JPH0132630B2 - - Google Patents
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- JPH0132630B2 JPH0132630B2 JP15063680A JP15063680A JPH0132630B2 JP H0132630 B2 JPH0132630 B2 JP H0132630B2 JP 15063680 A JP15063680 A JP 15063680A JP 15063680 A JP15063680 A JP 15063680A JP H0132630 B2 JPH0132630 B2 JP H0132630B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical group CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical group CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- NXKIDVIPGCGTPO-UHFFFAOYSA-N [Ag+].[O-2].[Ti+4].[O-2].[Ti+4] Chemical compound [Ag+].[O-2].[Ti+4].[O-2].[Ti+4] NXKIDVIPGCGTPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバルブの内外両面に透光性赤外線反射
膜を設けた白熱電球の製造方法に関する。
膜を設けた白熱電球の製造方法に関する。
可視光線を透過し、赤外線を反射させる反射膜
すなわち透光性赤外線反射膜を設けた白熱電球や
その反射膜形成方法は、たとえば特開昭50−
73468号公報、特開昭50−138678号公報、特開昭
51−66841号公報や特開昭53−146482号公報など
により知られている。これら特許公報には (1) 白熱電球バルブ表面に真空蒸着法により低屈
折率物質たとえばふつ化マグネシウム、シリカ
などの薄膜と、高屈折率物質たとえば硫化亜
鉛、酸化チタンなどの薄膜とを交互重層して、
光干渉を利用して赤外線を反射させるもの。
すなわち透光性赤外線反射膜を設けた白熱電球や
その反射膜形成方法は、たとえば特開昭50−
73468号公報、特開昭50−138678号公報、特開昭
51−66841号公報や特開昭53−146482号公報など
により知られている。これら特許公報には (1) 白熱電球バルブ表面に真空蒸着法により低屈
折率物質たとえばふつ化マグネシウム、シリカ
などの薄膜と、高屈折率物質たとえば硫化亜
鉛、酸化チタンなどの薄膜とを交互重層して、
光干渉を利用して赤外線を反射させるもの。
(2) 白熱電球バルブ表面に真空蒸着またはスパツ
タ法により、広範囲の波長域で高い反射率を有
する金属薄膜または、このような薄膜と高屈折
率物質との重層膜たとえば酸化チタン−銀−酸
化チタン重層膜を形成し、赤外線を反射させる
もの。
タ法により、広範囲の波長域で高い反射率を有
する金属薄膜または、このような薄膜と高屈折
率物質との重層膜たとえば酸化チタン−銀−酸
化チタン重層膜を形成し、赤外線を反射させる
もの。
(3) 白熱電球バルブ表面に化学量論組成からのず
れによるn型半導体をなす酸化物薄膜たとえば
酸化第2錫、アンチモン・酸化第2錫、酸化イ
ンジウム・酸化インジウム・酸化第2錫などを
真空蒸着、スパツタ、CVD法あるいはスプレ
ー法などにより被着し、自由電子濃度に依存し
て赤外線を反射させるもの。
れによるn型半導体をなす酸化物薄膜たとえば
酸化第2錫、アンチモン・酸化第2錫、酸化イ
ンジウム・酸化インジウム・酸化第2錫などを
真空蒸着、スパツタ、CVD法あるいはスプレ
ー法などにより被着し、自由電子濃度に依存し
て赤外線を反射させるもの。
(4) 上記(1)と(3)とを組合わせたもの。
などが記載されている。
しかし、周知のように、真空蒸着法とスパツタ
法とは基本的にはパツチ式であること、また電球
の多くは管形、球形または半球形をなし、寸法も
多岐にわたつているので、均一な薄膜の生成、さ
らには多層膜の生成を行なうに当つては技術的、
経済的に多くの障害がある。また、機能にも前記
(2)および(3)においてはその耐熱性に限界がある。
一方、電球の高効率化(省エネルギ化)および機
器のコンパクト化および高照度を必要とする用途
などから、電球から放射される赤外線による熱放
射の抑制が強く要望されている。特にハロゲン電
球においてこの要望が強い。
法とは基本的にはパツチ式であること、また電球
の多くは管形、球形または半球形をなし、寸法も
多岐にわたつているので、均一な薄膜の生成、さ
らには多層膜の生成を行なうに当つては技術的、
経済的に多くの障害がある。また、機能にも前記
(2)および(3)においてはその耐熱性に限界がある。
一方、電球の高効率化(省エネルギ化)および機
器のコンパクト化および高照度を必要とする用途
などから、電球から放射される赤外線による熱放
射の抑制が強く要望されている。特にハロゲン電
球においてこの要望が強い。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたもの
で、技術的、経済的な困難性を解決した赤外線反
射膜を有する白熱電球の製造法を提供することを
目的とする。
で、技術的、経済的な困難性を解決した赤外線反
射膜を有する白熱電球の製造法を提供することを
目的とする。
すなわち、電球用バルブを第1の有機金属化合
物溶液に浸漬して上記バルブの内外両面に上記溶
液を塗布したのち引き上げて乾燥させ、焼成して
第1の酸化物層を形成し、再び同様にしてバルブ
の内外両面に第2の有機金属化合物を塗布し、焼
成して、上記第1の酸化物層上にこの第1の酸化
物層と屈折率の異なる第2の酸化物層を重層させ
たことにより、バルブ形状の多様性や製造の連続
化にも充分応えられ高能率で被膜形成ができる白
熱電球の製造方法である。
物溶液に浸漬して上記バルブの内外両面に上記溶
液を塗布したのち引き上げて乾燥させ、焼成して
第1の酸化物層を形成し、再び同様にしてバルブ
の内外両面に第2の有機金属化合物を塗布し、焼
成して、上記第1の酸化物層上にこの第1の酸化
物層と屈折率の異なる第2の酸化物層を重層させ
たことにより、バルブ形状の多様性や製造の連続
化にも充分応えられ高能率で被膜形成ができる白
熱電球の製造方法である。
以下、実施例によつて説明する。まず、目的の
白熱電球の一例を図によつて概説する。1は外径
14mm、内径12mmで長さ60mmのガラスバルブ、2,
3はこのバルブ1の内外両面にそれぞれ形成され
た内側および外側の赤外線反射膜、4は上記バル
ブ1内に封装された100V250Wのフイラメントで
ある。上記赤外線反射膜2,3は第2図に拡大し
て示すように、バルブ1の内外両面にそれぞれ、
TiO22T,3TおよびSiO22S,3Sが交互重層して
6層の重層膜を構成し、特に、内外両面の各赤外
線反射膜2,3の各層2T・3T,2S・3S……が
対称配置されている。
白熱電球の一例を図によつて概説する。1は外径
14mm、内径12mmで長さ60mmのガラスバルブ、2,
3はこのバルブ1の内外両面にそれぞれ形成され
た内側および外側の赤外線反射膜、4は上記バル
ブ1内に封装された100V250Wのフイラメントで
ある。上記赤外線反射膜2,3は第2図に拡大し
て示すように、バルブ1の内外両面にそれぞれ、
TiO22T,3TおよびSiO22S,3Sが交互重層して
6層の重層膜を構成し、特に、内外両面の各赤外
線反射膜2,3の各層2T・3T,2S・3S……が
対称配置されている。
つぎに、この赤外線反射膜2,3の生成方法に
ついて説明する。まず、末封止バルブ1を第1の
有機金属化合物である有機チタン化合物、たとえ
ば一般に知られているように、テトライソプロピ
ルチタネートを主成分とするチタン化合物を酢酸
エステルを主成分とする有機溶媒に混合し、チタ
ン含有量2〜10%たとえば6%含有する粘度
1.0CPSの溶液中に浸漬して、バルブ1の内外両
面に塗布し、ついで204mm/分の速度で大気中に
引き上げ引き続き乾燥したのち100℃、30分の予
備焼成を行ない、ついで350℃、30分の分解焼成
を行なつて、バルブ1の内外両面に厚さ約1100Å
のTiO2の第1の酸化物層2T,3Tを生成した。
ついて説明する。まず、末封止バルブ1を第1の
有機金属化合物である有機チタン化合物、たとえ
ば一般に知られているように、テトライソプロピ
ルチタネートを主成分とするチタン化合物を酢酸
エステルを主成分とする有機溶媒に混合し、チタ
ン含有量2〜10%たとえば6%含有する粘度
1.0CPSの溶液中に浸漬して、バルブ1の内外両
面に塗布し、ついで204mm/分の速度で大気中に
引き上げ引き続き乾燥したのち100℃、30分の予
備焼成を行ない、ついで350℃、30分の分解焼成
を行なつて、バルブ1の内外両面に厚さ約1100Å
のTiO2の第1の酸化物層2T,3Tを生成した。
ついで、第2の有機金属化合物である有機けい
素化合物、たとえば一般に知られているように、
エチルシリケートを主成分とするけい素化合物を
酢酸エステルを主成分とする有機溶媒に混合し、
けい素含有量2〜10%たとえば6%含有する粘度
1.0CPSの溶液中に再度上記バルブ1を浸漬して、
バルブの内外両面に塗布したのち283mm/分の速
度で引き上げ引き続き乾燥したのち、100℃30分
の予備焼成を行ない、ついで350℃30分の分解焼
成を行なつて上記チタン膜2T,3T上に厚さ1100
ÅのSiO2の第2の酸化物層2S,3Sを形成する。
素化合物、たとえば一般に知られているように、
エチルシリケートを主成分とするけい素化合物を
酢酸エステルを主成分とする有機溶媒に混合し、
けい素含有量2〜10%たとえば6%含有する粘度
1.0CPSの溶液中に再度上記バルブ1を浸漬して、
バルブの内外両面に塗布したのち283mm/分の速
度で引き上げ引き続き乾燥したのち、100℃30分
の予備焼成を行ない、ついで350℃30分の分解焼
成を行なつて上記チタン膜2T,3T上に厚さ1100
ÅのSiO2の第2の酸化物層2S,3Sを形成する。
これを繰り返して、バルブ1の内外両面にそれ
ぞれ6層の重層膜、すなわちTiO2−SiO2−TiO2
−SiO2−TiO2−SiO2なる構成の重層膜を生成し
た。そして、このバルブを用いてフイラメント4
がバルブ1の中央に位置するように封止を行なつ
た。なお、封止の際、モリブデン導入箔の部分に
リークが生じないよう、予めこの封止予定部の被
膜2,3を除去した。封入ガスはハロゲンと窒素
およびアルゴンの混合ガスを常温で2気圧の圧力
で封入した。
ぞれ6層の重層膜、すなわちTiO2−SiO2−TiO2
−SiO2−TiO2−SiO2なる構成の重層膜を生成し
た。そして、このバルブを用いてフイラメント4
がバルブ1の中央に位置するように封止を行なつ
た。なお、封止の際、モリブデン導入箔の部分に
リークが生じないよう、予めこの封止予定部の被
膜2,3を除去した。封入ガスはハロゲンと窒素
およびアルゴンの混合ガスを常温で2気圧の圧力
で封入した。
この実施例電球の初特性を確認した結果、赤外
線反射膜2,3を設けたランプは設けないランプ
に比較して約7%の効率向上が認められた。ま
た、放射された熱を放射計で測定した結果17%の
減少が認められた。
線反射膜2,3を設けたランプは設けないランプ
に比較して約7%の効率向上が認められた。ま
た、放射された熱を放射計で測定した結果17%の
減少が認められた。
第3図はこの赤外線反射膜2,3付バルブ1の
分光透過特性を示す。図において、横軸に波長を
(nm)の単位でとり、縦軸に光透過率を赤外線
反射膜を設けない状態を100とする%で取つたも
ので、曲線は分光透過率曲線を示す。この図か
ら、機能的にも効果を示すことが明らかである。
分光透過特性を示す。図において、横軸に波長を
(nm)の単位でとり、縦軸に光透過率を赤外線
反射膜を設けない状態を100とする%で取つたも
ので、曲線は分光透過率曲線を示す。この図か
ら、機能的にも効果を示すことが明らかである。
なお、上述の実施例では第1の有機金属化合物
溶液からの引き上げ速度を204mm/分にし、かつ、
第2の有機金属化合物からの引き上げ速度を283
mm/分にしたが、引き上げ速度や液濃度は得られ
る膜厚と関係があることは当然である。
溶液からの引き上げ速度を204mm/分にし、かつ、
第2の有機金属化合物からの引き上げ速度を283
mm/分にしたが、引き上げ速度や液濃度は得られ
る膜厚と関係があることは当然である。
また、実施例ではTiO2−SiO2の対を3対すな
わち6層構造としたが対をより多くすれば設定し
た2領域の透過率をさらに減少させた機能的に向
上した状態が得られる。同様に、光学的膜厚の異
なるTiO2−SiO2の対を複合して設けることによ
り、2領域(赤外線)の拡大が得られる。したが
つて、これらの膜構成(層数、複合など。)は機
能上と経済性との条件から選ばれる。
わち6層構造としたが対をより多くすれば設定し
た2領域の透過率をさらに減少させた機能的に向
上した状態が得られる。同様に、光学的膜厚の異
なるTiO2−SiO2の対を複合して設けることによ
り、2領域(赤外線)の拡大が得られる。したが
つて、これらの膜構成(層数、複合など。)は機
能上と経済性との条件から選ばれる。
このように、本発明の白熱電球の製造方法は、
有機金属化合物溶液をバルブの内外両面に同時塗
布して焼成し、これを他の有機金属化合物溶液に
も同様に浸漬して焼成するので、バルブの形状が
直管形状のものはもちろん球形や半球形状など他
の多様性のものであつても容易にかつ一様に内外
両面に酸化物層を対称に重層させることができ、
技術的、経済的、に優れ特にバルブの内外両面に
同時に赤外線反射膜を形成するので、極めて能率
的に形成でき、製造の連続化も可能である白熱電
球の製造方法を提供できる。
有機金属化合物溶液をバルブの内外両面に同時塗
布して焼成し、これを他の有機金属化合物溶液に
も同様に浸漬して焼成するので、バルブの形状が
直管形状のものはもちろん球形や半球形状など他
の多様性のものであつても容易にかつ一様に内外
両面に酸化物層を対称に重層させることができ、
技術的、経済的、に優れ特にバルブの内外両面に
同時に赤外線反射膜を形成するので、極めて能率
的に形成でき、製造の連続化も可能である白熱電
球の製造方法を提供できる。
第1図は本発明の白熱電球の製造方法の一実施
例によつて得られた白熱電球の一例の断面図、第
2図は第1図鎖線枠の拡大断面図、第3図はバ
ルブの分光透過特性を示すグラフである。 1……バルブ、2……内側赤外線反射膜、3…
…外側赤外線反射膜、2T……内側のTiO2層、2S
……内側のSiO2層、3T……外側のTiO2層、3S
……外側のSiO2層、4……フイラメント。
例によつて得られた白熱電球の一例の断面図、第
2図は第1図鎖線枠の拡大断面図、第3図はバ
ルブの分光透過特性を示すグラフである。 1……バルブ、2……内側赤外線反射膜、3…
…外側赤外線反射膜、2T……内側のTiO2層、2S
……内側のSiO2層、3T……外側のTiO2層、3S
……外側のSiO2層、4……フイラメント。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 白熱電球の製造法において電球用バルブを第
1の有機金属化合物溶液に浸漬して上記バルブの
内外両面に上記溶液を塗布したのち引き上げて乾
燥させ、焼成して第1の酸化物層を形成し、再び
上記バルブを第2の有機金属化合物溶液に浸漬し
て上記バルブの内外両面に上記第2の溶液を塗布
したのち引き上げて乾燥し、焼成して上記第1の
酸化物層上に上記第1の酸化物層と屈折率が異な
る第2の酸化物層を重層する工程を具備すること
を特徴とする白熱電球の製造方法。 2 第1の酸化物層と第2の酸化物層とをそれぞ
れ複数層交互重層させることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の白熱電球の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15063680A JPS5774963A (en) | 1980-10-29 | 1980-10-29 | Method of producing incandescent bulb |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15063680A JPS5774963A (en) | 1980-10-29 | 1980-10-29 | Method of producing incandescent bulb |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10400988A Division JPS63289755A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 白熱電球およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5774963A JPS5774963A (en) | 1982-05-11 |
JPH0132630B2 true JPH0132630B2 (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=15501175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15063680A Granted JPS5774963A (en) | 1980-10-29 | 1980-10-29 | Method of producing incandescent bulb |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5774963A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5958753A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-04 | 株式会社東芝 | 白熱電球 |
JPS59148264A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-24 | 松下電子工業株式会社 | 白熱電球 |
JPS59221968A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | 東芝ライテック株式会社 | 散光膜の形成方法 |
JPS61117447U (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-24 | ||
JPS63289755A (ja) * | 1988-04-28 | 1988-11-28 | Toshiba Corp | 白熱電球およびその製造方法 |
JP3424516B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2003-07-07 | 松下電器産業株式会社 | ハロゲン電球およびその製造方法 |
-
1980
- 1980-10-29 JP JP15063680A patent/JPS5774963A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5774963A (en) | 1982-05-11 |
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