JPS6380465A - ハロゲン電球 - Google Patents
ハロゲン電球Info
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- JPS6380465A JPS6380465A JP22197486A JP22197486A JPS6380465A JP S6380465 A JPS6380465 A JP S6380465A JP 22197486 A JP22197486 A JP 22197486A JP 22197486 A JP22197486 A JP 22197486A JP S6380465 A JPS6380465 A JP S6380465A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は紫外線の放射を減らしたハロゲン電球に関し、
特に電子式複写機における光電面照射用に適する。
特に電子式複写機における光電面照射用に適する。
(従来の技術)
電子式複写機においては、予め帯電させた光電面に原稿
の光学像を結ばせて潜像を得、これにトナーを散布して
現像したのち、この像を印画紙に転写し、光電面は光照
射して除電し残留トナーを除去する。
の光学像を結ばせて潜像を得、これにトナーを散布して
現像したのち、この像を印画紙に転写し、光電面は光照
射して除電し残留トナーを除去する。
しかして、光電面は通常硫化カドミウムなどの光導電材
料で構成され、その感度は光の波長に関係し、一般に青
色光から近紫外線にかけての波長域において最高の感度
を有する。
料で構成され、その感度は光の波長に関係し、一般に青
色光から近紫外線にかけての波長域において最高の感度
を有する。
一方、照射用光源には一般にハロゲン電球が賞月されて
いるが、この電球はフィラメント温度が高く、しかもバ
ルブが石英ガラスやアルミノシリケートガラスなどの耐
熱ガラスで構成されているため、普通電球と異なり、放
射光中に青色光が多く、かつ少量ながら長波長紫外線も
含有している。
いるが、この電球はフィラメント温度が高く、しかもバ
ルブが石英ガラスやアルミノシリケートガラスなどの耐
熱ガラスで構成されているため、普通電球と異なり、放
射光中に青色光が多く、かつ少量ながら長波長紫外線も
含有している。
このため、光電面の分光感度は肉眼とかなりずれてしま
う。
う。
また、このハロゲン電球を照明に用いると青色光や紫外
線のため視感が狂ってしまう。
線のため視感が狂ってしまう。
(発明が解決しようとする問題点)
ハロゲン電球の放射光中の長波長紫外線と短波長の青色
光を減らせば電子式複写機に用いて光電面の感度を調整
でき、また照明に用いても視感に忠実な電球が得られる
。
光を減らせば電子式複写機に用いて光電面の感度を調整
でき、また照明に用いても視感に忠実な電球が得られる
。
そこで、本発明は長波長紫外線と青色光の放射を減らし
たハロゲン電球を提供することを目的とする。
たハロゲン電球を提供することを目的とする。
[発明の構成〕
(問題点を解決するための手段)
本発明はハロゲン電球において、放射光中の長波長紫外
線を減らすためになされたもので、バルブの内外両面の
うち少なくとも一方の面に波長400nm以上の紫外線
を遮断する紫外線遮断膜を設けたものである。
線を減らすためになされたもので、バルブの内外両面の
うち少なくとも一方の面に波長400nm以上の紫外線
を遮断する紫外線遮断膜を設けたものである。
(作 用)
フィラメントから発した光がバルブに設けた紫外線遮断
膜を通過するとき波長400n−以上の紫外線と青色光
の一部が除去され、結局紫外線と青色光の少ない光が放
射される。
膜を通過するとき波長400n−以上の紫外線と青色光
の一部が除去され、結局紫外線と青色光の少ない光が放
射される。
(実施例)
本発明を第1図に示す実施例によってさらに詳細に説明
する。ωは管形アルミノシリケートガラスバルブ、■は
このバルブ■の外面に設けられた可視光透過赤外線反射
膜、■はこの赤外線反射膜■の表面に設けられた紫外線
遮断膜、に)、に)はバルブ■の両端を圧潰封止してな
る封止部、■、■はこれら封止部(へ)、(イ)内に埋
設されたモリブデン導入箔、0.(Qはこれら導入箔■
、■に接続してバルブω内に導入された内導線、■、■
・・・・・・はこれら内導線0,0に短絡線■、■・・
・・・・を介して直列接続され、バルブ■の中心線に沿
って1列に配設された複数のタングステンコイルフィラ
メント、■)、0・・・・・・は短絡線(へ)、8・・
・・・・を支持したアンカである。そうして、バルブω
内にはアルゴンなどの不活性ガスとともに所要のハロゲ
ンが封入しである。
する。ωは管形アルミノシリケートガラスバルブ、■は
このバルブ■の外面に設けられた可視光透過赤外線反射
膜、■はこの赤外線反射膜■の表面に設けられた紫外線
遮断膜、に)、に)はバルブ■の両端を圧潰封止してな
る封止部、■、■はこれら封止部(へ)、(イ)内に埋
設されたモリブデン導入箔、0.(Qはこれら導入箔■
、■に接続してバルブω内に導入された内導線、■、■
・・・・・・はこれら内導線0,0に短絡線■、■・・
・・・・を介して直列接続され、バルブ■の中心線に沿
って1列に配設された複数のタングステンコイルフィラ
メント、■)、0・・・・・・は短絡線(へ)、8・・
・・・・を支持したアンカである。そうして、バルブω
内にはアルゴンなどの不活性ガスとともに所要のハロゲ
ンが封入しである。
上記可視光透過赤外線反射膜■は第2図に模型的に拡大
して示すように、酸化チタンなどからなる高屈折率層(
21) (左上リハッチング)とシリカなどからなる低
屈折率層(22) (右上リハツチング)とを交互重層
したもので、光の干渉によって可視光を透過し赤外線を
反射する性質を有する。
して示すように、酸化チタンなどからなる高屈折率層(
21) (左上リハッチング)とシリカなどからなる低
屈折率層(22) (右上リハツチング)とを交互重層
したもので、光の干渉によって可視光を透過し赤外線を
反射する性質を有する。
上記紫外線遮断膜■は第2図に示すように、■20□形
の結晶組織を有する酸化バナジウムを主成分とする薄膜
で可視光透過性で、波長400〜500nm近傍に吸収
帯を有する。
の結晶組織を有する酸化バナジウムを主成分とする薄膜
で可視光透過性で、波長400〜500nm近傍に吸収
帯を有する。
つぎに、このハロゲン電球の製造方法を説明する。第1
図に示したような封止ハロゲン電球を用意する。これを
有機チタン化合物溶液に浸漬して引上げ、乾燥後約60
0℃の温度で約10分間焼成して酸化チタンからなる高
屈折率J’FJ (21)を形成する。
図に示したような封止ハロゲン電球を用意する。これを
有機チタン化合物溶液に浸漬して引上げ、乾燥後約60
0℃の温度で約10分間焼成して酸化チタンからなる高
屈折率J’FJ (21)を形成する。
つぎしこ、この高屈折率層(21)を形成した電球を有
機けい素化合物溶液に浸漬して引上げ、乾燥後約600
℃の温度で約10分間焼成してシリカからなる低屈折率
M (22)を形成する。このようにして、高屈折率層
(21〉と低屈折率層(22)とを所望層数交互に形成
すれば上述の可視光透過赤外線反射膜■が形成される。
機けい素化合物溶液に浸漬して引上げ、乾燥後約600
℃の温度で約10分間焼成してシリカからなる低屈折率
M (22)を形成する。このようにして、高屈折率層
(21〉と低屈折率層(22)とを所望層数交互に形成
すれば上述の可視光透過赤外線反射膜■が形成される。
ついで、この可視透過赤外線反射膜■を形成したハロゲ
ン電球にバナジウムのキレート化合物を塗布する。この
バナジウムのキレート化合物は化学式vO・xよ(ただ
し、Xのうち少なくとも一方はバナジウムとキレート環
を形成する有機化合物残基である。)で表わされるもの
でたとえば■0をアセチールアセトンでキレート化した
■0・(C)l、C0CH。
ン電球にバナジウムのキレート化合物を塗布する。この
バナジウムのキレート化合物は化学式vO・xよ(ただ
し、Xのうち少なくとも一方はバナジウムとキレート環
を形成する有機化合物残基である。)で表わされるもの
でたとえば■0をアセチールアセトンでキレート化した
■0・(C)l、C0CH。
COCll1) zである。このキレート化合物をエチ
ールアルコールなどの有機溶剤に溶解し、これに上述し
た可視光透過赤外線反射膜■を形成したハロゲン電球を
浸漬し、一定の速度で引上げて乾燥すると塗膜が形成さ
れる。ついで、このハロゲン電球を炉内で加熱して塗膜
を焼成し、上述のとおりV2O5形の結晶組織からなる
紫外線遮断膜■に形成する。
ールアルコールなどの有機溶剤に溶解し、これに上述し
た可視光透過赤外線反射膜■を形成したハロゲン電球を
浸漬し、一定の速度で引上げて乾燥すると塗膜が形成さ
れる。ついで、このハロゲン電球を炉内で加熱して塗膜
を焼成し、上述のとおりV2O5形の結晶組織からなる
紫外線遮断膜■に形成する。
しかして、上述の焼成工程において、焼成時の雰囲気と
温度が紫外線遮断膜■の光吸収特性に重大な影響をする
ことが判明した1本発明者らの研究によれば、焼成温度
の上限は雰囲気の酸素濃度0容量%のとき430℃、1
00容量%のとき260℃で、また、中間の酸素濃度の
ときはこの濃度に直線的に比例した中間の温度である。
温度が紫外線遮断膜■の光吸収特性に重大な影響をする
ことが判明した1本発明者らの研究によれば、焼成温度
の上限は雰囲気の酸素濃度0容量%のとき430℃、1
00容量%のとき260℃で、また、中間の酸素濃度の
ときはこの濃度に直線的に比例した中間の温度である。
このように、雰囲気酸素濃度に対応した上述の温度範囲
で焼成すれば得られた紫外線遮断膜(3)は上述のとお
りV2O5形の結晶組織をなす、しかも、この処理条件
によって既に形成された可視光透過赤外線反射膜■が変
質することがない。
で焼成すれば得られた紫外線遮断膜(3)は上述のとお
りV2O5形の結晶組織をなす、しかも、この処理条件
によって既に形成された可視光透過赤外線反射膜■が変
質することがない。
つぎに、このハロゲン電球に形成された可視光透過赤外
線反射膜■と紫外線遮断膜(3)との重層膜の分光透過
率を第3図に示す。図は横軸に波長をnmの単位でとり
、縦軸に透過率を%の単位でとったもので、曲線はこの
重層膜の総合分光透過率曲線を示す、この図から明らか
なとおり、400〜500nmの範囲と80On+s近
傍とに透過率が著しく低い範囲がある。これは波長40
0〜500nmの紫外線を紫外線遮断膜■によって吸収
除去し、かつ波長800nm近傍の赤外線を赤外線反射
膜■によって反射したことを意味する。
線反射膜■と紫外線遮断膜(3)との重層膜の分光透過
率を第3図に示す。図は横軸に波長をnmの単位でとり
、縦軸に透過率を%の単位でとったもので、曲線はこの
重層膜の総合分光透過率曲線を示す、この図から明らか
なとおり、400〜500nmの範囲と80On+s近
傍とに透過率が著しく低い範囲がある。これは波長40
0〜500nmの紫外線を紫外線遮断膜■によって吸収
除去し、かつ波長800nm近傍の赤外線を赤外線反射
膜■によって反射したことを意味する。
つぎに、このハロゲン電球の放射光のスペクトルを第4
図に示す0図は横軸に波長をnmの単位でとり、縦軸に
光強度を相対値でとったもので、実線(I)は上記実施
例ハロゲン電球、破線(It)は素ガラスのハロゲン電
球の放射光のスペクトルをそれぞれ示す、この図から明
らかなとおり、実施例のハロゲン電球は波長400〜5
00nw+の紫外線および青色光と波長800nm近傍
の赤外線が大幅に少なくなっていることが解る。
図に示す0図は横軸に波長をnmの単位でとり、縦軸に
光強度を相対値でとったもので、実線(I)は上記実施
例ハロゲン電球、破線(It)は素ガラスのハロゲン電
球の放射光のスペクトルをそれぞれ示す、この図から明
らかなとおり、実施例のハロゲン電球は波長400〜5
00nw+の紫外線および青色光と波長800nm近傍
の赤外線が大幅に少なくなっていることが解る。
このように、本実施例のハロゲン電球はフィラメント■
、c7)・・・・・・から放射された光のうち赤外線を
赤外線反射膜■で反射して再びフィラメント■。
、c7)・・・・・・から放射された光のうち赤外線を
赤外線反射膜■で反射して再びフィラメント■。
■・・・・・・に帰還させるので、フィラメント■、■
・・・・・・が加熱されて発光効率が向上し、また紫外
線は紫外線遮断膜■で除去される。したがって、このハ
ロゲン電球は高効率で、しかも放射光中の紫外線が少な
いので、複写機用に用いると光電面の感度を補正でき、
かつ赤外線が少ないので原稿を焼損することがない、ま
た、本ハロゲン電球を店舗照明に用いた場合、演色性が
良く、かつ商品を光劣化や熱損することがない。
・・・・・・が加熱されて発光効率が向上し、また紫外
線は紫外線遮断膜■で除去される。したがって、このハ
ロゲン電球は高効率で、しかも放射光中の紫外線が少な
いので、複写機用に用いると光電面の感度を補正でき、
かつ赤外線が少ないので原稿を焼損することがない、ま
た、本ハロゲン電球を店舗照明に用いた場合、演色性が
良く、かつ商品を光劣化や熱損することがない。
なお、上述の実施例において赤外線反射膜■をバルブ■
の外面に設けかっこの膜■の表面に紫外線遮断膜■を設
けたが、本発明はこれに限らず、赤外線反射膜■と紫外
線遮断膜■とのどちらを放射側に位置させてもよく、ま
たどちらか一方または両方の膜■、■をバルブ■の内面
に設けてもよい。
の外面に設けかっこの膜■の表面に紫外線遮断膜■を設
けたが、本発明はこれに限らず、赤外線反射膜■と紫外
線遮断膜■とのどちらを放射側に位置させてもよく、ま
たどちらか一方または両方の膜■、■をバルブ■の内面
に設けてもよい。
さらに、本発明においては紫外線遮断膜に重層して散光
膜を設けて紫外線を含まない散乱光を放射するようにし
てもよく、この場合、散光膜の具体構造およびその重層
位置は問題でない、さらに。
膜を設けて紫外線を含まない散乱光を放射するようにし
てもよく、この場合、散光膜の具体構造およびその重層
位置は問題でない、さらに。
紫外線遮断膜の外面に既知の反射防止膜を設けて可視光
透過率を向上させることができる。反射防止膜としてシ
リカ、ふつ化アルミニウム、ふっ化マグネシウムなどが
知られているが、特にシリカ囚は硬度が高いのですり傷
や磨耗などを防ぐ保護膜の効果もある。そうして、本発
明において可視光透過赤外線反射膜は不可欠でなく、要
はバルブの内外両面のうち少なくとも一方の面に紫外線
遮断膜があればよい。
透過率を向上させることができる。反射防止膜としてシ
リカ、ふつ化アルミニウム、ふっ化マグネシウムなどが
知られているが、特にシリカ囚は硬度が高いのですり傷
や磨耗などを防ぐ保護膜の効果もある。そうして、本発
明において可視光透過赤外線反射膜は不可欠でなく、要
はバルブの内外両面のうち少なくとも一方の面に紫外線
遮断膜があればよい。
このように、本発明のハロゲン電球はバルブの内外両面
のうち少なくとも一方の面に波長400nm以上の紫外
線を遮断する紫外線遮断膜を設けたので、フィラメント
から発した光のうち紫外線を紫外線遮断膜によって除去
し、紫外線を含まない可視光を放射できる。
のうち少なくとも一方の面に波長400nm以上の紫外
線を遮断する紫外線遮断膜を設けたので、フィラメント
から発した光のうち紫外線を紫外線遮断膜によって除去
し、紫外線を含まない可視光を放射できる。
第1図本発明のハロゲン電球の一実施例の断面図、第2
図は同じく要部の模型的拡大断面図、第3図は同じく要
部の分光透過特性を示すグラフ、第4図は同じく放射光
のスペクトル図である。 ■・・・バルブ ■・・・赤外線反射膜(3
)・・・紫外線遮断+1!IC’7)・・・フィラメン
ト代理人 弁理士 井 上 −男 第 1 図 一−−→ 5HA (rLrn) 第3図 一−−→ 表4 (nJL)
図は同じく要部の模型的拡大断面図、第3図は同じく要
部の分光透過特性を示すグラフ、第4図は同じく放射光
のスペクトル図である。 ■・・・バルブ ■・・・赤外線反射膜(3
)・・・紫外線遮断+1!IC’7)・・・フィラメン
ト代理人 弁理士 井 上 −男 第 1 図 一−−→ 5HA (rLrn) 第3図 一−−→ 表4 (nJL)
Claims (3)
- (1)ハロゲン電球バルブの内外両面のうち少なくとも
一方の面に波長400nm以上の紫外線を遮断する紫外
線遮断膜を設けたことを特徴とするハロゲン電球。 - (2)紫外線遮断膜はV_2O_5形の酸化バナジウム
を主成分とすることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のハロゲン電球。 - (3)紫外線遮断膜は可視光透過赤外線反射膜と重層さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項または
第2項記載のハロゲン電球。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22197486A JPS6380465A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | ハロゲン電球 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22197486A JPS6380465A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | ハロゲン電球 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6380465A true JPS6380465A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16775084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22197486A Pending JPS6380465A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | ハロゲン電球 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6380465A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03226958A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Ushio Inc | 白熱電球の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6124344A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-03 | Hitachi Ltd | Posシステム |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22197486A patent/JPS6380465A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6124344A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-03 | Hitachi Ltd | Posシステム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03226958A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-07 | Ushio Inc | 白熱電球の製造方法 |
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