JPS4889003A - - Google Patents

Info

Publication number
JPS4889003A
JPS4889003A JP48015218A JP1521873A JPS4889003A JP S4889003 A JPS4889003 A JP S4889003A JP 48015218 A JP48015218 A JP 48015218A JP 1521873 A JP1521873 A JP 1521873A JP S4889003 A JPS4889003 A JP S4889003A
Authority
JP
Japan
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP48015218A
Other versions
JPS5236442B2 (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JPS4889003A publication Critical patent/JPS4889003A/ja
Publication of JPS5236442B2 publication Critical patent/JPS5236442B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/156Precursor compound

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
JP48015218A 1972-02-09 1973-02-08 Expired JPS5236442B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22491872A 1972-02-09 1972-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS4889003A true JPS4889003A (ja) 1973-11-21
JPS5236442B2 JPS5236442B2 (ja) 1977-09-16

Family

ID=22842769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP48015218A Expired JPS5236442B2 (ja) 1972-02-09 1973-02-08

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3779778A (ja)
JP (1) JPS5236442B2 (ja)
CA (1) CA1007094A (ja)
DE (1) DE2306248C3 (ja)
FR (1) FR2182844B1 (ja)
GB (1) GB1414579A (ja)
IT (1) IT977258B (ja)
NL (1) NL149915B (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS603625A (ja) * 1983-06-22 1985-01-10 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
JPS6310153A (ja) * 1986-07-02 1988-01-16 Konica Corp 感光性組成物および感光性平版印刷版
EP0410606A2 (en) 1989-07-12 1991-01-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same
EP0565006A2 (en) 1992-04-06 1993-10-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for preparing PS plate
JPH06308733A (ja) * 1993-04-23 1994-11-04 Kansai Paint Co Ltd 感光性組成物及びパターンの製造方法
JPH07146552A (ja) * 1993-04-16 1995-06-06 Kansai Paint Co Ltd 感光性組成物及びパターンの形成方法
EP0702271A1 (en) 1994-09-06 1996-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working printing plate
EP0747768A2 (en) 1995-06-05 1996-12-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition
EP0788031A1 (en) 1996-02-05 1997-08-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photosensitive composition
US6010826A (en) * 1994-10-13 2000-01-04 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
US6309795B1 (en) 1996-01-26 2001-10-30 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
US6410204B1 (en) 1999-09-27 2002-06-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
US6537718B2 (en) 1999-12-22 2003-03-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition for exposure to far ultraviolet ray
EP1627736A1 (en) 2004-08-18 2006-02-22 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Method of manufacturing light sensitive planographic printing plates and method of using the same
JP2010261000A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Daicel Chem Ind Ltd 交互共重合体とその製造方法
JP2011248019A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Fujifilm Corp パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
JPWO2012114963A1 (ja) * 2011-02-23 2014-07-07 Jsr株式会社 ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物

Families Citing this family (354)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3917483A (en) * 1973-11-01 1975-11-04 Xerox Corp Photoinduced acid catalyzed depolymerization of degradable polymers
US3915704A (en) * 1973-11-01 1975-10-28 Xerox Corp Photoinduced, acid catalyzed degradation of degradable polymers
US3964907A (en) * 1973-11-12 1976-06-22 Xerox Corporation Method for the preparation of relief printing masters
US3915706A (en) * 1974-03-11 1975-10-28 Xerox Corp Imaging system based on photodegradable polyaldehydes
US3984253A (en) * 1974-04-22 1976-10-05 Eastman Kodak Company Imaging processes and elements therefor
US4007047A (en) * 1974-06-06 1977-02-08 International Business Machines Corporation Modified processing of positive photoresists
US3923514A (en) * 1974-06-27 1975-12-02 Xerox Corp Method for the preparation of relief printing masters
CH621416A5 (ja) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
DE2829512A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-17 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE2829511A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
JPS5569265A (en) * 1978-11-15 1980-05-24 Hitachi Ltd Pattern-forming method
US4294909A (en) * 1979-12-26 1981-10-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive negative-working toning process
US4356252A (en) * 1979-12-26 1982-10-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive negative-working tonable element
US4330590A (en) * 1980-02-14 1982-05-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-2-triazine
US4391687A (en) * 1980-02-14 1983-07-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photoactive mixture of acrylic monomers and chromophore-substituted halomethyl-1-triazine
DE3023201A1 (de) * 1980-06-21 1982-01-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3038605A1 (de) * 1980-10-13 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefkopien
DE3039926A1 (de) * 1980-10-23 1982-05-27 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial
US4460677A (en) * 1981-03-26 1984-07-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Visible light sensitive, thermally developable imaging systems
US4365019A (en) * 1981-08-06 1982-12-21 Eastman Kodak Company Positive-working resist quinone diazide containing composition and imaging method having improved development rates
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
JPS6096112U (ja) * 1983-12-09 1985-07-01 愛知機械工業株式会社 自動車用サンバイザ−
DE3582697D1 (de) * 1984-06-07 1991-06-06 Hoechst Ag Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung.
DE3445276A1 (de) * 1984-12-12 1986-06-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung einer flachdruckform
JPS61141442A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
US4737426A (en) * 1985-05-15 1988-04-12 Ciba-Geigy Corporation Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides
US4837124A (en) * 1986-02-24 1989-06-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4968581A (en) * 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US5362607A (en) * 1986-06-13 1994-11-08 Microsi, Inc. Method for making a patterned resist substrate composite
EP0249139B2 (en) * 1986-06-13 1998-03-11 MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) Resist compositions and use
US5310619A (en) * 1986-06-13 1994-05-10 Microsi, Inc. Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
DE3621376A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-07 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US4684599A (en) * 1986-07-14 1987-08-04 Eastman Kodak Company Photoresist compositions containing quinone sensitizer
US4939070A (en) * 1986-07-28 1990-07-03 Brunsvold William R Thermally stable photoresists with high sensitivity
US4931379A (en) * 1986-10-23 1990-06-05 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
MY103006A (en) * 1987-03-30 1993-03-31 Microsi Inc Photoresist compositions
JPS63265242A (ja) * 1987-04-23 1988-11-01 Fuji Photo Film Co Ltd 多色画像形成方法
DE3716848A1 (de) * 1987-05-20 1988-12-01 Hoechst Ag Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials
US4810613A (en) * 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US4962171A (en) * 1987-05-22 1990-10-09 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
US5081001A (en) * 1987-05-22 1992-01-14 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3717933A1 (de) * 1987-05-27 1988-12-08 Hoechst Ag Photopolymerisierbares gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von hochwaermebestaendigen reliefstrukturen
DE3725741A1 (de) * 1987-08-04 1989-02-16 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
DE3821585A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
DE3730787A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730783A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3730785A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3737734A1 (de) * 1987-11-06 1989-05-18 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3810631A1 (de) * 1988-03-29 1989-10-12 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand
DE3817012A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3817009A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE58900825D1 (de) * 1988-06-13 1992-03-26 Ciba Geigy Ag Ungesaettigte beta-ketoesteracetale und ihre anwendungen.
DE3820699A1 (de) * 1988-06-18 1989-12-21 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3827901A1 (de) * 1988-08-17 1990-02-22 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5387682A (en) * 1988-09-07 1995-02-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halomethyl-1,3,5-triazines containing a monomeric moiety
DE68911632T2 (de) * 1988-09-07 1994-07-07 Minnesota Mining & Mfg Sensibilisatorteil enthaltende Halogenmethyl-1,3,5-Triazine.
US4985562A (en) * 1988-09-07 1991-01-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halomethyl-1,3,5-triazines containing an amine-containing moiety
US5034526A (en) * 1988-09-07 1991-07-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halomethyl-1,3,5-triazines containing a sensitizer moiety
US5153323A (en) * 1988-09-07 1992-10-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halomethyl-1,3,5-triazines containing a photoinitiator moiety
US5187045A (en) * 1988-09-07 1993-02-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halomethyl-1,3,5-triazines containing a sensitizer moiety
US5116977A (en) * 1988-09-07 1992-05-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Halomethyl-1,3,5-triazines containing an amine-containing moiety
JPH02275956A (ja) * 1988-12-23 1990-11-09 Oki Electric Ind Co Ltd フォトレジスト組成物
JP2661671B2 (ja) * 1989-03-20 1997-10-08 株式会社日立製作所 パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法
JPH0325326U (ja) * 1989-07-21 1991-03-15
DE3927632A1 (de) * 1989-08-22 1991-02-28 Basf Ag Umsetzungsprodukt, verfahren zu dessen herstellung und damit erhaltenes strahlungsempfindliches material
DE3930086A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-21 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930087A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3935875A1 (de) * 1989-10-27 1991-05-02 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
GB8923459D0 (en) * 1989-10-18 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Positive-acting photoresist compositions
DE3940965A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefstrukturen
DE3940911A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung negativer kopien
DE4002397A1 (de) * 1990-01-27 1991-08-01 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4003025A1 (de) * 1990-02-02 1991-08-08 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
DE4004719A1 (de) * 1990-02-15 1991-08-22 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
DE4006190A1 (de) * 1990-02-28 1991-08-29 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4007924A1 (de) * 1990-03-13 1991-09-19 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5206317A (en) * 1990-04-10 1993-04-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material and process for use
US4985332A (en) * 1990-04-10 1991-01-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material with carbazole diazonium salt acid generator and process for use
US5212047A (en) * 1990-04-10 1993-05-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material and process for use
US5145764A (en) * 1990-04-10 1992-09-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing
US5262281A (en) * 1990-04-10 1993-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material for use in thick film resists
US5252427A (en) * 1990-04-10 1993-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions
US5219711A (en) * 1990-04-10 1993-06-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive image formation utilizing resist material with carbazole diazonium salt acid generator
KR950002874B1 (ko) * 1990-06-25 1995-03-27 마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤 광 또는 방사선감응성 조성물과 패턴형성방법과 포토마스크의 제조방법 및 반도체
US5166405A (en) * 1990-07-18 1992-11-24 Ciba-Geigy Corporation Benzoates containing a substituent having olefinic unsaturation
EP0467841A3 (en) * 1990-07-18 1992-10-28 Ciba-Geigy Ag Benzoic acid ester comprising an olefinically unsaturated substituant
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
EP0475903B1 (de) * 1990-09-13 1996-04-24 OCG Microelectronic Materials Inc. Säurelabile Lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche Zusammensetzung
DE4032162A1 (de) * 1990-10-10 1992-04-16 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
DE4106357A1 (de) * 1991-02-28 1992-09-03 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche polymere mit 2-diazo-1,3-dicarbonyl-gruppen, verfahren zu deren herstellung und verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial
DE4106356A1 (de) * 1991-02-28 1992-09-03 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche polymere mit naphthochinon-2-diazid-4-sulfonyl-gruppen und deren verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial
EP0501919A1 (de) * 1991-03-01 1992-09-02 Ciba-Geigy Ag Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen auf der Basis von Polyphenolen und Acetalen
EP0502819A1 (de) * 1991-03-01 1992-09-09 Ciba-Geigy Ag Säurekatalytisch vernetzbare Copolymere
DE4112971A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Sulfonsaeureester von 2,4,6-tris-(2-hydroxy-ethoxy)-(1,3,5)triazin, ein damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
DE4112966A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112968A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JP2662141B2 (ja) * 1991-05-20 1997-10-08 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション デバイスの製造方法
DE4120173A1 (de) * 1991-06-19 1992-12-24 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0537524A1 (en) 1991-10-17 1993-04-21 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions and methods
JPH05205989A (ja) * 1992-01-28 1993-08-13 Hitachi Ltd リソグラフィ法及び半導体装置の製造方法
DE4202845A1 (de) * 1992-01-31 1993-08-05 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5342734A (en) * 1992-02-25 1994-08-30 Morton International, Inc. Deep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay
US5580695A (en) * 1992-02-25 1996-12-03 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Chemically amplified resist
JPH05323682A (ja) * 1992-05-18 1993-12-07 Konica Corp 印刷版の製版方法
US5374501A (en) * 1992-08-17 1994-12-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Alkali soluble photopolymer in color proofing constructions
EP0599779A1 (de) * 1992-10-29 1994-06-01 OCG Microelectronic Materials AG Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum
US6010824A (en) * 1992-11-10 2000-01-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photosensitive resin composition containing a triazine compound and a pre-sensitized plate using the same, and photosensitive resin composition containing acridine and triazine compounds and a color filter and a pre-sensitized plate using the same
DE4242050A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag Polymere mit N,N-disubstituierten Sulfonamid-Seitengruppen und deren Verwendung
DE4242051A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Hoechst Ag N,N-Disubstituierte Sulfonamide und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch
US5314782A (en) * 1993-03-05 1994-05-24 Morton International, Inc. Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
US5496678A (en) * 1993-04-16 1996-03-05 Kansai Paint Co., Ltd. Photosensitive compositions containing a polymer with carboxyl and hydroxyphenyl groups, a compound with multiple ethylenic unsaturation and a photo-acid generator
JPH06308729A (ja) * 1993-04-19 1994-11-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物
DE69512113T2 (de) 1994-03-14 2000-05-25 Kodak Polychrome Graphics Llc Strahlungsempfindliche Zusammensetzung, enthaltend ein Resolharz, ein Novolakharz, einen Infrarotabsorber und ein Triazin, und seine Verwendung in lithographischen Druckplatten
DE4414896A1 (de) * 1994-04-28 1995-11-02 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungempfindliches Gemisch
US5759625A (en) * 1994-06-03 1998-06-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluoropolymer protectant layer for high temperature superconductor film and photo-definition thereof
US5460918A (en) * 1994-10-11 1995-10-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Thermal transfer donor and receptor with silicated surface for lithographic printing applications
JPH08110638A (ja) 1994-10-13 1996-04-30 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
US5856373A (en) * 1994-10-31 1999-01-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Dental visible light curable epoxy system with enhanced depth of cure
DE4444669A1 (de) 1994-12-15 1996-06-20 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches Gemisch
US5593812A (en) * 1995-02-17 1997-01-14 International Business Machines Corporation Photoresist having increased sensitivity and use thereof
US5656412A (en) * 1995-03-07 1997-08-12 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6391512B1 (en) * 1995-10-20 2002-05-21 Konica Corporation Image forming material and image forming method
US6001517A (en) * 1996-10-31 1999-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Positive photosensitive polymer composition, method of forming a pattern and electronic parts
US6060222A (en) * 1996-11-19 2000-05-09 Kodak Polcyhrome Graphics Llc 1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser
US6063539A (en) 1997-07-22 2000-05-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image recording medium and image recording method
DE19803564A1 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Agfa Gevaert Ag Polymere mit Einheiten aus N-substituiertem Maleimid und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
WO2000026973A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 Presstek, Inc. Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
JP4404282B2 (ja) * 1999-03-19 2010-01-27 大日本印刷株式会社 ホログラム撮影用乾板の作製方法及び作製装置
US6296982B1 (en) 1999-11-19 2001-10-02 Kodak Polychrome Graphics Llc Imaging articles
US6852766B1 (en) * 2000-06-15 2005-02-08 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization system
AU2001266918A1 (en) 2000-06-15 2001-12-24 3M Innovative Properties Company Multidirectional photoreactive absorption method
JP4786858B2 (ja) * 2000-06-15 2011-10-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 封入光学素子を提供するための多光子硬化
JP4965052B2 (ja) * 2000-06-15 2012-07-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 3次元光学素子の加工方法
AU2001266919A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-24 3M Innovative Properties Company Multipass multiphoton absorption method and apparatus
WO2001096952A2 (en) * 2000-06-15 2001-12-20 3M Innovative Properties Company Multicolor imaging using multiphoton photochemical processes
AU2001269837A1 (en) * 2000-06-15 2001-12-24 3M Innovative Properties Company Process for producing microfluidic articles
US7005229B2 (en) * 2002-10-02 2006-02-28 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization method
US7381516B2 (en) * 2002-10-02 2008-06-03 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization system
US7265161B2 (en) * 2002-10-02 2007-09-04 3M Innovative Properties Company Multi-photon reactive compositions with inorganic particles and method for fabricating structures
US7118845B2 (en) * 2000-06-15 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Multiphoton photochemical process and articles preparable thereby
DE60127684T2 (de) 2000-08-04 2007-09-06 Kodak Polychrome Graphics Co. Ltd., Norwalk Lithographische druckform, herstellungsverfahren und verwendung davon
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US6750266B2 (en) * 2001-12-28 2004-06-15 3M Innovative Properties Company Multiphoton photosensitization system
US6723495B2 (en) 2002-01-24 2004-04-20 Kodak Polychrome Graphics Llc Water-developable negative-working ultraviolet and infrared imageable element
US7521168B2 (en) 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
JP4382364B2 (ja) 2002-04-24 2009-12-09 株式会社東芝 液体インク
JP3992550B2 (ja) * 2002-07-04 2007-10-17 國宏 市村 感活性エネルギー線樹脂組成物、感活性エネルギー線樹脂フィルム及び該フィルムを用いるパターン形成方法
US7232650B2 (en) * 2002-10-02 2007-06-19 3M Innovative Properties Company Planar inorganic device
US7160665B2 (en) * 2002-12-30 2007-01-09 International Business Machines Corporation Method for employing vertical acid transport for lithographic imaging applications
JP4163964B2 (ja) * 2003-01-07 2008-10-08 岡本化学工業株式会社 画像形成組成物およびそれを用いた感光性平版印刷版
US6790590B2 (en) 2003-01-27 2004-09-14 Kodak Polychrome Graphics, Llp Infrared absorbing compounds and their use in imageable elements
US6902861B2 (en) 2003-03-10 2005-06-07 Kodak Polychrome Graphics, Llc Infrared absorbing compounds and their use in photoimageable elements
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1528087B1 (en) * 2003-10-28 2007-11-21 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Ink for ink jet recording
US20050124712A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals
WO2005066672A1 (en) * 2003-12-05 2005-07-21 3M Innovative Properties Company Process for producing photonic crystals and controlled defects therein
JP4448705B2 (ja) 2004-02-05 2010-04-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP2006051656A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 平版印刷版材料用支持体及び平版印刷版材料
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1637927A1 (en) 2004-09-02 2006-03-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP4469692B2 (ja) 2004-09-14 2010-05-26 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
TWI530759B (zh) 2005-01-24 2016-04-21 富士軟片股份有限公司 適用於浸漬曝光之正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
JP4452632B2 (ja) 2005-01-24 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4562537B2 (ja) 2005-01-28 2010-10-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4439409B2 (ja) 2005-02-02 2010-03-24 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7541131B2 (en) * 2005-02-18 2009-06-02 Fujifilm Corporation Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
TWI471699B (zh) 2005-03-04 2015-02-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
US20060204732A1 (en) 2005-03-08 2006-09-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
JP4579019B2 (ja) 2005-03-17 2010-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
JP4724465B2 (ja) 2005-05-23 2011-07-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4580841B2 (ja) 2005-08-16 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4695941B2 (ja) 2005-08-19 2011-06-08 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
ATE410460T1 (de) 2005-08-23 2008-10-15 Fujifilm Corp Härtbare tinte enthaltend modifiziertes oxetan
JP4757574B2 (ja) 2005-09-07 2011-08-24 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
TWI403843B (zh) 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
EP2103639A1 (en) 2005-11-04 2009-09-23 Fujifilm Corporation Curable polycyclic epoxy composition, ink composition and inkjet recording method therewith
WO2007057346A2 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Agfa Graphics Nv Method of making a lithographic printing plate
TWI443461B (zh) 2005-12-09 2014-07-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物、用於正型光阻組成物之樹脂、用於合成該樹脂之化合物及使用該正型光阻組成物之圖案形成方法
US8026296B2 (en) 2005-12-20 2011-09-27 3M Innovative Properties Company Dental compositions including a thermally labile component, and the use thereof
US7896650B2 (en) 2005-12-20 2011-03-01 3M Innovative Properties Company Dental compositions including radiation-to-heat converters, and the use thereof
US7776940B2 (en) 2005-12-20 2010-08-17 3M Innovative Properties Company Methods for reducing bond strengths, dental compositions, and the use thereof
US7583444B1 (en) 2005-12-21 2009-09-01 3M Innovative Properties Company Process for making microlens arrays and masterforms
DE112006003494T5 (de) 2005-12-21 2008-10-30 3M Innovative Properties Co., Saint Paul Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von mehrphotonen-aushärtbaren photoreaktiven Zusammensetzungen
ATE496766T1 (de) 2006-03-03 2011-02-15 Fujifilm Corp Härtbare zusammensetzung, tintenzusammensetzung, tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und flachdruckplatte
EP1998844A4 (en) * 2006-03-24 2017-03-01 3M Innovative Properties Company Process for making microneedles, microneedle arrays, masters, and replication tools
EP2468487B1 (en) 2006-05-18 2017-07-12 3M Innovative Properties Company Light extraction structures and light guides incorporating same
JP4911456B2 (ja) 2006-11-21 2012-04-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP2008189776A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Fujifilm Corp 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版
JP4905786B2 (ja) 2007-02-14 2012-03-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1962139A1 (en) 2007-02-23 2008-08-27 FUJIFILM Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP2008208266A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Fujifilm Corp インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
JP5162290B2 (ja) 2007-03-23 2013-03-13 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8088566B2 (en) 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
US7592118B2 (en) 2007-03-27 2009-09-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
US7635554B2 (en) 2007-03-28 2009-12-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
US8182975B2 (en) 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
EP1975714A1 (en) 2007-03-28 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern forming method
US20080241745A1 (en) 2007-03-29 2008-10-02 Fujifilm Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP5039622B2 (ja) 2007-03-30 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4982228B2 (ja) 2007-03-30 2012-07-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP5159141B2 (ja) 2007-03-30 2013-03-06 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
KR100990106B1 (ko) 2007-04-13 2010-10-29 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2009020510A (ja) 2007-06-15 2009-01-29 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
JP2008311474A (ja) 2007-06-15 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
JP2009009047A (ja) 2007-06-29 2009-01-15 Fujifilm Corp パターン形成方法
JP2009053688A (ja) 2007-07-30 2009-03-12 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP5066405B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-07 富士フイルム株式会社 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
TWI470345B (zh) 2007-08-03 2015-01-21 Fujifilm Corp 含新穎化合物之光阻組成物、使用該光阻組成物之圖案形成方法、及新穎化合物
WO2009022561A1 (ja) 2007-08-10 2009-02-19 Fujifilm Corporation ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2009032813A2 (en) 2007-09-06 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Lightguides having light extraction structures providing regional control of light output
US9102083B2 (en) 2007-09-06 2015-08-11 3M Innovative Properties Company Methods of forming molds and methods of forming articles using said molds
JP5449675B2 (ja) 2007-09-21 2014-03-19 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
JP5111039B2 (ja) 2007-09-27 2012-12-26 富士フイルム株式会社 重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物
JP4911469B2 (ja) 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
CN101821659B (zh) 2007-10-11 2014-09-24 3M创新有限公司 色差共聚焦传感器
US8240838B2 (en) 2007-11-29 2012-08-14 Fujifilm Corporation Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
JP5524856B2 (ja) * 2007-12-12 2014-06-18 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー エッジ明瞭性が向上した構造の製造方法
JP5150296B2 (ja) 2008-02-13 2013-02-20 富士フイルム株式会社 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
EP2257854B1 (en) * 2008-02-26 2018-10-31 3M Innovative Properties Company Multi-photon exposure system
US9046773B2 (en) 2008-03-26 2015-06-02 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
JP5244711B2 (ja) 2008-06-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5997873B2 (ja) 2008-06-30 2016-09-28 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5746818B2 (ja) 2008-07-09 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5383133B2 (ja) 2008-09-19 2014-01-08 富士フイルム株式会社 インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
EP2169018B1 (en) 2008-09-26 2012-01-18 Fujifilm Corporation Ink composition and inkjet recording method
JP5461809B2 (ja) 2008-09-29 2014-04-02 富士フイルム株式会社 インク組成物、及び、インクジェット記録方法
EP2356517B1 (en) 2008-12-12 2017-01-25 FUJIFILM Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
JP2010235911A (ja) 2009-03-11 2010-10-21 Konica Minolta Ij Technologies Inc 活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
JP5964007B2 (ja) 2009-04-02 2016-08-03 コニカミノルタ株式会社 活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
JP5783687B2 (ja) 2009-06-23 2015-09-24 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
CN102002121A (zh) * 2009-08-31 2011-04-06 住友化学株式会社 树脂,抗蚀剂组合物和用于制造抗蚀剂图案的方法
JP2011074365A (ja) * 2009-09-02 2011-04-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US8877546B2 (en) * 2010-05-28 2014-11-04 Corning Incorporated Enhanced semiconductor devices employing photoactive organic materials and methods of manufacturing same
US9063414B2 (en) 2010-07-28 2015-06-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Photoresist composition
KR101776320B1 (ko) 2010-08-30 2017-09-07 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
JP2012087294A (ja) 2010-09-21 2012-05-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
JP5824321B2 (ja) 2010-10-26 2015-11-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5824320B2 (ja) 2010-10-26 2015-11-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5879834B2 (ja) 2010-11-15 2016-03-08 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6088133B2 (ja) 2010-12-15 2017-03-01 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US10054094B2 (en) 2011-02-02 2018-08-21 3M Innovative Properties Company Microstructured pattern for forming a nozzle pre-form
JP5898520B2 (ja) 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034026B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947053B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829941B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5898521B2 (ja) 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6034025B2 (ja) 2011-02-25 2016-11-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829939B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5829940B2 (ja) 2011-02-25 2015-12-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5947051B2 (ja) 2011-02-25 2016-07-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6005964B2 (ja) 2011-04-07 2016-10-12 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6022788B2 (ja) 2011-04-07 2016-11-09 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5934536B2 (ja) 2011-04-07 2016-06-15 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5852490B2 (ja) 2011-04-07 2016-02-03 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
EP2699965A2 (en) 2011-04-22 2014-02-26 3M Innovative Properties Company Enhanced multi-photon imaging resolution method
CN103608726B (zh) 2011-06-08 2016-11-09 3M创新有限公司 包含聚合物系留的纳米颗粒的光致抗蚀剂
JP5985898B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5990041B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6130631B2 (ja) 2011-07-19 2017-05-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977595B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6130630B2 (ja) 2011-07-19 2017-05-17 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5912912B2 (ja) 2011-07-19 2016-04-27 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5886696B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013799B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5996944B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-21 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6189020B2 (ja) 2011-07-19 2017-08-30 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013798B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6013797B2 (ja) 2011-07-19 2016-10-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977593B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5977594B2 (ja) 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6267951B2 (ja) * 2013-12-18 2018-01-24 富士フイルム株式会社 感光性転写材料、パターン形成方法およびエッチング方法
JP6615536B2 (ja) 2014-08-25 2019-12-04 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6507065B2 (ja) 2014-08-25 2019-04-24 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6595255B2 (ja) 2014-08-25 2019-10-23 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6596263B2 (ja) 2014-08-25 2019-10-23 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6576162B2 (ja) 2014-08-25 2019-09-18 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6541508B2 (ja) 2014-08-25 2019-07-10 住友化学株式会社 塩、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9519218B2 (en) 2014-09-16 2016-12-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
US9869929B2 (en) 2014-09-16 2018-01-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
US9405191B2 (en) 2014-09-16 2016-08-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP6541526B2 (ja) 2014-09-16 2019-07-10 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9983478B2 (en) 2014-09-16 2018-05-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP6706891B2 (ja) 2014-09-16 2020-06-10 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6688041B2 (ja) 2014-11-11 2020-04-28 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6670591B2 (ja) 2014-11-11 2020-03-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6684075B2 (ja) 2014-11-11 2020-04-22 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6585471B2 (ja) 2014-11-11 2019-10-02 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6664932B2 (ja) 2014-11-14 2020-03-13 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6721319B2 (ja) 2014-11-26 2020-07-15 住友化学株式会社 ノニオン性化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6782070B2 (ja) 2014-11-26 2020-11-11 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9946157B2 (en) 2015-03-31 2018-04-17 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
US10365560B2 (en) 2015-03-31 2019-07-30 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
US10101657B2 (en) 2015-03-31 2018-10-16 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin, resist composition and method for producing resist pattern
JP6783540B2 (ja) 2015-03-31 2020-11-11 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
EP3081607B1 (en) 2015-04-15 2017-12-27 Agfa Nv Aqueous resin based inkjet inks
EP3081288B1 (en) 2015-04-15 2019-07-24 Agfa Nv Self-dispersing capsules
JP6769735B2 (ja) 2015-05-12 2020-10-14 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6782102B2 (ja) 2015-06-26 2020-11-11 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP6864994B2 (ja) 2015-06-26 2021-04-28 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP6883954B2 (ja) 2015-06-26 2021-06-09 住友化学株式会社 レジスト組成物
EP3156461B1 (en) 2015-10-13 2020-04-01 Agfa Nv Uv curable inkjet inks
JP7042598B2 (ja) 2016-12-14 2022-03-28 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6963979B2 (ja) 2016-12-14 2021-11-10 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7020433B2 (ja) 2017-02-08 2022-02-16 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7283883B2 (ja) 2017-11-09 2023-05-30 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US11378883B2 (en) 2018-04-12 2022-07-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
US11820735B2 (en) 2018-04-12 2023-11-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP7269093B2 (ja) 2018-05-29 2023-05-08 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020029451A (ja) 2018-08-17 2020-02-27 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7341787B2 (ja) 2018-08-27 2023-09-11 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7389622B2 (ja) 2018-11-20 2023-11-30 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7471828B2 (ja) 2019-01-18 2024-04-22 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7412186B2 (ja) 2019-01-18 2024-01-12 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7492842B2 (ja) 2019-03-25 2024-05-30 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
CN113748174B (zh) 2019-05-06 2023-02-21 爱克发有限公司 包含树脂的水性喷墨油墨
TW202108567A (zh) 2019-05-17 2021-03-01 日商住友化學股份有限公司 鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP7499071B2 (ja) 2019-06-04 2024-06-13 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩の製造方法
JP2020200310A (ja) 2019-06-04 2020-12-17 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021038204A (ja) 2019-08-29 2021-03-11 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021038203A (ja) 2019-08-29 2021-03-11 住友化学株式会社 塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021130807A (ja) 2019-12-18 2021-09-09 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに化合物
JP2021123580A (ja) 2020-02-06 2021-08-30 住友化学株式会社 カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021123579A (ja) 2020-02-06 2021-08-30 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US11740555B2 (en) 2020-03-05 2023-08-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
US11681220B2 (en) 2020-03-05 2023-06-20 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
US11675267B2 (en) 2020-03-23 2023-06-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
TW202146383A (zh) 2020-04-22 2021-12-16 日商住友化學股份有限公司 鹽、酸產生劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2021181431A (ja) 2020-05-15 2021-11-25 住友化学株式会社 カルボン酸塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2021181429A (ja) 2020-05-15 2021-11-25 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW202202476A (zh) 2020-05-21 2022-01-16 日商住友化學股份有限公司 鹽、酸產生劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2021188041A (ja) 2020-06-01 2021-12-13 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW202215157A (zh) 2020-06-01 2022-04-16 日商住友化學股份有限公司 化合物、樹脂、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2022008152A (ja) 2020-06-25 2022-01-13 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022013736A (ja) 2020-07-01 2022-01-18 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022075556A (ja) 2020-11-06 2022-05-18 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022077505A (ja) 2020-11-11 2022-05-23 住友化学株式会社 カルボン酸塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022077982A (ja) 2020-11-12 2022-05-24 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022123839A (ja) 2021-02-12 2022-08-24 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022164585A (ja) 2021-04-15 2022-10-27 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022164583A (ja) 2021-04-15 2022-10-27 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US20230004084A1 (en) 2021-05-06 2023-01-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
JP2022183074A (ja) 2021-05-28 2022-12-08 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022183077A (ja) 2021-05-28 2022-12-08 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US20230113512A1 (en) 2021-08-06 2023-04-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3046119A (en) * 1950-08-01 1962-07-24 Azoplate Corp Light sensitive material for printing and process for making printing plates
US2767092A (en) * 1951-12-06 1956-10-16 Azoplate Corp Light sensitive material for lithographic printing
NL130926C (ja) * 1959-09-04
US3515552A (en) * 1966-09-16 1970-06-02 Minnesota Mining & Mfg Light-sensitive imaging sheet and method of using
US3536489A (en) * 1966-09-16 1970-10-27 Minnesota Mining & Mfg Heterocyclic iminoaromatic-halogen containing photoinitiator light sensitive compositions
GB1180845A (en) * 1967-08-08 1970-02-11 Agfa Gevaert Nv Light-Sensitive Polymers and their use in the preparation of Photographic Printing Plates

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS603625A (ja) * 1983-06-22 1985-01-10 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
JPS6310153A (ja) * 1986-07-02 1988-01-16 Konica Corp 感光性組成物および感光性平版印刷版
EP0410606A2 (en) 1989-07-12 1991-01-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Siloxane polymers and positive working light-sensitive compositions comprising the same
EP0565006A2 (en) 1992-04-06 1993-10-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for preparing PS plate
JPH07146552A (ja) * 1993-04-16 1995-06-06 Kansai Paint Co Ltd 感光性組成物及びパターンの形成方法
JPH06308733A (ja) * 1993-04-23 1994-11-04 Kansai Paint Co Ltd 感光性組成物及びパターンの製造方法
EP0702271A1 (en) 1994-09-06 1996-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working printing plate
US6010826A (en) * 1994-10-13 2000-01-04 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
EP0747768A2 (en) 1995-06-05 1996-12-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition
US6309795B1 (en) 1996-01-26 2001-10-30 Nippon Zeon Co., Ltd. Resist composition
EP0788031A1 (en) 1996-02-05 1997-08-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photosensitive composition
US6410204B1 (en) 1999-09-27 2002-06-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
US6537718B2 (en) 1999-12-22 2003-03-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition for exposure to far ultraviolet ray
EP1627736A1 (en) 2004-08-18 2006-02-22 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Method of manufacturing light sensitive planographic printing plates and method of using the same
JP2010261000A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Daicel Chem Ind Ltd 交互共重合体とその製造方法
JP2011248019A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Fujifilm Corp パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
US9760003B2 (en) 2010-05-25 2017-09-12 Fujifilm Corporation Pattern forming method and actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition
JPWO2012114963A1 (ja) * 2011-02-23 2014-07-07 Jsr株式会社 ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
DE2306248B2 (de) 1974-05-16
CA1007094A (en) 1977-03-22
DE2306248A1 (de) 1973-09-27
JPS5236442B2 (ja) 1977-09-16
NL149915B (nl) 1976-06-15
FR2182844B1 (ja) 1976-09-10
FR2182844A1 (ja) 1973-12-14
US3779778A (en) 1973-12-18
DE2306248C3 (de) 1974-12-12
IT977258B (it) 1974-09-10
NL7301288A (ja) 1973-08-13
GB1414579A (en) 1975-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2182844B1 (ja)
FR2174732B1 (ja)
JPS5141744B2 (ja)
JPS4971462A (ja)
JPS4965378A (ja)
JPS4989537U (ja)
FR2206495B1 (ja)
FR2172266B1 (ja)
JPS5625866B2 (ja)
JPS4965761A (ja)
JPS4912619U (ja)
JPS495384U (ja)
JPS4912393A (ja)
JPS5151216Y2 (ja)
JPS49106770U (ja)
JPS4992879U (ja)
JPS4865535A (ja)
JPS4988368U (ja)
BG17899A1 (ja)
BG22798A3 (ja)
CH559365A5 (ja)
CH559961A5 (ja)
CH545513A (ja)
BG20317A3 (ja)
CH561371A5 (ja)