JPS58169924A - Ｉｃウエハの試験装置 - Google Patents

Ｉｃウエハの試験装置

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JPS58169924A
JPS58169924A JP57052097A JP5209782A JPS58169924A JP S58169924 A JPS58169924 A JP S58169924A JP 57052097 A JP57052097 A JP 57052097A JP 5209782 A JP5209782 A JP 5209782A JP S58169924 A JPS58169924 A JP S58169924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chip
information
semiconductor
quality
Prior art date
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Pending
Application number
JP57052097A
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English (en)
Inventor
Osamu Koichi
小市　修
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS58169924A publication Critical patent/JPS58169924A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は半導体ＩＣチップを形成するＩＣウェハのＩＣ
ウェハ試験装置に係り、ＩＣウェハ上に設けられた半導
体ＩＣチップにおける各チンプ毎の良品、不良品の選別
とその位置とを同時に記録　　　　゛し、且つまたｔＣ
ウェハ毎にレーザ等で番号を嘗き込み、ＩＣウェー上の
任意のチップにおける良品、不良品の情報を取り出せる
ようにしたＩＣウェハ試験装置に関する。
（２）技術の背景 近年における集積回路技術の発構に従い、産業の各分野
での応用が試みられており、それに伴い集積回路部品に
ついての需要も日増しに高まってきている。そのため、
できる限り高品質の部品を、しかも効率良く生産するこ
とが必要となってきており、品質検査装置等についても
その省力化が要望されている。
（３）従来技術と問題点 従来のＩＣウェハの試験装置においては、ＩＣウェハの
上に設けである各チップに対して試験機からプローブ針
を介して例えば電圧もしくは電流等を流して１測した際
の良品または不良品の表示をウェハ上のマーキングパッ
ドに例えば引っかき跡（スクラッチ）もしくはインクで
の着色等の付設により行っていた。しかしながら、例え
ば試験機の故障等により誤った表示が行われた場合の再
検査時における新しい表示と前回の表示との見分は方等
に著しい不都合を生じている。また従来のＩＣウェハ試
験装置に関しては、各ＩＣウェハ毎に個別番号を設けて
も書き込みの際の手段や場所にはなはだ不便を生じてい
た。
（４）発明の目的 本発明は上述の欠点に鑑み、不良品に対してＩＣウェハ
に例えば物理的な品質の表示を行うことなく、すなわち
ＩＣウェハの各ＩＣチップ毎の良品ままたは不良品の表
示を各チップの位置と同時に情報として記録できる記録
媒体例えばフロッピーディスク等に情報として取り込み
、さらに各ウェハ毎の個別番号もあらかじめ上記記録媒
体中に情報を取り込む際の直前もしくは直後に各ウェハ
毎にレーザ光線等により例えばアルミニウムパターンに
２進法等で焼きつけることにより各ウェハに番号を書き
込むことにより自動化、省力化を増進したＩＣウェハの
試験装置を提供することをを目的とする。
（５）発明の構成 本発明の特徴とするところは、ＩＣウェハ上に形成され
る各々の半導体ＩＣチップの位置情報と前記各位置に対
応して前記各半導体ＩＣチップの品質の良否性の情報と
を読み取る試験機と、ＩＣウエハプローバと、前記半導
体チップ位置情報と前記半導体チップ位置に対応した前
記半導体ＩＣチップの品質の良否性の情報とをあらかじ
め記録する記録媒体と、前記試験機、ウエハプローバ。
記録媒体に接続される制御部とを有し、さらに前記制御
部に接続され前記ＩＣウェハにウェハ番号を書き込むマ
ーカ装置とを有するＩＣウェハ試験装置にある。
（６，）発明の実施例 本発明の一実施例を図面とを用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係るＩＣウェハの試験装置に通するよ
うに作られたＩＣウェハの平面図である。
同図において、ＩＣウェハ上の表部の任意の位置に個別
番号表示用のアルミパターン２が附設されている。なお
、個別番号表示用のアルミパターン２は例えばレーザ等
で焼き付けるため焼き付は易い場所すなわち表であれば
任意であり、表示方法としては例えば２進法等を用いて
良い。
第２図は本発明に係るｉｃウェハ試験装置の構成を示す
図である。同図において、まず試験機３でＩＣウェハ上
の各チップ毎に例えば電流または電圧等をかけながらウ
エハプローバ６で各チップの品質情報すなわち良品ある
いは不良品の判定を探りつつ、かつまた同時にそのとき
の各チップの位置とを併せて制御部４から例えばフロン
ピーディスク５やカセットテープ等へ入力させて情報を
記録する。
また上記と併行して、制御部４からの出力によりレーザ
マーカ７からのレーザ光により各ＩＣウェハ毎に前述の
個別番号表示用の例えばアルミパターンを焼くことによ
り任意の記数法例えば２進法にて各ＩＣウェハにもウェ
ハ番号を付けていくことにより簡単に各ウェハ上の各位
置の半導体チップの品質がフロンビーディスク５に貯え
られたウェハ番号、チップの位置情報、チップの品質情
報に基づいて管理できる。
（７）発明の効果 本発明のＩＣウェハ試験装置によれば、各１ｃウエハの
品質管理が容易に行えるためにＩＣウェハの製造工程に
おける自動化及び省力化がより一層高められる。また再
検査により品質の向上が図れるためにコストダウンも図
れる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に適するようにつくられたＩＣウェハの
平面図、第２図はＩＣウェハ試験装置の構成を示す図で
ある。 ■・・・ＩＣウェハ、　２・・・ウェハ番号表示用アル
ミパターン、　３・・・試験機、　４・・・制御部、　
５・・・フロッピーディスク、６・・・ウエハプローバ
、　７・・・レーザマーカ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ＩＣウェハ上に形成される各々の半導体ＩＣチップの位
    置情報と前記各位置に対応して前記各半導体ＩＣチップ
    の品質の良否性の情報とを読み取る試験機と、ＩＣウエ
    ハプローバと、前記半導体チップ位置情報と前記半導体
    チップ位置に対応した前記半導体ＩＣチップの品質の良
    否性の情報とをあらかじめ記録する記録媒体と、前記試
    験機。 ウエハプローバ、記録媒体に接続される制ａ部とを有し
    、さらに前記制御部に接続され前記ＩＣウェハにウェハ
    番号を書き込むマーカ装置とを有することを特徴とする
    ＩＣウェハ試験装置。
JP57052097A 1982-03-30 1982-03-30 Ｉｃウエハの試験装置 Pending JPS58169924A (ja)

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JP57052097A JPS58169924A (ja) 1982-03-30 1982-03-30 Ｉｃウエハの試験装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6544804B2 (en) * 1998-03-30 2003-04-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer having identification indication and method of manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS52119174A (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Toshiba Corp Controlling method of semiconductor
JPS539508A (en) * 1976-07-14 1978-01-28 Nec Corp Magnetic recording and playback system
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JPS5488084A (en) * 1977-12-26 1979-07-12 Fujitsu Ltd Test method of semiconductor device
JPS5565162A (en) * 1978-11-10 1980-05-16 Nippon Precision Saakitsutsu Kk Wafer prober
JPS5723214A (en) * 1980-07-18 1982-02-06 Fujitsu Ltd Writing method for recognition mark on wafer surface

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