JPH0323655Y2 - - Google Patents
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- JPH0323655Y2 JPH0323655Y2 JP1985174864U JP17486485U JPH0323655Y2 JP H0323655 Y2 JPH0323655 Y2 JP H0323655Y2 JP 1985174864 U JP1985174864 U JP 1985174864U JP 17486485 U JP17486485 U JP 17486485U JP H0323655 Y2 JPH0323655 Y2 JP H0323655Y2
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- molybdenum foil
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Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はモリブデン箔が石英製管球の封止部に
封着された放電灯に関するものである。
封着された放電灯に関するものである。
キセノンランプや水銀ランプに代表される放電
灯は、陰極と陽極の電極棒が石英製管球内に対向
して配置され、両電極間で放電して発光する。こ
の電極棒の基端部はモリブデン箔に電気的に接続
され、更にモリブデン製の外部リード棒の一端が
このモリブデン箔に接続され、これらが管球の封
止部に封着される。
灯は、陰極と陽極の電極棒が石英製管球内に対向
して配置され、両電極間で放電して発光する。こ
の電極棒の基端部はモリブデン箔に電気的に接続
され、更にモリブデン製の外部リード棒の一端が
このモリブデン箔に接続され、これらが管球の封
止部に封着される。
この封着操作は、断面円形の管球の封止部を加
熱して軟化させ、その中心部に配置されたモリブ
デン箔を封着しておこなう。従つて、モリブデン
箔の表面は石英ガラスと融着されている訳ではな
い。
熱して軟化させ、その中心部に配置されたモリブ
デン箔を封着しておこなう。従つて、モリブデン
箔の表面は石英ガラスと融着されている訳ではな
い。
ところで、この封着操作後に常温まで降下する
と、石英ガラスとモリブデンとの熱膨張率の差に
より、外部リード棒の径が比較的太いときなどに
は、封止部の石英ガラスと外部リード棒とで収縮
量に差が生じ、両者の間にわずかではあるが隙間
が生じる。従つて、この隙間より空気が侵入して
モリブデン箔の表面を酸化させ、モリブデン箔の
表面と石英ガラスとの密着状態を悪化させる。
と、石英ガラスとモリブデンとの熱膨張率の差に
より、外部リード棒の径が比較的太いときなどに
は、封止部の石英ガラスと外部リード棒とで収縮
量に差が生じ、両者の間にわずかではあるが隙間
が生じる。従つて、この隙間より空気が侵入して
モリブデン箔の表面を酸化させ、モリブデン箔の
表面と石英ガラスとの密着状態を悪化させる。
また、放電灯を点灯すると管球内の放電ガスが
膨張して内部は高圧となるが、モリブデン箔と石
英ガラスの密着性が悪い状態で内部が高圧になれ
ば、両者は剥離し、「箔浮き」と言われる現象が
生じて放電灯が使用不能となる問題点がある。
膨張して内部は高圧となるが、モリブデン箔と石
英ガラスの密着性が悪い状態で内部が高圧になれ
ば、両者は剥離し、「箔浮き」と言われる現象が
生じて放電灯が使用不能となる問題点がある。
そこで本考案は、簡単な構成で「箔浮き」現象
を防止し、耐久性が大きくて寿命の長い放電灯を
提供することを目的とする。
を防止し、耐久性が大きくて寿命の長い放電灯を
提供することを目的とする。
本考案の構成は、電極棒および外部リード棒の
端部が電気的に接続されるモリブデン箔の表面に
TiO2−SiO2ガラス層を形成し、このモリブデン
箔を石英製管球の封止部に封着してなることを目
的とするものである。
端部が電気的に接続されるモリブデン箔の表面に
TiO2−SiO2ガラス層を形成し、このモリブデン
箔を石英製管球の封止部に封着してなることを目
的とするものである。
即ち、TiO2−SiO2ガラスはTiO2とSiO2の共融
混合物であつて、その融点は石英ガラスより低
い。従つて、このガラス層をモリブデン箔の表面
に形成して封着すると、封着時の熱によつてこの
ガラス層が溶着して、モリブデン箔表面をおお
い、モリブデン箔と外部空気との接触を実質的に
断つ。また、このTiO2−SiO2ガラス層をチタン
およびケイ素のアルコレート液から形成すること
により、この層内にはガラス形成時、若干の水分
が残留するが、封着時の高温で放出され、モリブ
デン箔表面を、その表面が変色するかしないかの
程度に酸化させる。このモリブデン酸化物と、
TiO2−SiO2ガラスが融着される。この際、TiO2
−SiO2ガラス中にモリブデンが拡散しているこ
とが認められた。すなわち、モリブデン−モリブ
デン酸化物−MoO2−TiO2−SiO2ガラス−石英
ガラスの封着構造が得られた。このTiO2−SiO2
ガラス層にモリブデンが拡散するとTi−Mo合金
層が形成される。つまり、モリブデン箔とTiO2
−SiO2ガラス層が化学的に結合する。また、モ
リブデン箔の酸化を防止するために、モリブデン
箔および導線に石英薄膜（SiO2ガラス）を被覆
することも提案されているが、本願考案で使用す
るTiO2−SiO2ガラスはSiO2ガラスよりも粘度が
低く、封止時にTiO2−SiO2ガラス層がモリブデ
ン箔を完全に覆う。このように、モリブデン箔と
TiO2−SiO2ガラス層が化学的に結合するととも
に、TiO2−SiO2ガラス層がモリブデン箔を完全
に覆うので、シール密着性を著しく改善すること
ができる。
混合物であつて、その融点は石英ガラスより低
い。従つて、このガラス層をモリブデン箔の表面
に形成して封着すると、封着時の熱によつてこの
ガラス層が溶着して、モリブデン箔表面をおお
い、モリブデン箔と外部空気との接触を実質的に
断つ。また、このTiO2−SiO2ガラス層をチタン
およびケイ素のアルコレート液から形成すること
により、この層内にはガラス形成時、若干の水分
が残留するが、封着時の高温で放出され、モリブ
デン箔表面を、その表面が変色するかしないかの
程度に酸化させる。このモリブデン酸化物と、
TiO2−SiO2ガラスが融着される。この際、TiO2
−SiO2ガラス中にモリブデンが拡散しているこ
とが認められた。すなわち、モリブデン−モリブ
デン酸化物−MoO2−TiO2−SiO2ガラス−石英
ガラスの封着構造が得られた。このTiO2−SiO2
ガラス層にモリブデンが拡散するとTi−Mo合金
層が形成される。つまり、モリブデン箔とTiO2
−SiO2ガラス層が化学的に結合する。また、モ
リブデン箔の酸化を防止するために、モリブデン
箔および導線に石英薄膜（SiO2ガラス）を被覆
することも提案されているが、本願考案で使用す
るTiO2−SiO2ガラスはSiO2ガラスよりも粘度が
低く、封止時にTiO2−SiO2ガラス層がモリブデ
ン箔を完全に覆う。このように、モリブデン箔と
TiO2−SiO2ガラス層が化学的に結合するととも
に、TiO2−SiO2ガラス層がモリブデン箔を完全
に覆うので、シール密着性を著しく改善すること
ができる。
これによつて、モリブデン箔と管球の石英ガラ
スとを融着させるので、両者は確実に接合する。
このため、管球内部の圧力が高くなつても両者は
剥離せず、「箔浮き」が防止される。
スとを融着させるので、両者は確実に接合する。
このため、管球内部の圧力が高くなつても両者は
剥離せず、「箔浮き」が防止される。
〔実施例〕
図面はキセノンガス放電灯の断面図を示すが、
石英ガラスの管球１内には陰極および陽極である
タングステン電極棒２，３が対向して配置され、
両電極間で放電して発光する。そして、内部にキ
セノンガスが封入されている。電極棒２，３の基
端部はそれぞれモリブデン箔４，４に電気的に接
続され、また、モリブデンの外部リード棒５の一
端もこのモリブデン箔４に接続されている。そし
て、モリブデン箔４の表面には、封着に先立つて
TiO2−SiO2ガラス層（図示せず）が形成される。
石英ガラスの管球１内には陰極および陽極である
タングステン電極棒２，３が対向して配置され、
両電極間で放電して発光する。そして、内部にキ
セノンガスが封入されている。電極棒２，３の基
端部はそれぞれモリブデン箔４，４に電気的に接
続され、また、モリブデンの外部リード棒５の一
端もこのモリブデン箔４に接続されている。そし
て、モリブデン箔４の表面には、封着に先立つて
TiO2−SiO2ガラス層（図示せず）が形成される。
このガラス層は、チタンのアルコレートと珪素
のアルコレートの混合液をコーテイングし、乾
燥、および焼成して形成されるが、チタン濃度は
TiO2／（TiO2＋SiO2）が10％以下になるように
選ぶのが良く、これより濃すぎると溶液のポツト
ライフが短くなつて、取扱いにくくなる不具合が
ある。ガラス層の膜厚はデイツピングなどにより
10μｍ程度以下にコーテイングされ、自然乾燥の
後、必要に応じて約150℃で乾燥し、形成される。
のアルコレートの混合液をコーテイングし、乾
燥、および焼成して形成されるが、チタン濃度は
TiO2／（TiO2＋SiO2）が10％以下になるように
選ぶのが良く、これより濃すぎると溶液のポツト
ライフが短くなつて、取扱いにくくなる不具合が
ある。ガラス層の膜厚はデイツピングなどにより
10μｍ程度以下にコーテイングされ、自然乾燥の
後、必要に応じて約150℃で乾燥し、形成される。
そして、このモリブデン箔４を管球１の両端の
封止部の中心に配置し、約1800〜2000℃で石英ガ
ラスを軟化させて封着されるが、この温度でガラ
ス層が溶着し、石英ガラスとモリブデン箔４が融
着される。従つて、両者の接合は確実であり、
「箔浮き」現象が防止される。
封止部の中心に配置し、約1800〜2000℃で石英ガ
ラスを軟化させて封着されるが、この温度でガラ
ス層が溶着し、石英ガラスとモリブデン箔４が融
着される。従つて、両者の接合は確実であり、
「箔浮き」現象が防止される。
以上説明した様に、本考案は、管球の封止部に
封着するのに先立つて、モリブデン箔の表面に、
TiO2−SiO2ガラス層を形成しておくので、封着
時にモリブデン箔と管球の石英ガラスとは融着さ
れ、両者は確実に接合される。従つて、モリブデ
ン箔の酸化が防止され、放電灯の内部圧力が上昇
しても「箔浮き」現象が発生せず、耐久性が大き
くて寿命の長い放電灯とすることができる。
封着するのに先立つて、モリブデン箔の表面に、
TiO2−SiO2ガラス層を形成しておくので、封着
時にモリブデン箔と管球の石英ガラスとは融着さ
れ、両者は確実に接合される。従つて、モリブデ
ン箔の酸化が防止され、放電灯の内部圧力が上昇
しても「箔浮き」現象が発生せず、耐久性が大き
くて寿命の長い放電灯とすることができる。
図面は本考案実施例の断面図である。
１……管球、２，３……電極棒、４……モリブ
デン箔、５……外部リード棒。
デン箔、５……外部リード棒。
Claims (1)
- 電極棒および外部リード棒の端部が電気的に接
続されるモリブデン箔の表面にTiO2−SiO2ガラ
ス層を形成し、このモリブデン箔を石英製管球の
封止部に封着し、TiO2−SiO2ガラス層にモリブ
デンを拡散させてTi−Mo合金層を形成してなる
放電灯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985174864U JPH0323655Y2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985174864U JPH0323655Y2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284160U JPS6284160U (ja) | 1987-05-29 |
| JPH0323655Y2 true JPH0323655Y2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=31113649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985174864U Expired JPH0323655Y2 (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323655Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010073330A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Koito Mfg Co Ltd | 放電ランプ装置用水銀フリーアークチューブおよび同アークチューブの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372389A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-27 | Toshiba Corp | Incandescent lamp and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP1985174864U patent/JPH0323655Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372389A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-27 | Toshiba Corp | Incandescent lamp and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284160U (ja) | 1987-05-29 |
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