JPH1154094A - ハロゲン電球およびその製造方法 - Google Patents
ハロゲン電球およびその製造方法Info
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- JPH1154094A JPH1154094A JP9204120A JP20412097A JPH1154094A JP H1154094 A JPH1154094 A JP H1154094A JP 9204120 A JP9204120 A JP 9204120A JP 20412097 A JP20412097 A JP 20412097A JP H1154094 A JPH1154094 A JP H1154094A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
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- H01K1/28—Envelopes; Vessels
- H01K1/32—Envelopes; Vessels provided with coatings on the walls; Vessels or coatings thereon characterised by the material thereof
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-
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- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
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- H01K1/40—Leading-in conductors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属箔の寿命中の酸化を防止して、長寿命・
高効率で安価なハロゲン電球およびその製造方法を得
る。 【解決手段】 発光管１は主要部に楕円体形状部１ａを
有する。主要部の他端部は封止部２を有する。フィラメ
ントコイル３は、楕円体形状部１ａの内部に、発光管１
の中心軸上に位置して、内部リード線９，１０によって
保持されている。発光管１の封止部２を除く外表面には
赤外線反射膜４が形成されている。発光管１の封止部２
の外表面には赤外線反射膜４の非形成部２ａが形成され
ている。封止部２には、内部リード線９，１０の端部が
接続された金属箔５と、一端部がこの金属箔５に接続さ
れ、他端部が封止部２外部に導出した外部リード線６と
が封止されている。封止部２において、気密封止されて
いない隙間領域７に露呈している外部リード線６および
金属箔５の各表面に赤外線反射膜４が形成されている。
高効率で安価なハロゲン電球およびその製造方法を得
る。 【解決手段】 発光管１は主要部に楕円体形状部１ａを
有する。主要部の他端部は封止部２を有する。フィラメ
ントコイル３は、楕円体形状部１ａの内部に、発光管１
の中心軸上に位置して、内部リード線９，１０によって
保持されている。発光管１の封止部２を除く外表面には
赤外線反射膜４が形成されている。発光管１の封止部２
の外表面には赤外線反射膜４の非形成部２ａが形成され
ている。封止部２には、内部リード線９，１０の端部が
接続された金属箔５と、一端部がこの金属箔５に接続さ
れ、他端部が封止部２外部に導出した外部リード線６と
が封止されている。封止部２において、気密封止されて
いない隙間領域７に露呈している外部リード線６および
金属箔５の各表面に赤外線反射膜４が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照明用の赤外線反
射膜を形成したハロゲン電球およびその製造方法に関す
るものである。
射膜を形成したハロゲン電球およびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のハロゲン電球として、図５に示す
ように、フィラメントコイル１４が位置する直管形の発
光管１５の表面部分に、ＴｉＯ2膜形成溶液とＳｉＯ2膜
形成溶液に交互に浸して膜を形成する、いわゆる浸漬方
法によって、赤外線反射膜１６を形成した片端封止形の
ハロゲン電球１７が知られている。
ように、フィラメントコイル１４が位置する直管形の発
光管１５の表面部分に、ＴｉＯ2膜形成溶液とＳｉＯ2膜
形成溶液に交互に浸して膜を形成する、いわゆる浸漬方
法によって、赤外線反射膜１６を形成した片端封止形の
ハロゲン電球１７が知られている。
【０００３】このような従来のハロゲン電球は、封止部
１９に封止されたモリブデンからなる金属箔２０の一部
と、一端部がこの金属箔２０に接続され、他端部が封止
部１９外部に導出して設けられた外部リード線２１との
外縁に沿って、これら金属箔２０および外部リード線２
１と、封止部１９の石英ガラスとの間に空隙１８が生じ
ている。
１９に封止されたモリブデンからなる金属箔２０の一部
と、一端部がこの金属箔２０に接続され、他端部が封止
部１９外部に導出して設けられた外部リード線２１との
外縁に沿って、これら金属箔２０および外部リード線２
１と、封止部１９の石英ガラスとの間に空隙１８が生じ
ている。
【０００４】このような空隙１８があると、この空隙１
８を通じて空気が封止部１９内に侵入し、封止部１９内
の金属箔２０がランプ寿命中に酸化してしまう。このた
め、最終的に封止部１９において、リークやクラックを
引き起こしてしまい、ランプを短寿命としてしまうとい
う不具合があった。また、このようなハロゲン電球のラ
ンプ効率は赤外線反射膜１６の形成によって７％程の上
昇しか見られない。
８を通じて空気が封止部１９内に侵入し、封止部１９内
の金属箔２０がランプ寿命中に酸化してしまう。このた
め、最終的に封止部１９において、リークやクラックを
引き起こしてしまい、ランプを短寿命としてしまうとい
う不具合があった。また、このようなハロゲン電球のラ
ンプ効率は赤外線反射膜１６の形成によって７％程の上
昇しか見られない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また、他の従来のハロ
ゲン電球として、図６に示すように、発光管２２を真空
状態の炉の中に入れた後、この炉内をタンタル（Ｔａ）
およびシリコン（Ｓｉ）の雰囲気に交互にする、いわゆ
るＣＶＤ方法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）によって、発光
管２２の表面に赤外線反射膜２３を形成した両端封止形
の楕円形石英発光管２２を外管２４内に備えたものが知
られている。
ゲン電球として、図６に示すように、発光管２２を真空
状態の炉の中に入れた後、この炉内をタンタル（Ｔａ）
およびシリコン（Ｓｉ）の雰囲気に交互にする、いわゆ
るＣＶＤ方法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）によって、発光
管２２の表面に赤外線反射膜２３を形成した両端封止形
の楕円形石英発光管２２を外管２４内に備えたものが知
られている。
【０００６】この従来のハロゲン電球のランプ効率は、
赤外線反射膜２３と楕円形発光管２２とにより、約５０
％という高い発光効率の上昇が実現されている。しかし
ながら、外管２４内に発光管２２を保持した、いわゆる
二重管形構造であるため、構造が複雑でコスト高とな
る。
赤外線反射膜２３と楕円形発光管２２とにより、約５０
％という高い発光効率の上昇が実現されている。しかし
ながら、外管２４内に発光管２２を保持した、いわゆる
二重管形構造であるため、構造が複雑でコスト高とな
る。
【０００７】本発明の目的は、モリブデンからなる金属
箔の寿命中の酸化を防止して、長寿命・高効率で安価な
ハロゲン電球およびその製造方法を提供することを目的
とする。
箔の寿命中の酸化を防止して、長寿命・高効率で安価な
ハロゲン電球およびその製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のハロゲン電球
は、端部に封止部を有し、内部に、ハロゲン元素と希ガ
スが封入されているとともに、フィラメントコイルが保
持された石英からなる発光管を備え、前記発光管の表面
に赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封止部
には、前記フィラメントコイルに接続された金属箔と、
一端部が前記金属箔に接続され、他端部が前記封止部外
部に導出した外部リード線とが封止されており、前記封
止部において、気密封止されていない隙間領域に露呈し
ている前記外部リード線の表面および前記金属箔の表面
に前記赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封
止部の表面に前記赤外線反射膜の非形成部が形成された
構成を有する。
は、端部に封止部を有し、内部に、ハロゲン元素と希ガ
スが封入されているとともに、フィラメントコイルが保
持された石英からなる発光管を備え、前記発光管の表面
に赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封止部
には、前記フィラメントコイルに接続された金属箔と、
一端部が前記金属箔に接続され、他端部が前記封止部外
部に導出した外部リード線とが封止されており、前記封
止部において、気密封止されていない隙間領域に露呈し
ている前記外部リード線の表面および前記金属箔の表面
に前記赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封
止部の表面に前記赤外線反射膜の非形成部が形成された
構成を有する。
【０００９】これにより、ランプ点灯中における、封止
部の温度を低下することができるとともに、封止部内の
隙間領域の空気に露呈している外部リードおよび金属箔
を赤外線反射膜によって、空気中の酸素から遮へい・保
護することができるので、ランプ寿命中の金属箔の酸化
を防止することができる。
部の温度を低下することができるとともに、封止部内の
隙間領域の空気に露呈している外部リードおよび金属箔
を赤外線反射膜によって、空気中の酸素から遮へい・保
護することができるので、ランプ寿命中の金属箔の酸化
を防止することができる。
【００１０】また、本発明のハロゲン電球の製造方法
は、端部に封止部を有し、内部に、ハロゲン元素と希ガ
スが封入されているとともに、フィラメントコイルが保
持された石英からなる発光管を備え、前記発光管の表面
に赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封止部
には、前記フィラメントコイルに接続された金属箔と、
一端部が前記金属箔に接続され、他端部が前記封止部外
部に導出した外部リード線とが封止されており、前記封
止部において、気密封止されていない隙間領域に露呈し
ている前記外部リード線の表面および前記金属箔の表面
に前記赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封
止部の表面に前記赤外線反射膜の非形成部が形成された
ハロゲン電球の製造方法であって、前記発光管の表面に
前記赤外線反射膜を形成した後、前記封止部の表面に形
成された前記赤外線反射膜を除去する構成を有する。
は、端部に封止部を有し、内部に、ハロゲン元素と希ガ
スが封入されているとともに、フィラメントコイルが保
持された石英からなる発光管を備え、前記発光管の表面
に赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封止部
には、前記フィラメントコイルに接続された金属箔と、
一端部が前記金属箔に接続され、他端部が前記封止部外
部に導出した外部リード線とが封止されており、前記封
止部において、気密封止されていない隙間領域に露呈し
ている前記外部リード線の表面および前記金属箔の表面
に前記赤外線反射膜が形成されているとともに、前記封
止部の表面に前記赤外線反射膜の非形成部が形成された
ハロゲン電球の製造方法であって、前記発光管の表面に
前記赤外線反射膜を形成した後、前記封止部の表面に形
成された前記赤外線反射膜を除去する構成を有する。
【００１１】これにより、ランプ寿命中の金属箔の酸化
を防止できるハロゲン電球を得ることができる。
を防止できるハロゲン電球を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。
て、図面を用いて説明する。
【００１３】図１および図２に示す本発明の実施の形態
であるハロゲン電球は、内部に、ハロゲン元素と希ガス
が封入されているとともに、タングステンからなる全長
１０ｍｍのフィラメントコイル３が保持された石英から
なる全長４４ｍｍの発光管１を備えている。
であるハロゲン電球は、内部に、ハロゲン元素と希ガス
が封入されているとともに、タングステンからなる全長
１０ｍｍのフィラメントコイル３が保持された石英から
なる全長４４ｍｍの発光管１を備えている。
【００１４】発光管１は高効率特性を実現するために、
主要部に外径１４ｍｍの楕円体形状部１ａを有してい
る。この主要部の一端部はチップオフによって閉塞さ
れ、この主要部の他端部には封止部２を有している。フ
ィラメントコイル３は、発光管１の主要部、すなわち楕
円体形状部１ａの内部に、発光管１の中心軸上に位置し
て、内部リード線９，１０によって保持されている。発
光管１の封止部２を除く外表面には赤外線反射膜４が形
成されている。発光管１の封止部２の外表面には赤外線
反射膜４の非形成部２ａが形成されている。
主要部に外径１４ｍｍの楕円体形状部１ａを有してい
る。この主要部の一端部はチップオフによって閉塞さ
れ、この主要部の他端部には封止部２を有している。フ
ィラメントコイル３は、発光管１の主要部、すなわち楕
円体形状部１ａの内部に、発光管１の中心軸上に位置し
て、内部リード線９，１０によって保持されている。発
光管１の封止部２を除く外表面には赤外線反射膜４が形
成されている。発光管１の封止部２の外表面には赤外線
反射膜４の非形成部２ａが形成されている。
【００１５】封止部２には、内部リード線９，１０の端
部が接続されたモリブデンからなる金属箔５と、一端部
がこの金属箔５に接続され、他端部が封止部２外部に導
出したモリブデンからなる外部リード線６とが封止され
ている。
部が接続されたモリブデンからなる金属箔５と、一端部
がこの金属箔５に接続され、他端部が封止部２外部に導
出したモリブデンからなる外部リード線６とが封止され
ている。
【００１６】封止部２において、気密封止されていない
隙間領域７に露呈している外部リード線６の表面および
金属箔５の表面に赤外線反射膜４（図２において、斜線
で示す）が形成されている。なお、内部リード線９，１
０は石英ステム１１で保持されている。また、封止部２
にはセラミック口金キャップを有する口金１２がセメン
トにより固着されている。
隙間領域７に露呈している外部リード線６の表面および
金属箔５の表面に赤外線反射膜４（図２において、斜線
で示す）が形成されている。なお、内部リード線９，１
０は石英ステム１１で保持されている。また、封止部２
にはセラミック口金キャップを有する口金１２がセメン
トにより固着されている。
【００１７】図１に示す本実施形態のハロゲン電球（以
下、本発明品という）を電源電圧１１０Ｖ，９０Ｗ定格
入力で点灯したところ２４００ｌｍの光束、２６．６ｌ
ｍ／Ｗの高効率が得られた。なお、赤外線反射膜４を形
成していない比較電球の特性を調べたところ、２４００
ｌｍの同光束を得るのに１５０Ｗの入力を要した。つま
り、本発明品では比較電球と比して４０％の省電化が実
現されることがわかった。
下、本発明品という）を電源電圧１１０Ｖ，９０Ｗ定格
入力で点灯したところ２４００ｌｍの光束、２６．６ｌ
ｍ／Ｗの高効率が得られた。なお、赤外線反射膜４を形
成していない比較電球の特性を調べたところ、２４００
ｌｍの同光束を得るのに１５０Ｗの入力を要した。つま
り、本発明品では比較電球と比して４０％の省電化が実
現されることがわかった。
【００１８】本実施形態のハロゲン電球において、発光
管１の一端部は排気管（図示せず）をチップオフしたチ
ップオフ部８であり、ランプの排気工程ではこの排気管
を通じて発光管１の内部を真空にし、次いで所定量のハ
ロゲン化合物ＣＨ2Ｂｒ2およびキセノンとチッ素ガスの
混合ガスを ０．６ＭＰａ封入した後、排気管をチップ
オフしている。排気後、発光管１はＣＶＤ反応炉内に保
持して、１８層のＴａ 2Ｏ5−ＳｉＯ2からなる赤外線反
射膜４を発光管１の表面に形成している。このように赤
外線反射膜４を形成した後の発光管１を図３に示す。
管１の一端部は排気管（図示せず）をチップオフしたチ
ップオフ部８であり、ランプの排気工程ではこの排気管
を通じて発光管１の内部を真空にし、次いで所定量のハ
ロゲン化合物ＣＨ2Ｂｒ2およびキセノンとチッ素ガスの
混合ガスを ０．６ＭＰａ封入した後、排気管をチップ
オフしている。排気後、発光管１はＣＶＤ反応炉内に保
持して、１８層のＴａ 2Ｏ5−ＳｉＯ2からなる赤外線反
射膜４を発光管１の表面に形成している。このように赤
外線反射膜４を形成した後の発光管１を図３に示す。
【００１９】発光管１の封止部２においては、内部リー
ド線９，１０、金属箔５、外部リード線６の封止の際、
封止された金属箔５の一部と、この金属箔５に接続され
た外部リード線６との外縁に沿って、金属箔５の一部と
外部リード線６と、封止部２の石英ガラスとの間に熱膨
張係数の相違により、気密封止されていない隙間領域７
が生じている。
ド線９，１０、金属箔５、外部リード線６の封止の際、
封止された金属箔５の一部と、この金属箔５に接続され
た外部リード線６との外縁に沿って、金属箔５の一部と
外部リード線６と、封止部２の石英ガラスとの間に熱膨
張係数の相違により、気密封止されていない隙間領域７
が生じている。
【００２０】ＣＶＤ方法によって発光管１の表面に赤外
線反射膜４を形成すると、図４に示すように、ＣＶＤ形
成工程中に赤外線反射膜４が気密でない隙間領域７に侵
入し、隙間領域７の外部リード線６の表面および金属箔
５の表面に赤外線反射膜４が形成される。これはＣＶＤ
プロセスは基本的に気相反応であり、反応ガスが隙間領
域７に拡散・浸入していくからである。また、赤外線反
射膜４は封止部２外部に導出した外部リード線６の表面
にも形成される。
線反射膜４を形成すると、図４に示すように、ＣＶＤ形
成工程中に赤外線反射膜４が気密でない隙間領域７に侵
入し、隙間領域７の外部リード線６の表面および金属箔
５の表面に赤外線反射膜４が形成される。これはＣＶＤ
プロセスは基本的に気相反応であり、反応ガスが隙間領
域７に拡散・浸入していくからである。また、赤外線反
射膜４は封止部２外部に導出した外部リード線６の表面
にも形成される。
【００２１】ＣＶＤ方式で赤外線反射膜４を形成するプ
ロセスとしては、封止ならびに排気後の発光管１をその
ままＣＶＤ反応炉内に保持して形成するのが簡易で生産
性が高い最適なプロセスといえる。しかるに、かかる最
適ＣＶＤ形成プロセスを採用したとき、必然的に赤外線
反射膜４が発光管１の封止部２を含む発光管１の外表面
全体に形成されることになる。しかしながら、発光管１
の表面全体、特に封止部２に赤外線反射膜４が形成され
ているものでは、点灯・消灯を繰り返し、かつ点灯時の
封止部２の温度が４５０℃を越えた場合、発光管材料で
ある石英ガラス、金属箔５、および外部リード線６がそ
れぞれ膨張・収縮するため、封止部２内の外部リード線
６および金属箔５表面に形成された赤外線反射膜４に亀
裂が生じ、この亀裂を通じて空気が金属箔５に達し、金
属箔５がランプ寿命中に酸化してしまう。このため、最
終的に封止部２において、リークおよびクラックが発生
して、ランプを短寿命にしてしまう。また、このような
現象は点灯中の封止部２の温度が高ければ高いほど生じ
やすくなる。
ロセスとしては、封止ならびに排気後の発光管１をその
ままＣＶＤ反応炉内に保持して形成するのが簡易で生産
性が高い最適なプロセスといえる。しかるに、かかる最
適ＣＶＤ形成プロセスを採用したとき、必然的に赤外線
反射膜４が発光管１の封止部２を含む発光管１の外表面
全体に形成されることになる。しかしながら、発光管１
の表面全体、特に封止部２に赤外線反射膜４が形成され
ているものでは、点灯・消灯を繰り返し、かつ点灯時の
封止部２の温度が４５０℃を越えた場合、発光管材料で
ある石英ガラス、金属箔５、および外部リード線６がそ
れぞれ膨張・収縮するため、封止部２内の外部リード線
６および金属箔５表面に形成された赤外線反射膜４に亀
裂が生じ、この亀裂を通じて空気が金属箔５に達し、金
属箔５がランプ寿命中に酸化してしまう。このため、最
終的に封止部２において、リークおよびクラックが発生
して、ランプを短寿命にしてしまう。また、このような
現象は点灯中の封止部２の温度が高ければ高いほど生じ
やすくなる。
【００２２】ＣＶＤ方法によって、封止部２を含む発光
管１の表面全体に赤外線反射膜４が形成されたハロゲン
電球をダイクロイック反射ミラー（図示せず）に組み込
み反射鏡付きハロゲン電球（図示せず）とし、寿命試験
を行ったところ、目標定格寿命２０００時間に対して１
０００時間以内に封止部２がリーク・クラックが発生し
て短寿命に至ることが判明した。
管１の表面全体に赤外線反射膜４が形成されたハロゲン
電球をダイクロイック反射ミラー（図示せず）に組み込
み反射鏡付きハロゲン電球（図示せず）とし、寿命試験
を行ったところ、目標定格寿命２０００時間に対して１
０００時間以内に封止部２がリーク・クラックが発生し
て短寿命に至ることが判明した。
【００２３】この問題について種々検討した結果、封止
部２の赤外線反射膜４を除去することによって、ランプ
器具内定格点灯時の封止部２の温度を大幅に低下するこ
とができることを確認した。
部２の赤外線反射膜４を除去することによって、ランプ
器具内定格点灯時の封止部２の温度を大幅に低下するこ
とができることを確認した。
【００２４】図４に示した、赤外線反射膜４を除去して
いないハロゲン電球の定格点灯時における封止部２の温
度は約４６０℃であったが、図２に示す口金１２を設け
ていない本発明にかかる発光管１を上記した反射鏡に組
み込んだ反射鏡付きハロゲン電球の封止部２の点灯時温
度は３４５℃と低下することができた。
いないハロゲン電球の定格点灯時における封止部２の温
度は約４６０℃であったが、図２に示す口金１２を設け
ていない本発明にかかる発光管１を上記した反射鏡に組
み込んだ反射鏡付きハロゲン電球の封止部２の点灯時温
度は３４５℃と低下することができた。
【００２５】このように、封止部２の気密でない隙間領
域７に露呈されている外部リード線６および金属箔５の
表面に赤外線反射膜４を形成し、かつ、封止部２表面に
形成された赤外線反射膜４を除去し封止部２に赤外線反
射膜４の非形成部２ａを形成することによって、目標で
ある定格寿命２０００時間以上の約２５００時間の長寿
命化を達成できることがわかった。
域７に露呈されている外部リード線６および金属箔５の
表面に赤外線反射膜４を形成し、かつ、封止部２表面に
形成された赤外線反射膜４を除去し封止部２に赤外線反
射膜４の非形成部２ａを形成することによって、目標で
ある定格寿命２０００時間以上の約２５００時間の長寿
命化を達成できることがわかった。
【００２６】隙間領域７の空気に露呈している外部リー
ド線６および金属箔５の表面に形成された赤外線反射膜
４は、隙間領域７の空気に露呈している外部リード線６
および金属箔５を、空気中の酵素から遮へい・保護し、
酸化を抑制していると考えられる。
ド線６および金属箔５の表面に形成された赤外線反射膜
４は、隙間領域７の空気に露呈している外部リード線６
および金属箔５を、空気中の酵素から遮へい・保護し、
酸化を抑制していると考えられる。
【００２７】上記の本発明品の製造方法としては、発光
管１の全表面に赤外線反射膜４を形成した後、封止部２
表面に形成された赤外線反射膜４を除去すればよい。
管１の全表面に赤外線反射膜４を形成した後、封止部２
表面に形成された赤外線反射膜４を除去すればよい。
【００２８】赤外線反射膜４の発光管１の表面への形成
方法としてはＣＶＤ方法を用いたが、浸漬方法を用いて
もよい。また、封止部２の表面の赤外線反射膜４を除去
する方法としては、サンドブラストなどの機械的方法を
用いればよい。サンドブラスト方法によれば、封止部２
の表面の赤外線反射膜４は除去され、隙間領域７の赤外
線反射膜４はそのまま残ることになる。なお、この場
合、外部リード線６の封止部２の外部に導出している表
面部分の赤外線反射膜４は同時に除去される。
方法としてはＣＶＤ方法を用いたが、浸漬方法を用いて
もよい。また、封止部２の表面の赤外線反射膜４を除去
する方法としては、サンドブラストなどの機械的方法を
用いればよい。サンドブラスト方法によれば、封止部２
の表面の赤外線反射膜４は除去され、隙間領域７の赤外
線反射膜４はそのまま残ることになる。なお、この場
合、外部リード線６の封止部２の外部に導出している表
面部分の赤外線反射膜４は同時に除去される。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明のハロゲン電球によ
れば、ランプ点灯中における、封止部の温度を低下する
ことができるとともに、封止部内の隙間領域の空気に露
呈している外部リードおよび金属箔を赤外線反射膜によ
って、空気中の酸素から遮へい・保護することができる
ので、ランプ寿命中の金属箔の酸化を防止することがで
き、長寿命・高効率でかつ簡易な構造で安価にすること
ができる。
れば、ランプ点灯中における、封止部の温度を低下する
ことができるとともに、封止部内の隙間領域の空気に露
呈している外部リードおよび金属箔を赤外線反射膜によ
って、空気中の酸素から遮へい・保護することができる
ので、ランプ寿命中の金属箔の酸化を防止することがで
き、長寿命・高効率でかつ簡易な構造で安価にすること
ができる。
【００３０】また、本発明のハロゲン電球の製造方法に
よれば、長寿命・高効率でかつ簡易な構造で安価なハロ
ゲン電球を得ることができる。
よれば、長寿命・高効率でかつ簡易な構造で安価なハロ
ゲン電球を得ることができる。
【図１】本発明の一実施形態であるハロゲン電球の正面
図
図
【図２】同じく口金を設けていないハロゲン電球の正面
図
図
【図３】同じく赤外線反射膜をＣＶＤ方法により形成し
た後のハロゲン電球の正面図
た後のハロゲン電球の正面図
【図４】同じく封止部の拡大正面図
【図５】従来のハロゲン電球の正面図
【図６】従来のハロゲン電球の正面図
１ 発光管 ２ 封止部 ３ フィラメントコイル ４ 赤外線反射膜 ５ 金属箔 ６ 外部リード線 ７ 隙間領域 ９，１０ 内部リード線
Claims (6)
- 【請求項１】 端部に封止部を有し、内部に、ハロゲン
元素と希ガスが封入されているとともに、フィラメント
コイルが保持された石英からなる発光管を備え、前記発
光管の表面に赤外線反射膜が形成されているとともに、
前記封止部には、前記フィラメントコイルに接続された
金属箔と、一端部が前記金属箔に接続され、他端部が前
記封止部外部に導出した外部リード線とが封止されてお
り、前記封止部において、気密封止されていない隙間領
域に露呈している前記外部リード線の表面および前記金
属箔の表面に前記赤外線反射膜が形成されているととも
に、前記封止部の表面に前記赤外線反射膜の非形成部が
形成されていることを特徴とするハロゲン電球。 - 【請求項２】 前記発光管の少なくとも一部が楕円形状
を有し、前記楕円形状の中心軸上に前記フィラメントコ
イルを保持していることを特徴とする請求項１記載のハ
ロゲン電球。 - 【請求項３】 端部に封止部を有し、内部に、ハロゲン
元素と希ガスが封入されているとともに、フィラメント
コイルが保持された石英からなる発光管を備え、前記発
光管の表面に赤外線反射膜が形成されているとともに、
前記封止部には、前記フィラメントコイルに接続された
金属箔と、一端部が前記金属箔に接続され、他端部が前
記封止部外部に導出した外部リード線とが封止されてお
り、前記封止部において、気密封止されていない隙間領
域に露呈している前記外部リード線の表面および前記金
属箔の表面に前記赤外線反射膜が形成されているととも
に、前記封止部の表面に前記赤外線反射膜の非形成部が
形成されたハロゲン電球の製造方法であって、前記発光
管の表面に前記赤外線反射膜を形成した後、前記封止部
の表面に形成された前記赤外線反射膜を除去することを
特徴とするハロゲン電球の製造方法。 - 【請求項４】 前記発光管の表面に前記赤外線反射膜を
ＣＶＤ方法によって形成することを特徴とする請求項３
記載のハロゲン電球の製造方法。 - 【請求項５】 前記発光管の表面に前記赤外線反射膜を
浸漬方法によって形成することを特徴とする請求項３記
載のハロゲン電球の製造方法。 - 【請求項６】 前記封止部に形成された赤外線反射膜を
サンドブラスト方法によって除去することを特徴とする
請求項３記載のハロゲン電球の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP20412097A JP3424516B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | ハロゲン電球およびその製造方法 |
| US09/119,795 US6239550B1 (en) | 1997-07-30 | 1998-07-21 | Tungsten halogen lamp with infrared reflecting film and method for manufacturing the same |
| TW087111830A TW398019B (en) | 1997-07-30 | 1998-07-21 | Tungsten halogen lamp and method of manufacturing the same |
| EP98113727A EP0895275B1 (en) | 1997-07-30 | 1998-07-23 | Tungsten halogen lamp and method for manufacturing the same |
| DE69811300T DE69811300T2 (de) | 1997-07-30 | 1998-07-23 | Wolfram-Halogenlampe und Herstellugsverfahren derselben |
| CNB981166806A CN1139099C (zh) | 1997-07-30 | 1998-07-30 | 卤素灯及其制造方法 |
| HK99102560A HK1017484A1 (en) | 1997-07-30 | 1999-06-14 | Halogen lamp and method for manufacturing the same |
| US09/585,033 US6336837B1 (en) | 1997-07-30 | 2000-06-01 | Tungsten halogen lamp and method for manufacturing the same |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154094A true JPH1154094A (ja) | 1999-02-26 |
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| JP3506949B2 (ja) | 1999-04-09 | 2004-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法、薄膜が形成された回転楕円体、及びこれを用いた電球と薄膜形成装置。 |
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