JP2001100145A - レーザマーカ - Google Patents

レーザマーカ

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JP2001100145A
JP2001100145A JP27576099A JP27576099A JP2001100145A JP 2001100145 A JP2001100145 A JP 2001100145A JP 27576099 A JP27576099 A JP 27576099A JP 27576099 A JP27576099 A JP 27576099A JP 2001100145 A JP2001100145 A JP 2001100145A
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JP
Japan
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lens
laser light
laser
light
focusing
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JP27576099A
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English (en)
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Makoto Namieno
誠 波江野
Yasumasa Iketani
泰昌 池谷
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Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd
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Sunx Ltd
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    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/007Marks, e.g. trade marks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ブロードエリア型の半導体レーザから出射さ
れるレーザ光を光学系により微小スポット光に集束する
構成において、大形化することなく半導体レーザからの
レーザ光を確実に微小スポット光に集束できるようにす
る。 【解決手段】 半導体レーザ11からのレーザ光は、コ
リメータレンズ13で略平行光に変換されてシリンドリ
カル凹レンズ14及びシリンドリカル凸レンズ15を通
過する。このとき、半導体レーザ11の活性層と垂直面
方向に出射されたレーザ光は、シリンドリカル凹レンズ
14及びシリンドリカル凸レンズ15をそのまま通過す
る。また、活性層と水平面方向に出射されたレーザ光
は、シリンドリカル凹レンズ14及びシリンドリカル凸
レンズ15により光芒幅が広げられた略平行光となる。
従って、集束レンズ16への各レーザ光の入射角度を調
整することにより、集束レンズ16で微小スポット光に
集束することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ブロードエリア型
の半導体レーザから出射されるマルチモードのレーザ光
を光学系により集束することにより対象物にマーキング
するレーザマーカに関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】レーザマーカの発振器
として半導体レーザ(以下、LD)を使用する場合、高
出力を得るために活性領域面積の大きなブロードエリア
型LDを使用する必要がある。
【0003】ところが、このタイプのLDは活性領域の
ストライプ幅が通常のLDに比べて長いことから、出射
されるレーザ光は活性層と垂直方向に長い長楕円とな
る。このため、一般の光学系を用いて集束するにしても
理想的な円形状の微小スポット光にならず、印字対象物
にマーキングするだけのエネルギー密度を得ることがで
きない。そこで、従来より、微小スポット光が略円形状
となるように光学系により整形するようにしている。
【0004】図11はこの種の光学系の概略構成を側面
で示し、図12は光学系の概略構成を平面で示してい
る。これらの図11及び図12に示すように、LD1か
ら出射されたレーザ光をコリメータレンズ2により平行
光に変換すると共に、アナモルフィックプリズム3を用
いて活性層と水平面方向の光芒幅を活性層と垂直面方向
の光芒幅と略等しくなるように拡大し、全体としては集
束レンズに略円形状の光芒として入射させて集束するこ
とにより円形状の微小スポット光を得るようにしてい
た。
【0005】しかしながら、上記の構成では、以下のよ
うな問題を有していた。 LD1のストライプ幅が大きくなるに従って、活性層
と水平面方向の光芒をさらに拡大しなければならず、そ
れに伴ってアナモルフィックプリズム3の幾何学的寸法
も非常に大きくなり、コストアップを招くと共に大型化
して重量も大きくなる。
【0006】ブロードエリア型LD1は非点隔差が大
きく、活性層と垂直面方向に出射されるレーザ光(以
下、垂直面方向レーザ光と記載)と水平面方向に出射さ
れるレーザ光(以下、水平面方向レーザ光と記載)とで
はレーザ光の見掛け上の出射位置(広がり中心位置)が
光軸方向にずれている。ここで、例えば垂直面方向レー
ザ光が平行光となるようにコリメータレンズ2の位置を
調整した場合、非点隔差の影響によりコリメータレンズ
2を通過した水平面方向レーザ光は平行光とならない。
この場合、集束レンズ4により垂直面方向レーザ光は集
束レンズ4の焦点に集束するものの、水平面方向レーザ
光は集束レンズ4の焦点に集光せず、微小スポット光を
得ることはできない。このため、この種の光学系では、
非点隔差補正用の長焦点シリンドリカルレンズ5をコリ
メータレンズ2の後方に挿入して活性層と水平面方向に
出射されるレーザ光を平行光に補正するようにしてい
る。
【0007】しかしながら、LD1は非点隔差にばらつ
きを有しているので、非点隔差に応じて異なるf値のシ
リンドリカルレンズ5に交換する必要があり、何種類も
のシリンドリカルレンズを用意しなければならず、製造
コストがアップする。
【0008】一般に集束レンズ4の焦点距離は2〜3
%程度の誤差を有するのが通常であり、焦点位置にばら
つきを生じている。このため、集束レンズ4を微動して
焦点位置の調整作業を行う必要があり、極めて面倒であ
る。
【0009】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ブロードエリア型の半導体レーザから
出射されるレーザ光を光学系により微小スポット光に集
束する構成において、大形化することなく半導体レーザ
からのレーザ光を確実に微小スポット光に集束すること
ができるレーザマーカを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、ブロードエリ
ア型の半導体レーザから出射されるレーザ光を光学系で
集束させることにより対象物にマーキングするレーザマ
ーカにおいて、前記光学系は、前記半導体レーザから出
射されるレーザ光を略平行光に変換するコリメータレン
ズと、このコリメータレンズを通過したレーザ光のうち
前記半導体レーザの活性層と垂直面方向のレーザ光はそ
のまま通過すると共に前記活性層と水平面方向のレーザ
光に対しては凹レンズとして機能するシリンドリカル凹
レンズと、このシリンドリカル凹レンズを通過したレー
ザ光のうち前記半導体レーザの活性層と垂直面方向のレ
ーザ光はそのまま通過すると共に前記活性層と水平面方
向のレーザ光に対しては凸レンズとして機能するシリン
ドリカル凸レンズと、このシリンドリカル凸レンズを通
過したレーザ光を集束する集束レンズとを備えた上で、
前記集束レンズに入射する前記半導体レーザの活性層と
垂直面方向及び水平面方向のレーザ光の入射角度が光軸
から同一距離で同一となるように前記各レンズの位置を
調整した状態で前記集束レンズによりレーザ光を微小ス
ポット光に集束するようにしたものである(請求項
1)。
【0011】ブロードエリア型の半導体レーザにあって
は、活性領域面積を大きく確保するためにストライプ幅
が通常の半導体レーザに比較して大きく設計されている
ので、活性層と垂直面方向に出射されるレーザ光(以
下、垂直面方向レーザ光と記載)の広がり角は大きいの
に対して、活性層と水平面方向に出射されるレーザ光
(以下、水平面方向レーザ光と記載)は広がり角は小さ
く、全体としては活性層と垂直方向に長い長楕円形状と
なっている。また、非点隔差の影響により垂直面方向レ
ーザ光と水平面方向レーザ光の見掛け上の出射位置(広
がり中心位置)は光軸方向にずれている。
【0012】さて、半導体レーザから出射されたレーザ
光は、コリメータレンズを通過する際に略平行光に変換
されてから、シリンドリカル凹レンズ及びシリンドリカ
ル凸レンズを通過して集束レンズに入射する。
【0013】ここで、垂直面方向レーザ光は、シリンド
リカル凹レンズ及びシリンドリカル凸レンズによる凸レ
ンズとしての作用を受けることはないので、シリンドリ
カル凹レンズ及びシリンドリカル凸レンズをそのまま通
過する。
【0014】一方、水平面方向レーザ光は、シリンドリ
カル凹レンズによる凹レンズとしての作用を受けるの
で、扇状に広がるようになる。また、シリンドリカル凸
レンズによる凸レンズとしての作用を受けるので、シリ
ンドリカル凹レンズにより扇状に広げられた水平面方向
レーザ光はシリンドリカル凸レンズにより略平行光に変
換された状態で集束レンズに入射する。そして、集束レ
ンズは、入射するレーザ光を集束する。
【0015】この場合、コリメータレンズの位置を調整
することにより、集束レンズに入射する垂直面方向レー
ザ光の入射角度を調整することができる。また、シリン
ドリカル凹レンズ及びシリンドリカル凸レンズの位置を
調整することにより、集束レンズに入射する水平面方向
レーザ光の入射角度を調整することができる。
【0016】従って、集束レンズに入射する垂直面方向
レーザ光及び水平面方向レーザ光の入射角度が光軸から
同一距離で同一となるように光学系を調整すると、集束
レンズによりレーザ光を微小スポット光に集束すること
ができる。この場合、光学系の調整により、集束レンズ
に入射する垂直面方向レーザ光及び水平面方向レーザ光
の入射角度を調整することにより微小スポット光の集束
位置を任意に調整することができる。
【0017】また、非点隔差の影響により垂直面方向レ
ーザ光と水平面方向レーザ光との見掛け上の出射位置が
光軸方向にずれているにしても、上述したように垂直面
方向レーザ光と水平面方向レーザ光との集束位置を独立
して調整できる結果、非点隔差による影響を防止するこ
とができる。
【0018】また、集束レンズに入射する垂直面方向レ
ーザ光及び水平面方向レーザ光の入射角度を調整できる
結果、集束レンズの焦点距離のばらつきの影響を受ける
ことなく、集束レンズによりレーザ光を目標位置に集束
することができる。
【0019】上記構成において、前記コリメータレンズ
及び前記シリンドリカル凹レンズは一体となって移動可
能に設けられていてもよい(請求項2)。
【0020】このような構成によれば、コリメータレン
ズ及びシリンドリカル凹レンズは一体となって移動可能
に設けられているので、各レンズの光軸を精度よく一致
させることができる。この場合、コリメータレンズ及び
シリンドリカル凹レンズを一体となって移動することに
より、集束レンズに入射する垂直面方向レーザ光の入射
角度を調整することができる。このとき、シリンドリカ
ル凹レンズが同時に移動することにより、集束レンズに
入射する水平面方向レーザ光の入射角度が変化してしま
うものの、シリンドリカル凸レンズの位置を調整するこ
とにより、集束レンズに入射する水平面方向レーザ光及
び垂直面方向レーザ光の入射角度を光軸から同一距離で
同一とすることができる。尚、このようにシリンドリカ
ル凸レンズの位置を調整するにしても、集束レンズに入
射する垂直面方向レーザ光の入射角度が変化することは
ないので、集束レンズによりレーザ光を微小スポット光
に集束することができる。
【0021】また、前記集束レンズは固定されていても
よい(請求項3)。このような構成によれば、集束レン
ズは固定されているにしても、集束レンズに入射する垂
直面方向レーザ光及び水平面方向レーザ光の入射角度を
調整することにより、集束レンズによるレーザ光の集束
位置を任意に調整することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
1乃至図10を参照して説明する。図1は光学系の概略
構成を側面で示し、図2は光学系の概略構成を平面で示
している。これらの図1及び図2において、半導体レー
ザ(以下、LD)11の光軸上には、光学系12とし
て、コリメータレンズ13、シリンドリカル凹レンズ1
4、シリンドリカル凸レンズ15、集束レンズ16が順
に配置されている。
【0023】LD11は、高出力を得るために活性領域
面積の広いブロードエリア型レーザダイオードであり、
ストライプ幅が一般のLDに比べて極めて長く設計され
ている。このような設計により、図3に示すようにLD
11の活性層と垂直面方向(以下、単に垂直面方向と記
載)に出射されるレーザ光(図中にAで示す)(以下、
垂直面方向レーザ光と記載)は広がり角が大きいのに対
して、図4に示すように活性層と水平面方向(以下、単
に水平面方向と記載)に出射されるレーザ光(図中にB
で示す)(以下、水平面方向レーザ光と記載)は広がり
角が小さくなっており、全体としては図5に示すように
活性層と垂直方向に長い長楕円形状となっている。ま
た、非点隔差の影響により、図5に示すように垂直面方
向レーザ光と水平面方向レーザ光との見掛け上の出射位
置(広がり中心位置)は光軸方向にずれている。
【0024】図1において、コリメータレンズ13は、
LD11から出射されたレーザ光を略平行光に変換する
ように位置決めされている。シリンドリカル凹レンズ1
4は、垂直面方向に対しては凹レンズとして機能せず、
水平面方向に対してのみ凹レンズとして機能するように
なっており、垂直面方向レーザ光をそのまま通過すると
共に(図1参照)、水平面方向レーザ光を水平面方向に
広げるように位置決めされている(図2参照)。
【0025】シリンドリカル凸レンズ15は、垂直面方
向に対しては凸レンズとして機能せず、水平面方向に対
してのみ凸レンズとして機能するようになっており、垂
直面方向レーザ光をそのまま通過すると共に(図1参
照)、シリンドリカル凹レンズ14により広げられた水
平面方向レーザ光を略平行光に変換するように位置決め
されている(図2参照)。
【0026】ここで、上記コリメータレンズ13,シリ
ンドリカル凹レンズ14及びシリンドリカル凸レンズ1
5は、集束レンズ16に入射する垂直面方向レーザ光及
び水平面方向レーザ光の入射角度が光軸から同一距離で
同一となるように位置決めされている。
【0027】そして、集束レンズ16は、略平行光とな
って入射したレーザ光を集束する。この場合、集束レン
ズ16に入射する垂直面方向レーザ光及び水平面方向レ
ーザ光の入射角度は光軸から同一距離で同一となるよう
に設定されているので、集束レンズ16により垂直面方
向レーザ光及び水平面方向レーザ光を微小スポット光と
なるように一点で集束することができる。また、集束レ
ンズ16に入射する水平面方向レーザ光の光芒幅を拡大
することにより集束レンズ16に入射するレーザ光の光
芒を長楕円形状から略円形状となるように修正するよう
にしたので、微小スポット光のエネルギー密度を十分に
高めることができる。
【0028】尚、光学系12を調整して集束レンズ16
に入射する垂直面方向レーザ光及び水平面方向レーザ光
の入射角度を調整することにより、レーザ光の集束位置
を任意に調整することができる。
【0029】ここで、LD11から出射された垂直面方
向レーザ光が光学系12を通過する際の作用について説
明する。垂直面方向レーザ光は、コリメータレンズ13
により略平行光に変換された状態でシリンドリカル凹レ
ンズ14及びシリンドリカル凸レンズ15を通過する。
このとき、シリンドリカル凹レンズ14及びシリンドリ
カル凸レンズ15は垂直面方向レーザ光に対しては凹レ
ンズまたは凸レンズとして機能しないので、垂直面方向
レーザ光はそのままシリンドリカル凹レンズ14及びシ
リンドリカル凸レンズ15を通過してから集束レンズ1
6に入射することにより集束される。この場合、垂直面
方向レーザ光の集束位置は、集束レンズ16に入射する
垂直面方向レーザ光の入射角度により決まり、垂直面方
向レーザ光が集束レンズ16に平行光で入射するときは
集束レンズ16の焦点に集束する。従って、コリメータ
レンズ13及び集束レンズ16の位置を調整することに
より、垂直面方向レーザ光を目標位置に集束することが
できる。
【0030】次に、水平面方向レーザ光が光学系12を
通過する際の作用について説明する。水平面方向レーザ
光は、コリメータレンズ13により略平行光に変換され
た状態でシリンドリカル凹レンズ14及びシリンドリカ
ル凸レンズ15を通過する。このとき、シリンドリカル
凹レンズ14は水平面方向レーザ光に対しては凹レンズ
として機能するので、水平面方向レーザ光はシリンドリ
カル凹レンズ14により水平面方向に扇状に広がった状
態でシリンドリカル凸レンズ15に入射する。このと
き、シリンドリカル凸レンズ15は水平面方向レーザ光
に対しては凸レンズとして機能するので、水平面方向レ
ーザ光はシリンドリカル凸レンズ15により集束するこ
とにより略平行光に変換された状態で集束レンズ16に
入射することにより集束される。この場合、水平面方向
レーザ光の集束位置は、集束レンズ16に入射する水平
面方向レーザ光の入射角度により決まり、水平面方向レ
ーザ光が集束レンズ16に平行光で入射するときは集束
レンズ16の焦点に集束する。
【0031】従って、シリンドリカル凹レンズ14及び
シリンドリカル凸レンズ15の位置を調整することによ
り、水平面方向レーザ光を目標位置に集束することがで
きる。
【0032】しかるに、コリメータレンズ13、シリン
ドリカル凹レンズ14及びシリンドリカル凸レンズ15
の位置を調整することにより、集束レンズ16に入射す
る垂直面方向レーザ光及び水平面方向レーザ光の入射角
度を光軸から同一距離で同一となるように調整した場合
は、集束レンズ16による水平面方向レーザ光及び垂直
面方向レーザ光の集束位置は目標位置に一致し、レーザ
光を集束レンズ16により微小スポット光に集束するこ
とができる。
【0033】また、LD11における水平面方向レーザ
光の見掛け上の出射位置は、非点隔差の影響により垂直
面方向レーザ光の見掛け上の出射位置よりもLD11の
光軸方向にずれているものの、上述したように集束レン
ズ16に入射する水平面方向レーザ光の入射角度を垂直
面方向レーザ光の入射角度と独立して調整できる結果、
非点隔差による影響を防止することができる。
【0034】ところで、水平面方向レーザ光はマルチモ
ードであるので、シングルモードのレーザ光を集光する
光学系では、効率よく一点に集光することができないも
のの、特公昭63−49204号公報には、半導体レー
ザから出射されるレーザ光がマルチモードの場合に効率
よく集光させる方法として、集束レンズへ入射する光芒
を水平面方向に長い楕円形状とすることが有効であるこ
とが記載されている。従って、本実施の形態では、シリ
ンドリカル凹レンズ14及びシリンドリカル凸レンズ1
5の位置を調整することにより集束レンズ16に入射す
る水平面方向レーザ光の幅が垂直面方向レーザ光の幅よ
りも大きくなるように設定した。
【0035】上述したような光学系12に対する調整の
結果、集束レンズ16によりレーザ光を微小スポット光
に集束することができるので、微小スポット光は大きな
エネルギー密度を有することになり、印字対象物に対し
て確実にマーキングすることができる。
【0036】次に上述したようにレーザ光を一点に集束
するための光学系12に対する具体的調整方法を図6及
び図7を参照して説明する。図6は全体構成の概略を側
面で示し、図7は全体構成の概略を平面で示している。
これらの図6及び図7において、上記光学系12は、製
品の組立て時に位置調整治具により調整されるようにな
っている。この位置調整治具は、第1の調整治具17及
び第2の調整治具18からなる。
【0037】さて、実際の製品では、コリメータレンズ
13及びシリンドリカル凹レンズ14はレンズユニット
19として一体化されており、このレンズユニット19
が第1の調整治具17に対する操作よりLD11の光軸
に沿って微移動可能に構成されている。また、第2の調
整治具18に対する操作によりシリンドリカル凸レンズ
15がLD11の光軸に沿って微移動可能に構成されて
いる。
【0038】即ち、第1の調整治具17はマイクロメー
タ20及び当該マイクロメータ20により移動する腕部
21から構成されており、その腕部21がレンズユニッ
ト19に係合した状態でマイクロメータ20に対する操
作に応じて腕部21が移動することにより当該腕部21
に係合されたレンズユニット19がLD11の光軸に沿
って微移動するようになっている。
【0039】また、第2の調整治具18は第1の調整治
具17と同一構造であり、腕部21がシリンドリカル凸
レンズ15に係合した状態でマイクロメータ20に対す
る操作に応じて腕部21が移動することにより当該腕部
21に係合されたシリンドリカル凸レンズ15がLD1
1の光軸に沿って微移動するようになっている。
【0040】一方、集束レンズ16は固定して設けられ
ている。この集束レンズ16からワークディスタンスだ
け離間した位置が微小スポット光の集束位置に設定され
ており、その集束位置(印字対象物の表面位置)に拡散
板22が配置されている。この場合、集束レンズ16に
より集束されたレーザ光は拡散板22により散乱される
ようになっている。
【0041】拡散板22の裏側には赤外線カメラ23が
設けられている。この赤外線カメラ23には顕微鏡24
が装着されており、集束レンズ16により拡散板22上
に集束されたレーザ光(赤外線)のスポット光を拡大撮
影するようになっている。そして、赤外線カメラ23に
よる撮影画像はモニタ25に映し出される。
【0042】ここで、上述したように、コリメータレン
ズ13の位置を調整することにより集束レンズ16によ
り集束する垂直面方向レーザ光の集束位置を調整するこ
とができると共に、シリンドリカル凹レンズ14及びシ
リンドリカル凸レンズ15の位置を調整することにより
集束レンズ16により集束する水平面方向レーザ光の集
束位置を調整することができるので、まず、垂直面方向
レーザ光の集束位置を調整してから、水平面方向レーザ
光の集束位置を調整することにより、両方のレーザ光の
集束位置を一致させることができる。
【0043】具体的には、図8に示すようにモニタ25
に当初映し出されるスポット光(図中にCで示す)は、
垂直面方向レーザ光と水平面方向レーザ光とが異なる集
束位置で重なった状態で映し出されるものであり、スポ
ット光の垂直方向の幅が垂直面方向レーザ光における目
標位置からのずれ量の大きさに対応し、スポット光の水
平方向の幅が水平面方向レーザ光における目標位置から
のずれ量の大きさに対応している。
【0044】従って、第1の調整治具17に対する操作
によりスポット光の垂直方向が最小となるようにレンズ
ユニット19の位置を調整する。つまり、図8に示すよ
うにスポット光の図示上下方向の幅が最小となるように
レンズユニット19の位置を調整する。そして、斯様に
スポット光の垂直方向の絞り込み調整ができたときは、
顕微鏡24の倍率を高めた状態でレンズユニット19の
位置を調整することにより、図9に示すようにさらにス
ポット光の垂直方向の絞り込みを行う。
【0045】続いて、第2の調整治具18に対する操作
によりスポット光の水平方向の幅が最小となるようにシ
リンドリカル凸レンズ15の位置を調整する。つまり、
図10に示すようにスポット光の図示左右方向の幅が最
小となるように調整する。この場合、シリンドリカル凸
レンズ15の位置を調整するにしても、シリンドリカル
凸レンズ15の位置により垂直面方向レーザ光の集束位
置が変動することはないので、スポット光の垂直方向の
幅が変化してしまうことはない。
【0046】以上のようにしてレンズユニット19及び
シリンドリカル凸レンズ15の位置調整が終了したとき
は、レンズユニット19及びシリンドリカル凸レンズ1
5の位置を固定した状態で、図示しないレーザマーカに
組付ける。従って、レーザマーカの組立てが終了した状
態においては、LD11から出射されたレーザ光は図示
しないガルバノミラーで集束位置が移動され、以て印字
対象物にレーザマーク加工を施すことができる。
【0047】このような実施の形態によれば、光学系1
2として、LD11から出射されるレーザ光に対して共
通にレンズとして機能するコリメータレンズ13及び集
束レンズ16と、水平面方向レーザ光に対してのみレン
ズとして機能するシリンドリカル凹レンズ14とシリン
ドリカル凸レンズ15とを組合わせて設け、集束レンズ
16による各レーザ光の集束位置を独立に調整できるよ
うにしたので、各レーザ光の集束位置を精度よく一致さ
せることができる。従って、LDから出射される長楕円
のレーザ光をアナモルフィックプリズムにより略円形状
に変換した状態で集束レンズにより集束している従来例
のものと違って、シリンドリカル凹レンズ14とシリン
ドリカル凸レンズ15という小形のレンズの組合わせで
実施することができるので、全体が大形化してしまうこ
となく実施できる。
【0048】この場合、非点収差によりLD11におけ
る水平面方向レーザ光の出射位置が垂直面方向レーザ光
の出射位置と光軸方向にずれているにしても、集束レン
ズ16による各レーザ光の集束位置を独立に調整できる
結果、非点収差による影響を受けることを防止すること
ができる。
【0049】また、コリメータレンズ13とシリンドリ
カル凹レンズ14とは一体化されてレンズユニット19
として構成されているので、レンズユニット19の位置
を調整することにより垂直面方向レーザ光の集束位置を
調整することができる。この場合、シリンドリカル凹レ
ンズ14とシリンドリカル凸レンズ15との光軸は精度
よく一致しているので、各レンズが個別に位置調整可能
な構成に比較して、各レンズの位置決め精度が高く、集
束レンズ16によるレーザ光の集束位置の精度を高める
ことができる。
【0050】また、集束レンズ16を固定した状態で当
該集束レンズ16によるレーザ光の集束位置を調整する
ようにしたので、集束レンズ16の焦点距離にばらつき
を生じているにしても、その影響を受けることなく集束
レンズ16による垂直面方向レーザ光及び水平面方向レ
ーザ光の集束位置を精度よく一致させることができる。
【0051】さらに、本実施の形態では、集束レンズ1
6に入射する水平面方向レーザ光の光芒幅を垂直面方向
レーザ光の光芒幅よりも大きく設定することにより、集
束レンズ16に入射するレーザ光を水平面方向に長い楕
円形状としたので、LD11から出射される水平面方向
レーザ光がマルチモードであるにしても、精度よく一点
に集束することが可能となる。
【0052】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のレーザマーカによれば、半導体レーザから出射された
レーザ光を集束するための光学系を、活性層と垂直面方
向及び水平面方向の両方のレーザ光に対して機能するコ
リメータレンズ及び集束レンズと、活性層と水平面方向
のレーザ光に対してのみ機能するシリンドリカル凹レン
ズ及びシリンドリカル凸レンズとから構成し、活性層と
垂直面方向及び水平面方向のレーザ光の集束位置を独立
に調整できるようにしたので、大形化することなく半導
体レーザからのレーザ光を確実に微小スポット光に集束
することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態における光学系を示す側
面図
【図2】光学系を概略的に示す平面図
【図3】垂直面方向レーザ光を模式的に示す半導体レー
ザの斜視図
【図4】水平面方向レーザ光を模式的に示す半導体レー
ザの斜視図
【図5】出射レーザ光を模式的に示す半導体レーザの斜
視図
【図6】レーザ光の集束位置の調整方法を示す光学系の
側面図
【図7】光学系の平面図
【図8】半導体レーザの活性層と垂直面方向に出射され
るレーザ光を目標位置に集束させるための位置合せを説
明するための図
【図9】半導体レーザの活性層と垂直面方向に出射され
るレーザ光のさらなる位置合せを説明するための図
【図10】半導体レーザの活性層と水平面方向に出射さ
れるレーザ光を目標位置に集束させるための位置合せを
説明するための図
【図11】従来例を示す図1相当図
【図12】図2相当図
【符号の説明】
11は半導体レーザ、12は光学系、13はコリメータ
レンズ、14はシリンドリカル凹レンズ、15はシリン
ドリカル凸レンズ、16は集束レンズ、17は第1の調
整治具、18は第2の調整治具、19はレンズユニッ
ト、22は拡散版、23は赤外線カメラ、24は顕微鏡
である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ブロードエリア型の半導体レーザから出
    射されるレーザ光を光学系で集束させることにより対象
    物にマーキングするレーザマーカにおいて、前記光学系
    は、 前記半導体レーザから出射されるレーザ光を略平行光に
    変換するコリメータレンズと、 このコリメータレンズを通過したレーザ光のうち前記半
    導体レーザの活性層と垂直面方向のレーザ光はそのまま
    通過すると共に前記活性層と水平面方向のレーザ光に対
    しては凹レンズとして機能するシリンドリカル凹レンズ
    と、 このシリンドリカル凹レンズを通過したレーザ光のうち
    前記半導体レーザの活性層と垂直面方向のレーザ光はそ
    のまま通過すると共に前記活性層と水平面方向のレーザ
    光に対しては凸レンズとして機能するシリンドリカル凸
    レンズと、 このシリンドリカル凸レンズを通過したレーザ光を集束
    する集束レンズとを備え、 前記集束レンズに入射する前記半導体レーザの活性層と
    垂直面方向及び水平面方向のレーザ光の入射角度が光軸
    から同一距離で同一となるように前記各レンズの位置を
    調整した状態で前記集束レンズによりレーザ光を微小ス
    ポット光に集束することを特徴とするレーザマーカ。
  2. 【請求項2】 前記コリメータレンズ及び前記シリンド
    リカル凹レンズは一体となって移動可能に設けられてい
    ることを特徴とする請求項1記載のレーザマーカ。
  3. 【請求項3】 前記集束レンズは固定されていることを
    特徴とする請求項1または2記載のレーザマーカ。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100984727B1 (ko) 2010-04-30 2010-10-01 유병소 대상물 가공 방법 및 대상물 가공 장치
KR100984726B1 (ko) 2010-04-28 2010-10-01 유병소 레이저를 이용한 대상물 가공 방법, 대상물 가공 장치, 및 대상물 가공 시스템
KR100991720B1 (ko) 2010-09-10 2010-11-03 유병소 레이저 가공장치용 빔 정형 모듈
WO2016132554A1 (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構 光加工ヘッド、光加工装置およびその制御方法ならびに制御プログラム
JP6165366B1 (ja) * 2016-04-28 2017-07-19 三菱電機株式会社 平行光発生装置
JP2018144092A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 株式会社リコー 光加工装置、及び光加工物の生産方法
CN111290088A (zh) * 2020-04-13 2020-06-16 中南大学 发光元件的透镜耦合方法及装置
CN111443437A (zh) * 2020-04-13 2020-07-24 中南大学 基于音圈电机驱动的透镜耦合夹具
JP2021167911A (ja) * 2020-04-13 2021-10-21 株式会社島津製作所 光源装置、プロジェクタおよび機械加工装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6775316B2 (en) * 2001-02-20 2004-08-10 Nortel Networks Ltd. Method and apparatus for integrating a vertical cavity surface emitting laser with a optical amplifier
US6950449B2 (en) * 2001-09-10 2005-09-27 Hamamatsu Photonics K.K. Passively Q-switched laser
JP3821712B2 (ja) * 2001-12-28 2006-09-13 株式会社トプコン ラインレーザ装置
US7336433B2 (en) * 2005-05-25 2008-02-26 David Gian-Teh Ho Focusable laser collimator
CN100501846C (zh) * 2005-08-26 2009-06-17 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光学模组及采用所述光学模组的光学记录/再现装置
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
EP1988360A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-05 Leica Geosystems AG Steuerverfahren zur Erzeugung bodengebundener Markierungen und Referenzstrahlgenerator
CN102364374A (zh) * 2011-10-24 2012-02-29 无锡亮源激光技术有限公司 激光瞄准器
JP6349792B2 (ja) * 2014-03-07 2018-07-04 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光送信装置
US9507157B2 (en) * 2014-12-17 2016-11-29 Zhen Tang Size-adjustable elliptical laser marker
US10006768B2 (en) 2016-03-15 2018-06-26 Stanley Black & Decker Inc. Laser level
CN107080898A (zh) * 2017-05-18 2017-08-22 北京宏强富瑞技术有限公司 分度式激光光斑调节装置
CN112526480B (zh) * 2017-09-19 2023-06-30 深圳市速腾聚创科技有限公司 固态激光雷达及固态激光雷达控制方法
CN107589512A (zh) * 2017-10-17 2018-01-16 歌尔股份有限公司 光学模组组装方法及装置
CN108627943A (zh) * 2018-07-06 2018-10-09 中国科学技术大学 一种适用于超高真空环境的宽波段光斑聚焦装置
CN111884037B (zh) * 2020-07-15 2021-10-22 中南大学 基于功率检测的阵列半导体激光器反射镜耦合装置与方法
US20240052757A1 (en) * 2022-08-11 2024-02-15 Raytheon Technologies Corporation Detection of gas turbine engine blade abnormalities based on light reflections

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4044222A (en) 1976-01-16 1977-08-23 Western Electric Company, Inc. Method of forming tapered apertures in thin films with an energy beam
US4114018A (en) 1976-09-30 1978-09-12 Lasag Ag Method for ablating metal workpieces with laser radiation
US4318594A (en) * 1977-02-15 1982-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Beam shaping optical system
JPS54143660A (en) 1978-04-28 1979-11-09 Canon Inc Optical system for semiconductor laser
US4399345A (en) 1981-06-09 1983-08-16 Analog Devices, Inc. Laser trimming of circuit elements on semiconductive substrates
US4483005A (en) 1981-09-24 1984-11-13 Teradyne, Inc. Affecting laser beam pulse width
US5059764A (en) 1988-10-31 1991-10-22 Spectra-Physics, Inc. Diode-pumped, solid state laser-based workstation for precision materials processing and machining
JP3150322B2 (ja) 1990-05-18 2001-03-26 株式会社日立製作所 レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置
US5265114C1 (en) 1992-09-10 2001-08-21 Electro Scient Ind Inc System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device
US5400350A (en) 1994-03-31 1995-03-21 Imra America, Inc. Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses
US5656186A (en) 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
US5694408A (en) 1995-06-07 1997-12-02 Mcdonnell Douglas Corporation Fiber optic laser system and associated lasing method
JP3441580B2 (ja) * 1995-12-14 2003-09-02 富士通株式会社 読取装置
JP2988354B2 (ja) * 1996-01-22 1999-12-13 日本電気株式会社 レーザダイオード励起固体レーザ装置
US5998759A (en) 1996-12-24 1999-12-07 General Scanning, Inc. Laser processing
US6151338A (en) 1997-02-19 2000-11-21 Sdl, Inc. High power laser optical amplifier system
WO1998053949A1 (en) 1997-05-27 1998-12-03 Sdl, Inc. Laser marking system and method of energy control
US5920668A (en) 1997-10-24 1999-07-06 Imra America, Inc. Compact fiber laser unit
US6104523A (en) * 1998-12-21 2000-08-15 Xerox Corporation Dual beam double pass raster output scanner

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100984726B1 (ko) 2010-04-28 2010-10-01 유병소 레이저를 이용한 대상물 가공 방법, 대상물 가공 장치, 및 대상물 가공 시스템
KR100984727B1 (ko) 2010-04-30 2010-10-01 유병소 대상물 가공 방법 및 대상물 가공 장치
KR100991720B1 (ko) 2010-09-10 2010-11-03 유병소 레이저 가공장치용 빔 정형 모듈
WO2016132554A1 (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構 光加工ヘッド、光加工装置およびその制御方法ならびに制御プログラム
JPWO2016132554A1 (ja) * 2015-02-20 2017-04-27 技術研究組合次世代3D積層造形技術総合開発機構 光加工ヘッド、光加工装置およびその制御方法ならびに制御プログラム
US10532427B2 (en) 2015-02-20 2020-01-14 Technology Research Association For Future Additive Manufacturing Optical processing head, optical machining apparatus, and control method and control program of optical processing head
WO2017187609A1 (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 三菱電機株式会社 平行光発生装置
JP6165366B1 (ja) * 2016-04-28 2017-07-19 三菱電機株式会社 平行光発生装置
US11061244B2 (en) 2016-04-28 2021-07-13 Mitsubishi Electric Corporation Collimated light generating apparatus
JP2018144092A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 株式会社リコー 光加工装置、及び光加工物の生産方法
CN111290088A (zh) * 2020-04-13 2020-06-16 中南大学 发光元件的透镜耦合方法及装置
CN111443437A (zh) * 2020-04-13 2020-07-24 中南大学 基于音圈电机驱动的透镜耦合夹具
CN111443437B (zh) * 2020-04-13 2021-03-30 中南大学 基于音圈电机驱动的透镜耦合夹具
CN111290088B (zh) * 2020-04-13 2021-06-29 中南大学 发光元件的透镜耦合方法及装置
JP2021167911A (ja) * 2020-04-13 2021-10-21 株式会社島津製作所 光源装置、プロジェクタおよび機械加工装置

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US6526089B1 (en) 2003-02-25

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