JPS5958752A - 白熱電球 - Google Patents
白熱電球Info
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- JPS5958752A JPS5958752A JP57167602A JP16760282A JPS5958752A JP S5958752 A JPS5958752 A JP S5958752A JP 57167602 A JP57167602 A JP 57167602A JP 16760282 A JP16760282 A JP 16760282A JP S5958752 A JPS5958752 A JP S5958752A
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- JP
- Japan
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- bulb
- infrared
- film
- envelope
- refractive index
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はフィラメントから放射された光のうち赤外線を
反射させてフィラメントに帰還させ効率を向上させた白
熱電球に関する。
反射させてフィラメントに帰還させ効率を向上させた白
熱電球に関する。
ガラスバルブの中心にタングステンフィラメントヲ有す
る白熱電球において、バルブの内外両面のうち少なくと
も一力に赤外縁を反射する被膜を設け フィラメントか
ら放射される赤外線を再びフィラメントに戻すことによ
り、白ＤＩＭ球の効率全同上させ、さらに、放射光中の
赤外線が少ないことにより、被照射物の熱劣化全抑制で
きるようにした高効率な電球が知られている。
る白熱電球において、バルブの内外両面のうち少なくと
も一力に赤外縁を反射する被膜を設け フィラメントか
ら放射される赤外線を再びフィラメントに戻すことによ
り、白ＤＩＭ球の効率全同上させ、さらに、放射光中の
赤外線が少ないことにより、被照射物の熱劣化全抑制で
きるようにした高効率な電球が知られている。
このような目的に用いられる白熱電球のバルブは、ガラ
スバルブ表面に次のよう疫物質をコーテングしたものが
知られていた。
スバルブ表面に次のよう疫物質をコーテングしたものが
知られていた。
（Ｉ） たとえばぶつ化マグネシウムＭｇＦ２やシリ
カＳ＋ ０２などの低ノｎ（折率の物質？ｔ−真突蒸着
などでガラ屈折率の物質を真空蒸着により、コーテング
し、このようにして低屈折率物質と高屈折率物質とが交
互重層して赤外線を反射するようにしたもの。
カＳ＋ ０２などの低ノｎ（折率の物質？ｔ−真突蒸着
などでガラ屈折率の物質を真空蒸着により、コーテング
し、このようにして低屈折率物質と高屈折率物質とが交
互重層して赤外線を反射するようにしたもの。
（ＩＩ） たとえば銀Ａｇの薄１換のような広い波長
域で旨い反射ａｓ ｋ ４Ｎする金属１ｊ１７．膜やこ
のような薄膜を酸化チタンｌｉｔ ｉ Ｑ２などの１１
−屈折率の物質の薄膜で挟合した膜を真空蒸着などでガ
ラス面にコーテングしたもの。
域で旨い反射ａｓ ｋ ４Ｎする金属１ｊ１７．膜やこ
のような薄膜を酸化チタンｌｉｔ ｉ Ｑ２などの１１
−屈折率の物質の薄膜で挟合した膜を真空蒸着などでガ
ラス面にコーテングしたもの。
（ＩＩＩ） たとえば酸化錫５ｎ０２、酸化インジウ
ムＩｎ２Ｏ３、錫ドープの酸化インジウム、アンチモン
ドープの酸化錫５ｎ０２−８ｂなどのｎ型半４体酸化物
被膜を真空蒸着、スパッタ、ケミカル・（−パー・デポ
ジット法などによりコーテングしたもの。
ムＩｎ２Ｏ３、錫ドープの酸化インジウム、アンチモン
ドープの酸化錫５ｎ０２−８ｂなどのｎ型半４体酸化物
被膜を真空蒸着、スパッタ、ケミカル・（−パー・デポ
ジット法などによりコーテングしたもの。
（１ｖ） 上記ＣＩ）と（ＩＩＩＩ）とを組合わせた
もの。
もの。
以上のものが知られている。
このような赤外線を反射あるいは吸収する被膜はその膜
厚が０．１μ程度であル、特に（ＩＩ）の反射膜や（ｍ
）の反射膜は熱的に劣化が速く、たとえばガラスバルブ
が著く高温例なるハロゲン電球などでは実用化できない
。また、高温でも耐えられる上述のＣＩ）の膜だけでは
ランプ効率の同上は得られるものの、赤外線しゃ所持性
から見ると市場の要求を総て満しているとはいえない。
厚が０．１μ程度であル、特に（ＩＩ）の反射膜や（ｍ
）の反射膜は熱的に劣化が速く、たとえばガラスバルブ
が著く高温例なるハロゲン電球などでは実用化できない
。また、高温でも耐えられる上述のＣＩ）の膜だけでは
ランプ効率の同上は得られるものの、赤外線しゃ所持性
から見ると市場の要求を総て満しているとはいえない。
さらに、赤外線しゃ断だけを目的とすれば上述の（ＩＶ
）の組合わせが最適と考えられるが、この膜のうち（Ｉ
ＩＩ）の被膜が熱的に弱いので現在まで実用化されてい
ない。
）の組合わせが最適と考えられるが、この膜のうち（Ｉ
ＩＩ）の被膜が熱的に弱いので現在まで実用化されてい
ない。
本発明は高い赤外線反射能を維持し、そのランプ寿命中
に熱による赤外線反射膜の性能劣化がほとんどない高効
率な白熱電球を提供することを目的とする。
に熱による赤外線反射膜の性能劣化がほとんどない高効
率な白熱電球を提供することを目的とする。
フィラメントおよび封入ガスを内蔵したガラスバルブに
上述の（Ｉ）の赤外線反射膜を形成し〜バルブを包囲す
る透光性外囲器に上述の（ＩＩＩ）の赤外線反射膜を形
成したことにより、ＣＩ）の反射膜によって近赤外線を
有効に反射させてフィラメントに帰還させ、かつ（ＩＩ
Ｉ）の反射膜によって遠赤外線をしゃ断し、しかもこの
（Ｉ［Ｉ）の反射膜をフィラメントから遠い位置に配置
することによって熱損を防止したものである。
上述の（Ｉ）の赤外線反射膜を形成し〜バルブを包囲す
る透光性外囲器に上述の（ＩＩＩ）の赤外線反射膜を形
成したことにより、ＣＩ）の反射膜によって近赤外線を
有効に反射させてフィラメントに帰還させ、かつ（ＩＩ
Ｉ）の反射膜によって遠赤外線をしゃ断し、しかもこの
（Ｉ［Ｉ）の反射膜をフィラメントから遠い位置に配置
することによって熱損を防止したものである。
本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
（１）は石英ガラスからなるＴ形バルブ、（２）はこの
バルブ（１）の外面に形成した第１の赤外線反射膜、（
３）はバルブ（１）の基部を圧潰封止してなる封止部、
（４）。
バルブ（１）の外面に形成した第１の赤外線反射膜、（
３）はバルブ（１）の基部を圧潰封止してなる封止部、
（４）。
（４）はこの封止部（３）内に埋設されたモリブデン導
入箔、（５）はこの導入剤（４１、（４１に接続し、バ
ルブ（１）の中心線に沿って配設されたタングステンフ
ィラメント、（６）はバルブ（１） ｆｆｉ包囲するガ
ラス製透光性外囲器、（７）はこの外囲器（６）の透光
面たとえば外面に形成した第２の赤外線反射膜、（８）
は外囲器（６）の基端を閉塞したステム、Ｊｓｌ） 、
（９）はこのステム（８）から外囲器（６）内に導入
さノ′？、てモリブデン導入箔（４ン、（４）に電気接
続するとともにバルブ（１７ｔ−支持する導入線、（（
０）はこの外囲器（６）の端部に装着されて導入線＋９
１ 、 ＋９）に接続する口金である。
入箔、（５）はこの導入剤（４１、（４１に接続し、バ
ルブ（１）の中心線に沿って配設されたタングステンフ
ィラメント、（６）はバルブ（１） ｆｆｉ包囲するガ
ラス製透光性外囲器、（７）はこの外囲器（６）の透光
面たとえば外面に形成した第２の赤外線反射膜、（８）
は外囲器（６）の基端を閉塞したステム、Ｊｓｌ） 、
（９）はこのステム（８）から外囲器（６）内に導入
さノ′？、てモリブデン導入箔（４ン、（４）に電気接
続するとともにバルブ（１７ｔ−支持する導入線、（（
０）はこの外囲器（６）の端部に装着されて導入線＋９
１ 、 ＋９）に接続する口金である。
上記バルブ（１）は内部にアルゴンなどの不活性ガスと
ともに所要のハロゲンを刺入してあり、フィラメント（
５）などとともにハロゲン電球に構成されている。
ともに所要のハロゲンを刺入してあり、フィラメント（
５）などとともにハロゲン電球に構成されている。
上記第１の赤外線反射膜（２）は前述の（Ｉ）のＭ４成
圓、（２υ３層とＳ ｔ ｔ％からなる低屈折率金属酸
化膜９本（２乃２層と全交互重層したもので、波長１．
０μ前後の赤外線をよく反射する性質を有し、耐熱性に
富む。
圓、（２υ３層とＳ ｔ ｔ％からなる低屈折率金属酸
化膜９本（２乃２層と全交互重層したもので、波長１．
０μ前後の赤外線をよく反射する性質を有し、耐熱性に
富む。
上記第２の赤外４′Ｊ！反射膜（力は＋７ｔＪ述の（■
）のネノ°η成を有する８すなわち、第３図示のように
、外囲器（６）の透光面たとえば外面にＳｎをドープし
たＩ ｎｔｏ。
）のネノ°η成を有する８すなわち、第３図示のように
、外囲器（６）の透光面たとえば外面にＳｎをドープし
たＩ ｎｔｏ。
からなるｎｍ半導体からなり、波長１．５μ以上の赤外
線分よく反射する性質全７１１するが、１５０℃以上の
温１（Ｖに加熱すると急速に劣化して使用に耐えなくな
る。
線分よく反射する性質全７１１するが、１５０℃以上の
温１（Ｖに加熱すると急速に劣化して使用に耐えなくな
る。
つぎに、本発明者の行なった実験によってさらに詳ｉ）
１．する。管径１０ｙｍの石英ガラス管を用いて第１図
示の（（゛ダ造をイ１する１００Ｖ６０Ｗのハロゲン電
球に４・１′、１成し、その外表面に次の手１１１ｕに
よって金属酸化膜全形成してと１１の赤外線反射膜（２
）を構成した。
１．する。管径１０ｙｍの石英ガラス管を用いて第１図
示の（（゛ダ造をイ１する１００Ｖ６０Ｗのハロゲン電
球に４・１′、１成し、その外表面に次の手１１１ｕに
よって金属酸化膜全形成してと１１の赤外線反射膜（２
）を構成した。
す々わぢ５ケトライソプロビルチタネートを主成分とす
るナタン化合物を酢１□□□エステルを主成分とする有
機ｒｌｌ謀にナタン含有量が３〜５％、粘度がｌ ｃｐ
ｓとなるように混合した一４′ｉ機チタン化合物溶液中
に上述の試作ハロゲン’＋’ＩＪ、球のパ／’ −Ａｌ
） ｔ ２漬し、２５ｃｒｎ／分の速度で引き上げ、乾
燥し、５００℃で３０分間焼成してＴｉ０ｚからなる厚
さ１０００＾の金属峻化膜圓を形成した。ついで、エチ
ルシリケートを主成分としたシリコン化合物を酢酸エス
テルを主成分とする有機溶媒にシリコン含有量が３〜５
％、粘度１ ｃｐｓとなるように混合した有機シリコン
化合物溶液中に上記処理を行った′１に球のバルブ（１
）を７−；、、漬し、３５ｃｒｎ／分の速度で引き上げ
、同様に乾燥し５００℃で３０分間焼成して８ｉ０２か
らなる厚さ１２００にの金属酸化ｊ戻シクを形成した。
るナタン化合物を酢１□□□エステルを主成分とする有
機ｒｌｌ謀にナタン含有量が３〜５％、粘度がｌ ｃｐ
ｓとなるように混合した一４′ｉ機チタン化合物溶液中
に上述の試作ハロゲン’＋’ＩＪ、球のパ／’ −Ａｌ
） ｔ ２漬し、２５ｃｒｎ／分の速度で引き上げ、乾
燥し、５００℃で３０分間焼成してＴｉ０ｚからなる厚
さ１０００＾の金属峻化膜圓を形成した。ついで、エチ
ルシリケートを主成分としたシリコン化合物を酢酸エス
テルを主成分とする有機溶媒にシリコン含有量が３〜５
％、粘度１ ｃｐｓとなるように混合した有機シリコン
化合物溶液中に上記処理を行った′１に球のバルブ（１
）を７−；、、漬し、３５ｃｒｎ／分の速度で引き上げ
、同様に乾燥し５００℃で３０分間焼成して８ｉ０２か
らなる厚さ１２００にの金属酸化ｊ戻シクを形成した。
そして、同様な手法を繰り返して金属酸化膜しυ、（２
乃′ｆｒ、５層に交互重層して第１の赤外線反射Ｍ Ｌ
２）を形成した。
乃′ｆｒ、５層に交互重層して第１の赤外線反射Ｍ Ｌ
２）を形成した。
また、外囲器（６）の外表面にＳｎにドープしたＩ ｎ
２０３を真空蒸着法でコーテングし、Ｉｎ２０Ｂ −Ｓ
ｎのｎ型半導体からなる厚さ約１５００Ｘの第２の赤外
線反射膜（力を形成した。
２０３を真空蒸着法でコーテングし、Ｉｎ２０Ｂ −Ｓ
ｎのｎ型半導体からなる厚さ約１５００Ｘの第２の赤外
線反射膜（力を形成した。
そうして、これら電球と外囲器（６）を用いて第１図示
のように白熱電球に構成し、その初特注、放射される赤
外線および寿命などについて試験した。
のように白熱電球に構成し、その初特注、放射される赤
外線および寿命などについて試験した。
この結果を第１図示の４ｒｌ成を有し、第１および第２
の赤外線反射膜（２＋ 、 ｆ力を有しない同定格の白
熱電球と比較したところ、初！Ｆｑ性で効率が１８．５
％同上し、放射耐により測定した赤外線が３８％減少し
、しかも動程中の上記被１莫（２）、（７）の劣化によ
る緒特性の低下もｔＷめられなかった。
の赤外線反射膜（２＋ 、 ｆ力を有しない同定格の白
熱電球と比較したところ、初！Ｆｑ性で効率が１８．５
％同上し、放射耐により測定した赤外線が３８％減少し
、しかも動程中の上記被１莫（２）、（７）の劣化によ
る緒特性の低下もｔＷめられなかった。
つぎに、上記実１１＾例における両赤外線反射膜（２）
。
。
（力による総合分光透過率ｆｒ、第４図に示す。図は横
軸に波長全μの単位でとり、縦軸に透過率を素ガラスを
１００とする％でとり、曲線は両被膜（２）、（力を総
合した透過率曲線を示す。図において、（Ａ）部分は主
として第１の赤外線反射膜（２）による透過率低下で、
（Ｂ）部分は主として第２の赤外線反射膜（力による透
過率低下によるものである、そして、図から明らかなと
おシ、波長０．８１層以上の赤外部における比透過率は
約５０％以下になっている。
軸に波長全μの単位でとり、縦軸に透過率を素ガラスを
１００とする％でとり、曲線は両被膜（２）、（力を総
合した透過率曲線を示す。図において、（Ａ）部分は主
として第１の赤外線反射膜（２）による透過率低下で、
（Ｂ）部分は主として第２の赤外線反射膜（力による透
過率低下によるものである、そして、図から明らかなと
おシ、波長０．８１層以上の赤外部における比透過率は
約５０％以下になっている。
このように、本実施例電球は金属酸化物の多層膜からな
る第１の赤外線反射膜（２）をバルブ（１）外面に形成
したので、１層前後の赤外線をよく反射してフィラメン
ト（５）に帰還させることができ、光効率が向上する。
る第１の赤外線反射膜（２）をバルブ（１）外面に形成
したので、１層前後の赤外線をよく反射してフィラメン
ト（５）に帰還させることができ、光効率が向上する。
さらに、外囲器（６）外面にｎ型半導体からなるｄＳ２
の赤外線反射膜（力を設けたので、長波長の赤外線も有
効に反射され、優れた赤外線しゃ断効果が得られる。し
かも、外囲器（６）の外面はフィラメント（５）から１
＆ＩＥ隔しているので、温度が低く、したがって、長時
間点灯しても半導体が熱損して効果を失なうこともな（
ハ）。したがって、本実施例電球は篩効率で、赤外〃Ａ
しゃ断効果が大きく、さらに長寿命である。
の赤外線反射膜（力を設けたので、長波長の赤外線も有
効に反射され、優れた赤外線しゃ断効果が得られる。し
かも、外囲器（６）の外面はフィラメント（５）から１
＆ＩＥ隔しているので、温度が低く、したがって、長時
間点灯しても半導体が熱損して効果を失なうこともな（
ハ）。したがって、本実施例電球は篩効率で、赤外〃Ａ
しゃ断効果が大きく、さらに長寿命である。
なお、前述の実施例において第１の赤外線反射膜（２）
をバルブ（１）外面に形成したが、本発明においては内
面に形成してもよく、またバルブ（１）の内外同様に、
第２の赤外線反射膜（７）も外囲器（６）の内外いずれ
の而に形成してもよく、また両面に形成してもよい。さ
らに外囲器（６）は外面に第２の赤外線反射膜（７）を
形成し、内面に５ｉｎ２などの散光膜を設けてもよい。
をバルブ（１）外面に形成したが、本発明においては内
面に形成してもよく、またバルブ（１）の内外同様に、
第２の赤外線反射膜（７）も外囲器（６）の内外いずれ
の而に形成してもよく、また両面に形成してもよい。さ
らに外囲器（６）は外面に第２の赤外線反射膜（７）を
形成し、内面に５ｉｎ２などの散光膜を設けてもよい。
さらに、外囲器（カは高温にならないので、その構成材
料はガラスに限らず、たとえば透光性合成樹脂などでも
よく、また、気密でなくともよい。
料はガラスに限らず、たとえば透光性合成樹脂などでも
よく、また、気密でなくともよい。
さらに、一本発明に分いて、バルブ（１）内にはハロケ
゛ンを刺入しないで通當の白熱′電球にしてもよい。
゛ンを刺入しないで通當の白熱′電球にしてもよい。
さらに、バルブは先端υ：Ｊ口した簡ｆドなどにｉ／ｆ
ｆ成し、外囲器に気密性を持たして不活性ガスを封入し
てもよい、 さらに、本発明に使用される第１の赤外線反射膜ｆａ）
＄ｉ 成すル酸化膜ｔＪ Ｔ ｉｌ Ｚ ｒｌ Ａ４
８ ＋ｔ Ｍｇ＋ Ｃｅ ｆｌどの酸化物ケ使用し、高
屈折率金属酸化物と低屈折率（＋２ ）・ｊＧ酸化物と
’（ｒ ！ｉ、ｉみ合わせることにより得られる。また
、記２の赤外線反射膜を構成するｎ型半導体としてはＳ
ｎ、Ｉ ｎ、Ｚ ｎなどの少なくとも１掠を主体とす
るもので、実施例と同様な効果が得られるものであれば
よい。
ｆ成し、外囲器に気密性を持たして不活性ガスを封入し
てもよい、 さらに、本発明に使用される第１の赤外線反射膜ｆａ）
＄ｉ 成すル酸化膜ｔＪ Ｔ ｉｌ Ｚ ｒｌ Ａ４
８ ＋ｔ Ｍｇ＋ Ｃｅ ｆｌどの酸化物ケ使用し、高
屈折率金属酸化物と低屈折率（＋２ ）・ｊＧ酸化物と
’（ｒ ！ｉ、ｉみ合わせることにより得られる。また
、記２の赤外線反射膜を構成するｎ型半導体としてはＳ
ｎ、Ｉ ｎ、Ｚ ｎなどの少なくとも１掠を主体とす
るもので、実施例と同様な効果が得られるものであれば
よい。
また、実施例ではｎ型半導体被ｊｊｑを真空蒸着力によ
り外囲器に形成したが、Ａ１の赤外線反射膜と同様にた
とえば有機インジウム化合物と有機錫化合物とを３〜５
％含有する溶液中に外囲器を浸漬して引き上げ、焼成踵
還元熱処理することにより Ｉｎ２Ｏ５−８ｎなるｎ型
半導体被膜に形成することができる。
り外囲器に形成したが、Ａ１の赤外線反射膜と同様にた
とえば有機インジウム化合物と有機錫化合物とを３〜５
％含有する溶液中に外囲器を浸漬して引き上げ、焼成踵
還元熱処理することにより Ｉｎ２Ｏ５−８ｎなるｎ型
半導体被膜に形成することができる。
本発明の白熱′直球はフィラメントおよび封入ガスを包
容したガラスバルブのガラス而に低屈折率の金属酸化物
と高屈折率の金属酸化物とを交互重層してなる第１の赤
外線反射膜を設け、さらにバルブを包囲する透光性外囲
器の透光面にｎ型半導体からなる第２の赤外線反射膜と
を設けたので、第１の赤外線反射膜によって近赤外線を
効率よくフィラメントに帰還させて発光効率を高め、か
つ第２の赤外線反射膜を低温の外囲器の透光面に設けて
遠赤外線を効率的にしゃ断し、しかも熱損のおそれがな
く、したがって、高効率で、含有赤外線が少なく、長寿
命である利点がある。
容したガラスバルブのガラス而に低屈折率の金属酸化物
と高屈折率の金属酸化物とを交互重層してなる第１の赤
外線反射膜を設け、さらにバルブを包囲する透光性外囲
器の透光面にｎ型半導体からなる第２の赤外線反射膜と
を設けたので、第１の赤外線反射膜によって近赤外線を
効率よくフィラメントに帰還させて発光効率を高め、か
つ第２の赤外線反射膜を低温の外囲器の透光面に設けて
遠赤外線を効率的にしゃ断し、しかも熱損のおそれがな
く、したがって、高効率で、含有赤外線が少なく、長寿
命である利点がある。
第１図は本発明の白熱直球の一実施例の断面（８）、第
２図は同じく第１図Ｏ枠（ＩＩ）の拡大断面図、第３図
は同じく第１図○枠（ＩＩＩ）の拡大断面図、第４図は
赤外線反射膜の透過率特性を示すグラフである。 （１）・・・バルブ （２）・・弓１！１の
赤外線反射膜（６）・・・外囲器 （７）・
・・ｄ−，２の赤外線反射膜（２１）・・・高屈折率金
属酸化物膜 （２３・・・低屈折斗く金、ｌ’！ Ｉソ化物膜代理人
弁理士 ）１． 上 −男 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３１
゜第 ４ 図 仮長（ｒ）
２図は同じく第１図Ｏ枠（ＩＩ）の拡大断面図、第３図
は同じく第１図○枠（ＩＩＩ）の拡大断面図、第４図は
赤外線反射膜の透過率特性を示すグラフである。 （１）・・・バルブ （２）・・弓１！１の
赤外線反射膜（６）・・・外囲器 （７）・
・・ｄ−，２の赤外線反射膜（２１）・・・高屈折率金
属酸化物膜 （２３・・・低屈折斗く金、ｌ’！ Ｉソ化物膜代理人
弁理士 ）１． 上 −男 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３１
゜第 ４ 図 仮長（ｒ）
Claims (1)
- フィラメントおよび封入ガスを包容したガラスバルブと
、このバルブのガラス面に形成された低屈折率の金属酸
化物と高屈折率の金ＪＩＡ酸化物とを交互重層してなる
第１の赤外線反射膜と、上記バルブを包囲する透光性外
囲器と、この外囲器の透光面に形成されたｎ型半導体か
らなる第２の赤外線反射膜とを具備したことをｔｌ”￥
徴とする白熱電球。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167602A JPS5958752A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 白熱電球 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167602A JPS5958752A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 白熱電球 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958752A true JPS5958752A (ja) | 1984-04-04 |
| JPH0259585B2 JPH0259585B2 (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=15852808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167602A Granted JPS5958752A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 白熱電球 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958752A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62168559U (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-26 | ||
| WO2013081127A1 (ja) | 2011-12-01 | 2013-06-06 | スタンレー電気株式会社 | 光源装置、および、フィラメント |
| US9214330B2 (en) | 2011-12-26 | 2015-12-15 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source device and filament |
| JP2021111468A (ja) * | 2020-01-07 | 2021-08-02 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプ |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP57167602A patent/JPS5958752A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62168559U (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-26 | ||
| WO2013081127A1 (ja) | 2011-12-01 | 2013-06-06 | スタンレー電気株式会社 | 光源装置、および、フィラメント |
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