JP2955447B2 - シリカガラス多層構造チュ−ブおよびその製造法 - Google Patents
シリカガラス多層構造チュ−ブおよびその製造法Info
- Publication number
- JP2955447B2 JP2955447B2 JP19881693A JP19881693A JP2955447B2 JP 2955447 B2 JP2955447 B2 JP 2955447B2 JP 19881693 A JP19881693 A JP 19881693A JP 19881693 A JP19881693 A JP 19881693A JP 2955447 B2 JP2955447 B2 JP 2955447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica glass
- tube
- layer
- ceramic particles
- purity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性に優れたシリカ
ガラス多層構造チュ−ブ、特に半導体熱処理治具として
も、また放電管チュ−ブ材としても有用なシリカガラス
多層構造チュ−ブおよびその製造法に関する。
ガラス多層構造チュ−ブ、特に半導体熱処理治具として
も、また放電管チュ−ブ材としても有用なシリカガラス
多層構造チュ−ブおよびその製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、シリカガラスは、高い純度を有
し、熱膨張率が極めて小さく耐急熱急冷性に優れるとこ
ろから、半導体工業用ガラス、あるいは照明工業用ガラ
スとして用いられてきた。前記半導体工業では、シリコ
ンウエハーボート、電気炉内ガラスチャンバー等の熱処
理治具部材として、また照明工業では、水銀ランプ用バ
ルブ、メタルハライドランプ用バルブ等の放電管用チュ
ーブ部材としてそれぞれ使用されてきた。
し、熱膨張率が極めて小さく耐急熱急冷性に優れるとこ
ろから、半導体工業用ガラス、あるいは照明工業用ガラ
スとして用いられてきた。前記半導体工業では、シリコ
ンウエハーボート、電気炉内ガラスチャンバー等の熱処
理治具部材として、また照明工業では、水銀ランプ用バ
ルブ、メタルハライドランプ用バルブ等の放電管用チュ
ーブ部材としてそれぞれ使用されてきた。
【0003】ところが、上記部材はしばしばその使用温
度が1000℃を越える高温のため前記特性を有するシ
リカガラスであっても、容易に熱変形し、その寿命は短
いものであった。特にシリカガラスをメタルハライドラ
ンプ用バルブ材として使用したとき、その点灯時にバル
ブ内圧が5〜30kgf/cm2,バルブ温度が900
〜1100℃にもなるため、バルブ材の熱膨張が激しく
その寿命は短いものであった。こうした欠点を解決する
手段として、例えば特公昭47−1477号公報等にみ
られるようにシリカガラス管の外被として石英の変態結
晶の結合された、微細結晶層、特に、クリストバル石層
からなる被覆層を有する多層構造管が提案された。しか
しながら、前記被覆層の形成は石英ガラス管の上に粉末
状の最純粋のクリストバル石をスプレ−し、それを焔に
よって、または炉中において石英ガラス管表面に焼き付
けるものであり、均一で厚い結晶層の形成が困難で未だ
耐熱性が十分ではなく前記欠点を解決するには到らなか
った。その上、前記多層構造チュ−ブはその製造方法か
ら、白色不透明であり任意の光波長を吸収させる光制御
層を設けることが困難で照明工業用の多層チュ−ブ材を
作成することができなかった。
度が1000℃を越える高温のため前記特性を有するシ
リカガラスであっても、容易に熱変形し、その寿命は短
いものであった。特にシリカガラスをメタルハライドラ
ンプ用バルブ材として使用したとき、その点灯時にバル
ブ内圧が5〜30kgf/cm2,バルブ温度が900
〜1100℃にもなるため、バルブ材の熱膨張が激しく
その寿命は短いものであった。こうした欠点を解決する
手段として、例えば特公昭47−1477号公報等にみ
られるようにシリカガラス管の外被として石英の変態結
晶の結合された、微細結晶層、特に、クリストバル石層
からなる被覆層を有する多層構造管が提案された。しか
しながら、前記被覆層の形成は石英ガラス管の上に粉末
状の最純粋のクリストバル石をスプレ−し、それを焔に
よって、または炉中において石英ガラス管表面に焼き付
けるものであり、均一で厚い結晶層の形成が困難で未だ
耐熱性が十分ではなく前記欠点を解決するには到らなか
った。その上、前記多層構造チュ−ブはその製造方法か
ら、白色不透明であり任意の光波長を吸収させる光制御
層を設けることが困難で照明工業用の多層チュ−ブ材を
作成することができなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の欠点を解決
し最近の半導体工業や照明工業の要望に応じたシリカガ
ラスチュ−ブ材を提供すべく本発明者等は鋭意研究を重
ねた結果、結晶化シリカガラス層と高純度シリカガラス
層とを組み合わせることにより優れた耐熱性、すなわ
ち、ランプバルブにおける耐失透性と発光ガスの封入
性、半導体熱処理チャンバ−における外部からの不純物
汚染防止効果等が得られるとともに、前記ガラス層のい
ずれかに各種紫外線吸収剤、赤外線吸収剤または失透防
止剤をド−プすることにより優れた光波長制御性を有す
るシリカガラス多層構造チュ−ブが得られることを見出
し、本発明を完成したものである。
し最近の半導体工業や照明工業の要望に応じたシリカガ
ラスチュ−ブ材を提供すべく本発明者等は鋭意研究を重
ねた結果、結晶化シリカガラス層と高純度シリカガラス
層とを組み合わせることにより優れた耐熱性、すなわ
ち、ランプバルブにおける耐失透性と発光ガスの封入
性、半導体熱処理チャンバ−における外部からの不純物
汚染防止効果等が得られるとともに、前記ガラス層のい
ずれかに各種紫外線吸収剤、赤外線吸収剤または失透防
止剤をド−プすることにより優れた光波長制御性を有す
るシリカガラス多層構造チュ−ブが得られることを見出
し、本発明を完成したものである。
【0005】本発明は、耐熱性に優れた、すなわち耐失
透性、高粘度な新規なシリカガラス多層構造チュ−ブを
提供することを目的とする。
透性、高粘度な新規なシリカガラス多層構造チュ−ブを
提供することを目的とする。
【0006】本発明は、紫外線および/または赤外線吸
収層を有する新規な耐熱性に優れたシリカガラス多層構
造チュ−ブを提供することを目的とする。
収層を有する新規な耐熱性に優れたシリカガラス多層構
造チュ−ブを提供することを目的とする。
【0007】本発明は、外側からの不純物汚染をシ−ル
ドする層を有する新規な耐熱性に優れたシリカガラス多
層構造チュ−ブを提供することを目的とする。
ドする層を有する新規な耐熱性に優れたシリカガラス多
層構造チュ−ブを提供することを目的とする。
【0008】さらに、本発明は、新規なシリカガラス多
層構造チュ−ブの製造法を提供することを目的とする。
層構造チュ−ブの製造法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、高純度シリカガラス層と結晶化シリカガラス層が
少なくとも1層以上であることを特徴とするシリカガラ
ス多層構造チュ−ブおよびその製造法に係る。
明は、高純度シリカガラス層と結晶化シリカガラス層が
少なくとも1層以上であることを特徴とするシリカガラ
ス多層構造チュ−ブおよびその製造法に係る。
【0010】上記高純度シリカガラスとは、高純度の石
英や水晶を溶融して得られた“溶融石英ガラス”または
四塩化ケイ素等のケイ素化合物を酸水素炎にて加水分解
して得られる“合成シリカガラス”をいう。
英や水晶を溶融して得られた“溶融石英ガラス”または
四塩化ケイ素等のケイ素化合物を酸水素炎にて加水分解
して得られる“合成シリカガラス”をいう。
【0011】また、結晶化シリカガラスとは、シリカ原
料粉と酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物から選
ばれる少なくとも1種の高融点セラミックス粉末(以下
核生成剤という)との混合物を透明ガラス化したのち、
前記核生成剤を含有するシリカガラスを、900〜12
00℃の温度にて加熱し、シリカガラスマトリックス中
にシリカ鉱物のクオルツ、トリディマイト、クリストバ
ライト、カルセドニ−、オパ−ルの少なくとも1種類以
上を析出させたシリカガラスをいう。前記核生成剤して
は、透明ガラス化時にシリカ原料と反応しない高融点セ
ラミックスからなり、具体的には酸化物としてはAl 2
O 3 、3Al 2 O 3 ・2SiO 2 、CaO、MgO、Be
O、ZrO 2 、HfO 2 が、ホウ化物としてはZrB 2 、
HfB 2 、TiB 2 、LaB 6 が、炭化物としてはZr
C、HfC、TiC、TaCが、チッ化物としてはZr
N、HfN、TiN、TaNなどが挙げられる。
料粉と酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物から選
ばれる少なくとも1種の高融点セラミックス粉末(以下
核生成剤という)との混合物を透明ガラス化したのち、
前記核生成剤を含有するシリカガラスを、900〜12
00℃の温度にて加熱し、シリカガラスマトリックス中
にシリカ鉱物のクオルツ、トリディマイト、クリストバ
ライト、カルセドニ−、オパ−ルの少なくとも1種類以
上を析出させたシリカガラスをいう。前記核生成剤して
は、透明ガラス化時にシリカ原料と反応しない高融点セ
ラミックスからなり、具体的には酸化物としてはAl 2
O 3 、3Al 2 O 3 ・2SiO 2 、CaO、MgO、Be
O、ZrO 2 、HfO 2 が、ホウ化物としてはZrB 2 、
HfB 2 、TiB 2 、LaB 6 が、炭化物としてはZr
C、HfC、TiC、TaCが、チッ化物としてはZr
N、HfN、TiN、TaNなどが挙げられる。
【0012】上記核生成剤の含有量は、シリカ粉末成分
に対し0.001〜2wt.%の範囲である。前記範囲
以下では結晶化が少なく、耐熱性の向上が見れれない。
逆に前記範囲以上では、結晶化が進み過ぎ、特に透明性
に劣り放電管用バルブ材としては適当でない。
に対し0.001〜2wt.%の範囲である。前記範囲
以下では結晶化が少なく、耐熱性の向上が見れれない。
逆に前記範囲以上では、結晶化が進み過ぎ、特に透明性
に劣り放電管用バルブ材としては適当でない。
【0013】上記シリカガラス多層構造チュ−ブは結晶
化シリカガラス層と高純度シリカガラス層あるいは各種
の紫外線吸収剤および/または赤外線吸収剤をド−プし
たシリカガラス層とからなり、その目的に応じた層構成
を採ることができる。特に2層構造チュ−ブ、3層構造
チュ−ブが好適である。前記2層構造チュ−ブの場合に
は、内側を高純度シリカガラスとし、外側を結晶化シリ
カガラス層としたチュ−ブ材が良い。この2層構造チュ
−ブを半導体工業用に電気炉内チャンバ−として使用す
ると、チュ−ブの外側の結晶化シリカガラス層が炉から
の金属不純物に対しシ−ルド効果を有しチャンバ−内の
不純物の拡散による汚染を防止することができる。ま
た、照明工業用にランプバルブ材として使用するとき
は、高純度シリカガラス層に紫外線カット用のチタン、
セリウムをド−プするか、および/または赤外線カット
用の鉄をド−プするのがよい。一般照明用放電ランプバ
ルブ材としては紫外線カットしたチュ−ブがよく、また
プロジェクタ−用放電ランプバルブ材としては赤外線を
カットしたチュ−ブがよい。
化シリカガラス層と高純度シリカガラス層あるいは各種
の紫外線吸収剤および/または赤外線吸収剤をド−プし
たシリカガラス層とからなり、その目的に応じた層構成
を採ることができる。特に2層構造チュ−ブ、3層構造
チュ−ブが好適である。前記2層構造チュ−ブの場合に
は、内側を高純度シリカガラスとし、外側を結晶化シリ
カガラス層としたチュ−ブ材が良い。この2層構造チュ
−ブを半導体工業用に電気炉内チャンバ−として使用す
ると、チュ−ブの外側の結晶化シリカガラス層が炉から
の金属不純物に対しシ−ルド効果を有しチャンバ−内の
不純物の拡散による汚染を防止することができる。ま
た、照明工業用にランプバルブ材として使用するとき
は、高純度シリカガラス層に紫外線カット用のチタン、
セリウムをド−プするか、および/または赤外線カット
用の鉄をド−プするのがよい。一般照明用放電ランプバ
ルブ材としては紫外線カットしたチュ−ブがよく、また
プロジェクタ−用放電ランプバルブ材としては赤外線を
カットしたチュ−ブがよい。
【0014】3層構造チュ−ブはランプバルブ材、特に
メタルハライドランプ用バルブ材として有用である。メ
タルハライドランプ用バルブ材の例を図1に示すが、そ
の最内層をメタルハライドランプ封入ガスとして使用さ
れる希土類元素のヨウ化物、臭化物に対応させネオジ
ム、サマリウム、ユ−ロピウム、ジスプロシウム、ホル
ミウム、エルビウム、およびツリウムの元素のいずれか
1種以上をド−ブした高純度シリカガラス層1とし、中
間層を結晶化シリカガラス層2とし、さらに最外層を紫
外線および/または赤外線カット剤ド−プ高純度シリカ
ガラス層3で構成するのがよい。
メタルハライドランプ用バルブ材として有用である。メ
タルハライドランプ用バルブ材の例を図1に示すが、そ
の最内層をメタルハライドランプ封入ガスとして使用さ
れる希土類元素のヨウ化物、臭化物に対応させネオジ
ム、サマリウム、ユ−ロピウム、ジスプロシウム、ホル
ミウム、エルビウム、およびツリウムの元素のいずれか
1種以上をド−ブした高純度シリカガラス層1とし、中
間層を結晶化シリカガラス層2とし、さらに最外層を紫
外線および/または赤外線カット剤ド−プ高純度シリカ
ガラス層3で構成するのがよい。
【0015】本発明のシリカガラス多層構造チュ−ブは
例えば次のような手法で製造される。
例えば次のような手法で製造される。
【0016】先ず、2層構造管は、高純度シリカガラ
スシリンダ−の外に、これより直径の大きい核生成剤を
含有するシリカガラスシリンダ−を重ね合わせた後、加
熱溶融させつつチュ−ブ引きする方法。高純度シリカ
ガラスロッドの外に、これより直径の大きい核生成剤を
含有するシリカガラスシリンダ−をかぶせ合わせた後、
加熱溶着させ2層構造ロッドを作成し、次いで該ロッド
の外周を電熱ヒ−タ−11で加熱しながら、そのロッド
の中心部を図3に示すような炭素ドリル10で開口しチ
ュ−ブ化することにより作成される。このような炭素ド
リルを使う方法は熱間炭素ドリル圧入法と呼ばれる(高
純度シリカの応用技術、(株)シ−エムシ−発行、19
91年、105頁、図2.1.11参照)。
スシリンダ−の外に、これより直径の大きい核生成剤を
含有するシリカガラスシリンダ−を重ね合わせた後、加
熱溶融させつつチュ−ブ引きする方法。高純度シリカ
ガラスロッドの外に、これより直径の大きい核生成剤を
含有するシリカガラスシリンダ−をかぶせ合わせた後、
加熱溶着させ2層構造ロッドを作成し、次いで該ロッド
の外周を電熱ヒ−タ−11で加熱しながら、そのロッド
の中心部を図3に示すような炭素ドリル10で開口しチ
ュ−ブ化することにより作成される。このような炭素ド
リルを使う方法は熱間炭素ドリル圧入法と呼ばれる(高
純度シリカの応用技術、(株)シ−エムシ−発行、19
91年、105頁、図2.1.11参照)。
【0017】また、3層構造チュ−ブ以上のチュ−ブは
図2に示すように直径の異なるシリカガラスチュ−ブに
より2重構造チュ−ブ6を成形し、この2重構造チュ−
ブのすき間にセラミックス粒子の核生成剤とシリカ粉末
の混合物を充填し、それを上部から真空引きしつつ円筒
型電気溶融炉8で加熱し、3層構造チュ−ブ化すること
により製造される。
図2に示すように直径の異なるシリカガラスチュ−ブに
より2重構造チュ−ブ6を成形し、この2重構造チュ−
ブのすき間にセラミックス粒子の核生成剤とシリカ粉末
の混合物を充填し、それを上部から真空引きしつつ円筒
型電気溶融炉8で加熱し、3層構造チュ−ブ化すること
により製造される。
【0018】以下に実施例を示しさらに本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【実施例1】セリウムを2000wt.ppmド−プし
た溶融石英ガラスから外径45mmφ×厚さ4mm×長
さ1000mmの外側チュ−ブ4を作成した。次いでジ
スプロシウムを1000wt.ppmド−プした合成シ
リカガラスからなる外径20mmφ×厚さ1mm×長さ
1000mmの内側チュ−ブ5を作成し、これを前記外
側チュ−ブと組み合わせて図2の(a)の2重構造チュ
−ブ6を作成した。
た溶融石英ガラスから外径45mmφ×厚さ4mm×長
さ1000mmの外側チュ−ブ4を作成した。次いでジ
スプロシウムを1000wt.ppmド−プした合成シ
リカガラスからなる外径20mmφ×厚さ1mm×長さ
1000mmの内側チュ−ブ5を作成し、これを前記外
側チュ−ブと組み合わせて図2の(a)の2重構造チュ
−ブ6を作成した。
【0019】一方、純度99.999wt.%以上であ
って、粒径φ10〜100μmの水晶粉に、純度99.
999wt.%以上であって、粒径φ0.5〜5μmの
合成ムライト(組成3Al2O3・2SiO2)1wt.
%を配合し、調整した混合物を前記2重チュ−ブ6のす
き間に充填した。次いでこの2重チュ−ブ6を1Tor
r以下の圧力で吸引しつつ、電気炉8で溶融温度200
0〜2200℃に加熱溶融しつつ細線引きし透明ガラス
化した。得られ3層構造チュ−ブを外径10mmφ×厚
さ3mm×長さ100mmに切断し洗浄し、サンプルを
作成した。
って、粒径φ10〜100μmの水晶粉に、純度99.
999wt.%以上であって、粒径φ0.5〜5μmの
合成ムライト(組成3Al2O3・2SiO2)1wt.
%を配合し、調整した混合物を前記2重チュ−ブ6のす
き間に充填した。次いでこの2重チュ−ブ6を1Tor
r以下の圧力で吸引しつつ、電気炉8で溶融温度200
0〜2200℃に加熱溶融しつつ細線引きし透明ガラス
化した。得られ3層構造チュ−ブを外径10mmφ×厚
さ3mm×長さ100mmに切断し洗浄し、サンプルを
作成した。
【0020】上記とは別に溶融石英ガラス(Heral
ux−E、信越石英(株)製)で外径10mmφ×厚さ
3mm×長さ100mmのチュ−ブを作成し、さらに合
成シリカガラス(Suprasil−F300、信越石
英(株)製)で外径10mmφ×厚さ3mm×長さ10
0mmのチュ−ブを作成し、それらを各々比較例1、2
のサンプルとした。
ux−E、信越石英(株)製)で外径10mmφ×厚さ
3mm×長さ100mmのチュ−ブを作成し、さらに合
成シリカガラス(Suprasil−F300、信越石
英(株)製)で外径10mmφ×厚さ3mm×長さ10
0mmのチュ−ブを作成し、それらを各々比較例1、2
のサンプルとした。
【0021】上記実施例1のサンプルおよび比較例1、
2のサンプルについて以下の評価試験を行い、その結果
を表1に示す。
2のサンプルについて以下の評価試験を行い、その結果
を表1に示す。
【0022】i) メタルハライドランプ点灯実験;
東忠利(1981)、希土類ハロゲン化物入りメタルハ
ライドランプの発光特性、照明学会誌、第65巻、第1
0号、487〜492頁の第4節に記載する高輝度光源
用短ア−クランプを参考にしてランプを作成した。初期
の光出力を100%として、500時間点灯後の出力を
測定すると共に、目視にて白色化と黒色化の程度を観察
した。なお、ランプバルブ材の厚さは2mmであった。
また、実施例1の多層構造チュ−ブサンプルからバルブ
へ成形した後、中間層を結晶化させるため大気中110
0℃、100時間にて加熱処理を行った。
東忠利(1981)、希土類ハロゲン化物入りメタルハ
ライドランプの発光特性、照明学会誌、第65巻、第1
0号、487〜492頁の第4節に記載する高輝度光源
用短ア−クランプを参考にしてランプを作成した。初期
の光出力を100%として、500時間点灯後の出力を
測定すると共に、目視にて白色化と黒色化の程度を観察
した。なお、ランプバルブ材の厚さは2mmであった。
また、実施例1の多層構造チュ−ブサンプルからバルブ
へ成形した後、中間層を結晶化させるため大気中110
0℃、100時間にて加熱処理を行った。
【0023】ii) バルブ失透および膨張変形;目視
にて微結晶生成による白色失透および熱膨張を観察し
た。
にて微結晶生成による白色失透および熱膨張を観察し
た。
【0024】iii) 粉末X線回析法による鉱物同
定;X線源としてCuのKa線を使用した。同定用デ−
タはJoint Committee onPowde
r Diffraction Standards(J
CPDS)に従った。
定;X線源としてCuのKa線を使用した。同定用デ−
タはJoint Committee onPowde
r Diffraction Standards(J
CPDS)に従った。
【0025】iv) ビ−ムベンディング法による11
00℃における粘度測定;ASTMのNo.C598に
準じて測定した。
00℃における粘度測定;ASTMのNo.C598に
準じて測定した。
【0026】
【表1】
【0027】上記表1に示すように、本発明のチュ−ブ
はメタルハロゲンランプ用バルブ材としたとき、発光出
力が高く、しかも点灯による熱膨張変形や失透がなく、
その上、紫外線の透過をほぼ抑えることができた。
はメタルハロゲンランプ用バルブ材としたとき、発光出
力が高く、しかも点灯による熱膨張変形や失透がなく、
その上、紫外線の透過をほぼ抑えることができた。
【0028】
【実施例2】Suprasil−F310を使用して外
径85mmφ×厚さ2mm×長さ1200mmの内張り
用高純度合成シリカガラスチュ−ブを作成した。次いで
純度99.999wt.%以上であって、粒径φ10〜
100mmの水晶粉に、純度99.9999wt.%以
上であって、粒径φ0.1〜1μmφの高純度アルミナ
(組成Al2O3)を0.5wt.%配合して得た混合物
を加熱溶融して外張用のチュ−ブを外径90mmφ×厚
さ2mm×長さ1200mmに作成した。この外張用チ
ュ−ブの中に前記内張り用のチュ−ブを挿入し、それを
大型円筒型電気溶融炉中で溶融張り合わせを行なった
後、大気中にて1100℃、100時間の加熱処理を行
い結晶化シリカガラス層を生成させ、寸法外径80mm
φ×厚さ3mm×長さ1000mmの2層構造の半導体
シリコンウエハ−熱処理用チュ−ブを作成した。このチ
ュ−ブの外層部を電子顕微鏡にて写真にとったところ図
4(b)に示すようにシリカガラスマトリックス中にオ
パ−ル結晶がコロニ−状に均一に分布していた。
径85mmφ×厚さ2mm×長さ1200mmの内張り
用高純度合成シリカガラスチュ−ブを作成した。次いで
純度99.999wt.%以上であって、粒径φ10〜
100mmの水晶粉に、純度99.9999wt.%以
上であって、粒径φ0.1〜1μmφの高純度アルミナ
(組成Al2O3)を0.5wt.%配合して得た混合物
を加熱溶融して外張用のチュ−ブを外径90mmφ×厚
さ2mm×長さ1200mmに作成した。この外張用チ
ュ−ブの中に前記内張り用のチュ−ブを挿入し、それを
大型円筒型電気溶融炉中で溶融張り合わせを行なった
後、大気中にて1100℃、100時間の加熱処理を行
い結晶化シリカガラス層を生成させ、寸法外径80mm
φ×厚さ3mm×長さ1000mmの2層構造の半導体
シリコンウエハ−熱処理用チュ−ブを作成した。このチ
ュ−ブの外層部を電子顕微鏡にて写真にとったところ図
4(b)に示すようにシリカガラスマトリックス中にオ
パ−ル結晶がコロニ−状に均一に分布していた。
【0029】一方、溶融石英ガラスであるHeralu
x(信越石英(株)製)を使い外径80mmφ×厚さ3
mm×長さ1000mmのチュ−ブを作成し、比較例3
とた。
x(信越石英(株)製)を使い外径80mmφ×厚さ3
mm×長さ1000mmのチュ−ブを作成し、比較例3
とた。
【0030】これら2層構造チュ−ブおよび比較例3の
Heraluxチュ−ブについて以下の試験を行い、そ
の結果を表2に示す。
Heraluxチュ−ブについて以下の試験を行い、そ
の結果を表2に示す。
【0031】i) 高純度合成シリカガラス板の熱処
理実験;高純度アルミナブロックを保温剤とし、2ケイ
化モリブデン(MoSi2)をヒ−タ材とする径100
mmφの横型円筒炉内に、上記外径80mmφ×厚さ3
mm×長さ1000mmのチュ−ブを配置し、その中に
外径60mmφ×厚さ1mmの高純度合成シリカガラス
板を入れ、大気中にて1050℃で500時間加熱処理
を行ない、処理前後におけるガラス板の不純物濃度分析
を原子吸光光度法にて行った。
理実験;高純度アルミナブロックを保温剤とし、2ケイ
化モリブデン(MoSi2)をヒ−タ材とする径100
mmφの横型円筒炉内に、上記外径80mmφ×厚さ3
mm×長さ1000mmのチュ−ブを配置し、その中に
外径60mmφ×厚さ1mmの高純度合成シリカガラス
板を入れ、大気中にて1050℃で500時間加熱処理
を行ない、処理前後におけるガラス板の不純物濃度分析
を原子吸光光度法にて行った。
【0032】処理前のガラスのLi、Na、Kは各々1
0wt.ppb未満、Caは100wt.ppb、Mg
は150wt.ppbであった。
0wt.ppb未満、Caは100wt.ppb、Mg
は150wt.ppbであった。
【0033】ii) Liの拡散係数測定;2層構造チ
ュ−ブの外層部から鏡面研磨仕上げした寸法縦20mm
×横20mm×厚さ1mmのサンプルを準備し、その上
にLiCl水溶液を塗り、100℃にて乾燥を行なっ
た。その後、大気中にて1000℃で20時間加熱拡散
処理を行ない、LMA法(Laser Micro A
nalysis Method)によりガラス表面から
深さ方向におけるLi拡散濃度分布を測定した。その結
果をHeraluxと比較して図5に示す。このデ−タ
からフイックの拡散式により拡散係数を求めた。
ュ−ブの外層部から鏡面研磨仕上げした寸法縦20mm
×横20mm×厚さ1mmのサンプルを準備し、その上
にLiCl水溶液を塗り、100℃にて乾燥を行なっ
た。その後、大気中にて1000℃で20時間加熱拡散
処理を行ない、LMA法(Laser Micro A
nalysis Method)によりガラス表面から
深さ方向におけるLi拡散濃度分布を測定した。その結
果をHeraluxと比較して図5に示す。このデ−タ
からフイックの拡散式により拡散係数を求めた。
【0034】図5におけるサンプルAは比較例3のシリ
カガラス(Hera−lux)、サンプルBは実施例2
の多層構造チュ−ブで結晶化処理を行なっていないガラ
ス、およびサンプルCは実施例2の多層構造チュ−ブ
で、大気中1100℃で100時間結晶化処理を行なっ
たガラスである。
カガラス(Hera−lux)、サンプルBは実施例2
の多層構造チュ−ブで結晶化処理を行なっていないガラ
ス、およびサンプルCは実施例2の多層構造チュ−ブ
で、大気中1100℃で100時間結晶化処理を行なっ
たガラスである。
【0035】iii) SEMによる形態観察;2層構
造チュ−ブの外層部から寸法縦5mm×横5mm×厚さ
1mmの鏡面仕上げサンプルを作成し、フッ化水素溶液
にてエッチング処理を行った後、電子顕微鏡で形態観察
を行った。図4(a)は結晶化処理を行っていないチュ
−ブ、図4(b)は大気中1100℃、100時間にて
結晶化処理を行ったチュ−ブの外層部から切出して作成
したサンプルである。
造チュ−ブの外層部から寸法縦5mm×横5mm×厚さ
1mmの鏡面仕上げサンプルを作成し、フッ化水素溶液
にてエッチング処理を行った後、電子顕微鏡で形態観察
を行った。図4(a)は結晶化処理を行っていないチュ
−ブ、図4(b)は大気中1100℃、100時間にて
結晶化処理を行ったチュ−ブの外層部から切出して作成
したサンプルである。
【0036】iv) 粉末X線回折法による鉱物同
定;実施例1と同様な手法による。
定;実施例1と同様な手法による。
【0037】
【表2】
【0038】上記測定結果から明らかなように本発明の
半導体シリコンウエハ−熱処理用チュ−ブは1000℃
を越える高温で500時間加熱処理しても試料シリカガ
ラス板に不純物が移行して濃度が増加することがなかっ
た。一方、比較例3のチュ−ブは前記熱処理で不純物の
増加が確認された。このように本発明のチュ−ブは不純
物のシ−ルド性に優れたチュ−ブであることがわかる。
半導体シリコンウエハ−熱処理用チュ−ブは1000℃
を越える高温で500時間加熱処理しても試料シリカガ
ラス板に不純物が移行して濃度が増加することがなかっ
た。一方、比較例3のチュ−ブは前記熱処理で不純物の
増加が確認された。このように本発明のチュ−ブは不純
物のシ−ルド性に優れたチュ−ブであることがわかる。
【0039】
【発明の効果】本発明の多層構造チュ−ブは耐熱性が高
く、メタルハライドランプ用バルブ材として使用しても
熱膨張変形が起らず、寿命の長いものである。また、そ
れを半導体工業用治具として使用しても安定して長時間
の使用が可能であった。
く、メタルハライドランプ用バルブ材として使用しても
熱膨張変形が起らず、寿命の長いものである。また、そ
れを半導体工業用治具として使用しても安定して長時間
の使用が可能であった。
【図1】多層構造チュ−ブの断面図である。
【図2】多層構造チュ−ブ製造の1例を示す概略図であ
る。
る。
【図3】熱間炭素ドリル圧入法の概略図である。
【図4】結晶化シリカガラスの電子顕微鏡写真図(SE
M写真)である。
M写真)である。
【図5】リチウムの拡散濃度分布図である。
1 高純度シリカガラスまたは希土類元素含有シリカガ
ラス層 2 結晶化シリカガラス層 3 高純度シリカガラスあるいは紫外線吸収剤および/
または赤外線吸収剤含有シリカガラス層 4 外側チュ−ブ 5 内側チュ−ブ 6 シリカガラス2重構造チュ−ブ 7 シリカ粉末と核生成剤との混合物 8 円筒型電気溶融炉 9 多層構造チュ−ブ 10 炭素ドリル 11 電熱ヒ−タ−
ラス層 2 結晶化シリカガラス層 3 高純度シリカガラスあるいは紫外線吸収剤および/
または赤外線吸収剤含有シリカガラス層 4 外側チュ−ブ 5 内側チュ−ブ 6 シリカガラス2重構造チュ−ブ 7 シリカ粉末と核生成剤との混合物 8 円筒型電気溶融炉 9 多層構造チュ−ブ 10 炭素ドリル 11 電熱ヒ−タ−
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/22 501 H01L 21/22 501M (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C03B 20/00 C03B 23/04 - 23/13 C03B 23/217 C03B 23/24 C03C 1/00 - 14/00 C03C 15/00 - 23/00 H01L 21/22 H01J 61/30 - 61/35
Claims (6)
- 【請求項1】高純度シリカガラス層と、酸化物、ホウ化
物、炭化物またはチッ化物から選ばれる少なくとも1種
の高融点セラミックス粒子を含有するシリカガラスが結
晶化した結晶化シリカガラス層とを少なくとも各々1層
以上有することを特徴とする放電管用シリカガラス多層
構造チュ−ブ。 - 【請求項2】高純度シリカガラス層の少なくとも1層以
上が紫外線および/または赤外線吸収剤を含有すること
を特徴とする請求項1記載の放電管用シリカガラス多層
構造チュ−ブ。 - 【請求項3】最内層の高純度シリカガラス層が希土類元
素の少なくとも1種類以上を含有することを特徴とする
請求項1または2記載の放電管用シリカガラス多層構造
チュ−ブ。 - 【請求項4】高純度シリカガラスチュ−ブと、酸化物、
ホウ化物、炭化物またはチッ化物から選ばれる少なくと
も1種の高融点セラミックス粒子を含有するシリカガラ
スチュ−ブとを少なくとも1層以上かさね合わせ加熱融
着処理した後、900〜1200℃で加熱し前記酸化
物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物から選ばれる少な
くとも1種の高融点セラミックス粒子を含有するシリカ
ガラスチュ−ブを結晶化することを特徴とするシリカガ
ラス多層構造チュ−ブの製造法。 - 【請求項5】高純度シリカガラス2重構造チュ−ブを作
成したのち、前記2重構造チュ−ブの間隙にシリカ粉末
と酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物から選ばれ
る少なくとも1種の高融点セラミックス粒子との混合物
を充填し加熱し透明ガラス化したのち、900〜120
0℃で加熱し前記酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ
化物から選ばれる少なくとも1種の高融点セラミックス
粒子を含有するシリカガラ層を結晶化することを特徴と
するシリカガラス多層構造チュ−ブの製造法。 - 【請求項6】酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物
から選ばれる少なくとも1種の高融点セラミックス粒子
を含有するシリカガラス層に被覆された高純度シリカガ
ラスロッドを作成し、そのロッドの中心部を熱間炭素ド
リル圧入法で開孔し、次いで900〜1200℃で加熱
し前記酸化物、ホウ化物、炭化物またはチッ化物から選
ばれる少なくとも1種の高融点セラミックス粒子を含有
するシリカガラス層を結晶化することを特徴とするシリ
カガラス多層構造チュ−ブの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19881693A JP2955447B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | シリカガラス多層構造チュ−ブおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19881693A JP2955447B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | シリカガラス多層構造チュ−ブおよびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0733478A JPH0733478A (ja) | 1995-02-03 |
JP2955447B2 true JP2955447B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=16397394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19881693A Expired - Fee Related JP2955447B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | シリカガラス多層構造チュ−ブおよびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2955447B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3952770B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2007-08-01 | 住友金属工業株式会社 | 石英ガラス管の製造装置および製造方法 |
JP4929457B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-05-09 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | シリカガラス材料 |
JP4598786B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2010-12-15 | 株式会社オハラ | 石英ガラス管の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-19 JP JP19881693A patent/JP2955447B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0733478A (ja) | 1995-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3496401A (en) | Glass envelopes for iodine cycle incandescent lamps | |
US6391809B1 (en) | Copper alumino-silicate glasses | |
JP3299615B2 (ja) | 電灯用ガラス組成物 | |
US6336837B1 (en) | Tungsten halogen lamp and method for manufacturing the same | |
JP3497787B2 (ja) | ランプ容器用の、紫外線を吸収し黄色光を濾波するガラス | |
JP4159708B2 (ja) | ランプ用ガラス組成物、ランプ用ステムおよびランプ用バルブ | |
US3451579A (en) | Composite lamp article with glass-ceramic lamp envelope | |
JP2001048572A (ja) | タングステン−ハロゲンランプ外囲器およびフィルタのためのネオジムガラス | |
US7741237B1 (en) | Sealing composition for sealing aluminum nitride and aluminum oxynitride ceramics | |
JP2008123821A (ja) | 蛍光ランプおよび照明装置 | |
JP2002033079A (ja) | 電灯の製造方法 | |
JP2955447B2 (ja) | シリカガラス多層構造チュ−ブおよびその製造法 | |
EP1243570A2 (en) | High transmittance alumina for ceramic metal halide lamps | |
JP4323091B2 (ja) | 長寿命ハロゲンサイクル白熱ランプ及びガラスエンベロープ組成物 | |
US20080227616A1 (en) | Use of Glass Ceramics | |
US6498433B1 (en) | High temperature glaze for metal halide arctubes | |
JPH05190142A (ja) | 電球およびその製造方法 | |
JP2017206394A (ja) | 耐火物、耐火物の製造方法、ガラス物品の製造装置、及びガラス物品の製造方法 | |
TW200528662A (en) | Manufacturing method of light emitting device with glass ceramics | |
JPH0692685A (ja) | ムライトセラミックス強化シリカガラス | |
DE202004009227U1 (de) | Leuchtvorrichtung mit einer Glas-Metall-Durchführung sowie Glas-Metall-Durchführung | |
JP2784869B2 (ja) | 金属元素含有耐熱性シリカガラスおよびその製造方法 | |
JP2931742B2 (ja) | オパ−ルグラスセラミックおよびその製造方法 | |
Parker et al. | Lamp Materials | |
Yamazaki et al. | Glass for Lighting |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |