JPH11501463A - ＧａＮ−ＡｌＮをベース材料とする高電圧半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置 - Google Patents

ＧａＮ−ＡｌＮをベース材料とする高電圧半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置

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JPH11501463A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、基板（１）上に一導電形ＧａＮ層（２）を形成し、この一導電形ＧａＮ層（２）上に半絶縁性のＡｌＮ層（３）を形成すると共に、前記一導電形ＧａＮ層（２）上にＡｌＮ層（３）の部分的に下側に反対導電形のＧａＮ層（４，５）を形成する半導体装置を製造する技術に関するものである。この技術により、シリコン形の半導体よりも一層良好で同一の性能を有する高効率高パワー高電圧半導体装置が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】 ＧａＮ−ＡｌＮをベース材料とする高電圧半導体装置の製造方法及び製造された 半導体装置 本発明は、特にＧａＮ又はＡｌＮをベースとするＰ−ｎ接合構造を有する高電 圧半導体装置の構造及び形成を含むものである。 シリコンをベースとする半導体デバイスは、ダイオード、バイポーラトランジ スタ及び高電圧トランジスタに用いられているようなｐｎ接合構造を規定するも のとして知られている。シリコン構造体は電気的特性及び光学特性に制限がある 。 現在においては、シリコンの特性を利用しない半導体デバイスを得る努力がな されている。特に、III−Ｖ族化合物が注目され、特にガリウムナイトライド（ ＧａＮ）化合物が注目されている。 例えば、種々の高移動度トランジスタ、光放射ダイオード及びＭＩＳ型トラン ジスタが米国特許第５１９２９８７号及び５１２２８４５号並びに特開平３−２ ７３６３２号公報に開示されている。これらの先行文献は、ｎ形導電層の空乏層 で動作するＧａＮ型トランジスタ及びキャパシタを開示している。 一方、本発明は、高電力高電圧装置のような特定の目的の光波長で用いること ができる半導体デバイスを提供することにある。 この目的は、本発明において、基板上にｐ形ＧａＮ層を形成し、ゲート誘電体 用の半絶縁性材料としてアルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）を用いることによ り達成される。このＡｌＮのゲート絶縁性材料はｐ形ＧａＮ上に形成され、ｎ形 ＧａＮはゲートの反対側のｐ形材料上に形成される。得られるｐｎ接合は高い降 伏電圧により確立され、トランジスタ構造体においてソース−ドレイン間電圧を 一層大きな値にすることができる。 ｐ形ＧａＮ層上に成長したＡｌＮは半絶縁性であり、その厚さは臨界的な膜厚 すなわち２０００Å以下である。ＡｌＮのゲート誘電体は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3 又は好ましくはＳｉ3Ｎ4のような種々のマスクのまわりを例えばリアクティビイ オンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングすることにより規定される。選 択性イオンエッチングを用いてＡｌＮゲート誘電体の直立したサイドウォールを 形成する。ＫＯＨのようなウェトエッチングを用いる場合、ＡｌＮゲート誘電体 のアンダーエッチングの防止が犠牲になる。しかしながら、このエッチングはＡ ｌＮのゲート誘電体の下側のｐ形ＧａＮ層をエッチングしてゲート誘電体につい てアンダーエッチングすることができる。また、エピタキシャル構造体の層の表 面にある角度でビームが入射するイオンビームエッチングを用いることもできる 。このエッチングは、ＧａＮのエッチングレートがＡｌＮのエッチングレートよ りも速いことに依存している。 ゲート誘電体についてアンダーエッチングすることにより、ゲート誘電体の反 対側のゲート誘電体の下側にソース領域及びドレイン領域を形成することができ る。この形態及び基本的にゲートがソース，ドレインと重なり合うことによりゲ ート誘電体の下側に短いチャネル長が規定される。ソース及びドレイン領域は、 ｐ形ＧａＮ層上にｎ＋又はｎ−形のＧａＮ層又はこれらの両方の層を再成長させ ることにより形成される。ＡｌＮのサイドウォールの成長速度はソース，ドレイ ンがゲートとオーバラップする形態を決定する。ソース領域及びドレイン領域の 形成は、例えばＳ又はＳｅのVI族の元素又はＳｉ又はＧｅのVI族の元素を用いる イオン注入又は拡散のいずれかにより行うことができる。 本発明の技術により別の形式のＦＥＴ装置を形成することもできる。例えば、 ｐ形ＧａＮ層上にｎ形のＧａＮを再成長させることによりＬＤＭＯＳ形式のデバ イスを形成することができる。ＬＤＭＩＳを形成するため、例えば始めにＡｌＮ ゲート誘電体の一方の側にｎ形のＧａＮ層を形成し、次にｎ＋形のＧａＮ層をゲ ート誘電体の反対側に形成する。両方の層は部分的にゲート誘電体の下側に形成 する。続いて、ｎ−形ＧａＮ層の一部の上にｎ＋形のＧａＮ層を再成長すること により、適当な電極を有するＬＤＭＩＳ装置が完成する。 本発明においては、種々の基板材料を用いることができ、基板材料としてのア イソレーション用に絶縁性サファイア（Ａｌ2Ｏ3）を用いるとデバイスとして有 用な透明なデバイスが得られる。絶縁性サファイァ基板を用いると、ＳＯＩデバ イスの利点が達成される。さらに、ＧａＮ及びサファイアは共に合理的に良好な 値の熱伝導率を有し、これはデバイスにおける良好な放熱の利点となる。Ｇａ Ｎの可視光に対する透明性は、可視光のサブバンドギャップ特性によりリーク電 流のようなデバイスに入射する可視照明光による不所望な効果を除去する。或い は、ＳｉＣ基板を用いる場合、その電気的特性及び熱的特性によりＥＳＤを抑制 する上で重要な導電性の厚い基板を用いる利点が達成される。ＳｉＣ基板とＧａ Ｎ層との間にＡｌＮバッファ層を用いることにより、デバイスの設計が厚い酸化 膜を用いるＳｉをベースとするＳＯＩの設計と同様になる。 本発明により得られる利点は、ＧａＮ及びＡｌＮの両方の各バントギャップ値 により生ずる。ＧａＮは約３．４ｅＶのバンドギャップエネルギーを有しＡｌＮ は約６．２ｅＶのバンドギャップエネルギーを有している。従って、ＧａＮ−Ａ ｌＮ系は約３．４から６．２ｅＶまで変化することができる。これら２個の材料 は全組成範囲にわたって接近した格子整合が得られ、特に微量のＩｎの添加によ り一層良好な格子整合が得られる。 エネルギーバンドギャップ差は伝導帯及び価電子帯の両方の不連続性について 明瞭である。エネルギーバンドギャップ値により、この材料系は可視光に対して 透明である。大きなバンドギャップの結果としてＧａＮは大きな値の降伏電界値 すなわち２〜５×１０6Ｖ／ｃｍを有する。これに対してＳｉは５×１０5Ｖ／ｃ ｍである。これにより、ＧａＮのｐｎ接合は一層大きな不純物濃度を有すること ができる。ＧａＮとＡｌＮの大きなエネルギーバンドギャップ値及び比較的安定 な性質により高温でも低いリーク電流で動作でき、従ってＳｉと共に使用するこ とができる。 高電圧で動作するデバイスにおいて、高電界条件下でのキャリァ移動性能は重 要な概念である。例えば順方向飽和電流はＦＥＴの高電界下のキャリァ飽和速度 により決定される。ＧａＮは２×１０7の電子飽和速度を有し、この値はＳｉの 値に比べて好ましいものである。 ６．２ｅＶのバンドギャップを有するＡｌＮ材料はＭＯＣＶＤにより半絶縁性 特性を持たせて成長させることができる。ＧａＮ上に成長したＡｌＮ層はＩＧＦ ＥＴデバイス内の絶縁性ゲート誘電体として用いることができる。ＡｌＮ／Ｇａ Ｎヘテロ構造は、臨界膜厚以下のＡｌＮ膜厚を用いることにより又はＩｎを添加 することにより良好な界面性能を有しており、ゲート電極と共に用いてＧａＮ層 に反転層を形成することができる。得られるＭＩＳＦＥＴは高電圧で動作するこ とができる。ＬＤＭＯＳについての他の変形例も利用することができる。 ＧａＮ及びサファイヤ並びにＳｉの基板に対する良好な熱伝導体は、本発明に よる装置を高電力の用途に用いる観点において有益である。サファイヤ基板を用 いることは、ＳＯＩデバイスにＳｉを用いる場合と同一の利点が達成される。ｐ ｎ接合の反転リーク電流は、バンドギャップが小さい性質より、デバイスに入射 する可視光により明瞭に発生する。従って、本発明による装置は照明光の存在の もとで用いることができる。さらに、ゲート、ソース及びドレイン電極について 透明なＩＴＯコンタクト材料を用いることにより、可視光に対して透明なデバイ ス構造体として用いることができる。 本発明によるプロセスの変形例は、基板上にｐ形ＧａＮ層を形成し、このｐ形 層上にｎ形ＧａＮ層を形成し、ｎ形層の一部をｐ形層の一部までエッチングし、 ｎ形層及びｐ形層のエッチングされた部分上にＡｌＮ層を形成してゲート誘電体 を形成する方法を含む。さらにデバイス形成プロセスを行って本発明によるデバ イスが完成する。 以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。 図１は本発明によるＭＩＳＦＥＴを示す。 図２、３、４及び５は図１の種々の製造工程を示す。 図６は本発明によるＬＤＭＩＳ−ＦＥＴを示す。 図７、８、９及び１０は図６に示す装置の種々の製造工程を示す。 図１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃは本発明による別の技術による種々の工程を示す 。 本発明によるＭＩＳ型のトランジスタを図１に示す。この構造体は基板１上に ＧａＮのｐ形層２を含み、基板１はサハァイヤ材料とすることができる。ＡｌＮ のゲート誘電体層３を層２上に形成し、このゲート誘電体３をはさんで互いに対 向するようにｎ＋形ＧａＮの層４，５を形成する。このｎ＋形ＧａＮ部分４及び ５はこのトランジスタ構造のソース領域及びドレイン領域を形成し、ＩＴＯのよ うな導電性材料の電極コンタクト６及び８をＡｌＮのゲート誘電体３の互いに対 向する側に絶縁性延長部１２の端部に形成する。ゲートコンタクト７をＡｌＮの ゲート誘電体３と接触するように形成する。 この半導体構造体は、図２〜５に示すように本発明に基づいて製造する。図２ において、ＧａＮのｐ形層２を基板１上に形成し、少なくとも半絶縁性のＡｌＮ の上側層３を層２上に形成する。アンドープドＡｌＮ誘電体及びｐ形ＧａＮは、 ＡｌＮ層がその臨界層厚以下の厚さに形成される位置においてヘテロ構造を形成 する。 ＡｌＮ層３をＳｉ3Ｎ4層でマスクし、次にエッチングを行ってゲート誘電体１ ３の直立した壁部を形成する。リアクティブイオンエッチング技術により直立し た壁部が形成されるが、ゲート誘電体１３の下側でのアンダーカットを犠牲にし てウェットエッチングを用いることができる。ＧａＮのｐ形層２をライン１０ま で除去して、図４に示すように、ゲート誘電体１３の下側のＧａＮ層２にアンダ ーエッチ部１１を形成する。 選択性の等方性エッチングによるゲート誘電体１３の下側の層２のアンダーカ ットにより、図５に示すように、ｎ形ＧａＮのソース領域及びドレイン領域をゲ ート誘電体の下側に形成することができる。ゲート誘電体１３の下側のチャネル 領域の寸法は、ゲート領域がソース領域及びドレイン領域と重なり合うように制 御する。 次に、図１に示すように、マスキング層９の除去及び絶縁性材料の延長部１２ の形成を経て本発明のトランジスタ構造体が完成する。 ＬＤＭＯＳ型装置の場合、ドレイン領域と隣接するｎ形ＧａＮ層を成長させて 、図６に示すように、ゲート誘電体２３の側部にｎ形ドリフト領域２５を形成す る。次に、図６に示すように、ｎ＋形のＧａＮのソース領域２４及びドレイン領 域２６をゲート誘電体及びドリフト領域の側部に形成する。図７、８、９及び１ ０に示すように、ゲート誘電体２３を形成した後この装置の一方の側をゲート誘 電体と共にマスク３３によりマスクする。次に、図７に示すように、ゲート誘電 体の一方の側にエッチング及びアンダカットを行う。その後、図８に示すように 、ゲート誘電体２３の上記側及びゲート誘電体のその側のｐ形のＧａＮ層２２上 にｎ形のＧａＮ層３５を形成する。 次に、層２２及びゲート誘電体上に形成されているマスキング層３３を除去し 、ゲート誘電体及びｎ形層３５の一部を覆う第２のマスキング層３４を形成する 。 次に、ｐ形ＧａＮ層２２のマスクされていない部分についてエッチングを行い、 図９に示すようにｎ形層３５と反対側及び層３５で覆われていない部分において ゲート誘電体をアンダーカットする。 次に、図１０に示すように、ゲート誘電体２３と隣接する部分及びｎ形層３５ のアンダーカットされた部分の両方にＧａＮのｎ＋部分３６を形成する。図６か ら明らかなように、適切なソース及びドレインコンタクト２７，２９をゲートコ ンタクト２８と共にゲート誘電体から延在する絶縁性部分３２と関連して形成す る。 本発明の製造プロセスの変形例として、図１１Ａに示すように、ＧａＮのｎ形 層４３を基板４１上のｐ形層４２上に成長させることができる。その後、図１１ Ｂに示すようにｎ＋層４３を経てｐ形層４２までエッチングを行って、キャビテ ィ４４を形成する。最後に、キャビティ内及びｎ＋層４３の露出した表面上にＡ ｌＮの層４５を成長させる。さらに、図１及び６の装置に関して図示したライン に沿ってコンタクト形成を行うことができる。 別の変形例として、イオン注入又は拡散処理を行ってソース及びドレイン領域 を形成することもできる。ＩＴＯのような透明なコンタクト材料により本発明の の装置を可視光に対して透明にすることができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｉ．高電圧半導体デバイスを製造するに当たり、 基板（１）上に一導電型のＧａＮ層（２）を形成する工程と、 前記ＧａＮ層（２）上にＡｌＮの半絶縁層（３）を形成する工程と、 前記ＡｌＮ層の一部分及び部分（１１）をマスキングする工程と、 前記ＡｌＮ層（３）及びＡｌＮ層（３）のマスクされた部分の下側のＧａＮ 層（２）の部分（１１）をエッチングする工程と、 前記一導電型のＧａＮ層（２）上及びＡｌＮ層のマスクされた部分の下側の 区域に反対導電型ＧａＮ層（４，５）を形成してｐｎ接合を形成する工程とを具 える高電圧半導体デバイスの製造方法。 ２．請求項１に記載の方法において、前記一導電型のＧａＮ層（２）をｐ形とし 、反対導電型のＧａＮ層（４，５）をｎ形とした方法。 ３．請求項１又は２に記載の方法において、前記反対導電型のＧａＮ層（４，５ ）をｎ＋形とした方法。 ４．請求項１、２又は３に記載の方法において、前記反対導電型のＧａＮ層（４ ，５）の少なくとも一部分をｎ形とした方法。 ５．さらに、前記各ＡｌＮ層（３）及び前記反対導電型のＧａＮ層（４，５）の ＡｌＮ層（３）とは反対側の部分に電気的コンタクト２７、２８、２９を形成す る工程を具える方法。 ６．高電圧半導体デバイスを製造するに当たり、 基板（４１）上に一導電型のＧａＮ層（４２）を形成する工程と、 前記一導電型のＧａＮ層（４２）上に反対導電型のＧａＮ層（４３）を形成 する工程と、 前記反対導電型のＧａＮ層（４３）を前記一導電型のＧａＮ層（４２）まで エッチングしてキャビティ（４４）を形成する工程と、 前記反対導電型のＧａＮ層（４３）上に前記キャビティ（４４）内まで半絶 縁性のＡｌＮ層（４５）を形成する工程とを具える高電圧半導体デバイスの製造 方法。 ７．さらに、前記各ＡｌＮ層（４５）及び前記反対導電型のＧａＮ層（４３）の 前記キャビティ（４４）とは反対側の部分に電気的コンタクトを形成する工程を 具える方法。 ８．基板（１）と、この基板（１）上の一導電型のＧａＮ層（２）と、前記一導 電型のＧａＮ層上（２）上の半絶縁性のＡｌＮ部分（３）と、前記一導電型のＧ ａＮ層（２）上の前記半絶縁性のＡｌＮ層（３）の互いに対向する側及びＡｌＮ 層（３）の下側に部分的に形成した反対導電型のＧａＮ層（４，５）とを具える 半導体デバイス。 ９．請求項１から８までのいずれか１項に記載の半導体デバイスにおいて、前記 基板（１）をＡｌ2Ｏ3とした半導体デバイス。
JP9524138A 1995-12-28 1996-12-06 ＧａＮ−ＡｌＮをベース材料とする高電圧半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置 Ceased JPH11501463A (ja)

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WO (1) WO1997024752A2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230410A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ＧａＮ系電界効果トランジスタとその製造方法
US6593193B2 (en) 2001-02-27 2003-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2003297855A (ja) * 2002-04-01 2003-10-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
US7285806B2 (en) 2000-03-22 2007-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device having an active region formed from group III nitride
JP2008159631A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ−ｖ族窒化物化合物半導体電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2008172101A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 埋込方法、半導体素子製造方法および半導体素子
JP2008311392A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ
JP2009076673A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ
JP2009088081A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ
JP2009302541A (ja) * 2008-06-11 2009-12-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
JP2010045073A (ja) * 2008-08-08 2010-02-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
JP2014033115A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5915164A (en) * 1995-12-28 1999-06-22 U.S. Philips Corporation Methods of making high voltage GaN-A1N based semiconductor devices
US6965123B1 (en) 1997-07-29 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US6031263A (en) * 1997-07-29 2000-02-29 Micron Technology, Inc. DEAPROM and transistor with gallium nitride or gallium aluminum nitride gate
US6746893B1 (en) 1997-07-29 2004-06-08 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US7196929B1 (en) 1997-07-29 2007-03-27 Micron Technology Inc Method for operating a memory device having an amorphous silicon carbide gate insulator
US7154153B1 (en) 1997-07-29 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Memory device
US6936849B1 (en) 1997-07-29 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Silicon carbide gate transistor
US6297538B1 (en) * 1998-03-23 2001-10-02 The University Of Delaware Metal-insulator-semiconductor field effect transistor having an oxidized aluminum nitride gate insulator formed on a gallium nitride or silicon substrate
US6495409B1 (en) * 1999-01-26 2002-12-17 Agere Systems Inc. MOS transistor having aluminum nitride gate structure and method of manufacturing same
US6093952A (en) * 1999-03-31 2000-07-25 California Institute Of Technology Higher power gallium nitride schottky rectifier
TW474024B (en) * 1999-08-16 2002-01-21 Cornell Res Foundation Inc Passivation of GaN based FETs
US6265322B1 (en) 1999-09-21 2001-07-24 Agere Systems Guardian Corp. Selective growth process for group III-nitride-based semiconductors
DE10004394A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Grabenätzung in Halbleitermaterial
US6690042B2 (en) * 2000-09-27 2004-02-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor
DE10120877A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Anordnung mit einem Halbleiterbauelement
US20040029365A1 (en) * 2001-05-07 2004-02-12 Linthicum Kevin J. Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
JP3866540B2 (ja) * 2001-07-06 2007-01-10 株式会社東芝 窒化物半導体素子およびその製造方法
US7030428B2 (en) * 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
US7473947B2 (en) * 2002-07-12 2009-01-06 Intel Corporation Process for ultra-thin body SOI devices that incorporate EPI silicon tips and article made thereby
US6830945B2 (en) * 2002-09-16 2004-12-14 Hrl Laboratories, Llc Method for fabricating a non-planar nitride-based heterostructure field effect transistor
WO2004025733A1 (en) * 2002-09-16 2004-03-25 Hrl Laboratories, Llc Non-planar nitride-based semiconductor structure and metehod for fabricating the same
US6986693B2 (en) * 2003-03-26 2006-01-17 Lucent Technologies Inc. Group III-nitride layers with patterned surfaces
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
US20050040212A1 (en) * 2003-08-23 2005-02-24 Kuang-Neng Yang Method for manufacturing nitride light-emitting device
US7071498B2 (en) * 2003-12-17 2006-07-04 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same
KR20050065716A (ko) * 2003-12-23 2005-06-30 삼성전자주식회사 강유전성 액정 소자의 배향 방법 및 배향 장치
US7045404B2 (en) * 2004-01-16 2006-05-16 Cree, Inc. Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof
US7901994B2 (en) * 2004-01-16 2011-03-08 Cree, Inc. Methods of manufacturing group III nitride semiconductor devices with silicon nitride layers
US7612390B2 (en) 2004-02-05 2009-11-03 Cree, Inc. Heterojunction transistors including energy barriers
US7170111B2 (en) * 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
US7084441B2 (en) 2004-05-20 2006-08-01 Cree, Inc. Semiconductor devices having a hybrid channel layer, current aperture transistors and methods of fabricating same
US7432142B2 (en) * 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
KR100609542B1 (ko) * 2004-06-08 2006-08-08 주식회사 하이닉스반도체 알루미늄 질화막을 게이트 절연막으로 하는 반도체 소자의게이트 전극 제조 방법
US7361946B2 (en) * 2004-06-28 2008-04-22 Nitronex Corporation Semiconductor device-based sensors
US20060017064A1 (en) * 2004-07-26 2006-01-26 Saxler Adam W Nitride-based transistors having laterally grown active region and methods of fabricating same
US7709859B2 (en) * 2004-11-23 2010-05-04 Cree, Inc. Cap layers including aluminum nitride for nitride-based transistors
US7456443B2 (en) * 2004-11-23 2008-11-25 Cree, Inc. Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region
US7161194B2 (en) * 2004-12-06 2007-01-09 Cree, Inc. High power density and/or linearity transistors
US7465967B2 (en) 2005-03-15 2008-12-16 Cree, Inc. Group III nitride field effect transistors (FETS) capable of withstanding high temperature reverse bias test conditions
US8575651B2 (en) 2005-04-11 2013-11-05 Cree, Inc. Devices having thick semi-insulating epitaxial gallium nitride layer
US7626217B2 (en) * 2005-04-11 2009-12-01 Cree, Inc. Composite substrates of conductive and insulating or semi-insulating group III-nitrides for group III-nitride devices
US7615774B2 (en) * 2005-04-29 2009-11-10 Cree.Inc. Aluminum free group III-nitride based high electron mobility transistors
US7544963B2 (en) * 2005-04-29 2009-06-09 Cree, Inc. Binary group III-nitride based high electron mobility transistors
US9331192B2 (en) 2005-06-29 2016-05-03 Cree, Inc. Low dislocation density group III nitride layers on silicon carbide substrates and methods of making the same
US20070018198A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Brandes George R High electron mobility electronic device structures comprising native substrates and methods for making the same
US7994632B2 (en) * 2006-01-10 2011-08-09 International Rectifier Corporation Interdigitated conductive lead frame or laminate lead frame for GaN die
US7952109B2 (en) * 2006-07-10 2011-05-31 Alcatel-Lucent Usa Inc. Light-emitting crystal structures
US7266257B1 (en) 2006-07-12 2007-09-04 Lucent Technologies Inc. Reducing crosstalk in free-space optical communications
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
US8878245B2 (en) * 2006-11-30 2014-11-04 Cree, Inc. Transistors and method for making ohmic contact to transistors
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8304809B2 (en) * 2007-11-16 2012-11-06 Furukawa Electric Co., Ltd. GaN-based semiconductor device and method of manufacturing the same
US8741715B2 (en) * 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
WO2010151855A2 (en) * 2009-06-26 2010-12-29 Cornell University Iii-v semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation
US8270131B2 (en) * 2009-07-31 2012-09-18 Infineon Technologies Ag Electrostatic discharge protection element and electrostatic discharge protection chip and method of producing the same
KR101774933B1 (ko) * 2010-03-02 2017-09-06 삼성전자 주식회사 듀얼 디플리션을 나타내는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
US20130099284A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Triquint Semiconductor, Inc. Group iii-nitride metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors
US20130105817A1 (en) 2011-10-26 2013-05-02 Triquint Semiconductor, Inc. High electron mobility transistor structure and method
JP5306438B2 (ja) * 2011-11-14 2013-10-02 シャープ株式会社 電界効果トランジスタおよびその製造方法
US8975664B2 (en) 2012-06-27 2015-03-10 Triquint Semiconductor, Inc. Group III-nitride transistor using a regrown structure
US9123533B2 (en) * 2012-08-10 2015-09-01 Avogy, Inc. Method and system for in-situ etch and regrowth in gallium nitride based devices
US9099490B2 (en) * 2012-09-28 2015-08-04 Intel Corporation Self-aligned structures and methods for asymmetric GaN transistors and enhancement mode operation
US9552979B2 (en) * 2013-05-31 2017-01-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclic aluminum nitride deposition in a batch reactor
US9093532B2 (en) 2013-06-21 2015-07-28 International Business Machines Corporation Overlapped III-V finFET with doped semiconductor extensions
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
CN112242441A (zh) * 2019-07-16 2021-01-19 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管
DE102020004758A1 (de) * 2019-08-30 2021-03-04 Semiconductor Components Industries, Llc Siliciumcarbid-feldeffekttransistoren

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8701497A (nl) * 1987-06-26 1989-01-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van electromagnetische straling.
JP3026087B2 (ja) * 1989-03-01 2000-03-27 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JP3078821B2 (ja) * 1990-05-30 2000-08-21 豊田合成株式会社 半導体のドライエッチング方法
US5192987A (en) * 1991-05-17 1993-03-09 Apa Optics, Inc. High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
DE4323814A1 (de) * 1992-09-25 1994-03-31 Siemens Ag MIS-Feldeffekttransistor
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JPH07273366A (ja) * 1994-03-28 1995-10-20 Pioneer Electron Corp Ｉｉｉ族窒化物発光素子の製造方法
SE9404452D0 (sv) * 1994-12-22 1994-12-22 Abb Research Ltd Semiconductor device having an insulated gate
US5650361A (en) * 1995-11-21 1997-07-22 The Aerospace Corporation Low temperature photolytic deposition of aluminum nitride thin films
US5915164A (en) * 1995-12-28 1999-06-22 U.S. Philips Corporation Methods of making high voltage GaN-A1N based semiconductor devices

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230410A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ＧａＮ系電界効果トランジスタとその製造方法
JP4667556B2 (ja) * 2000-02-18 2011-04-13 古河電気工業株式会社 縦型ＧａＮ系電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタと縦型ＧａＮ系電界効果トランジスタの製造方法
US7285806B2 (en) 2000-03-22 2007-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device having an active region formed from group III nitride
US7585706B2 (en) 2000-03-22 2009-09-08 Panasonic Corporation Method of fabricating a semiconductor device
US6593193B2 (en) 2001-02-27 2003-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US7307292B2 (en) 2001-02-27 2007-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2003297855A (ja) * 2002-04-01 2003-10-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008159631A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ−ｖ族窒化物化合物半導体電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP4653124B2 (ja) * 2007-01-12 2011-03-16 古河電気工業株式会社 半導体素子製造方法
JP2008172101A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 埋込方法、半導体素子製造方法および半導体素子
JP2008311392A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ
JP2009076673A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ
JP2009088081A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｉｉ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ
JP2009302541A (ja) * 2008-06-11 2009-12-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
JP2010045073A (ja) * 2008-08-08 2010-02-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
JP2014033115A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
DE69625045T2 (de) 2003-07-24
WO1997024752A2 (en) 1997-07-10
EP0812468A2 (en) 1997-12-17
US5990531A (en) 1999-11-23
EP0812468B1 (en) 2002-11-27
WO1997024752A3 (en) 1997-08-28
DE69625045D1 (de) 2003-01-09
US5915164A (en) 1999-06-22

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