JPH03226958A - 白熱電球の製造方法 - Google Patents
白熱電球の製造方法Info
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- JPH03226958A JPH03226958A JP1918590A JP1918590A JPH03226958A JP H03226958 A JPH03226958 A JP H03226958A JP 1918590 A JP1918590 A JP 1918590A JP 1918590 A JP1918590 A JP 1918590A JP H03226958 A JPH03226958 A JP H03226958A
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Links
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Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バルブの外表面に光干渉多層膜が焼き付けら
れた白熱電球の製造方法に関するものである。
れた白熱電球の製造方法に関するものである。
例えば電子写真複写機の原稿露光用光源として使用され
る管形白熱電球は、石英ガラス製バルブの両端に形成さ
れたピンチシール部にモリブデン箔が埋設され、このモ
リブデン箔に一端が溶接されたモリブデン製の外部リー
ド棒がピンチシール部から外部に突出している。そして
、ピンチシール部と外部リード棒の間には極く僅かな隙
間が形成されるので、この隙間から空気が入り込み、外
部リード棒が溶接された部分の近傍のモリブデン箔が空
気中の酸素に曝される。従って、点灯して高温になると
、モリブデン箔が酸化して膨張し、ピンチシール部にク
ラックが生じることがある。
る管形白熱電球は、石英ガラス製バルブの両端に形成さ
れたピンチシール部にモリブデン箔が埋設され、このモ
リブデン箔に一端が溶接されたモリブデン製の外部リー
ド棒がピンチシール部から外部に突出している。そして
、ピンチシール部と外部リード棒の間には極く僅かな隙
間が形成されるので、この隙間から空気が入り込み、外
部リード棒が溶接された部分の近傍のモリブデン箔が空
気中の酸素に曝される。従って、点灯して高温になると
、モリブデン箔が酸化して膨張し、ピンチシール部にク
ラックが生じることがある。
このため、白熱電球のピンチシール部の温度は、点灯中
に例えば３５０℃を超えないように設計されている。
に例えば３５０℃を超えないように設計されている。
ところで、電子写真複写機に使用される感光体の種類に
よっては、印鑑による朱色の印影のように、赤色の原稿
を複写する場合に、赤色の波長の光に対する感度が高す
ぎて、鮮明に複写できない問題点がある。また、コンパ
クトに組み込まれた小型の複写機の場合は白熱電球から
発生する熱によって複写機内が過熱することがある。こ
のため、赤色の光や赤外線を反射して他の可視光を透過
する光干渉多層膜をバルブの外表面に形成し、赤色の光
や赤外線の放射量を抑制した白熱電球が使用されること
がある。この光干渉多層膜は、Ｔｉｅ２薄膜とＳｉＯ，
Ｉ薄膜のように、光屈折率の異なる薄膜を交互に積層し
たものであるが、この光干渉多層膜を形成するために、
各層ごとに、チタンやシリコンのアルコレート溶液にバ
ルブをディッピングし、乾燥して焼成している。そして
、この焼成工程は、５００〜６００℃程度の温度で１０
分間はど行われ、しかも８〜１０回程度繰り返されるの
で、この焼成工程中にモリブデン箔が酸化してピンチシ
ール部にクラックが生じることがある。
よっては、印鑑による朱色の印影のように、赤色の原稿
を複写する場合に、赤色の波長の光に対する感度が高す
ぎて、鮮明に複写できない問題点がある。また、コンパ
クトに組み込まれた小型の複写機の場合は白熱電球から
発生する熱によって複写機内が過熱することがある。こ
のため、赤色の光や赤外線を反射して他の可視光を透過
する光干渉多層膜をバルブの外表面に形成し、赤色の光
や赤外線の放射量を抑制した白熱電球が使用されること
がある。この光干渉多層膜は、Ｔｉｅ２薄膜とＳｉＯ，
Ｉ薄膜のように、光屈折率の異なる薄膜を交互に積層し
たものであるが、この光干渉多層膜を形成するために、
各層ごとに、チタンやシリコンのアルコレート溶液にバ
ルブをディッピングし、乾燥して焼成している。そして
、この焼成工程は、５００〜６００℃程度の温度で１０
分間はど行われ、しかも８〜１０回程度繰り返されるの
で、この焼成工程中にモリブデン箔が酸化してピンチシ
ール部にクラックが生じることがある。
そこで本発明は、光干渉多層膜を形成する際に、モリブ
デン箔が酸化せず、ピンチシール部にクラックが生じる
ことのない白熱電球の製造方法を提供することを目的と
する。
デン箔が酸化せず、ピンチシール部にクラックが生じる
ことのない白熱電球の製造方法を提供することを目的と
する。
〔発明の構成とその作用〕
本発明の構成は、端部にピンチシール部を有す３−
る石英ガラス製のバルブの外表面に光干渉多層膜が焼き
付けられた白熱電球の製造方法であって、光干渉多層膜
の焼成工程の前段階に、ピンチシール部より突出した外
部リード棒の基端部に低融点フリットを塗布する工程を
含むことを特徴とするものである。
付けられた白熱電球の製造方法であって、光干渉多層膜
の焼成工程の前段階に、ピンチシール部より突出した外
部リード棒の基端部に低融点フリットを塗布する工程を
含むことを特徴とするものである。
すなわち、光干渉多層膜の焼成工程の前段階に、融点が
３００〜５００℃程度で、かつ熱膨張率がモリブデンに
近い低融点フリットをバインダーを含むペーストにして
ピンチシール部より突出した外部リード棒の基端部に塗
布すると、光干渉多層膜の焼成工程でフリットが溶融し
、ピンチシール部内の外部リード棒と石英ガラスの間の
隙間に流れ込んでガラス化し、この隙間を閉塞する。従
って、モリブデン箔が空気中の酸素に曝されず、光干渉
多層膜の焼成工程における酸化を防止し、ピンチシール
部にクラックが入ることがない。
３００〜５００℃程度で、かつ熱膨張率がモリブデンに
近い低融点フリットをバインダーを含むペーストにして
ピンチシール部より突出した外部リード棒の基端部に塗
布すると、光干渉多層膜の焼成工程でフリットが溶融し
、ピンチシール部内の外部リード棒と石英ガラスの間の
隙間に流れ込んでガラス化し、この隙間を閉塞する。従
って、モリブデン箔が空気中の酸素に曝されず、光干渉
多層膜の焼成工程における酸化を防止し、ピンチシール
部にクラックが入ることがない。
以下に図面に基いて本発明の実施例を具体的に説明する
。
。
４−
図面は、電子写真複写機の原稿露光用光源として使用さ
れる管形白熱電球の一端側を示す。第１図に示すように
、石英ガラス製のバルブ１の端部にピンチシール部１１
が形成され、ピンチシール部１１にモリブデンｆｆ１２
が埋設されている。バルブ１の軸線に沿って配置される
フィラメント４の端部から伸びるリード部４１がモリブ
デン箔２に溶接されるとともに、モリブデン製の外部リ
ード棒３の一端もモリブデン箔２に溶接されて外部に伸
び出している。この外部リード棒３とピンチシール部１
１の石英ガラスとの間には、僅かな隙間１２が形成され
ている。
れる管形白熱電球の一端側を示す。第１図に示すように
、石英ガラス製のバルブ１の端部にピンチシール部１１
が形成され、ピンチシール部１１にモリブデンｆｆ１２
が埋設されている。バルブ１の軸線に沿って配置される
フィラメント４の端部から伸びるリード部４１がモリブ
デン箔２に溶接されるとともに、モリブデン製の外部リ
ード棒３の一端もモリブデン箔２に溶接されて外部に伸
び出している。この外部リード棒３とピンチシール部１
１の石英ガラスとの間には、僅かな隙間１２が形成され
ている。
かかる白熱電球のバルブ１の外表面に１例えばＴｉｅ、
薄膜とＳｉｎ、薄膜からなる１０層の光干渉多層膜（便
宜上、第２図の点線７で示す。）がディッピング法によ
り形成される。つまり、チタンないしシリコンのアルコ
レート溶液にバルブ１をディッピングして溶液を付着さ
せ、乾燥して焼成する工程を１０回繰り返すが、この最
初の焼成工程の前に、低融点フリット５をピンチシール
部１１より突出した外部リード棒３の基端部に、つまり
、隙間１２の開口を塞ぐように塗布する。この低融点フ
リット５は、融点が例えば４１５℃、熱膨張係数が３６
Ｘ １０””／’Ｉ：であり、モリブデンの熱膨張率
に近似している。そして、この低融点フリット５をニト
ロセルローズおよび酢酸ブチルなどと混合し、ペースト
状にすれば作業性よく塗布することができる。
薄膜とＳｉｎ、薄膜からなる１０層の光干渉多層膜（便
宜上、第２図の点線７で示す。）がディッピング法によ
り形成される。つまり、チタンないしシリコンのアルコ
レート溶液にバルブ１をディッピングして溶液を付着さ
せ、乾燥して焼成する工程を１０回繰り返すが、この最
初の焼成工程の前に、低融点フリット５をピンチシール
部１１より突出した外部リード棒３の基端部に、つまり
、隙間１２の開口を塞ぐように塗布する。この低融点フ
リット５は、融点が例えば４１５℃、熱膨張係数が３６
Ｘ １０””／’Ｉ：であり、モリブデンの熱膨張率
に近似している。そして、この低融点フリット５をニト
ロセルローズおよび酢酸ブチルなどと混合し、ペースト
状にすれば作業性よく塗布することができる。
しかる後、最初のＴｉｅ２薄膜を焼き付けるために、５
５０℃の炉内で１０分間焼成するが、この加熱によって
低融点フリット５が溶融して隙間１２に流れ込み、降温
してこれが固化すると、第２図に示すように、ガラス層
６になって隙間１２を閉塞する。従って、モリブデン箔
２は空気中の酸素に曝されず、以降の焼成工程において
酸化されずにピンチシール部１１にクラックが入ること
がない。なお、予めバーナーなどで低融点フリットβが
溶融してガラス層６にしてからディッピングしてもよい
、また、−旦溶融された低融点フリット５は直接ディッ
ピングしても液を汚すことがなく、好都合である。そし
て、本発明は両端封止型の白熱電球に限定されるもので
はな（、一端封止型の白熱電球にも適用することができ
る。
５０℃の炉内で１０分間焼成するが、この加熱によって
低融点フリット５が溶融して隙間１２に流れ込み、降温
してこれが固化すると、第２図に示すように、ガラス層
６になって隙間１２を閉塞する。従って、モリブデン箔
２は空気中の酸素に曝されず、以降の焼成工程において
酸化されずにピンチシール部１１にクラックが入ること
がない。なお、予めバーナーなどで低融点フリットβが
溶融してガラス層６にしてからディッピングしてもよい
、また、−旦溶融された低融点フリット５は直接ディッ
ピングしても液を汚すことがなく、好都合である。そし
て、本発明は両端封止型の白熱電球に限定されるもので
はな（、一端封止型の白熱電球にも適用することができ
る。
以上説明したように、本発明は、光干渉多層膜の焼成工
程の前段階で、ピンチシール部より突出した外部リード
棒の基端部に低融点フリットを塗布するので、この低融
点フリットが溶融し、ガラス化してモリブデン箔が酸素
に曝されない。従って、光干渉多層膜を形成する際にモ
リブデン箔が酸化せず、ピンチシール部にクラックが生
じることのない白熱電球の製造方法とすることができる
。
程の前段階で、ピンチシール部より突出した外部リード
棒の基端部に低融点フリットを塗布するので、この低融
点フリットが溶融し、ガラス化してモリブデン箔が酸素
に曝されない。従って、光干渉多層膜を形成する際にモ
リブデン箔が酸化せず、ピンチシール部にクラックが生
じることのない白熱電球の製造方法とすることができる
。
第１図と第２図は本発明実施例の工程説明図である。
１・・・バルブ １１・・・ピンチシール部１２
・・・隙間 ２・・・モリブデン箔３・・・外
部リード棒 ４・・・フィラメント４１・・・リード部
５ ”’フリット ６・・・ガラス層 ７・・・光干渉多層膜７− 第 図 第 図
・・・隙間 ２・・・モリブデン箔３・・・外
部リード棒 ４・・・フィラメント４１・・・リード部
５ ”’フリット ６・・・ガラス層 ７・・・光干渉多層膜７− 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 端部にピンチシール部を有する石英ガラス製のバルブの
外表面に光干渉多層膜が焼き付けられた白熱電球の製造
方法であって、 前記光干渉多層膜の焼成工程の前段階に、ピンチシール
部より突出した外部リード棒の基端部に低融点フリット
を塗布する工程を含むことを特徴とする白熱電球の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1918590A JPH03226958A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 白熱電球の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1918590A JPH03226958A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 白熱電球の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03226958A true JPH03226958A (ja) | 1991-10-07 |
Family
ID=11992280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1918590A Pending JPH03226958A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 白熱電球の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03226958A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0766281A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-02 | Osram Sylvania Inc. | Method for making a tantala/silica interference filter on the surface of a tungsten-halogen incandescent lamp |
| EP0895275A2 (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-03 | Matsushita Electronics Corporation | Tungsten halogen lamp and method for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380465A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-11 | 東芝ライテック株式会社 | ハロゲン電球 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP1918590A patent/JPH03226958A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380465A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-11 | 東芝ライテック株式会社 | ハロゲン電球 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0766281A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-02 | Osram Sylvania Inc. | Method for making a tantala/silica interference filter on the surface of a tungsten-halogen incandescent lamp |
| EP0895275A2 (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-03 | Matsushita Electronics Corporation | Tungsten halogen lamp and method for manufacturing the same |
| EP0895275A3 (en) * | 1997-07-30 | 1999-04-14 | Matsushita Electronics Corporation | Tungsten halogen lamp and method for manufacturing the same |
| US6239550B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-05-29 | Matsushita Electronics Corporation | Tungsten halogen lamp with infrared reflecting film and method for manufacturing the same |
| US6336837B1 (en) | 1997-07-30 | 2002-01-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tungsten halogen lamp and method for manufacturing the same |
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