 피가공물의 영역 또는 원하는 영역에 대응하는 원하는 구조로 형성되며 대략 106w/㎠ 이상의 에너지 밀도를 갖는 단일펄스의 상기 레이저빔을 투영하는 투영광학계를 포함하며, 이것에 의해, 레이저빔의 직접적인 조사를 통해서 가공하기 위해, 상기 투영 광학계에서 조사된 단일펄스의 상기 레이저빔의 광 에너지가 상기 피가공물의 영역 또는 상기 원하는 영역에 흡수되어 열에너지로 변환되고 상기 영역 또는 원하는 영역에서 용융 및 증발이 실행되는 레이저 가공장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 투영 광학계는 투과형 액정 마스크를 갖는 레이저 가공장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 투영패턴의 상과 상기 영역 또는 원하는 영역의 상을 촬상해서 표시하는 촬상/표시수단 및 상기 촬상/표시수단상에 표시된 상기 투영패턴의 상기 상이 상기 영역 또는 원하는 영역의 상기 상과 일치하도록, 상기 투영 광학계를 제어하는 제어수단을 또 포함하는 레이저 가공장치.
  18. 제13항에 있어서, 상기 투영패턴의 상과 상기 배선패턴의 상기 부분 또는 원하는 부분의 상을 촬상해서 표시하는 촬상/표시수단 및 상기 촬상/표시수단상에 표시된 상기 투영패턴의 상기 상이 상기 배선패턴의 부분 또는 상기 원하는 부분의 상기 상과 일치하도록 상기 투영 광학계를 제어하는 제어수단을 또 포함하는 배선패턴 절단장치.
  19. 제16항에 있어서, 상기 투영패턴의 상과 상기 영역 또는 원하는 영역의 상을 촬상해서 표시하는 촬상/표시수단 및 상기 촬상/표시수단상에 표시된 상기 투영패턴의 상기 상이 상기 영역 또는 원하는 영역의 상기 상과 일치하도록 상기 투영 광학계를 제어하는 제어수단을 또 포함하는 레이저 가공장치.
  20. 레이저 광원과 촬상/표시수단을 구비한 시스템을 사용해서 반도체층상에 배치된 배선패턴의 일부를 절단하는 방법으로서, 상기 촬상/표시수단을 사용해서 상기 레이저 광원과 상기 배선패턴의 부분을 정합시키는 스텝, 상기 레이저광원에 의해서, 10-9초 이하의 펄스폭과 대략 106w/㎠의 에너지밀도를 갖고 또한 상기 배선패턴에 대응하도록 형성된 레이저빔을 발생하는 스텝, 조사를 통해 상기 부분에 충분한 에너지를 공급하여 상기 부분에서의 용융 및 증발이 용이하게 되도록, 상기 부분을 상기 레이저빔에 의해 직접 조사하는 스텝, 및 상기 용융 및 증발 전에 조사를 종료하는 스텝을 포함하는 배선패턴의 일부 절단방법.
  21. 반도체층상에 배치된 배선패턴의 일부를 절단하는 장치로서, 10-9초 이하의 펄스폭과 대략 106w/㎠의 에너지밀도를 갖고 상기 배선패턴에 대응하도록 형성된 레이저빔을 발생하는 레이저 광원, 상기 레이저 광원과 상기 배선패턴의 상기 부분을 정합시키는 수단, 상기 부분에 충분한 에너지를 공급해서 상기 부분에서의 용융 및 증발이 용이하게 되도록 상기 부분을 상기 레이저빔에 의해 직접 조사하는 수단 및 상기 용융 및 증발 전에 상기 조사를 종료하는 수단을 포함하는 배선 패턴의 일부 절단장치.
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