JPH0259585B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0259585B2 JPH0259585B2 JP57167602A JP16760282A JPH0259585B2 JP H0259585 B2 JPH0259585 B2 JP H0259585B2 JP 57167602 A JP57167602 A JP 57167602A JP 16760282 A JP16760282 A JP 16760282A JP H0259585 B2 JPH0259585 B2 JP H0259585B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bulb
- infrared
- envelope
- reflective film
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はフイラメントから放射された光のうち
赤外線を反射させてフイラメントに帰還させ効率
を向上させた白熱電球に関する。
赤外線を反射させてフイラメントに帰還させ効率
を向上させた白熱電球に関する。
ガラスバルブの中心にタングステンフイラメン
トを有する白熱電球において、バルブの内外両面
のうち少なくとも一方に赤外線を反射する被膜を
設け、フイラメントから放射される赤外線を再び
フイラメントに戻すことにより、白熱電球の効率
を向上させ、さらに、放射光中の赤外線が少ない
ことにより、被照射物の熱劣化を抑制できるよう
にした高効率な電球が知られている。
トを有する白熱電球において、バルブの内外両面
のうち少なくとも一方に赤外線を反射する被膜を
設け、フイラメントから放射される赤外線を再び
フイラメントに戻すことにより、白熱電球の効率
を向上させ、さらに、放射光中の赤外線が少ない
ことにより、被照射物の熱劣化を抑制できるよう
にした高効率な電球が知られている。
このような目的に用いられる白熱電球のバルブ
は、ガラスバルブ表面に次のような物質をコーテ
ングしたものが知られていた。
は、ガラスバルブ表面に次のような物質をコーテ
ングしたものが知られていた。
() たとえばふつ化マグネシウムMgF2やシ
リカSiO2などの低屈折率の物質を真空蒸着な
どでガラスバルブのガラス面にコーテングし、
そのうえにたとえば硫化亜鉛ZnSや酸化チタン
TiO2などの高屈折率の物質を真空蒸着により、
コーテングし、このようにして低屈折率物質と
高屈折率物質とが交互重層して赤外線を反射す
るようにしたもの。
リカSiO2などの低屈折率の物質を真空蒸着な
どでガラスバルブのガラス面にコーテングし、
そのうえにたとえば硫化亜鉛ZnSや酸化チタン
TiO2などの高屈折率の物質を真空蒸着により、
コーテングし、このようにして低屈折率物質と
高屈折率物質とが交互重層して赤外線を反射す
るようにしたもの。
() たとえば銀Agの薄膜のような広い波長
域で高い反射率を有する金属薄膜やこのような
薄膜を酸化チタンTiO2などの高屈折率の物質
の薄膜で挾合した膜を真空蒸着などでガラス面
にコーテングしたもの。
域で高い反射率を有する金属薄膜やこのような
薄膜を酸化チタンTiO2などの高屈折率の物質
の薄膜で挾合した膜を真空蒸着などでガラス面
にコーテングしたもの。
() たとえば酸化錫SnO2、酸化インジウム
In2O3、錫ドープの酸化インジウム、アンチモ
ンドープの酸化錫SnO2−Sbなどのn型半導体
酸化物被膜を真空蒸着、スパツタ、ケミカル・
ペーパー・デポジツト法などによりコーテング
したもの。
In2O3、錫ドープの酸化インジウム、アンチモ
ンドープの酸化錫SnO2−Sbなどのn型半導体
酸化物被膜を真空蒸着、スパツタ、ケミカル・
ペーパー・デポジツト法などによりコーテング
したもの。
() 上記()と()とを組合わせたも
の。
の。
このような赤外線を反射あるいは吸収する被膜
はその膜厚が0.1μ程度であり、特に()の反射
膜や()の反射膜は熱的に劣化が速く、たとえ
ばガラスバルブが著く高温になるハロゲン電球な
どでは実用化できない。また、高温でも耐えられ
る上述の()の膜だけではランプ効率の向上は
得られるものの、赤外線しや断特性から見ると市
場の要求を総て満しているとはいえない。さら
に、赤外線しや断だけを目的とすれば上述の
()の組合わせが最適と考えられるが、この膜
のうち()の被膜が熱的に弱いので現在まで実
用化されていない。
はその膜厚が0.1μ程度であり、特に()の反射
膜や()の反射膜は熱的に劣化が速く、たとえ
ばガラスバルブが著く高温になるハロゲン電球な
どでは実用化できない。また、高温でも耐えられ
る上述の()の膜だけではランプ効率の向上は
得られるものの、赤外線しや断特性から見ると市
場の要求を総て満しているとはいえない。さら
に、赤外線しや断だけを目的とすれば上述の
()の組合わせが最適と考えられるが、この膜
のうち()の被膜が熱的に弱いので現在まで実
用化されていない。
本発明は高い赤外線反射能を維持し、そのラン
プ寿命中に熱による赤外線反射膜の性能劣化がほ
とんどない高効率な白熱電球を提供することを目
的とする。
プ寿命中に熱による赤外線反射膜の性能劣化がほ
とんどない高効率な白熱電球を提供することを目
的とする。
フイラメントおよび封入ガスを内蔵したガラス
バルブに上述の()の赤外線反射膜を形成し、
バルブを包囲する透光性外囲器に上述の()の
赤外線反射膜を形成したことにより、()の反
射膜によつて近赤外線を有効に反射させてフイラ
メントに帰環され、かつ()の反射膜によつて
遠赤外線をしや断し、しかもこの()の反射膜
をフイラメントから遠い位置に配置することによ
つて熱損を防止したものである。
バルブに上述の()の赤外線反射膜を形成し、
バルブを包囲する透光性外囲器に上述の()の
赤外線反射膜を形成したことにより、()の反
射膜によつて近赤外線を有効に反射させてフイラ
メントに帰環され、かつ()の反射膜によつて
遠赤外線をしや断し、しかもこの()の反射膜
をフイラメントから遠い位置に配置することによ
つて熱損を防止したものである。
本発明の詳細を図示の実施例によつて説明す
る。1は石英ガラスからなるT形バルブ、2はこ
のバルブ1の外面に形成した第1の赤外線反射
膜、3はバルブ1の基部を圧潰封止してなる封止
部、4,4はこの封止部3内に埋設されたモリブ
デン導入箔、5はこの導入箔4,4に接続し、バ
ルブ1の中心線に沿つて配設されたタングステン
フイラメント、6はバルブ1を包囲するガラス製
透光性外囲器、7はこの外囲器6の透光面たとえ
ば外面に形成した第2の赤外線反射膜、8は外囲
器6の基端を閉塞したステム、9,9はこのステ
ム8から外囲器6内に導入されてモリブデン導入
箔4,4に電気接続するとともにバルブ1を支持
する導入線、10はこの外囲器6の端部に装着さ
れて導入線9,9に接続する口金である。
る。1は石英ガラスからなるT形バルブ、2はこ
のバルブ1の外面に形成した第1の赤外線反射
膜、3はバルブ1の基部を圧潰封止してなる封止
部、4,4はこの封止部3内に埋設されたモリブ
デン導入箔、5はこの導入箔4,4に接続し、バ
ルブ1の中心線に沿つて配設されたタングステン
フイラメント、6はバルブ1を包囲するガラス製
透光性外囲器、7はこの外囲器6の透光面たとえ
ば外面に形成した第2の赤外線反射膜、8は外囲
器6の基端を閉塞したステム、9,9はこのステ
ム8から外囲器6内に導入されてモリブデン導入
箔4,4に電気接続するとともにバルブ1を支持
する導入線、10はこの外囲器6の端部に装着さ
れて導入線9,9に接続する口金である。
上記バルブ1は内部にアルゴンなどの不活性ガ
スとともに所要のハロゲンを封入してあり、フイ
ラメント5などとともにハロゲン電球に構成され
ている。
スとともに所要のハロゲンを封入してあり、フイ
ラメント5などとともにハロゲン電球に構成され
ている。
上記第1の赤外線反射膜2は前述の()の構
成を有する。すなわち、第2図示のようにバルブ
1のガラス面11にTiO2からなる高屈折率金属
酸化膜21,213層とSiO2からなる低屈折率
金属酸化膜22,222層とを交互重層したもの
で、波長1.0μ前後の赤外線をよく反射する性質を
有し、耐熱性に富む。
成を有する。すなわち、第2図示のようにバルブ
1のガラス面11にTiO2からなる高屈折率金属
酸化膜21,213層とSiO2からなる低屈折率
金属酸化膜22,222層とを交互重層したもの
で、波長1.0μ前後の赤外線をよく反射する性質を
有し、耐熱性に富む。
上記第2の赤外線反射膜7は前述の()の構
成を有する。すなわち、第3図示のように、外囲
器6の透光面たとえば外面にSnをドープした
In2O3からなるn型半導体からなり、波長1.5μ以
上の赤外線をよく反射する性質を有するが、150
℃以上の温度に加熱すると急速に劣化して使用に
耐えなくなる。
成を有する。すなわち、第3図示のように、外囲
器6の透光面たとえば外面にSnをドープした
In2O3からなるn型半導体からなり、波長1.5μ以
上の赤外線をよく反射する性質を有するが、150
℃以上の温度に加熱すると急速に劣化して使用に
耐えなくなる。
つぎに、本発明者の行なつた実験によつてさら
に詳説する。管径10mmの石英ガラス管を用いて第
1図示の構造を有する100V60Wのハロゲン電球
に構成し、その外表面に次の手順によつて金属酸
化膜を形成して第1の赤外線反射膜2を構成し
た。
に詳説する。管径10mmの石英ガラス管を用いて第
1図示の構造を有する100V60Wのハロゲン電球
に構成し、その外表面に次の手順によつて金属酸
化膜を形成して第1の赤外線反射膜2を構成し
た。
すなわち、テトライソプロピルチタネートを主
成分とするチタン化合物を酢酸エステルを主成分
とする有機溶媒にチタン含有量が3〜5%、粘度
が1cpsとなるように混合した有機チタン化合物溶
液中に上述の試作ハロゲン電球のバルブ1を浸漬
し、25cm/分の速度で引き上げ、乾燥し、500℃
で30分間焼成してTiO2からなる厚さ1000Åの金
属酸化膜21を形成した。ついで、エチルシリケ
ートを主成分としたシリコン化合物を酢酸エステ
ルを主成分とする有機溶媒にシリコン含有量が3
〜5%、粘度1cpsとなるように混合した有機シリ
コン化合物溶液中に上記処理を行つた電球のバル
ブ1を浸漬し、35cm/分の速度で引き上げ、同様
に乾燥し500℃で30分間焼成してSiO2からなる厚
さ1200Åの金属酸化膜22を形成した。そして、
同様な手法を繰り返して金属酸化膜21,22を
5層に交互重層して第1の赤外線反射膜2を形成
した。
成分とするチタン化合物を酢酸エステルを主成分
とする有機溶媒にチタン含有量が3〜5%、粘度
が1cpsとなるように混合した有機チタン化合物溶
液中に上述の試作ハロゲン電球のバルブ1を浸漬
し、25cm/分の速度で引き上げ、乾燥し、500℃
で30分間焼成してTiO2からなる厚さ1000Åの金
属酸化膜21を形成した。ついで、エチルシリケ
ートを主成分としたシリコン化合物を酢酸エステ
ルを主成分とする有機溶媒にシリコン含有量が3
〜5%、粘度1cpsとなるように混合した有機シリ
コン化合物溶液中に上記処理を行つた電球のバル
ブ1を浸漬し、35cm/分の速度で引き上げ、同様
に乾燥し500℃で30分間焼成してSiO2からなる厚
さ1200Åの金属酸化膜22を形成した。そして、
同様な手法を繰り返して金属酸化膜21,22を
5層に交互重層して第1の赤外線反射膜2を形成
した。
また、外囲器6の外表面にSnにドープした
In2O3を真空蒸着法でコーテングし、In2O3−Sn
のn型半導体からなる厚さ約1500Åの第2の赤外
線反射膜7を形成した。
In2O3を真空蒸着法でコーテングし、In2O3−Sn
のn型半導体からなる厚さ約1500Åの第2の赤外
線反射膜7を形成した。
そうして、これら電球と外囲器6を用いて第1
図示のように白熱電球に構成し、その初特性、放
射される赤外線および寿命などについて試験し
た。この結果を第1図示の構成を有し、第1およ
び第2の赤外線反射膜2,7を有しない同定格の
白熱電球と比較したところ、初特性で効率が18.5
%向上し、放射計により測定した赤外線が38%減
少し、しかも動程中の上記被膜2,7の劣化によ
る諸特性の低下も認められなかつた。
図示のように白熱電球に構成し、その初特性、放
射される赤外線および寿命などについて試験し
た。この結果を第1図示の構成を有し、第1およ
び第2の赤外線反射膜2,7を有しない同定格の
白熱電球と比較したところ、初特性で効率が18.5
%向上し、放射計により測定した赤外線が38%減
少し、しかも動程中の上記被膜2,7の劣化によ
る諸特性の低下も認められなかつた。
つぎに、上記実験例における両赤外線反射膜
2,7による総合分光透過率を第4図に示す。図
は横軸に波長をμの単位でとり、縦軸に透過率を
素ガラスを100とする%でとり、曲線は両被膜2,
7を総合した透過率曲線を示す。図において、A
部分は主として第1の赤外線反射膜2による透過
率低下で、B部分は主として第2の赤外線反射膜
7による透過率低下によるものである。そして、
図から明らかなとおり、波長0.81μ以上の赤外部
における比透過率は約50%以下になつている。
2,7による総合分光透過率を第4図に示す。図
は横軸に波長をμの単位でとり、縦軸に透過率を
素ガラスを100とする%でとり、曲線は両被膜2,
7を総合した透過率曲線を示す。図において、A
部分は主として第1の赤外線反射膜2による透過
率低下で、B部分は主として第2の赤外線反射膜
7による透過率低下によるものである。そして、
図から明らかなとおり、波長0.81μ以上の赤外部
における比透過率は約50%以下になつている。
このように、本実施例電球は金属酸化物の多層
膜からなる第1の赤外線反射膜2をバルブ1外面
に形成したので、1μ前後の赤外線をよく反射し
てフイラメント5に帰還させることができ、光効
率が向上する。さらに、外囲器6外面にn型半導
体からなる第2の赤外線反射膜7を設けたので、
長波長の赤外線も有効に反射され、優れた赤外線
しや断効果が得られる。しかも、外囲器6の外面
はフイラメント5から離隔しているので、温度が
低く、したがつて、長時間点灯しても半導体が熱
損して効果を失なうこともない。したがつて、本
実施例電球は高効率で、赤外線しや断効果が大き
く、さらに長寿命である。
膜からなる第1の赤外線反射膜2をバルブ1外面
に形成したので、1μ前後の赤外線をよく反射し
てフイラメント5に帰還させることができ、光効
率が向上する。さらに、外囲器6外面にn型半導
体からなる第2の赤外線反射膜7を設けたので、
長波長の赤外線も有効に反射され、優れた赤外線
しや断効果が得られる。しかも、外囲器6の外面
はフイラメント5から離隔しているので、温度が
低く、したがつて、長時間点灯しても半導体が熱
損して効果を失なうこともない。したがつて、本
実施例電球は高効率で、赤外線しや断効果が大き
く、さらに長寿命である。
なお、前述の実施例において第1の赤外線反射
膜2をバルブ1外面に形成したが、本発明におい
ては内面に形成してもよく、またバルブ1の内外
両面に形成してもよい。さらに、高屈折率層と低
屈折率層とが最小限1層ずつあれば前述の効果が
ある。同様に、第2の赤外線反射膜7も外囲器6
の内外いずれの面に形成してもよく、また両面に
形成してもよい。さらに外囲器6は外面に第2の
赤外線反射膜7を形成し、内面にSiO2などの散
光膜を設けてもよい。さらに、外囲器7は高温に
ならないので、その構成材料はガラスに限らず、
たとえば透光性合成樹脂などでもよく、また、気
密でなくともよい。
膜2をバルブ1外面に形成したが、本発明におい
ては内面に形成してもよく、またバルブ1の内外
両面に形成してもよい。さらに、高屈折率層と低
屈折率層とが最小限1層ずつあれば前述の効果が
ある。同様に、第2の赤外線反射膜7も外囲器6
の内外いずれの面に形成してもよく、また両面に
形成してもよい。さらに外囲器6は外面に第2の
赤外線反射膜7を形成し、内面にSiO2などの散
光膜を設けてもよい。さらに、外囲器7は高温に
ならないので、その構成材料はガラスに限らず、
たとえば透光性合成樹脂などでもよく、また、気
密でなくともよい。
さらに、本発明において、バルブ1内にはハロ
ゲンを封入しないで通常の白熱電球にしてもよ
い。さらに、バルブは先端開口した筒体などに構
成し、外囲器に気密性を持たして不活性ガスを封
入してもよい。
ゲンを封入しないで通常の白熱電球にしてもよ
い。さらに、バルブは先端開口した筒体などに構
成し、外囲器に気密性を持たして不活性ガスを封
入してもよい。
さらに、本発明に使用される第1の赤外線反射
膜を構成する酸化膜はTi,Zr,Al,Si,Mg,
Ceなどの酸化物を使用し、高屈折率金属酸化物
と低屈折率金属酸化物とを組み合わせることによ
り得られる。また、第2の赤外線反射膜を構成す
るn型半導体としてはSn,In,Znなどの少なく
とも1種を主体とするもので、実施例と同様な効
果が得られるものであればよい。
膜を構成する酸化膜はTi,Zr,Al,Si,Mg,
Ceなどの酸化物を使用し、高屈折率金属酸化物
と低屈折率金属酸化物とを組み合わせることによ
り得られる。また、第2の赤外線反射膜を構成す
るn型半導体としてはSn,In,Znなどの少なく
とも1種を主体とするもので、実施例と同様な効
果が得られるものであればよい。
また、実施例ではn型半導体被膜を真空蒸着方
により外囲器に形成したが、第1の赤外線反射膜
と同様にたとえば有機インジウム化合物と有機錫
化合物とを3〜5%含有する溶液中に外囲器を浸
漬して引き上げ、焼成し、還元熱処理することに
よりIn2O3−Snなるn型半導体被膜に形成するこ
とができる。
により外囲器に形成したが、第1の赤外線反射膜
と同様にたとえば有機インジウム化合物と有機錫
化合物とを3〜5%含有する溶液中に外囲器を浸
漬して引き上げ、焼成し、還元熱処理することに
よりIn2O3−Snなるn型半導体被膜に形成するこ
とができる。
本発明の白熱電球はフイラメントおよび封入ガ
スを包容したガラスバルブのガラス面に低屈折率
の金属酸化物と高屈折率の金属酸化物とを交互重
層してなる第1の赤外線反射膜を設け、さらにバ
ルブを包囲する透光性外囲器の透光面にn型半導
体からなる第2の赤外線反射膜とを設けたので、
第1の赤外線反射膜によつて近赤外線を効率よく
フイラメントに帰還させて発光効率を高め、かつ
第2の赤外線反射膜を低温の外囲器の透光面に設
けて遠赤外線を効率的にしや断し、しかも熱損の
おそれがなく、したがつて、高効率で、含有赤外
線が少なく、長寿命である利点がある。
スを包容したガラスバルブのガラス面に低屈折率
の金属酸化物と高屈折率の金属酸化物とを交互重
層してなる第1の赤外線反射膜を設け、さらにバ
ルブを包囲する透光性外囲器の透光面にn型半導
体からなる第2の赤外線反射膜とを設けたので、
第1の赤外線反射膜によつて近赤外線を効率よく
フイラメントに帰還させて発光効率を高め、かつ
第2の赤外線反射膜を低温の外囲器の透光面に設
けて遠赤外線を効率的にしや断し、しかも熱損の
おそれがなく、したがつて、高効率で、含有赤外
線が少なく、長寿命である利点がある。
第1図は本発明の白熱電球の一実施例の断面
図、第2図は同じく第1図〇枠の拡大断面図、
第3図は同じく第1図〇枠の拡大断面図、第4
図は赤外線反射膜の透過率特性を示すグラフであ
る。 1……バルブ、2……第1の赤外線反射膜、6
……外囲器、7……第2の赤外線反射膜、21…
…高屈折率金属酸化物膜、22……低屈折率金属
酸化物膜。
図、第2図は同じく第1図〇枠の拡大断面図、
第3図は同じく第1図〇枠の拡大断面図、第4
図は赤外線反射膜の透過率特性を示すグラフであ
る。 1……バルブ、2……第1の赤外線反射膜、6
……外囲器、7……第2の赤外線反射膜、21…
…高屈折率金属酸化物膜、22……低屈折率金属
酸化物膜。
Claims (1)
- 1 フイラメントおよび封入ガスを包容したガラ
スバルブと、このバルブのガラス面に形成された
低屈折率の金属酸化物と高屈折率の金属酸化物と
を交互重層してなる第1の赤外線反射膜と、上記
バルブを包囲する透光性外囲器と、この外囲器の
透光面に形成されたn型半導体からなる第2の赤
外線反射膜とを具備したことを特徴とする白熱電
球。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57167602A JPS5958752A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 白熱電球 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57167602A JPS5958752A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 白熱電球 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5958752A JPS5958752A (ja) | 1984-04-04 |
JPH0259585B2 true JPH0259585B2 (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=15852808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57167602A Granted JPS5958752A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 白熱電球 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5958752A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62168559U (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-26 | ||
EP2787524B1 (en) | 2011-12-01 | 2016-09-14 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source device and filament |
JP2013134875A (ja) | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Stanley Electric Co Ltd | 白熱電球、および、フィラメント |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP57167602A patent/JPS5958752A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5958752A (ja) | 1984-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4504109A (en) | Infrared shielding lamination | |
KR890004641B1 (ko) | 전구 | |
JPS60258846A (ja) | 白熱電球 | |
GB2103830A (en) | Optical tantalum pentoxide coatings for high temperature applications | |
KR20070098783A (ko) | 전기 램프 및 간섭막 | |
JPH0259585B2 (ja) | ||
US5146130A (en) | Incandescent lamp having good color rendering properties at a high color temperature | |
JPH085833A (ja) | 光干渉体、管球およびハロゲン電球ならびに照明装置 | |
JPS62131463A (ja) | 高圧放電灯 | |
JPH0132630B2 (ja) | ||
JPS61250958A (ja) | メタルハライドランプ | |
JPH0479104B2 (ja) | ||
JPH0525082B2 (ja) | ||
JPS5823161A (ja) | 白熱電球 | |
JPH0258735B2 (ja) | ||
JP3110131B2 (ja) | 高耐久性薄膜 | |
JP3221773B2 (ja) | 高輝度放電ランプの発光管および高輝度放電ランプ | |
JPS59221967A (ja) | 電球 | |
JP2550709B2 (ja) | 照明装置 | |
JPH0354833B2 (ja) | ||
JPH0320961A (ja) | 白熱電球 | |
JPH0239107A (ja) | 多層干渉膜 | |
JPH0469883B2 (ja) | ||
JPH03208253A (ja) | 光干渉膜およびこれを用いた管球 | |
JPH0522336B2 (ja) |