JPH0258735B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0258735B2 JPH0258735B2 JP1764782A JP1764782A JPH0258735B2 JP H0258735 B2 JPH0258735 B2 JP H0258735B2 JP 1764782 A JP1764782 A JP 1764782A JP 1764782 A JP1764782 A JP 1764782A JP H0258735 B2 JPH0258735 B2 JP H0258735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- thin film
- light
- refractive index
- glass bulb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- -1 titanium oxide metal oxide Chemical class 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は白熱電球に係り、特に白熱電球の透光
性ガラスバルブに透光性赤外線反射被膜を有する
白熱電球の改良に関する。 〔発明の技術的背景〕 透光性ガラスバルブ内のたとえば中心軸上にタ
ングステンコイルフイラメントを有する光源構体
を具備する白熱電球において、上記透光性ガラス
バルブに赤外線を反射する被膜を設け、白熱電球
のタングステンコイルフイラメントから放射され
る光を効率よく放射させ、現状の省エネルギー時
代に適合した光源が市販されており、このような
光源は赤外線の放射がほとんどないから被照射物
の赤外線照射による劣化や高温化を抑制できると
いう効果もある。このような白熱電球の透光性ガ
ラスバルブはその表面に下記のような処理をした
ものが知られている。()たとえばふつ化マグ
ネシウムや酸化けい素などの低屈折率の物質の薄
膜を真空蒸着法により透光性ガラスバルブの表面
に被着させ、さらにその上に、たとえば硫化亜鉛
や酸化チタンなどの高屈折率の物質の薄膜を真空
蒸着法により被着させ、上記低屈折率物質の薄膜
と高屈折率物質の薄膜との対からなる層を複数層
被着させて赤外線を反射させるようにしたもの、
()たとえば銀の薄膜のように広範囲の波長域
で高い反射率を有する金属薄膜、または上記薄膜
を酸化チタンなどの高屈折率の物質の薄膜で狭合
した薄膜を真空蒸着法またはスパツタ法により透
光性ガラスバルブの表面に被着させ赤外線を反射
させるようにしたもの、()たとえば酸化第2
すず、アンチモン−酸化第2すず、酸化インジウ
ム、酸化インジウム−酸化第2すずなどの化学量
論組成からのずれによるn型半導体をなす酸化物
薄膜を真空蒸着法、スパツタ法、ケミカル・ペー
パー・デポジツト法、スプレー法などにより透光
性ガラスバルブの表面に被着させ、自由電子濃度
に依存して赤外線を反射させるもの、()上記
()と()とを組み合わせたものなどがある。 〔背景技術の問題点〕 上記発明の技術的背景で述べたように赤外線を
反射する被膜の各層の薄膜は膜厚が100nm程度の
薄膜であるので、疵がついたり劣化したりして赤
外線反射能が低下したり、剥離が発生しやすく、
特にn型半導体の酸化物被膜が外側に存在すると
上記の問題点が発生しやすかつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記背景技術の問題点に鑑みてなされ
たもので、効率よい赤外線反射能を維持し、被膜
の性能の劣化が少なく均一な膜厚の被膜を有する
白熱電球を提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は透光性ガラスバルブの表面に低屈折率
の金属酸化物薄膜と高屈折率の金属酸化物薄膜と
の対からなる層を複数層被着されてなる金属酸化
物被膜が被着され、上記層の中間にn型半導体被
膜が介在されていることを特徴とする白熱電球で
ある。 〔発明の実施例〕 第1図は本発明白熱電球の一実施例の一部切欠
正面図、第2図は上記白熱電球の切欠部の拡大断
面図である。 透光性ガラスバルブ1は、たとえばその中心軸
上に図示しないタングステンコイルフイラメント
を有する光源構体を具備している。 上記透光性ガラスバルブ1の端部にはベース2
がベースセメントによつて接着されており、ベー
ス2のシエル3とアイレツト4とに上記光源構体
から導出されたリード線が接着されシエル3とア
イレツト4とはアイレツトガラス5によつて絶縁
されて端子を形成している。透光性ガラスバルブ
1はその外面に高屈折率の酸化チタンの金属酸化
物薄膜6と低屈折率の酸化けい素の金属酸化物薄
膜7との対からなる層が3層被着されてなる金属
酸化物薄膜8が被着されており、その上に酸化イ
ンジウム−すず(In2O3−Sn)のn型半導体被膜
9が被着され、さらに上記n型半導体被膜9の上
に酸化チタンの金属酸化物薄膜6と酸化けい素の
金属酸化物薄膜7との対からなる層が3層被着さ
れてなる金属酸化物被膜10が被着されて被膜1
1が形成されており、高屈折率の酸化チタンの金
属物薄膜6と低屈折率の酸化けい素の金属酸化物
薄膜7の対からなる層の中間にn型半導体被膜9
が介在されている。 つぎに本発明者らの行なつた実験の結果につい
て述べる。 本発明者らは有機チタン化合物を約6重量%含
有する粘度1センチポアズの溶液中に外径が53mm
の第1図の1で示した形状の透光性ガラスバルブ
の外面を浸漬し毎分204mmの速度で引き上げ、引
き続き乾燥したのち、100℃、30分の予備焼成を
行ない、ついで450℃で30分分解焼成を行なつて
肉厚が約1100Åの酸化チタンの金属酸化物薄膜を
形成した。つぎに有機けい素化合物を約6重量%
含有する粘度1センチポアズの溶液中に上記処理
を行なつた透光性ガラスバルブの外面を浸漬し毎
分283mmの速度で引き上げ、引き続き乾燥したの
ち100℃、30分の予備焼成、450℃30分の分解焼成
を行ない、肉厚約1100Åの酸化けい素の金属酸化
物薄膜を形成した。同様の手法を繰返し行なつ
て、酸化チタンの金属酸化物薄膜と酸化けい素の
金属酸化物薄膜とからなる金属酸化物被膜を3層
被着した。つぎに有機インジウム化合物を約5重
量%含有する粘度1.25センチポアズの溶液に有機
すず化合物を約5重量%含有する粘度1センチポ
アズの溶液を有機インジウム化合物溶液の10重量
%添加した溶液中に上記処理を行なつた透光性ガ
ラスバルブの外面を浸漬し、毎分280mmの速度で
引き上げ、150℃、30分の予備焼成、500℃、1時
間の分解焼成を行ない、さらに5×10-6torrの真
空中で450℃1時間の熱処理を行ない、肉厚1500
Åの酸化インジウム−すず(In2O3−Sn)のn型
半導体被膜を形成した。 つづいて、さきに述べた手法によつて上記透光
性ガラスバルブの外面の上記酸化インジウム−す
ず(In2O3−Sn)のn型半導体被膜の上に、さら
に前記酸化チタンの金属酸化物薄膜と酸化けい素
の金属酸化物薄膜とからなる金属酸化物被膜を3
層被着した。 上記の処理を施した透光性ガラスバルブを使用
して、その中心軸上に100V60Wのタングステン
コイルフイラメントが位置するように光源構体を
封止して通常の方法により白熱電球を製造し、初
特性ならびに点灯中の働程ならびに放射される熱
線について試験した。その結果、上記本発明に使
用される被膜を被着しない通常の透光性ガラスバ
ルブを使用した同定格の白熱電球に比較して、初
特性で光効率が15.2%向上し、放射計により測定
した熱線が22%減少し、しかも、働程中の上記被
膜の劣化による光特性の低下、ならびに被膜の剥
離は認められなかつた。 上記本発明白熱電球に使用される透光性ガラス
バルブを構成する平面ガラスの表面に上記被膜を
被着したものの分光透過率を測定した結果を第3
図に示してある。第3図は横軸に波長(nm)を
とり、縦軸に透過率(%)をとつた分光透過率曲
線図で、透光性ガラスバルブを構成する平面ガラ
スの表面に上記被膜を被着しないものの各波長の
透過率を100として、これに対する各波長の被膜
を有するものの比透過率を%で示してある。 第3図から明らかなように810nm以上の赤外域
において比透過率は約50%以下に低下している。 なお、可視域の分光透過率は被膜を有するもの
の方が被膜を有しないものよりもやや低下するお
それがあるが、前記したように光効率が向上する
のは、赤外域の分光エネルギーが、透光性ガラス
バルブ外に放射されることが抑制されるので、そ
の一部の効果によつてタングステンコイルフイラ
メントの温度が10%前後上昇し、そのため入力が
減少し、光効率の向上がもたらされたのである。 そうして、n型半導体被膜を金属酸化物被膜の
中間位置に設けることにより、熱による劣化や外
力などによる機械的損傷が防止できる事を確認し
た。なお、実施例ではn型半導体被膜を金属酸化
物被膜の中央部に設けた例で説明したが、n型半
導体被膜は複数層の金属酸化物被膜の上記層の中
間に介在されていればよく、したがつてn型半導
体被膜の内側と外側との高屈折率と低屈折率との
金属酸化物薄膜の対からなる層の数は、等しくな
くても十分な効果があり、さらに上記内側または
外側において金属酸化物薄膜の対からなる層は単
層であつてもよく、また、金属酸化物薄膜の対の
層数は白熱電球の要求機能により増減してもよ
い。 また低屈折率薄膜と高屈折率薄膜との被着の順
序は実施例に限るものではない。 さらに、実施例では透光性ガラスバルブの外表
面に金属酸化物被膜およびn型半導体被膜を被着
した例により説明したが被膜は透光性ガラスバル
ブの内表面に被着してもよい。さらにまた、タン
グステンコイルフイラメントは透光性ガラスバル
ブの中心軸上になくても本発明の効果は変らな
い。 なお、本発明に使用される金属酸化物薄膜はジ
ルコニウム、チタン、セリウム、ネオジム、アン
チモン、プラセオジム、マグネシウム、けい素、
アルミニウムなどの酸化物を使用し、高屈折率金
属酸化物と低屈折率金属酸化物とを組合せて対に
することにより、またn型半導体被膜としては、
亜鉛、すず、インジウム、チタンなどの少なくと
も1種を主体とする半導体被膜によつて実施例と
同様の効果が得られるのである。 〔発明の効果〕 本発明は以上詳述したように、透光性ガラスバ
ルブの表面に低屈折率の金属酸化物被膜と高屈折
率の金属酸化物被膜との対からなる層を複数層被
着されてなる金属酸化物被膜が被着され、上記層
の中間にn型半導体被膜が介在されていることを
特徴とする白熱電球であるから、たとえば透光性
ガラスバルブに赤外線を反射する被膜を設けた白
熱電球などにおいて、n型半導体被膜を損傷する
ことがなく、熱によつてn型半導体被膜の赤外線
反射能を低下させることが少なく、光を効率よく
放射する格別の白熱電球を提供することができる
という効果を有する。
性ガラスバルブに透光性赤外線反射被膜を有する
白熱電球の改良に関する。 〔発明の技術的背景〕 透光性ガラスバルブ内のたとえば中心軸上にタ
ングステンコイルフイラメントを有する光源構体
を具備する白熱電球において、上記透光性ガラス
バルブに赤外線を反射する被膜を設け、白熱電球
のタングステンコイルフイラメントから放射され
る光を効率よく放射させ、現状の省エネルギー時
代に適合した光源が市販されており、このような
光源は赤外線の放射がほとんどないから被照射物
の赤外線照射による劣化や高温化を抑制できると
いう効果もある。このような白熱電球の透光性ガ
ラスバルブはその表面に下記のような処理をした
ものが知られている。()たとえばふつ化マグ
ネシウムや酸化けい素などの低屈折率の物質の薄
膜を真空蒸着法により透光性ガラスバルブの表面
に被着させ、さらにその上に、たとえば硫化亜鉛
や酸化チタンなどの高屈折率の物質の薄膜を真空
蒸着法により被着させ、上記低屈折率物質の薄膜
と高屈折率物質の薄膜との対からなる層を複数層
被着させて赤外線を反射させるようにしたもの、
()たとえば銀の薄膜のように広範囲の波長域
で高い反射率を有する金属薄膜、または上記薄膜
を酸化チタンなどの高屈折率の物質の薄膜で狭合
した薄膜を真空蒸着法またはスパツタ法により透
光性ガラスバルブの表面に被着させ赤外線を反射
させるようにしたもの、()たとえば酸化第2
すず、アンチモン−酸化第2すず、酸化インジウ
ム、酸化インジウム−酸化第2すずなどの化学量
論組成からのずれによるn型半導体をなす酸化物
薄膜を真空蒸着法、スパツタ法、ケミカル・ペー
パー・デポジツト法、スプレー法などにより透光
性ガラスバルブの表面に被着させ、自由電子濃度
に依存して赤外線を反射させるもの、()上記
()と()とを組み合わせたものなどがある。 〔背景技術の問題点〕 上記発明の技術的背景で述べたように赤外線を
反射する被膜の各層の薄膜は膜厚が100nm程度の
薄膜であるので、疵がついたり劣化したりして赤
外線反射能が低下したり、剥離が発生しやすく、
特にn型半導体の酸化物被膜が外側に存在すると
上記の問題点が発生しやすかつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記背景技術の問題点に鑑みてなされ
たもので、効率よい赤外線反射能を維持し、被膜
の性能の劣化が少なく均一な膜厚の被膜を有する
白熱電球を提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は透光性ガラスバルブの表面に低屈折率
の金属酸化物薄膜と高屈折率の金属酸化物薄膜と
の対からなる層を複数層被着されてなる金属酸化
物被膜が被着され、上記層の中間にn型半導体被
膜が介在されていることを特徴とする白熱電球で
ある。 〔発明の実施例〕 第1図は本発明白熱電球の一実施例の一部切欠
正面図、第2図は上記白熱電球の切欠部の拡大断
面図である。 透光性ガラスバルブ1は、たとえばその中心軸
上に図示しないタングステンコイルフイラメント
を有する光源構体を具備している。 上記透光性ガラスバルブ1の端部にはベース2
がベースセメントによつて接着されており、ベー
ス2のシエル3とアイレツト4とに上記光源構体
から導出されたリード線が接着されシエル3とア
イレツト4とはアイレツトガラス5によつて絶縁
されて端子を形成している。透光性ガラスバルブ
1はその外面に高屈折率の酸化チタンの金属酸化
物薄膜6と低屈折率の酸化けい素の金属酸化物薄
膜7との対からなる層が3層被着されてなる金属
酸化物薄膜8が被着されており、その上に酸化イ
ンジウム−すず(In2O3−Sn)のn型半導体被膜
9が被着され、さらに上記n型半導体被膜9の上
に酸化チタンの金属酸化物薄膜6と酸化けい素の
金属酸化物薄膜7との対からなる層が3層被着さ
れてなる金属酸化物被膜10が被着されて被膜1
1が形成されており、高屈折率の酸化チタンの金
属物薄膜6と低屈折率の酸化けい素の金属酸化物
薄膜7の対からなる層の中間にn型半導体被膜9
が介在されている。 つぎに本発明者らの行なつた実験の結果につい
て述べる。 本発明者らは有機チタン化合物を約6重量%含
有する粘度1センチポアズの溶液中に外径が53mm
の第1図の1で示した形状の透光性ガラスバルブ
の外面を浸漬し毎分204mmの速度で引き上げ、引
き続き乾燥したのち、100℃、30分の予備焼成を
行ない、ついで450℃で30分分解焼成を行なつて
肉厚が約1100Åの酸化チタンの金属酸化物薄膜を
形成した。つぎに有機けい素化合物を約6重量%
含有する粘度1センチポアズの溶液中に上記処理
を行なつた透光性ガラスバルブの外面を浸漬し毎
分283mmの速度で引き上げ、引き続き乾燥したの
ち100℃、30分の予備焼成、450℃30分の分解焼成
を行ない、肉厚約1100Åの酸化けい素の金属酸化
物薄膜を形成した。同様の手法を繰返し行なつ
て、酸化チタンの金属酸化物薄膜と酸化けい素の
金属酸化物薄膜とからなる金属酸化物被膜を3層
被着した。つぎに有機インジウム化合物を約5重
量%含有する粘度1.25センチポアズの溶液に有機
すず化合物を約5重量%含有する粘度1センチポ
アズの溶液を有機インジウム化合物溶液の10重量
%添加した溶液中に上記処理を行なつた透光性ガ
ラスバルブの外面を浸漬し、毎分280mmの速度で
引き上げ、150℃、30分の予備焼成、500℃、1時
間の分解焼成を行ない、さらに5×10-6torrの真
空中で450℃1時間の熱処理を行ない、肉厚1500
Åの酸化インジウム−すず(In2O3−Sn)のn型
半導体被膜を形成した。 つづいて、さきに述べた手法によつて上記透光
性ガラスバルブの外面の上記酸化インジウム−す
ず(In2O3−Sn)のn型半導体被膜の上に、さら
に前記酸化チタンの金属酸化物薄膜と酸化けい素
の金属酸化物薄膜とからなる金属酸化物被膜を3
層被着した。 上記の処理を施した透光性ガラスバルブを使用
して、その中心軸上に100V60Wのタングステン
コイルフイラメントが位置するように光源構体を
封止して通常の方法により白熱電球を製造し、初
特性ならびに点灯中の働程ならびに放射される熱
線について試験した。その結果、上記本発明に使
用される被膜を被着しない通常の透光性ガラスバ
ルブを使用した同定格の白熱電球に比較して、初
特性で光効率が15.2%向上し、放射計により測定
した熱線が22%減少し、しかも、働程中の上記被
膜の劣化による光特性の低下、ならびに被膜の剥
離は認められなかつた。 上記本発明白熱電球に使用される透光性ガラス
バルブを構成する平面ガラスの表面に上記被膜を
被着したものの分光透過率を測定した結果を第3
図に示してある。第3図は横軸に波長(nm)を
とり、縦軸に透過率(%)をとつた分光透過率曲
線図で、透光性ガラスバルブを構成する平面ガラ
スの表面に上記被膜を被着しないものの各波長の
透過率を100として、これに対する各波長の被膜
を有するものの比透過率を%で示してある。 第3図から明らかなように810nm以上の赤外域
において比透過率は約50%以下に低下している。 なお、可視域の分光透過率は被膜を有するもの
の方が被膜を有しないものよりもやや低下するお
それがあるが、前記したように光効率が向上する
のは、赤外域の分光エネルギーが、透光性ガラス
バルブ外に放射されることが抑制されるので、そ
の一部の効果によつてタングステンコイルフイラ
メントの温度が10%前後上昇し、そのため入力が
減少し、光効率の向上がもたらされたのである。 そうして、n型半導体被膜を金属酸化物被膜の
中間位置に設けることにより、熱による劣化や外
力などによる機械的損傷が防止できる事を確認し
た。なお、実施例ではn型半導体被膜を金属酸化
物被膜の中央部に設けた例で説明したが、n型半
導体被膜は複数層の金属酸化物被膜の上記層の中
間に介在されていればよく、したがつてn型半導
体被膜の内側と外側との高屈折率と低屈折率との
金属酸化物薄膜の対からなる層の数は、等しくな
くても十分な効果があり、さらに上記内側または
外側において金属酸化物薄膜の対からなる層は単
層であつてもよく、また、金属酸化物薄膜の対の
層数は白熱電球の要求機能により増減してもよ
い。 また低屈折率薄膜と高屈折率薄膜との被着の順
序は実施例に限るものではない。 さらに、実施例では透光性ガラスバルブの外表
面に金属酸化物被膜およびn型半導体被膜を被着
した例により説明したが被膜は透光性ガラスバル
ブの内表面に被着してもよい。さらにまた、タン
グステンコイルフイラメントは透光性ガラスバル
ブの中心軸上になくても本発明の効果は変らな
い。 なお、本発明に使用される金属酸化物薄膜はジ
ルコニウム、チタン、セリウム、ネオジム、アン
チモン、プラセオジム、マグネシウム、けい素、
アルミニウムなどの酸化物を使用し、高屈折率金
属酸化物と低屈折率金属酸化物とを組合せて対に
することにより、またn型半導体被膜としては、
亜鉛、すず、インジウム、チタンなどの少なくと
も1種を主体とする半導体被膜によつて実施例と
同様の効果が得られるのである。 〔発明の効果〕 本発明は以上詳述したように、透光性ガラスバ
ルブの表面に低屈折率の金属酸化物被膜と高屈折
率の金属酸化物被膜との対からなる層を複数層被
着されてなる金属酸化物被膜が被着され、上記層
の中間にn型半導体被膜が介在されていることを
特徴とする白熱電球であるから、たとえば透光性
ガラスバルブに赤外線を反射する被膜を設けた白
熱電球などにおいて、n型半導体被膜を損傷する
ことがなく、熱によつてn型半導体被膜の赤外線
反射能を低下させることが少なく、光を効率よく
放射する格別の白熱電球を提供することができる
という効果を有する。
第1図は本発明白熱電球の一実施例の一部切欠
正面図、第2図は上記白熱電球の切欠部の拡大断
面図、第3図は上記白熱電球の透光性ガラスバル
ブを構成する平面ガラスの表面に形成された赤外
線反射被膜の分光透過率曲線図である。 1…透光性ガラスバルブ、6…高屈折率の金属
酸化物薄膜、7…低屈折率の金属酸化物薄膜、9
…n型半導体被膜。
正面図、第2図は上記白熱電球の切欠部の拡大断
面図、第3図は上記白熱電球の透光性ガラスバル
ブを構成する平面ガラスの表面に形成された赤外
線反射被膜の分光透過率曲線図である。 1…透光性ガラスバルブ、6…高屈折率の金属
酸化物薄膜、7…低屈折率の金属酸化物薄膜、9
…n型半導体被膜。
Claims (1)
- 1 透光性ガラスバルブと、上記透光性ガラスバ
ルブ内に設けられたタングステンコイルフイラメ
ントを有する光源構体とを具備するものにおい
て、上記透光性ガラスバルブはその表面に低屈折
率の金属酸化物薄膜と高屈折率の金属酸化物薄膜
との対からなる層を複数層被着されてなる金属酸
化物被膜が被着され、上記層の中間にn型半導体
被膜が介在されていることを特徴とする白熱電
球。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1764782A JPS58135565A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 白熱電球 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1764782A JPS58135565A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 白熱電球 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58135565A JPS58135565A (ja) | 1983-08-12 |
JPH0258735B2 true JPH0258735B2 (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=11949642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1764782A Granted JPS58135565A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 白熱電球 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58135565A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60101373U (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-10 | 東芝ライテック株式会社 | ハロゲン電球 |
JP2623071B2 (ja) * | 1994-05-23 | 1997-06-25 | 東芝ライテック株式会社 | 管 球 |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP1764782A patent/JPS58135565A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58135565A (ja) | 1983-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR890004641B1 (ko) | 전구 | |
US3188513A (en) | Optical filters and lamps embodying the same | |
US4006378A (en) | Optical coating with selectable transmittance characteristics and method of making the same | |
JP2740653B2 (ja) | 光学干渉フィルター | |
JPH0612663B2 (ja) | 白熱電球 | |
US3712980A (en) | Reflector arrangement for attenuating selected components of spectral radiation | |
JPH10256171A (ja) | 半導体ウェーハ用の熱処理装置 | |
EP1792328B1 (en) | Electric lamp and interference film | |
US3875455A (en) | Undercoat for phosphor in reprographic lamps having titanium dioxide reflectors | |
JPH0258735B2 (ja) | ||
JP2008158145A (ja) | 反射防止膜及びその反射防止膜を備えた光学物品 | |
JPH0132630B2 (ja) | ||
JPH0259585B2 (ja) | ||
JPH0949922A (ja) | 紫外線カットフィルタおよびランプならびに照明装置 | |
JPH0479104B2 (ja) | ||
JPH0330264B2 (ja) | ||
JP3102959B2 (ja) | 高耐久性薄膜 | |
JP2971773B2 (ja) | 多層膜 | |
JPH0525082B2 (ja) | ||
JP3153050B2 (ja) | 白熱電球 | |
JPH0117232B2 (ja) | ||
JPS6378104A (ja) | ランプ | |
JP3110131B2 (ja) | 高耐久性薄膜 | |
SU140179A1 (ru) | Способ изготовлени алюминированного стекл нного зеркала с алюминиевой отражательной поверхностью | |
JPS63271862A (ja) | 照明用電球 |