CN1139099C - 卤素灯及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种卤素灯及其制造方法，该卤素灯配有由石英构成的发光管(1)，在所述发光管(1)的表面上形成红外线反射膜(4)，在所述密封部分(2)密封金属箔(5)和外部引线(6)，即在所述外部引线(6)的表面和所述金属箔(5)的表面上形成所述红外线反射膜(4)，至少在所述密封部分(2)表面的一部分(2a)上，有未形成所述红外线反射膜的部分或除去至少一部分所述红外线反射膜的部分，可防止金属箔(5)的氧化，实现长寿命高效率及低价格。
Description
技术领域
本发明涉及形成红外线反射膜的卤素灯及其制造方法。
背景技术
作为以往的卤素灯，如图5的局部剖面图所示，已知使在设置灯丝线圈14的直管形的发光管15的表面部分，交替浸入TiO2膜形成溶液和SiO2膜形成溶液中形成膜，利用这样的浸渍方法，构成形成红外线反射膜16的单端密封形的卤素灯17(特开昭57-74963号公报)。
这种以往的卤素灯，沿在密封部分19中密封的由钼构成的金属箔20的一部分，和一端部与该金属箔20连接，另一端部导出到密封部分19外部的外部引线21的外缘，这些金属箔20和外部引线21，与密封部分19的石英玻璃之间产生空隙18。
如果有这样的空隙18，那么通过该空隙18，空气侵入到密封部分19内，在灯寿命期间密封部分19内的金属箔20就会氧化。因此，最终在密封部分19中，会引起渗漏和裂纹，会存在使灯寿命变短的不良情况。此外，因红外线反射膜16的形成，这种卤素灯的效率发现只提高7％左右。
此外，作为其它以往的卤素灯，如图6的局部剖视图所示，已知在把发光管22放入真空状态的炉中后，使该炉内交替处于钛(Ta)和硅(Si)的气氛中，利用所谓的CVD方法(化学汽相沉积技术)，把在发光管22的表面形成红外线反射膜23的两端密封形的椭圆形石英发光管22装配在外管24内(U.S.P.5045748，U.S.P.5138219)。
这种以往的卤素灯的效率，利用红外线反射膜23和椭圆形发光管22，可实现上升约50％的高发光效率。但是，由于在外管24内保持发光管22，有所谓的双重管形结构，所以存在结构复杂成本变高的问题。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的在于提供可防止金属箔氧化，长寿命且高效率的价格便宜的卤素灯及其制造方法。
为了实现上述目的，本发明的一种卤素灯，配有由石英构成的发光管，在端部有密封部分，在内部封入卤素和稀有气体，并且带有灯丝线圈，在所述发光管的外表面上形成红外线反射膜，同时由所述密封部分密封金属箔与外部引线，金属箔与所述灯丝线圈连接，外部引线的一端部与所述金属箔连接，另一端部导出到所述密封部分的外部，
其特征在于，在所述密封部分，在露出于没有被密封的间隙领域的所述引线的表面和所述金属箔的表面上形成所述红外线反射膜；
在所述密封部分表面上，有未形成所述红外线反射膜的部分。
上述中，所谓密封部分表面的至少一部分，是指达到密封部分表面的20％以上至100％以下的部分。此外，所述红外线反射膜的至少一部分，是指形成红外线反射膜厚度在20％以上至100％以下的部份。
在所述发光管的表面上形成的红外线反射膜，是交替层积高折射材料层和低折射材料层的多层干涉膜，作为高折射材料的一例，从Ta2O5、Nb2O5、CeO2、SiC、ZnS、TiO2、Si3N4、Y2O3和ZrO2中至少选择其中一种膜较好。此外，作为低折射材料的一例，从MgF2、SiO2和Al2O3中至少选择其中一种膜较好。
此外，在所述发光管的表面上形成的红外线反射膜的厚度在0.8～3.5μm的范围较好。
此外，在所述外部引线的表面和所述金属箔的表面上形成的所述红外线反射膜的厚度在0.8～3.5μm的范围较好。
再有，所述发光管的至少一部分有膨胀部分，在所述膨胀部分的中心轴上保持所述灯丝线圈较好。
此外，上述膨胀部分呈椭圆形状较好。
本发明的一种卤素灯的制造方法，该卤素灯配有由石英构成的发光管，在发光管的端部有密封部分，在内部封入卤素和稀有气体，并且带有灯丝线圈，在所述发光管的外表面上形成红外线反射膜，同时在所述密封部分密封金属箔和外部引线，金属箔与所述灯丝线圈连接，外部引线的一端部与所述金属箔连接，另一端部导出到所述密封部分的外部，在所述密封部分，在露出于没有被密封的间隙领域的所述引线的表面和所述金属箔的表面上形成所述红外线反射膜，
其特征在于，在所述发光管的外表面上用化学汽相淀积法形成红外线反射膜后，除去在所述密封部分的表面上形成的所述红外线反射膜。
在所述本发明的方法中，用CVD法形成所述红外线反射膜较好。
此外，在所述的方法中，用浸渍方法形成所述红外线反射膜较好。
此外，在所述方法中，用喷砂法除去在所述密封部分上形成的红外线反射膜较好。
按照本发明，在灯点灯中，由于能够降低密封部分的温度，同时利用红外线反射膜，能够遮蔽空气中的氧从而保护暴露在密封部分内的间隙区域空气中的外部引线和金属箔，所以能够防止灯寿命期间金属箔的氧化。
此外，本发明的卤素灯的制造方法是，卤素灯配有由石英构成的发光管，在发光管端部有密封部分，在内部封入卤素和稀有气体，同时带有灯丝线圈，在所述发光管的表面上形成红外线反射膜，同时在所述密封部分，密封金属箔和外部引线，金属箔与所述灯丝线圈连接，外部引线的一端部与所述金属箔连接，另一端部导出到所述密封部分外部，具体地说，在所述密封部分中，在暴露于未气密密封的间隙区域的所述外部引线的表面和所述金属箔的表面上形成所述红外线反射膜，同时在所述密封部分的表面上形成所述红外线反射膜的非形成部分，具有在所述发光管的表面上形成所述红外线反射膜后，在所述密封部分的表面上除去形成的所述红外线反射膜的结构。
由此，能够获得可以防止灯寿命期间的金属箔氧化的卤素灯。
附图说明
图1是表示本发明一实施例的卤素灯的局部剖面图。
图2是表示未设置灯头的相同的卤素灯的局部剖面图。
图3是表示用CVD方法形成相同红外线反射膜后的卤素灯的局部剖面图。
图4是表示相同密封部分的放大部分剖面图。
图5是表示以往的卤素灯的局部剖面图。
图6是表示以往的卤素灯的局部剖面图。
具体实施方式
下面，用附图说明本发明的实施例。
图1和图2是表示本发明实施例的卤素灯的局部剖面图。该卤素灯在内部封入卤素和稀有气体，同时带有由钨构成的全长10mm的灯丝线圈3。此外，用石英(熔凝石英)构成的全长44mm的管形成发光管1。
为了使发光管1实现高效率特性，在主要部分有外径14mm(平均壁厚约1mm)的椭圆体形状部分1a。该主要部分的一端部(前端部)通过封离(最初连接着排气管，从所述排气管进行内部减压，在该状态下用火头加热排气管的根部，熔切排气管的方法)进行封闭，在该主要部分的另一端部(根部)有密封部分2。在发光管1的主要部分，即在椭圆体形状部分1a的内部，位于发光管1的中心轴位置，由内部引线9、10保持灯丝线圈3。除发光管1的密封部分2外，在外表面上形成红外线反射膜4。在发光管1的密封部分2的外表面上形成红外线反射膜4的非形成部分2a。
在密封部分2中，压封金属箔5和外部引线6，金属箔5由钼构成，它连接内部引线9、10的端部，外部引线6由钼构成，其一端部与该金属箔5连接，另一端部导出密封部分2的外部。即加热发光管密封部分的预定部分，用模具压封软化的密封部分的预定部分。
在密封部分2，在未气密密封的间隙区域7中暴露的外部引线6的表面和金属箔5的表面上，形成红外线反射膜4(图2中用斜线表示)。再有，用石英芯柱11支撑内部引线9、10。此外，在密封部分2，由胶接剂固定带有陶瓷灯头座的灯头12。
用电源电压110V、90W的额定输入点燃如图1所示的本实施例的卤素灯(以下称为本发明产品)时，可获得2400lm的光束，26.61m/W的高效率。再有，调查未形成红外线反射膜4的比较电灯的特性时，为了得到2400lm的相同光束，需要150W的输入。也就是说，本发明产品与比较电灯相比，能够实现节省40％的电力。
在本实施例的卤素灯中，发光管1的一端部(前端部)是封离排气管(图中未示)的封离部分8，在灯的排气工序中，通过该排气管，使发光管1的内部成为真空，接着封入预定量的卤化物CH2Br2和氙及氮气体的混合气体0.6MPa后，封离排气管。排气后，发光管1保持在CVD反应炉内，在发光管1的表面上形成共计19层的由Ta2O5(9层)-SiO2(10层)构成的红外线反射膜4。CVD法的具体条件如下。
(1)温度：500℃
(2)反应炉压力条件：
在靶原料为戊乙氧基钽(Ta(OC2H5)5)，形成的膜为Ta2O5的情况下，为20～60Pa；
在靶原料为癸二酸双丙酮硅烷(CH3COO)2Si[OC(CH)3CH3]2，形成的膜为SiO2的情况下，为80～150Pa；
上述那样得到的所述19层的红外线反射膜多层干涉膜4的总平均厚度为2.2μm。红外线反射膜(多层干涉膜)的构成如下列表1所示。
表1
层No.
红外线反射膜的成分
厚度(nm)
1 SiO2 86.2
2 Ta2O5 111.1
3 SiO2 172.4
4 Ta2O5 222.2
5 SiO2 172.4
6 Ta2O5 222.2
7 SiO2 172.4
8 Ta2O5 222.2
9 SiO2 172.4
10 Ta2O5 222.2
11 SiO2 172.4
12 Ta2O5 222.2
13 SiO2 172.4
14 Ta2O5 222.2
15 SiO2 172.4
16 Ta2O5 222.2
17 SiO2 172.4
18 Ta2O5 111.1
19 SiO2 86.2
(备注)层No.表示从内层开始层积的顺序
图3的局部剖面图表示这样形成红外线反射膜4后的发光管1。
在发光管1的密封部分2，当进行内部引线9、10、金属箔5、外部引线6的密封时，因金属箔5的一部分和外部引线6以及密封部分2的石英玻璃之间的热膨胀系数不同，因而沿被密封的金属箔5的一部分和与该金属箔5连接的外部引线6的外缘，产生未气密密封的间隙区域7。
如果利用CVD方法，在发光管1的表面上形成红外线反射膜4，那么如图4的局部剖面图所示，在CVD形成工序中红外线反射膜4侵入未气密密封的间隙区域7，在间隙区域7的外部引线6的表面和金属箔5的表面上形成红外线反射膜4。这是因为CVD处理基本上是汽相反应，反应气体扩散并浸入间隙区域7中的缘故。此外，在密封部分2外部导出的外部引线6的表面上也形成红外线反射膜4。
作为用CVD方式形成红外线反射膜4的处理工艺，可以说把密封和排气后的发光管1原样保持在CVD反应炉内，是简易的且生产率高的最佳处理。可是，采用这样的最佳CVD形成处理时，在包括发光管1的密封部分2的发光管1的整个外表面上，必然形成红外线反射膜4。而且，在发光管1的整个表面上，特别是在密封部分2上形成红外线反射膜4的情况下，在反复进行点灯和熄灭灯，并且点灯时密封部分2的温度超过450℃的情况下，由于作为发光管材料的石英玻璃、金属箔5和外部引线6分别膨胀和收缩，所以在密封部分2内的外部引线6和金属箔5的表面上形成的红外线反射膜4上会产生裂纹，通过该裂纹空气达到金属箔5，金属箔5在灯寿命期间就会氧化。因此，最终在密封部分2，产生渗漏和裂缝，使灯寿命缩短。此外，如果点灯中的密封部分2的温度越高，就越容易发生这种现象。
利用CVD方法，把在包括密封部分2的发光管1的整个表面上形成红外线反射膜4的卤素灯作为带有组装成二向色反射镜(图中未示)的带反射镜的卤素灯(图中未示)，进行寿命试验，对于目标额定寿命2000小时，判明在1000小时内，密封部分2就发生渗漏和裂缝，导致短寿命。
对于该问题进行各种研究的结果，可以确认，除去密封部分2的红外线反射膜4能够大幅度地降低灯具内额定点灯时的密封部分2的温度。
如图4所示，在未除去红外线反射膜4的卤素灯的额定点灯时，密封部分2的温度约为460℃，但带有反射镜的卤素灯密封部分2的点灯温度可下降到345℃，所说的该带反射镜的灯是将图2所示的未设置灯头12的本发明的发光管1装在上述反射镜中。
这样，在暴露于密封部分2的未气密的间隙区域7的外部引线6和金属箔5的表面上形成红外线反射膜4，并且除去在密封部分2表面上形成的红外线反射膜4，在密封部分2上形成红外线反射膜4的未形成部分2a，就能够实现作为目标的额定寿命2000小时以上的约2500小时的长寿命。
可以认为，在暴露于间隙区域7的空气中的外部引线6和金属箔5的表面上形成的红外线反射膜4，通过遮蔽来自空气中的氧来保护暴露于间隙区域7空气中的外部引线6和金属箔5，抑制氧化。
作为上述的本发明产品的制造方法，在发光管1的整个表面上形成红外线反射膜4后，最好除去在密封部分2表面上形成的红外线反射膜4。
作为红外线反射膜4向发光管1的表面的形成方法，采用了CVD方法，但使用浸渍方法也可以。此外，作为除去密封部分2表面的红外线反射膜4的方法，使用喷砂等机械方法也可以。按照喷砂方法，密封部分2表面的红外线反射膜4被除去，而间隙区域7的红外线反射膜4则原样保留。再有，在这种情况下，同时除去外部引线6导出密封部分2外部的表面部分的红外线反射膜4。
在采用上述浸渍方法的情况下，例如作为TiO2的原料，使用[Ti(OC4H9)4]，作为SiO2原料，使用[Si(OC2H5)4]，在含有各材料的溶液中浸渍，以1～5mm/sec速度提升，涂敷膜后，在800℃下烧制。具体地说，按必要次数交替地反复进行在[Ti(OC4H9)4]溶液中浸渍、提升、烧制，接着在[Si(OC2H5)4]溶液中浸渍、提升、烧制的工序。
此外，上述喷砂方法使用平均粒径80μm的氧化铝粒子作为喷砂材料，利用高压空气从喷嘴吹出，碰撞密封部分。
按照上述的本发明的卤素灯，由于在灯的点燃中，能够降低密封部分的温度，同时利用红外线反射膜，能够遮蔽来自空气中的氧从而保护暴露于密封部分内间隙区域的空气中的外部引线和金属箔，所以能够防止灯寿命期间金属箔的氧化，能够长寿命和高效率，并且结构简单价格便宜。
此外，按照本发明的卤素灯的制造方法，能够获得长寿命和高效率并且结构简单价格便宜的卤素灯。
Claims (4)
1.一种卤素灯，配有由石英构成的发光管，在端部有密封部分，在内部封入卤素和稀有气体，并且带有灯丝线圈，在所述发光管的外表面上形成红外线反射膜，同时由所述密封部分密封金属箔与外部引线，金属箔与所述灯丝线圈连接，外部引线的一端部与所述金属箔连接，另一端部导出到所述密封部分的外部，
其特征在于，在所述密封部分，在露出于没有被密封的间隙领域的所述引线的表面和所述金属箔的表面上形成所述红外线反射膜；
在所述密封部分表面上，有未形成所述红外线反射膜的部分。
2.如权利要求1所述的卤素灯，其特征在于，所述发光管的至少一部分为椭圆形状，在所述椭圆形状的中心轴上保持所述灯丝线圈。
3.一种卤素灯的制造方法，该卤素灯配有由石英构成的发光管，在发光管的端部有密封部分，在内部封入卤素和稀有气体，并且带有灯丝线圈，在所述发光管的外表面上形成红外线反射膜，同时在所述密封部分密封金属箔和外部引线，金属箔与所述灯丝线圈连接，外部引线的一端部与所述金属箔连接，另一端部导出到所述密封部分的外部，在所述密封部分，在露出于没有被密封的间隙领域的所述引线的表面和所述金属箔的表面上形成所述红外线反射膜，
其特征在于，在所述发光管的外表面上用化学汽相淀积法形成红外线反射膜后，除去在所述密封部分的表面上形成的所述红外线反射膜。
4.如权利要求3所述的卤素灯的制造方法，其特征在于，用喷砂法除去在所述密封部分的表面上形成的红外线反射膜。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102498420A (zh) * | 2009-07-08 | 2012-06-13 | 通用电气公司 | 混合干涉涂层、灯及方法 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19912544B4 (de) * | 1999-03-19 | 2007-01-18 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrarotstrahler und Verfahren zur Erwärmung eines Behandlungsgutes |
| JP3506949B2 (ja) | 1999-04-09 | 2004-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法、薄膜が形成された回転楕円体、及びこれを用いた電球と薄膜形成装置。 |
| US6611102B2 (en) * | 2000-03-10 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tungsten-halogen light bulb, and reflector lamp using the same |
| EP1168417A1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-01-02 | General Electric Company | Incandescent lamp with an IR reflective coating and a fully reflective end coating |
| CN1326198C (zh) * | 2001-08-21 | 2007-07-11 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 带有防爆装置的灯 |
| DE10200005A1 (de) * | 2002-01-02 | 2003-07-17 | Philips Intellectual Property | Verfahren zur Herstellung einer Folie aus Molybdän und Titanoxid (TiO2) zum Einsetzen in einen Glaskolben |
| WO2003088293A2 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-23 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Lamp having an inner and an outer vessel |
| ES2285272T3 (es) * | 2002-12-17 | 2007-11-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lampara de descarga de alta presiom. |
| EP1576643A2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-09-21 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | High-pressure discharge lamp |
| US20040252488A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-12-16 | Innovalight | Light-emitting ceiling tile |
| US7279832B2 (en) * | 2003-04-01 | 2007-10-09 | Innovalight, Inc. | Phosphor materials and illumination devices made therefrom |
| JP4208644B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-01-14 | パナソニック株式会社 | 発光管及び低圧水銀ランプ |
| JP4254463B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2009-04-15 | ウシオ電機株式会社 | 自動車用ハロゲン電球 |
| US7750352B2 (en) * | 2004-08-10 | 2010-07-06 | Pinion Technologies, Inc. | Light strips for lighting and backlighting applications |
| WO2006120621A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | High-pressure gas discharge lamp |
| US7759871B2 (en) * | 2005-12-16 | 2010-07-20 | General Electric Company | High temperature seal for electric lamp |
| JP2009526358A (ja) * | 2006-02-08 | 2009-07-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バーナ及び遮蔽部材を有するバルブを持つランプ |
| DE102007020067B4 (de) * | 2007-04-27 | 2013-07-18 | Osram Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Molybdänfolie für den Lampenbau und Molybdänfolie sowie Lampe mit Molybdänfolie |
| DE102010042557A1 (de) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halogenglühlampe |
| DE102009056753A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Heraeus Noblelight Gmbh | Elektrische Hochdruckentladungslampe für kosmetische Hautbehandlung |
| TWI497560B (zh) * | 2010-04-27 | 2015-08-21 | Harison Toshiba Lighting Corp | Ultraviolet ray irradiation apparatus, ultraviolet irradiation method, and ultraviolet ray irradiation apparatus |
| CN107464739A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-12-12 | 常熟林芝电子技术有限公司 | 具有钼箔防氧化功能的石英汽车卤素灯泡的加工方法 |
| JP7437606B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2024-02-26 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプの製造方法 |
| US11881392B2 (en) | 2022-05-19 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | High power tungsten halogen lamp lifetime improvement through J-hook design |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3420944A (en) | 1966-09-02 | 1969-01-07 | Gen Electric | Lead-in conductor for electrical devices |
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| JPS56128543A (en) | 1980-03-13 | 1981-10-08 | Toshiba Corp | Bulb |
| JPS5774963A (en) | 1980-10-29 | 1982-05-11 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing incandescent bulb |
| US4810932A (en) | 1985-11-15 | 1989-03-07 | General Electric Company | Tungsten-halogen incandescent and metal vapor discharge lamps and processes of making such |
| US5045748A (en) | 1985-11-15 | 1991-09-03 | General Electric Company | Tungsten-halogen incandescent and metal vapor discharge lamps and processes of making such |
| JPH0786569B2 (ja) * | 1987-08-26 | 1995-09-20 | 東芝ライテック株式会社 | 管 球 |
| US4835439A (en) * | 1987-09-29 | 1989-05-30 | General Electric Company | Increasing the oxidation resistance of molybdenum and its use for lamp seals |
| JP2650192B2 (ja) | 1988-03-31 | 1997-09-03 | ウシオ電機株式会社 | 箔シール電球の製造方法 |
| JPH01251550A (ja) | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Ushio Inc | 箔シール電球 |
| JPS63289755A (ja) | 1988-04-28 | 1988-11-28 | Toshiba Corp | 白熱電球およびその製造方法 |
| CA2017471C (en) | 1989-07-19 | 2000-10-24 | Matthew Eric Krisl | Optical interference coatings and lamps using same |
| JPH03226958A (ja) | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Ushio Inc | 白熱電球の製造方法 |
| JPH0654657B2 (ja) | 1990-12-25 | 1994-07-20 | ウシオ電機株式会社 | 箔シールランプおよびその製造方法 |
| JP3226958B2 (ja) | 1992-04-13 | 2001-11-12 | 株式会社竹中工務店 | 吹出ボックス |
| US5402038A (en) * | 1992-05-04 | 1995-03-28 | General Electric Company | Method for reducing molybdenum oxidation in lamps |
| US5627426A (en) * | 1993-03-22 | 1997-05-06 | General Electric Company | Lamp with IR reflecting film and light-scattering coating |
| JPH07130336A (ja) | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Matsushita Electron Corp | メタルハライドランプ |
| EP0657752A1 (en) * | 1993-12-08 | 1995-06-14 | Osram Sylvania Inc. | Optical coating and lamp employing same |
| US5506471A (en) * | 1994-06-06 | 1996-04-09 | General Electric Company | Low glare infrared light source |
-
1997
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-
2000
- 2000-06-01 US US09/585,033 patent/US6336837B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102498420A (zh) * | 2009-07-08 | 2012-06-13 | 通用电气公司 | 混合干涉涂层、灯及方法 |
| CN102498420B (zh) * | 2009-07-08 | 2014-11-26 | 通用电气公司 | 混合干涉涂层、灯及方法 |
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