JPH11295887A - 化学増幅型レジスト組成物 - Google Patents
化学増幅型レジスト組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高感度で、高解像性を示し、プロセス適応性、
プロセス安定性に優れ、パターン形状の良い、集積回路
素子等の製造での微細加工材料として適した化学増幅型
レジスト組成物を堤供する。 【構成】酸により遊離しうる置換基を含有する有機物と
放射線の照射により酸を発生する化合物（酸発生剤）を
含有し、放射線の照射により発生した酸の触媒作用によ
り、放射線照射部のアルカリ現像液に対する溶解生を変
化させてパターンを形成する化学増幅型レジスト組成物
において、酸発生剤として、オニウム塩の少なくとも１
種とスルホン化合物およびスルホネート化合物の少なく
とも１種とを併用する。また、レジスト組成物中に塩基
性化合物を含有せしめることが好ましい。
プロセス安定性に優れ、パターン形状の良い、集積回路
素子等の製造での微細加工材料として適した化学増幅型
レジスト組成物を堤供する。 【構成】酸により遊離しうる置換基を含有する有機物と
放射線の照射により酸を発生する化合物（酸発生剤）を
含有し、放射線の照射により発生した酸の触媒作用によ
り、放射線照射部のアルカリ現像液に対する溶解生を変
化させてパターンを形成する化学増幅型レジスト組成物
において、酸発生剤として、オニウム塩の少なくとも１
種とスルホン化合物およびスルホネート化合物の少なく
とも１種とを併用する。また、レジスト組成物中に塩基
性化合物を含有せしめることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路素子など
の製造において用いられる化学増幅型レジスト組成物に
関する。更に詳細には、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ
線等の放射線に対して感応性で、高感度、高解像度、良
好なパターン形状を形成することができる化学増幅型レ
ジスト組成物に関する。
の製造において用いられる化学増幅型レジスト組成物に
関する。更に詳細には、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ
線等の放射線に対して感応性で、高感度、高解像度、良
好なパターン形状を形成することができる化学増幅型レ
ジスト組成物に関する。
【０００２】
【背景技術】集積回路素子の製造に代表される微細加工
技術においては、回路の高集積化に伴い高解像度を有す
る放射線感応性レジスト材料が求められている。近年で
はサブクオーターミクロンのパターンルールが要求され
るようになってきているが、これに対応するため、微細
加工、中でもフォトリソグラフィーに用いられる露光装
置の光源はｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）か
ら遠紫外線であるＫｒＦエキシマレーザー光（２４６ｎ
ｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）
へと露光波長が益々短波長化されている。このような短
波長の放射線露光でのレジスト形成に適した放射線感応
性レジスト材料として、光吸収が少なく高感度化が可能
な化学増幅型レジストが開発され、種々報告されてい
る。この化学増幅型レジストは、放射線照射により酸が
発生され、この発生した酸の触媒作用によりレジスト被
膜中で化学変化（例えば、極性変化、化学結合の開裂、
架橋反応等）が生起され、アルカリ現像液に対する溶解
性が放射線照射部において変化する現象を利用してパタ
ーンを形成するものである。このような化学増幅型レジ
スト材料としては、例えば、イトー（Ｉｔｏ）らにより
発表された、フェノール性水酸基の一部がｔ−ブチルオ
キシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）基で保護されたヒドロキ
シスチレン重合体およびトリフェニルスルホニウムヘキ
サフルオロアンチモン酸塩のような酸を発生させる化合
物からなる化学的に増幅されたレジスト材料が知られて
いる〔H. Ito and C. G. Wilson, Polym. Eng. Sci., 2
3 巻、1012(1983)〕。このレジスト材料においては、露
光により照射域に酸が生じ、この酸は、露光後に、例え
ば５０℃以上の温度でベーキング（露光後ベーク工程、
ＰＥＢ）を行う際、触媒的にｔ−ブトキシカルボニル
（ｔ−ＢＯＣ）基を離脱、遊離させ、アルカリ現像液に
可溶なヒドロキシスチレンを生成させる。露光中に酸が
少量でも生じていれば、触媒的な連鎖反応により幾つか
のｔ−ブチルオキシカルボニル基を離脱させることがで
きる。この離脱、遊離反応が触媒的に作用するため、化
学的に増幅されたレジストは遠紫外線露光に対して高感
度を達成することができるのである。化学的に増幅され
たレジストに関し、イトー（Ｉｔｏ）らが発表したｔ−
ブチルオキシカルボニル基に続いて、ポジ型の遠紫外線
フォトレジストを得るべく、有機合成で知られている多
種、多様の保護基が試みられ、発表されている。
技術においては、回路の高集積化に伴い高解像度を有す
る放射線感応性レジスト材料が求められている。近年で
はサブクオーターミクロンのパターンルールが要求され
るようになってきているが、これに対応するため、微細
加工、中でもフォトリソグラフィーに用いられる露光装
置の光源はｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）か
ら遠紫外線であるＫｒＦエキシマレーザー光（２４６ｎ
ｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）
へと露光波長が益々短波長化されている。このような短
波長の放射線露光でのレジスト形成に適した放射線感応
性レジスト材料として、光吸収が少なく高感度化が可能
な化学増幅型レジストが開発され、種々報告されてい
る。この化学増幅型レジストは、放射線照射により酸が
発生され、この発生した酸の触媒作用によりレジスト被
膜中で化学変化（例えば、極性変化、化学結合の開裂、
架橋反応等）が生起され、アルカリ現像液に対する溶解
性が放射線照射部において変化する現象を利用してパタ
ーンを形成するものである。このような化学増幅型レジ
スト材料としては、例えば、イトー（Ｉｔｏ）らにより
発表された、フェノール性水酸基の一部がｔ−ブチルオ
キシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）基で保護されたヒドロキ
シスチレン重合体およびトリフェニルスルホニウムヘキ
サフルオロアンチモン酸塩のような酸を発生させる化合
物からなる化学的に増幅されたレジスト材料が知られて
いる〔H. Ito and C. G. Wilson, Polym. Eng. Sci., 2
3 巻、1012(1983)〕。このレジスト材料においては、露
光により照射域に酸が生じ、この酸は、露光後に、例え
ば５０℃以上の温度でベーキング（露光後ベーク工程、
ＰＥＢ）を行う際、触媒的にｔ−ブトキシカルボニル
（ｔ−ＢＯＣ）基を離脱、遊離させ、アルカリ現像液に
可溶なヒドロキシスチレンを生成させる。露光中に酸が
少量でも生じていれば、触媒的な連鎖反応により幾つか
のｔ−ブチルオキシカルボニル基を離脱させることがで
きる。この離脱、遊離反応が触媒的に作用するため、化
学的に増幅されたレジストは遠紫外線露光に対して高感
度を達成することができるのである。化学的に増幅され
たレジストに関し、イトー（Ｉｔｏ）らが発表したｔ−
ブチルオキシカルボニル基に続いて、ポジ型の遠紫外線
フォトレジストを得るべく、有機合成で知られている多
種、多様の保護基が試みられ、発表されている。
【０００３】現在知られたポジ型化学増幅型レジスト組
成物としては、上記するような、（ａ）酸により離脱、
遊離される基（以下、「酸分解性基」という。）で保護
されたアルカリ不溶性樹脂またはアルカリ難溶性樹脂
で、該酸分解性基が遊離したときにアルカリ可溶性とな
る樹脂（以下、「酸分解性基含有樹脂」という。）およ
び（ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物（以
下、「酸発生剤」という。）を含むもの、あるいはこれ
にさらに補助的に（ｃ）（ａ）の樹脂のアルカリ可溶性
を制御する性質を有し、酸の存在下で分解し、（ａ）の
樹脂のアルカリ溶解制御効果が低下もしくは消失される
化合物（以下、「溶解阻害剤」という。）を含むものな
どが知られている。
成物としては、上記するような、（ａ）酸により離脱、
遊離される基（以下、「酸分解性基」という。）で保護
されたアルカリ不溶性樹脂またはアルカリ難溶性樹脂
で、該酸分解性基が遊離したときにアルカリ可溶性とな
る樹脂（以下、「酸分解性基含有樹脂」という。）およ
び（ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物（以
下、「酸発生剤」という。）を含むもの、あるいはこれ
にさらに補助的に（ｃ）（ａ）の樹脂のアルカリ可溶性
を制御する性質を有し、酸の存在下で分解し、（ａ）の
樹脂のアルカリ溶解制御効果が低下もしくは消失される
化合物（以下、「溶解阻害剤」という。）を含むものな
どが知られている。
【０００４】このような化学増幅型レジスト組成物の酸
発生剤としては、オニウム塩化合物、スルホン化合物、
スルホネート化合物などが知られているが、オニウム塩
化合物は、レジスト膜の溶解抑止効果が強く未露光部の
溶解性を少なくし、また比較的強い酸を発生するので高
解像性のレジストが得られるが、反面、現像後のレジス
トパターンがスタンディングウエーブ（定在波）を生じ
易く、またプロセスの雰囲気によっては、パターンがオ
ーバーハング状態となる、いわゆるＴ−トップとよばれ
る不溶解層をレジスト表面に形成しやすいという欠点を
持っている。またオニウム塩化合物は、レジスト溶剤へ
の溶解性が悪く、レジストへの添加の量が限られるとい
う欠点もある。一方スルホン化合物やスルホネート化合
物は、レジスト溶剤への溶解性が良く、現像液に対する
レジスト膜溶解抑止効果は少ないが、露光後の分解物の
現像液に対する溶解性はオニウム塩化合物に比べて良
く、このため高コントラスト化が可能であるとともに、
オニウム塩に比べて現像後のレジストパターンもスタン
ディングウエーブが少なく、また比較的弱い酸を発生す
るため対環境性に優れているという利点を有しているも
のの、その溶解性のため密集パターンと孤立パターンの
寸法差が大きくなる欠点を有している。
発生剤としては、オニウム塩化合物、スルホン化合物、
スルホネート化合物などが知られているが、オニウム塩
化合物は、レジスト膜の溶解抑止効果が強く未露光部の
溶解性を少なくし、また比較的強い酸を発生するので高
解像性のレジストが得られるが、反面、現像後のレジス
トパターンがスタンディングウエーブ（定在波）を生じ
易く、またプロセスの雰囲気によっては、パターンがオ
ーバーハング状態となる、いわゆるＴ−トップとよばれ
る不溶解層をレジスト表面に形成しやすいという欠点を
持っている。またオニウム塩化合物は、レジスト溶剤へ
の溶解性が悪く、レジストへの添加の量が限られるとい
う欠点もある。一方スルホン化合物やスルホネート化合
物は、レジスト溶剤への溶解性が良く、現像液に対する
レジスト膜溶解抑止効果は少ないが、露光後の分解物の
現像液に対する溶解性はオニウム塩化合物に比べて良
く、このため高コントラスト化が可能であるとともに、
オニウム塩に比べて現像後のレジストパターンもスタン
ディングウエーブが少なく、また比較的弱い酸を発生す
るため対環境性に優れているという利点を有しているも
のの、その溶解性のため密集パターンと孤立パターンの
寸法差が大きくなる欠点を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、紫外
線、遠紫外線、電子線、Ｘ線などに感応するレジスト材
料として種々の化学増幅型レジスト組成物が知られてお
り、これに用いられる酸発生剤も種々のものが知られて
いるが、いずれの酸発生剤も問題点を有し、十分に満足
できるというものではなかった。本発明の目的は、上述
の問題点を有しない、すなわち高感度でかつ高解像度を
有し、プロセス適用性、プロセス安定性に優れ、プロセ
ス依存性がなくしかも良好なパターン形状を有するレジ
スト画像を形成することができる化学増幅型レジスト組
成物を提供することである。
線、遠紫外線、電子線、Ｘ線などに感応するレジスト材
料として種々の化学増幅型レジスト組成物が知られてお
り、これに用いられる酸発生剤も種々のものが知られて
いるが、いずれの酸発生剤も問題点を有し、十分に満足
できるというものではなかった。本発明の目的は、上述
の問題点を有しない、すなわち高感度でかつ高解像度を
有し、プロセス適用性、プロセス安定性に優れ、プロセ
ス依存性がなくしかも良好なパターン形状を有するレジ
スト画像を形成することができる化学増幅型レジスト組
成物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検
討、研究した結果、驚くべきことに上述のポジ型化学増
幅型レジスト組成物における酸発生剤として、オニウム
塩化合物の少なくとも１種と、スルホン化合物およびス
ルホネート化合物の少なくともいずれか一種とを併用し
て使用すること、さらに特定の塩基性化合物を組合わせ
て使用することにより、上記要求を満たすポジ型化学増
幅型レジスト組成物を得ることができることを見い出し
て本発明をなしたものである。
討、研究した結果、驚くべきことに上述のポジ型化学増
幅型レジスト組成物における酸発生剤として、オニウム
塩化合物の少なくとも１種と、スルホン化合物およびス
ルホネート化合物の少なくともいずれか一種とを併用し
て使用すること、さらに特定の塩基性化合物を組合わせ
て使用することにより、上記要求を満たすポジ型化学増
幅型レジスト組成物を得ることができることを見い出し
て本発明をなしたものである。
【０００７】即ち、本発明は、酸により遊離しうる置換
基を含有する有機物および放射線の照射により酸を発生
する化合物（酸発生剤）を含有し、放射線の照射により
発生した酸の触媒作用により、放射線照射部分のアルカ
リ現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成す
る化学増幅型レジスト組成物において、放射線の照射に
より酸を発生する化合物が、オニウム塩化合物の少なく
とも１種とスルホン化合物およびスルホネート化合物か
ら選ばれた少なくとも１種とからなることを特徴とする
化学増幅型レジスト組成物である。
基を含有する有機物および放射線の照射により酸を発生
する化合物（酸発生剤）を含有し、放射線の照射により
発生した酸の触媒作用により、放射線照射部分のアルカ
リ現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成す
る化学増幅型レジスト組成物において、放射線の照射に
より酸を発生する化合物が、オニウム塩化合物の少なく
とも１種とスルホン化合物およびスルホネート化合物か
ら選ばれた少なくとも１種とからなることを特徴とする
化学増幅型レジスト組成物である。
【０００８】また、本発明は、上記化学増幅型レジスト
組成物が、さらに塩基性化合物を含み、該化合物がスル
ホニウム化合物、ヨードニウム化合物およびアンモニウ
ム化合物から選ばれた少なくとも一種であることを特徴
とする化学増幅型レジスト組成物である。
組成物が、さらに塩基性化合物を含み、該化合物がスル
ホニウム化合物、ヨードニウム化合物およびアンモニウ
ム化合物から選ばれた少なくとも一種であることを特徴
とする化学増幅型レジスト組成物である。
【０００９】本発明においては、酸発生剤はオニウム塩
化合物の少なくとも１種とスルホン化合物およびスルホ
ネート化合物から選ばれた少なくとも１種からなるもの
であって、オニウム塩化合物の少なくとも１種とスルホ
ン化合物の少なくとも１種からなる場合、オニウム塩化
合物の少なくとも１種とスルホネート化合物の少なくと
も１種からなる場合およびオニウム塩化合物の少なくと
も１種、スルホン化合物の少なくとも１種およびスルホ
ネート化合物の少なくとも１種からなる場合の３態様を
包含するものである。これらオニウム塩化合物、スルホ
ン化合物およびスルホネート化合物は、酸発生剤として
の機能を有するものであればいずれのものも用いること
ができる。
化合物の少なくとも１種とスルホン化合物およびスルホ
ネート化合物から選ばれた少なくとも１種からなるもの
であって、オニウム塩化合物の少なくとも１種とスルホ
ン化合物の少なくとも１種からなる場合、オニウム塩化
合物の少なくとも１種とスルホネート化合物の少なくと
も１種からなる場合およびオニウム塩化合物の少なくと
も１種、スルホン化合物の少なくとも１種およびスルホ
ネート化合物の少なくとも１種からなる場合の３態様を
包含するものである。これらオニウム塩化合物、スルホ
ン化合物およびスルホネート化合物は、酸発生剤として
の機能を有するものであればいずれのものも用いること
ができる。
【００１０】本発明の化学増幅型レジスト組成物は、上
記のとおり化学増幅型レジスト組成物において酸発生剤
を特定するものであるが、該レジスト組成物にはさら
に、必要に応じ用いられる添加剤、特に好ましくは塩基
性化合物、および溶剤が含有される。また本発明におい
て酸により遊離しうる置換基を含有する有機物は、好ま
しくは、上記酸分解性基含有樹脂であり、これは上記酸
発生剤と共に用いられ、さらに補助的に上記溶解阻害剤
を含むことができる。
記のとおり化学増幅型レジスト組成物において酸発生剤
を特定するものであるが、該レジスト組成物にはさら
に、必要に応じ用いられる添加剤、特に好ましくは塩基
性化合物、および溶剤が含有される。また本発明におい
て酸により遊離しうる置換基を含有する有機物は、好ま
しくは、上記酸分解性基含有樹脂であり、これは上記酸
発生剤と共に用いられ、さらに補助的に上記溶解阻害剤
を含むことができる。
【００１１】以下、これらのレジスト組成物の構成成分
について更に詳細に説明する。酸分解性基含有樹脂 本発明における酸分解性基含有樹脂とは、フェノール性
水酸基、カルボキシル基等に代表されるアルカリ現像液
と親和性を示す官能基を有するアルカリ可溶性重合体
に、酸の存在下で遊離される置換基（酸分解性基）を付
加することにより、アルカリ不溶性または、アルカリ難
溶性の性質をもたせた樹脂のことをいう。アルカリ可溶
性重合体の例としては、下記式１か２で表される繰り返
し単位を有するビニル重合体、ノボラック樹脂に代表さ
れる、フェノール樹脂等があげられる。下記式１の具体
例としては、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシ
α−メチルスチレン、ポリヒドロキシメチルスチレン等
が、下記式２の具体例としては、アクリル酸または、メ
タクリル酸の単独または、共重合体があげられる。付加
させる酸分解性基の例としては、ビニルエーテル化合
物、ジアルキルカルボナートがあげられる。ビニルエー
テル化合物の具体例としては下記式３に示される化合物
で、更に詳しくは、イソプロペニルメチルエーテル、
３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、ブタンジオール−
１，４−ジビニルエーテル、エチレングリコールジビニ
ルエーテルまたは、トリエチレングリコールジビニルエ
ーテルなどがあげられる。ジアルキルカルボナートの具
体例としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルボナートなど
があげられる。アルカリ可溶性重合体、酸分解性基に関
しては、単独でも２種以上の組み合わせでも良い。
について更に詳細に説明する。酸分解性基含有樹脂 本発明における酸分解性基含有樹脂とは、フェノール性
水酸基、カルボキシル基等に代表されるアルカリ現像液
と親和性を示す官能基を有するアルカリ可溶性重合体
に、酸の存在下で遊離される置換基（酸分解性基）を付
加することにより、アルカリ不溶性または、アルカリ難
溶性の性質をもたせた樹脂のことをいう。アルカリ可溶
性重合体の例としては、下記式１か２で表される繰り返
し単位を有するビニル重合体、ノボラック樹脂に代表さ
れる、フェノール樹脂等があげられる。下記式１の具体
例としては、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシ
α−メチルスチレン、ポリヒドロキシメチルスチレン等
が、下記式２の具体例としては、アクリル酸または、メ
タクリル酸の単独または、共重合体があげられる。付加
させる酸分解性基の例としては、ビニルエーテル化合
物、ジアルキルカルボナートがあげられる。ビニルエー
テル化合物の具体例としては下記式３に示される化合物
で、更に詳しくは、イソプロペニルメチルエーテル、
３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、ブタンジオール−
１，４−ジビニルエーテル、エチレングリコールジビニ
ルエーテルまたは、トリエチレングリコールジビニルエ
ーテルなどがあげられる。ジアルキルカルボナートの具
体例としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルボナートなど
があげられる。アルカリ可溶性重合体、酸分解性基に関
しては、単独でも２種以上の組み合わせでも良い。
【００１２】
【化１】
【００１３】（式中、Ｒ1 は水素原子またはアルキル基
を表し、Ｒ2 はアルキル基を表し、ｍは０または１〜４
の整数である。）。
を表し、Ｒ2 はアルキル基を表し、ｍは０または１〜４
の整数である。）。
【００１４】
【化２】
【００１５】（式中、Ｒ3 は水素原子またはアルキル基
を表わす。）。
を表わす。）。
【００１６】 Ｃ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）＝Ｃ（Ｒ6 ）−Ｏ−Ｒ7 （３） （式中、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、は、各々独立して水素原子
または炭素数１〜６の直鎖状、分枝状、環状またはヘテ
ロ原子を含む環状のアルキル基を表し、Ｒ7 は、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシカルボニル
基、アルキルカルボニルアミノ基で置換されていてもよ
い炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状、環状またはヘテロ
原子を含む環状のアルキル基またはアラルキル基を表
す。）。
または炭素数１〜６の直鎖状、分枝状、環状またはヘテ
ロ原子を含む環状のアルキル基を表し、Ｒ7 は、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基、アラルキルオキシカルボニル
基、アルキルカルボニルアミノ基で置換されていてもよ
い炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状、環状またはヘテロ
原子を含む環状のアルキル基またはアラルキル基を表
す。）。
【００１７】溶解阻害剤 本発明における溶解阻害剤とは、それ自身も酸分解性の
保護基を含有し、酸分解性基含有樹脂のアルカリ現像液
への溶解性を制御し、酸の存在下で分解した後は、とも
に分解してアルカリ可溶性に変じた酸分解性基含有樹脂
の溶解性を促進させる効果をもつ物質のことをいう。こ
のような溶解阻害剤として代表的なものとしては例えば
ジブトキシカルボニルビスフェノールＡ，ジブトキシカ
ルボニルビスフェノールＦ、４−ｔ−ブトキシカルボニ
ルフェニル、ｔ−ブチルコレート、ｔ−ブチルデオキシ
コレート、または下記式４に示されるような、ジフェノ
ール酸第三級ブチルエステル誘導体、もしくは下記式５
に示されるような化合物があげられる。代表的なものと
しては、ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチロキシ
−２，５−ジメチルフェニル）メチル−４−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチロキシベンゼンなどがあげられる。
保護基を含有し、酸分解性基含有樹脂のアルカリ現像液
への溶解性を制御し、酸の存在下で分解した後は、とも
に分解してアルカリ可溶性に変じた酸分解性基含有樹脂
の溶解性を促進させる効果をもつ物質のことをいう。こ
のような溶解阻害剤として代表的なものとしては例えば
ジブトキシカルボニルビスフェノールＡ，ジブトキシカ
ルボニルビスフェノールＦ、４−ｔ−ブトキシカルボニ
ルフェニル、ｔ−ブチルコレート、ｔ−ブチルデオキシ
コレート、または下記式４に示されるような、ジフェノ
ール酸第三級ブチルエステル誘導体、もしくは下記式５
に示されるような化合物があげられる。代表的なものと
しては、ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチロキシ
−２，５−ジメチルフェニル）メチル−４−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチロキシベンゼンなどがあげられる。
【００１８】
【化４】
【００１９】（式中、Ｒ11は、酸性条件下で容易に脱離
可能な保護基を表し、Ｒ12は、水素原子、低級アルキル
基またはアルコキシ基を表す。）
可能な保護基を表し、Ｒ12は、水素原子、低級アルキル
基またはアルコキシ基を表す。）
【００２０】
【化５】
【００２１】（式中、Ｒ21は、水素原子、炭素数４以下
のアルキル基、フェニル基、ナフチル基または−（ＣＨ
2 ）X −ＣＯＯＺ基を表し、複数存在するＲ21は相互に
同一でも異なってもよく、Ｚは、アルコキシアルキル
基、環式エーテル基、ビニルオキシアルキル基またはｔ
−アルコキシカルボニルアルキル基を表し、複数存在す
るＺは相互に同一でも異なってもよく、ｘは０〜４の整
数である。またＲ22は、水素原子、炭素数６以下のアル
キル基、炭素数６以下のアシル基、フェニル基、ナフチ
ル基または−（ＣＨ2 ）X −ＣＯＯＺ基で、ｘおよびＺ
は前記と同一の基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒおよびｓ
は０以上の整数で、ｍ＋ｎ≦５、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦
５、ｎ＋ｑ＋ｓ≧１の関係を満たす。）。
のアルキル基、フェニル基、ナフチル基または−（ＣＨ
2 ）X −ＣＯＯＺ基を表し、複数存在するＲ21は相互に
同一でも異なってもよく、Ｚは、アルコキシアルキル
基、環式エーテル基、ビニルオキシアルキル基またはｔ
−アルコキシカルボニルアルキル基を表し、複数存在す
るＺは相互に同一でも異なってもよく、ｘは０〜４の整
数である。またＲ22は、水素原子、炭素数６以下のアル
キル基、炭素数６以下のアシル基、フェニル基、ナフチ
ル基または−（ＣＨ2 ）X −ＣＯＯＺ基で、ｘおよびＺ
は前記と同一の基を表し、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒおよびｓ
は０以上の整数で、ｍ＋ｎ≦５、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦
５、ｎ＋ｑ＋ｓ≧１の関係を満たす。）。
【００２２】酸分解性基含有樹脂と溶解阻害剤の割合
は、酸分解性基含有樹脂１０重量部に対し溶解阻害剤５
〜４０重量部が好ましい。
は、酸分解性基含有樹脂１０重量部に対し溶解阻害剤５
〜４０重量部が好ましい。
【００２３】酸発生剤 （オニウム塩化合物）本発明において酸発生剤として用
いられるオニウム塩化合物は、放射線の照射により酸を
発生するものであればどのようなものでもよく、例えば
スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ホスホ
ニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ピリジニウム
塩化合物等をあげることができる。これらオニウム塩化
合物の中ではスルホニウム塩化合物およびヨードニウム
塩化合物が好ましく、スルホニウム塩化合物が特に好ま
しい。本発明において使用することができるスルホニウ
ム塩化合物およびヨードニウム塩化合物を例示すると次
のようなものである。
いられるオニウム塩化合物は、放射線の照射により酸を
発生するものであればどのようなものでもよく、例えば
スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ホスホ
ニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ピリジニウム
塩化合物等をあげることができる。これらオニウム塩化
合物の中ではスルホニウム塩化合物およびヨードニウム
塩化合物が好ましく、スルホニウム塩化合物が特に好ま
しい。本発明において使用することができるスルホニウ
ム塩化合物およびヨードニウム塩化合物を例示すると次
のようなものである。
【００２４】（イ）スルホニウム塩化合物 トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムプロピオネート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムフェニルスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム４−メチルフェニルスル
ホネート、トリフェニルスルホニウム４−メトキシフェ
ニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−クロ
ロフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムカ
ンフォスルホネート、４−メチルフェニル−ジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
（４−メチルフェニル）−フェニルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、トリス−４−メチルフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−
ｔ−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−メトキシフェニル−ジフ
ェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
メシチルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（４−ク
ロロフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニル）ス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチ
ルフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプ
ロパンスルホネート、ビス（４−メチルフェニル）−フ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネー
ト、トリス−４−メチルフェニルスルホニウムヘキサフ
ルオロプロパンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスル
ホネート、４−メトキシフェニル−ジフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、メシチル−
ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホ
ネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（４−ク
ロロフェニル）−フェニルスルホニウムヘキサフルオロ
プロパンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニ
ル）スルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート
等。
ェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムプロピオネート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムフェニルスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム４−メチルフェニルスル
ホネート、トリフェニルスルホニウム４−メトキシフェ
ニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−クロ
ロフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムカ
ンフォスルホネート、４−メチルフェニル−ジフェニル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス
（４−メチルフェニル）−フェニルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、トリス−４−メチルフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−
ｔ−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−メトキシフェニル−ジフ
ェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
メシチルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス−（４−ク
ロロフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニル）ス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチ
ルフェニル−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプ
ロパンスルホネート、ビス（４−メチルフェニル）−フ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネー
ト、トリス−４−メチルフェニルスルホニウムヘキサフ
ルオロプロパンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
−ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスル
ホネート、４−メトキシフェニル−ジフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、メシチル−
ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホ
ネート、４−クロロフェニル−ジフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（４−ク
ロロフェニル）−フェニルスルホニウムヘキサフルオロ
プロパンスルホネート、トリス−（４−クロロフェニ
ル）スルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート
等。
【００２５】（ロ）ヨードニウム塩化合物 ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロプロパンス
ルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−４−メチルフ
ェニルスルホネート、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（ｐ
−シクロヘキシルフェニル）ヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ビス−（ｐ−シクロヘキシルフェ
ニル）ヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート等。
ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロプロパンス
ルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−４−メチルフ
ェニルスルホネート、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ビス−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニ
ウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス−（ｐ
−シクロヘキシルフェニル）ヨードニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ビス−（ｐ−シクロヘキシルフェ
ニル）ヨードニウムヘキサフルオロプロパンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート等。
【００２６】上記スルホニウム化合物およびヨードニウ
ム化合物として特に好ましいものは、トリフェニルスル
ホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムプロ
ピオネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフレー
ト、ジフェニルヨードニウムトリフレートである。
ム化合物として特に好ましいものは、トリフェニルスル
ホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムプロ
ピオネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフレー
ト、ジフェニルヨードニウムトリフレートである。
【００２７】（スルホン化合物）また、スルホン化合物
としては、例えばβ−ケトスルホン、β−スルホニルス
ルホンおよびそれらのα−ジアゾ化合物などがあげられ
る。これらスルホン化合物を具体的に例示すると、 （イ）メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルメタ
ン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メ
チルフェニルスルホニル）メタン、ビス（３−メチルフ
ェニルスルホニル）メタン、ビス（４−エチルフェニル
スルホニル）メタン、ビス（２，４−ジメチルフェニル
スルホニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルス
ルホニル）メタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホ
ニル）メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニ
ル）メタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）メ
タン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）メタン、
ビスシクロヘキシルスルホニルメタンのようなビススル
ホニルメタン類； （ロ）ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（se
c −ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペ
ンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシ
ルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニ
ルエチルスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスル
ホニルｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン、メチルスル
ホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（フ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメ
チルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４
−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタンのよ
うなビススルホニルジアゾメタン類； （ハ）シクロヘキシルスルホニルシクロヘキシルカルボ
ニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルス
ルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジア
ゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，
３−ジメチルブタノン、１−アセチル−１−（１−メチ
ルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−
メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、ｐ−
トルエンスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメ
タン、１−ジアゾ−１−（４−メチルフェニルスルホニ
ル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、フェニルスル
ホニルフェニルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−
１−フェニルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタ
ノン、１−ジアゾ−（４−メチルフェニルスルホニル）
−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２−（４−
メチルフェニルスルホニル）シクロヘキシルアセテー
ト、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルア
セテート、２−ジアゾ−２−メチルスルホニルイソプロ
ピルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニル
ｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−（４−メチル
フェニルスルホニル）ｔ−ブチルアセテートのようなス
ルホニルカルボニルジアゾメタン類； （ニ）２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルホニ
ル）プロピオフェノン、２−シクロヘキシルカルボニル
−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２
−メタンスルホニル−２−メチル−４−メチルチオプロ
ピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（４−メチルフ
ェニルスルホニル）ペンタン−３−オンのようなスルホ
ニルカルボニルアルカン類などである。
としては、例えばβ−ケトスルホン、β−スルホニルス
ルホンおよびそれらのα−ジアゾ化合物などがあげられ
る。これらスルホン化合物を具体的に例示すると、 （イ）メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルメタ
ン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メ
チルフェニルスルホニル）メタン、ビス（３−メチルフ
ェニルスルホニル）メタン、ビス（４−エチルフェニル
スルホニル）メタン、ビス（２，４−ジメチルフェニル
スルホニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルス
ルホニル）メタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホ
ニル）メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニ
ル）メタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）メ
タン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）メタン、
ビスシクロヘキシルスルホニルメタンのようなビススル
ホニルメタン類； （ロ）ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（se
c −ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペ
ンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシ
ルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニ
ルエチルスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスル
ホニルｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン、メチルスル
ホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（フ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフ
ェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメ
チルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４
−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビ
ス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタンのよ
うなビススルホニルジアゾメタン類； （ハ）シクロヘキシルスルホニルシクロヘキシルカルボ
ニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルス
ルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジア
ゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，
３−ジメチルブタノン、１−アセチル−１−（１−メチ
ルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−
メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、ｐ−
トルエンスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメ
タン、１−ジアゾ−１−（４−メチルフェニルスルホニ
ル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、フェニルスル
ホニルフェニルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−
１−フェニルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタ
ノン、１−ジアゾ−（４−メチルフェニルスルホニル）
−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２−（４−
メチルフェニルスルホニル）シクロヘキシルアセテー
ト、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルア
セテート、２−ジアゾ−２−メチルスルホニルイソプロ
ピルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニル
ｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−（４−メチル
フェニルスルホニル）ｔ−ブチルアセテートのようなス
ルホニルカルボニルジアゾメタン類； （ニ）２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルホニ
ル）プロピオフェノン、２−シクロヘキシルカルボニル
−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２
−メタンスルホニル−２−メチル−４−メチルチオプロ
ピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（４−メチルフ
ェニルスルホニル）ペンタン−３−オンのようなスルホ
ニルカルボニルアルカン類などである。
【００２８】これら例示の化合物の中で特に好ましいも
のは、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビ
スフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシ
ルスルホニルメタン、ビスフェニルスルホニルメタンな
どである。
のは、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビ
スフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシ
ルスルホニルメタン、ビスフェニルスルホニルメタンな
どである。
【００２９】（スルホネート化合物）スルホネート化合
物としては、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキ
ルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、
イミノスルホネートなどがあげられる。スルホネート化
合物を例示すると、例えば （イ）２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，４−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホネートのようなニトロベンジルスルホネート
類； （ロ）ピロガロールトリスメタンスルホネート、ピロガ
ロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガ
ロールトリスフェニルスルホネート、ピロガロールトリ
ス−４−メチルフェニルスルホネート、ピロガロールト
リス−４−メトキシフェニルスルホネート、ピロガロー
ルトリス−２，４，６−トリメチルフェニルスルホネー
ト、ピロガロールトリスベンジルスルホネート、および
没食子酸エステル類、カテコール、レゾルシノールある
いはヒドロキノンから誘導された同様の化合物のような
アルキルおよびアリールスルホネート類； （ハ）ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレートの
ようなベンゾインスルホネート類； （ニ）２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメ
チル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−クロロ
ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１
−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−クロ
ロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−
１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−
（２−フェノキシエトキシ）−ベンゼンスルホネート、
２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−
１−（４−ビニルフェニル）−エチルナフタレン−２−
スルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニ
ル−１−トリフルオロメチルエチルプロパンスルホネー
ト、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチ
ル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−ブトキシ
ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１
−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル３，
５−ジクロロベンゼンスルホネート、１，３−ビス−
（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオ
キシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼン、１，
４−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンス
ルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベン
ゼンのようなスルホン酸エステル類； （ホ）Ｎ−カンファースルホニルオキシナフタルイミ
ド、Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタル
イミド、トリフルオロメチルスルホニルビシクロ−
（２，２，１）−ヘプト−５−エン−２，３−カルボキ
シイミドのようなＮ−スルホニルオキシイミド類などで
ある。
物としては、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキ
ルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、
イミノスルホネートなどがあげられる。スルホネート化
合物を例示すると、例えば （イ）２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，４−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルフェ
ニルスルホネートのようなニトロベンジルスルホネート
類； （ロ）ピロガロールトリスメタンスルホネート、ピロガ
ロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガ
ロールトリスフェニルスルホネート、ピロガロールトリ
ス−４−メチルフェニルスルホネート、ピロガロールト
リス−４−メトキシフェニルスルホネート、ピロガロー
ルトリス−２，４，６−トリメチルフェニルスルホネー
ト、ピロガロールトリスベンジルスルホネート、および
没食子酸エステル類、カテコール、レゾルシノールある
いはヒドロキノンから誘導された同様の化合物のような
アルキルおよびアリールスルホネート類； （ハ）ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレートの
ようなベンゾインスルホネート類； （ニ）２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメ
チル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−クロロ
ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１
−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−クロ
ロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−
１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−
（２−フェノキシエトキシ）−ベンゼンスルホネート、
２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−
１−（４−ビニルフェニル）−エチルナフタレン−２−
スルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニ
ル−１−トリフルオロメチルエチルプロパンスルホネー
ト、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチ
ル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−ブトキシ
ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１
−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル３，
５−ジクロロベンゼンスルホネート、１，３−ビス−
（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオ
キシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼン、１，
４−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンス
ルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベン
ゼンのようなスルホン酸エステル類； （ホ）Ｎ−カンファースルホニルオキシナフタルイミ
ド、Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタル
イミド、トリフルオロメチルスルホニルビシクロ−
（２，２，１）−ヘプト−５−エン−２，３−カルボキ
シイミドのようなＮ−スルホニルオキシイミド類などで
ある。
【００３０】これら例示の化合物の中で特に好ましいも
のは、ピロガロールトリストリフレート、ベンゾイント
シレートなどである。
のは、ピロガロールトリストリフレート、ベンゾイント
シレートなどである。
【００３１】上記オニウム塩化合物、スルホン化合物お
よびスルホネート化合物の化学増幅型レジスト組成物中
における含有量は、本発明の目的を達成しうる範囲の量
であればいずれのものであってもよい。一般的には、化
学増幅型レジスト組成物中の酸により遊離しうる置換基
を含有する有機物１００重量部に対して、オニウム塩化
合物は、０．５〜１０重量部、スルホン化合物は、１〜
１０重量部、スルホネート化合物は、１〜１０重量部用
いられる。オニウム塩化合物とスルホン化合物、スルホ
ネート化合物の混合比は、酸により遊離しうる置換基を
含有する有機物１００重量部に対して、オニウム塩化合
物０．１〜５重量部、更に好ましくは０．５〜２重量部
およびスルホン化合物およびスルホネート化合物は、両
者の合計総量として、０．５〜１０重量部であることが
好ましい。スルホン化合物およびスルホネート化合物の
更に好ましい範囲は、スルホン化合物、スルホネート化
合物が酸発生効率の良いものである場合には、０．５〜
５重量部であり、酸発生効率の悪いものである場合に
は、３〜１０重量部である。なお、例えばスルホン化合
物の１種の化合物のみが用いられるときには、前記「両
者の合計総量」は、該１種の化合物の量となる。上記含
有量において、オニウム塩化合物の含有量が０．１重量
部より少ない場合には、孤立パターンと密集パターンの
線幅の寸法差が大きくなる等オニウム化合物とスルホン
化合物および／またはスルホネート化合物との併用によ
る効果があまり見られず、またオニウム塩化合物の量が
５重量部を越える場合には、形成されたパターンの断面
がＴ−トップ形状を呈し、テーパー状となる等併用の効
果が殆ど見られなくなるか、併用の効果が見られたとし
ても現像時にスカムが発生する等他の欠点が出るように
なる。また、スルホン化合物およびスルホネート化合物
については、その量が０．５重量部より少ない場合に
は、顕著なスタンディングウエーブが形成される等オニ
ウム塩化合物との併用による効果が殆ど見られず、また
１０重量部を越える場合には、孤立パターンと密集パタ
ーンの線幅の寸法差が大きくなるとかパターンの断面形
状がテーパー状を呈するなどの欠点がでたり、またオニ
ウム化合物とスルホン化合物および／またはスルホネー
ト化合物との併用の効果が見られたとしても現像時にス
カムが発生する等他の欠点が出るようになる。また、ス
ルホン化合物およびスルホネート化合物の混合比率（重
量）は、１：０．５〜１：１０が好ましい。更に、酸発
生剤全量としては、酸により遊離しうる置換基を含有す
る有機物１００重量部に対し１〜１０重量部用いるのが
好ましい。
よびスルホネート化合物の化学増幅型レジスト組成物中
における含有量は、本発明の目的を達成しうる範囲の量
であればいずれのものであってもよい。一般的には、化
学増幅型レジスト組成物中の酸により遊離しうる置換基
を含有する有機物１００重量部に対して、オニウム塩化
合物は、０．５〜１０重量部、スルホン化合物は、１〜
１０重量部、スルホネート化合物は、１〜１０重量部用
いられる。オニウム塩化合物とスルホン化合物、スルホ
ネート化合物の混合比は、酸により遊離しうる置換基を
含有する有機物１００重量部に対して、オニウム塩化合
物０．１〜５重量部、更に好ましくは０．５〜２重量部
およびスルホン化合物およびスルホネート化合物は、両
者の合計総量として、０．５〜１０重量部であることが
好ましい。スルホン化合物およびスルホネート化合物の
更に好ましい範囲は、スルホン化合物、スルホネート化
合物が酸発生効率の良いものである場合には、０．５〜
５重量部であり、酸発生効率の悪いものである場合に
は、３〜１０重量部である。なお、例えばスルホン化合
物の１種の化合物のみが用いられるときには、前記「両
者の合計総量」は、該１種の化合物の量となる。上記含
有量において、オニウム塩化合物の含有量が０．１重量
部より少ない場合には、孤立パターンと密集パターンの
線幅の寸法差が大きくなる等オニウム化合物とスルホン
化合物および／またはスルホネート化合物との併用によ
る効果があまり見られず、またオニウム塩化合物の量が
５重量部を越える場合には、形成されたパターンの断面
がＴ−トップ形状を呈し、テーパー状となる等併用の効
果が殆ど見られなくなるか、併用の効果が見られたとし
ても現像時にスカムが発生する等他の欠点が出るように
なる。また、スルホン化合物およびスルホネート化合物
については、その量が０．５重量部より少ない場合に
は、顕著なスタンディングウエーブが形成される等オニ
ウム塩化合物との併用による効果が殆ど見られず、また
１０重量部を越える場合には、孤立パターンと密集パタ
ーンの線幅の寸法差が大きくなるとかパターンの断面形
状がテーパー状を呈するなどの欠点がでたり、またオニ
ウム化合物とスルホン化合物および／またはスルホネー
ト化合物との併用の効果が見られたとしても現像時にス
カムが発生する等他の欠点が出るようになる。また、ス
ルホン化合物およびスルホネート化合物の混合比率（重
量）は、１：０．５〜１：１０が好ましい。更に、酸発
生剤全量としては、酸により遊離しうる置換基を含有す
る有機物１００重量部に対し１〜１０重量部用いるのが
好ましい。
【００３２】なお、本発明において「酸発生効率が良
い」とは、そのもの単体を酸発生剤として使用した場合
高感度（通常５０ｍＪ／ｃｍ2 以下）であることをい
い、「酸発生効率が悪い」とは、その反対で、単体その
ものを酸発生剤として使用した場合、低感度（通常５０
ｍＪ／ｃｍ2 以上）であることをいう。上記酸発生効率
のよいスルホン化合物およびスルホネート化合物として
は、例えばビスフェニルスルホニルジアゾメタンのよう
な分子中にジアゾ基を有するものなどがあげられ、酸発
生効率の悪いものとしては分子中にジアゾ基を有さない
ビスシクロヘキシルスルホニルメタン、ビスフェニルス
ルホニルメタンなどがあげられる。
い」とは、そのもの単体を酸発生剤として使用した場合
高感度（通常５０ｍＪ／ｃｍ2 以下）であることをい
い、「酸発生効率が悪い」とは、その反対で、単体その
ものを酸発生剤として使用した場合、低感度（通常５０
ｍＪ／ｃｍ2 以上）であることをいう。上記酸発生効率
のよいスルホン化合物およびスルホネート化合物として
は、例えばビスフェニルスルホニルジアゾメタンのよう
な分子中にジアゾ基を有するものなどがあげられ、酸発
生効率の悪いものとしては分子中にジアゾ基を有さない
ビスシクロヘキシルスルホニルメタン、ビスフェニルス
ルホニルメタンなどがあげられる。
【００３３】本発明においては、オニウム塩化合物と、
スルホン化合物および／またはスルホネート化合物とを
併用することにより、その混合量を最適化することによ
り、各々の酸発生剤が有する欠点がなく、また未露光部
では現像抑止効果が強く、露光部では現像剤に対する溶
解性の高いパターン画像が形成され、高解像度の現像パ
ターンを形成することができる。
スルホン化合物および／またはスルホネート化合物とを
併用することにより、その混合量を最適化することによ
り、各々の酸発生剤が有する欠点がなく、また未露光部
では現像抑止効果が強く、露光部では現像剤に対する溶
解性の高いパターン画像が形成され、高解像度の現像パ
ターンを形成することができる。
【００３４】塩基性化合物 塩基性化合物としては、放射線の照射により分解される
放射線感応性塩基性化合物、あるいは放射線非感応性の
塩基性化合物のいずれをも用いることができる。塩基性
化合物を添加することにより、パターンを形成する際種
々の遅延時間間隔で処理工程が行われてもパターン特性
の悪化を抑えることができ、また露光部で生成された酸
が未露光部に拡散することによるコントラストの低下を
防止することもできるために、その添加が好ましいもの
である。塩基性化合物は、酸により遊離しうる置換基を
含有する有機物１００重量部に対して０．０５〜１０重
量部添加することが望ましい。そして、放射線感応性塩
基性化合物としては、スルホニウム化合物、ヨードニウ
ム化合物が用いられる。スルホニウム化合物としては、
下記一般式Ｉ〜ＩＶで示される化合物が好ましい。
放射線感応性塩基性化合物、あるいは放射線非感応性の
塩基性化合物のいずれをも用いることができる。塩基性
化合物を添加することにより、パターンを形成する際種
々の遅延時間間隔で処理工程が行われてもパターン特性
の悪化を抑えることができ、また露光部で生成された酸
が未露光部に拡散することによるコントラストの低下を
防止することもできるために、その添加が好ましいもの
である。塩基性化合物は、酸により遊離しうる置換基を
含有する有機物１００重量部に対して０．０５〜１０重
量部添加することが望ましい。そして、放射線感応性塩
基性化合物としては、スルホニウム化合物、ヨードニウ
ム化合物が用いられる。スルホニウム化合物としては、
下記一般式Ｉ〜ＩＶで示される化合物が好ましい。
【００３５】
【化６】
【００３６】（式中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33は、おのおのＣ
1 〜Ｃ18アルキル、アリール、ヘテロアリールを表す
か、あるいはアルキル、アルキルアリール、ハロゲン、
アルコキシ、フェノキシ、チオフェノール、フェニルス
ルホニルまたはフェニルスルフェニルによりモノ、ジま
たはトリ置換されたアリールを表し、Ｙは、ｍが０また
は１である（ＣＨ2 ）m 、ＯまたはＳを表し、Ｒ34、Ｒ
35、Ｒ36、Ｒ37は、おのおのＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アル
コキシ、ハロゲンを表し、ｎは、５または６であり、Ｘ
1 は、ｐＫB 値が−３〜＋５である塩基性陰イオンを表
す。）。
1 〜Ｃ18アルキル、アリール、ヘテロアリールを表す
か、あるいはアルキル、アルキルアリール、ハロゲン、
アルコキシ、フェノキシ、チオフェノール、フェニルス
ルホニルまたはフェニルスルフェニルによりモノ、ジま
たはトリ置換されたアリールを表し、Ｙは、ｍが０また
は１である（ＣＨ2 ）m 、ＯまたはＳを表し、Ｒ34、Ｒ
35、Ｒ36、Ｒ37は、おのおのＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アル
コキシ、ハロゲンを表し、ｎは、５または６であり、Ｘ
1 は、ｐＫB 値が−３〜＋５である塩基性陰イオンを表
す。）。
【００３７】上記一般式Ｉ〜ＩＶで示されるスルホニウ
ム化合物として好ましいものは、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33が、
おのおのメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、フェニル、ビフェニル、トリル、キシリル、クロ
ロフェニル、ブロモフェニル、メトキシフェニル、エト
キシフェニル、プロピルオキシフェニル、ブチルオキシ
フェニル、ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル、フェノキ
シフェニル、チオフェノキシフェニル、フェノキシフェ
ニル、チオフェノキシフェニル、フェニルスルホニルフ
ェニルで、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37が、おのおのＣ1 〜
Ｃ4 アルキル、メトキシ、エトキシ、塩素または臭素
で、Ｘ1 が、水酸基、ＯＲ（ＲはＣ1 〜Ｃ4 アルキ
ル）、ＯＣＯＲ’（Ｒ’はＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アリー
ル、アルキルアリール）、ＯＣＯＯ- 、ＯＳＯＯ- で表
されるものである。
ム化合物として好ましいものは、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33が、
おのおのメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、フェニル、ビフェニル、トリル、キシリル、クロ
ロフェニル、ブロモフェニル、メトキシフェニル、エト
キシフェニル、プロピルオキシフェニル、ブチルオキシ
フェニル、ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル、フェノキ
シフェニル、チオフェノキシフェニル、フェノキシフェ
ニル、チオフェノキシフェニル、フェニルスルホニルフ
ェニルで、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37が、おのおのＣ1 〜
Ｃ4 アルキル、メトキシ、エトキシ、塩素または臭素
で、Ｘ1 が、水酸基、ＯＲ（ＲはＣ1 〜Ｃ4 アルキ
ル）、ＯＣＯＲ’（Ｒ’はＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アリー
ル、アルキルアリール）、ＯＣＯＯ- 、ＯＳＯＯ- で表
されるものである。
【００３８】一方、ヨードニウム化合物としては、下記
一般式Ｖ〜ＶＩＩで示される化合物が好ましい。
一般式Ｖ〜ＶＩＩで示される化合物が好ましい。
【００３９】
【化７】
【００４０】（式中、Ｒ41、Ｒ42は、おのおのＣ1 〜Ｃ
18アルキル、アリール、ヘテロアリールを表すか、ある
いはアルキル、アリール、ハロゲン、アルコキシ、フェ
ノキシ、チオフェノール、フェニルスルホニルまたはフ
ェニルスルフェニルによりモノ、ジまたはトリ置換され
たアリールを表し、Ｙは、ｍが０または１である（ＣＨ
2 ）m 、ＯまたはＳを表し、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ
46は、おのおのＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アルコキシまたは
ハロゲンを表し、ｎは、５または６であり、Ｘ2 は、ｐ
ＫB 値が−３〜＋５である塩基性陰イオンを表す。）。
18アルキル、アリール、ヘテロアリールを表すか、ある
いはアルキル、アリール、ハロゲン、アルコキシ、フェ
ノキシ、チオフェノール、フェニルスルホニルまたはフ
ェニルスルフェニルによりモノ、ジまたはトリ置換され
たアリールを表し、Ｙは、ｍが０または１である（ＣＨ
2 ）m 、ＯまたはＳを表し、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ
46は、おのおのＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アルコキシまたは
ハロゲンを表し、ｎは、５または６であり、Ｘ2 は、ｐ
ＫB 値が−３〜＋５である塩基性陰イオンを表す。）。
【００４１】上記一般式Ｖ〜ＶＩＩで示されるヨードニ
ウム化合物として好ましいものは、Ｒ41、Ｒ42が、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、フェニ
ル、ビフェニル、トリル、キシリル、クロロフェニル、
ブロモフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、プロピルオキシフェニル、ブチルオキシフェニル、
ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル、フェノキシフェニ
ル、チオフェノキシフェニル、フェノキシフェニル、チ
オフェノキシフェニル、フェニルスルホニルフェニル
で、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46が、おのおのＣ1 〜Ｃ4 ア
ルキル、メトキシ、エトキシ、塩素または臭素で、Ｘ
が、水酸基、ＯＲ（ＲはＣ1 〜Ｃ4 アルキル）、ＯＣＯ
Ｒ’（Ｒ’はＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アリール、アルキル
アリール）、ＯＣＯＯ- 、ＯＳＯＯ- で表されるもので
ある。
ウム化合物として好ましいものは、Ｒ41、Ｒ42が、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、フェニ
ル、ビフェニル、トリル、キシリル、クロロフェニル、
ブロモフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、プロピルオキシフェニル、ブチルオキシフェニル、
ｔｅｒｔ−ブチルオキシフェニル、フェノキシフェニ
ル、チオフェノキシフェニル、フェノキシフェニル、チ
オフェノキシフェニル、フェニルスルホニルフェニル
で、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46が、おのおのＣ1 〜Ｃ4 ア
ルキル、メトキシ、エトキシ、塩素または臭素で、Ｘ
が、水酸基、ＯＲ（ＲはＣ1 〜Ｃ4 アルキル）、ＯＣＯ
Ｒ’（Ｒ’はＣ1 〜Ｃ4 アルキル、アリール、アルキル
アリール）、ＯＣＯＯ- 、ＯＳＯＯ- で表されるもので
ある。
【００４２】上記スルホニウム化合物、ヨードニウム化
合物として特に好ましいものとしては、例えば、水酸化
トリフェニルスルホニウム、トリフェニルスルホニウム
アセテート、トリフェニルスルホニウムフェノレート、
水酸化トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウム、
トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムアセテー
ト、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムフェ
ノレート、水酸化ジフェニルヨードニウム、ジフェニル
ヨードニウムアセテート、ジフェニルヨードニウムフェ
ノレート、水酸化ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムアセテート、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムフェノレートなどがあげられる。
合物として特に好ましいものとしては、例えば、水酸化
トリフェニルスルホニウム、トリフェニルスルホニウム
アセテート、トリフェニルスルホニウムフェノレート、
水酸化トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウム、
トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムアセテー
ト、トリス−（４−メチルフェニル）スルホニウムフェ
ノレート、水酸化ジフェニルヨードニウム、ジフェニル
ヨードニウムアセテート、ジフェニルヨードニウムフェ
ノレート、水酸化ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨード
ニウムアセテート、ビス−（４−ｔ−ブチルフェニル）
ヨードニウムフェノレートなどがあげられる。
【００４３】また、放射線非感応性塩基性化合物として
はアンモニウム化合物が用いられる。好ましいアンモニ
ウム化合物は、下記一般式ＶＩＩＩで示される第四級ア
ンモニウム塩である。 ［ＮＲ51Ｒ52Ｒ53Ｒ54］+ Ｘ3 - （ＶＩＩＩ） （式中、Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54は、おのおのＣ1 〜Ｃ
18アルキル、シクロアルキル、アルキルアリールまたは
アリール基を表し、その中で１個またはそれ以上の脂肪
族ＣＨ2 基が酸素原子により置き換えられていることが
でき、Ｘ3 は、ｐＫB 値が−３〜＋５である塩基性陰イ
オンである。）。
はアンモニウム化合物が用いられる。好ましいアンモニ
ウム化合物は、下記一般式ＶＩＩＩで示される第四級ア
ンモニウム塩である。 ［ＮＲ51Ｒ52Ｒ53Ｒ54］+ Ｘ3 - （ＶＩＩＩ） （式中、Ｒ51、Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54は、おのおのＣ1 〜Ｃ
18アルキル、シクロアルキル、アルキルアリールまたは
アリール基を表し、その中で１個またはそれ以上の脂肪
族ＣＨ2 基が酸素原子により置き換えられていることが
でき、Ｘ3 は、ｐＫB 値が−３〜＋５である塩基性陰イ
オンである。）。
【００４４】上記一般式Ｉで表される化合物としては、
Ｒ1 〜Ｒ4 が、おのおの、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、ドデシル、フェニル、ベンジル
であり、Ｘ3 が水酸基、ＯＲ（ＲはＣ1 〜Ｃ4 のアルキ
ル基）、ＯＣＯＲ”（Ｒ”はＣ1 〜Ｃ10のアルキルまた
はアリール基）またはＯＣＯＯ- 、ＯＳＯＯ- が好まし
く用いられ、特に好ましくは、水酸化テトラメチルアン
モニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムがあげられ
る。
Ｒ1 〜Ｒ4 が、おのおの、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、ドデシル、フェニル、ベンジル
であり、Ｘ3 が水酸基、ＯＲ（ＲはＣ1 〜Ｃ4 のアルキ
ル基）、ＯＣＯＲ”（Ｒ”はＣ1 〜Ｃ10のアルキルまた
はアリール基）またはＯＣＯＯ- 、ＯＳＯＯ- が好まし
く用いられ、特に好ましくは、水酸化テトラメチルアン
モニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムがあげられ
る。
【００４５】また、本発明においては上述の特定された
塩基性化合物に加えて、他の塩基性化合物を添加するこ
ともできる。たとえば、（イ）ｎ−ヘキシルアミン、ド
デシルアミン、アニリン、ジメチルアニリン、ジフェニ
ルアミン、トリフェニルアミン、ジアザビシクロオクタ
ン、ジアザビシクロウンデカンのようなアミン類、
（ロ）３−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、
ルチジン、２，６−ジ−ｔ−ブチルピリジンのような塩
基性複素環化合物、（ハ）４−メチルベンゼンスルホニ
ルヒドラジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホ
ニルヒドラジド）、１，３−ベンゼンジスルホニルヒド
ラジドのようなスルホニルヒドラジドなどがあげられ
る。これらその他の塩基性化合物は、１種あるいは２種
以上を併用して用いることができる。
塩基性化合物に加えて、他の塩基性化合物を添加するこ
ともできる。たとえば、（イ）ｎ−ヘキシルアミン、ド
デシルアミン、アニリン、ジメチルアニリン、ジフェニ
ルアミン、トリフェニルアミン、ジアザビシクロオクタ
ン、ジアザビシクロウンデカンのようなアミン類、
（ロ）３−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、
ルチジン、２，６−ジ−ｔ−ブチルピリジンのような塩
基性複素環化合物、（ハ）４−メチルベンゼンスルホニ
ルヒドラジド、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホ
ニルヒドラジド）、１，３−ベンゼンジスルホニルヒド
ラジドのようなスルホニルヒドラジドなどがあげられ
る。これらその他の塩基性化合物は、１種あるいは２種
以上を併用して用いることができる。
【００４６】また、本発明においては、酸発生剤と塩基
性化合物とが同種の化合物であることが好ましい。たと
えば両者がスルホニウム系化合物、ヨードニウム系化合
物の場合、感度等の保存安定性の点で良い効果が得られ
る。
性化合物とが同種の化合物であることが好ましい。たと
えば両者がスルホニウム系化合物、ヨードニウム系化合
物の場合、感度等の保存安定性の点で良い効果が得られ
る。
【００４７】その他の添加剤 上記塩基性化合物の他、化学増幅型レジスト組成物に
は、従来化学増幅型レジスト組成物の添加剤として用い
られている任意の添加剤を添加することができる。これ
ら添加剤としては、例えば、界面活性剤、増感剤、光吸
収剤、染料、顔料、有機カルボン酸、レベリング剤、安
定化剤、低分子量化合物、可塑剤などがあげられる。
は、従来化学増幅型レジスト組成物の添加剤として用い
られている任意の添加剤を添加することができる。これ
ら添加剤としては、例えば、界面活性剤、増感剤、光吸
収剤、染料、顔料、有機カルボン酸、レベリング剤、安
定化剤、低分子量化合物、可塑剤などがあげられる。
【００４８】例えば、界面活性剤は、化学増幅型レジス
ト組成物の塗布性の改善、ストリエーション発生防止、
現像性の改善等の作用を有し、例えばポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオ
キシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレングリコール
ジラウレート、ポリオキシエチレングリコールジステア
レート、またはそれらのフッ素置換体などが好ましく用
いられる。界面活性剤は、化学増幅型レジスト組成物中
の樹脂成分１００重量部当たり、通常２重量部以下で用
いられる。また、増感剤としては、アセトフェノン類、
ゼンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシ
ン、ローズベンガル、アントラセン類、ピレン類、フェ
ノチアジン類等があげられる。
ト組成物の塗布性の改善、ストリエーション発生防止、
現像性の改善等の作用を有し、例えばポリオキシエチレ
ンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオ
キシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレングリコール
ジラウレート、ポリオキシエチレングリコールジステア
レート、またはそれらのフッ素置換体などが好ましく用
いられる。界面活性剤は、化学増幅型レジスト組成物中
の樹脂成分１００重量部当たり、通常２重量部以下で用
いられる。また、増感剤としては、アセトフェノン類、
ゼンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシ
ン、ローズベンガル、アントラセン類、ピレン類、フェ
ノチアジン類等があげられる。
【００４９】溶剤 溶剤は、化学増幅型レジスト組成物中の各成分を溶解
し、均一なレジスト被膜を形成するものであればいずれ
のものでも用いることができる。
し、均一なレジスト被膜を形成するものであればいずれ
のものでも用いることができる。
【００５０】溶剤の具体的な例としては、エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテルおよびプロプレングリコールモノメチルエ
ーテルのようなグリコールエーテル類、エチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテートおよびプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
のようなグリコールエーテルアセテート類、エチルラク
テートのようなエステル類、アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンまたはシク
ロヘプタノンのようなケトン類があげられ、トルエンお
よびキシレンのような芳香族炭化水素類も、必要に応じ
使用することができる。ある場合には、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等を使用するす
ることもできる。これらの溶剤は、単独または２種以上
の混合形態で使用することができる。化学増幅型レジス
ト組成物中の全固形分含量は、５から５０重量％が好ま
しく、１０から２５重量％の範囲がより好ましい。
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテルおよびプロプレングリコールモノメチルエ
ーテルのようなグリコールエーテル類、エチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテートおよびプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
のようなグリコールエーテルアセテート類、エチルラク
テートのようなエステル類、アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンまたはシク
ロヘプタノンのようなケトン類があげられ、トルエンお
よびキシレンのような芳香族炭化水素類も、必要に応じ
使用することができる。ある場合には、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等を使用するす
ることもできる。これらの溶剤は、単独または２種以上
の混合形態で使用することができる。化学増幅型レジス
ト組成物中の全固形分含量は、５から５０重量％が好ま
しく、１０から２５重量％の範囲がより好ましい。
【００５１】レジストパターンの形成 本発明の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジストパ
ターンを形成するには、シリコンウエハーなどの基板上
に、化学増幅型レジスト組成物を回転塗布、流延塗布、
ロール塗布などにより塗布し、この塗布された基板をホ
ットプレート上で６０から１５０℃で例えば１から３分
間ベーキングすることにより、例えば３００−３０００
ｎｍの厚さを有する均一なレジスト被膜を形成し、この
レジスト膜にマスクを介しあるいは介することなく放射
線を照射し、所望のパターン像を投射する。その際に使
用される放射線は、使用する酸発生剤の種類に応じ遠紫
外線、Ｘ線、電子線等を適宜選択して使用する。また、
放射線の照射量も化学増幅型レジスト組成物の配合組成
に応じ、最適の結果が得られるように選定される。
ターンを形成するには、シリコンウエハーなどの基板上
に、化学増幅型レジスト組成物を回転塗布、流延塗布、
ロール塗布などにより塗布し、この塗布された基板をホ
ットプレート上で６０から１５０℃で例えば１から３分
間ベーキングすることにより、例えば３００−３０００
ｎｍの厚さを有する均一なレジスト被膜を形成し、この
レジスト膜にマスクを介しあるいは介することなく放射
線を照射し、所望のパターン像を投射する。その際に使
用される放射線は、使用する酸発生剤の種類に応じ遠紫
外線、Ｘ線、電子線等を適宜選択して使用する。また、
放射線の照射量も化学増幅型レジスト組成物の配合組成
に応じ、最適の結果が得られるように選定される。
【００５２】遠紫外線を用いる場合の露光光源、露光量
の一例をあげると、ＫｒＦエキシマレーザーから発生さ
れる２４８ｎｍの波長による１〜１００ｍＪ／ｃｍ2 の
露光量である。露光されたウエハーは、必要に応じホッ
トプレート上で、例えば５０〜１５０℃で１から３分間
ベーキング（ＰＥＢ）された後、２．３８重量％の水酸
化テトラメチルアンモニウム含有水溶液のようなアルカ
リ現像液で、約１から３分間、浸漬、スプレーあるいは
パドル現像法などの方法により現像される。このように
して、本発明の化学増幅型レジスト組成物を用いて所望
のポジのレジストパターンを形成することができる。な
お、アルカリ現像液としては、現像液中に金属イオンを
含有しない上記水酸化テトラメチルアンモニウム含有水
溶液が通常好ましいものとして用いられるが、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナト
リウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、エチルア
ミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジメチル
エタノールアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリ
ジンなど他のアルカリ性化合物の水溶液を用いることも
できる。アルカリ性化合物は、通常、１〜１０重量％、
好ましくは２〜５重量％の濃度となるように溶解して現
像液として使用する。また、現像液には、必要に応じメ
タノール、エタノール等の水溶性有機溶剤および界面活
性剤が適量添加される。また、アルカリ現像液で現像し
た後、通常水で洗浄される。
の一例をあげると、ＫｒＦエキシマレーザーから発生さ
れる２４８ｎｍの波長による１〜１００ｍＪ／ｃｍ2 の
露光量である。露光されたウエハーは、必要に応じホッ
トプレート上で、例えば５０〜１５０℃で１から３分間
ベーキング（ＰＥＢ）された後、２．３８重量％の水酸
化テトラメチルアンモニウム含有水溶液のようなアルカ
リ現像液で、約１から３分間、浸漬、スプレーあるいは
パドル現像法などの方法により現像される。このように
して、本発明の化学増幅型レジスト組成物を用いて所望
のポジのレジストパターンを形成することができる。な
お、アルカリ現像液としては、現像液中に金属イオンを
含有しない上記水酸化テトラメチルアンモニウム含有水
溶液が通常好ましいものとして用いられるが、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナト
リウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、エチルア
ミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジメチル
エタノールアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリ
ジンなど他のアルカリ性化合物の水溶液を用いることも
できる。アルカリ性化合物は、通常、１〜１０重量％、
好ましくは２〜５重量％の濃度となるように溶解して現
像液として使用する。また、現像液には、必要に応じメ
タノール、エタノール等の水溶性有機溶剤および界面活
性剤が適量添加される。また、アルカリ現像液で現像し
た後、通常水で洗浄される。
【００５３】
【発明の実施の形態】本発明を以下の実施例により更に
詳細に説明するが、本発明がこれら実施例により限定さ
れるものではない。
詳細に説明するが、本発明がこれら実施例により限定さ
れるものではない。
【００５４】実施例１フォトレジスト組成物の調整 ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒ
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェニルス
ルホニウムトリフレート０．５６７ｇ、ビスシクロヘキ
シルスルホニルジアゾメタン３．０ｇ、０．１ミリモル
／ｇのトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳ
Ａ）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート（ＰＧＭＥＡ）溶液７．９ｇおよびメガファック
（大日本インキ化学工業社製の界面活性剤：レジストの
塗布時の成膜、基板との親和性改良剤）０．０６ｇをＰ
ＧＭＥＡにより、固形分の比率が１５．５重量％となる
ように調整してレジスト溶液を得た。レジスト画像の形成 上記のレジスト溶液を半導体基板上に回転塗布し、９０
℃で６０秒間ダイレクトホットプレートでベークして、
０．６９０μｍの膜厚のレジスト膜を形成した。このレ
ジスト膜を２４８．４ｎｍＫｒＦエキシマレーザー光に
より、マスクを介し選択的に露光し、１１０℃で９０秒
間ダイレクトホットプレートでポストエクスポージャー
ベーク（ＰＥＢ）した後、アルカリ現像液（２．３８％
重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡ
Ｈ）水溶液）で６０秒間パドル現象することにより、シ
リコンウエハー上にポジ型のライン・アンド・スペース
パターンを得た。
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェニルス
ルホニウムトリフレート０．５６７ｇ、ビスシクロヘキ
シルスルホニルジアゾメタン３．０ｇ、０．１ミリモル
／ｇのトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳ
Ａ）のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート（ＰＧＭＥＡ）溶液７．９ｇおよびメガファック
（大日本インキ化学工業社製の界面活性剤：レジストの
塗布時の成膜、基板との親和性改良剤）０．０６ｇをＰ
ＧＭＥＡにより、固形分の比率が１５．５重量％となる
ように調整してレジスト溶液を得た。レジスト画像の形成 上記のレジスト溶液を半導体基板上に回転塗布し、９０
℃で６０秒間ダイレクトホットプレートでベークして、
０．６９０μｍの膜厚のレジスト膜を形成した。このレ
ジスト膜を２４８．４ｎｍＫｒＦエキシマレーザー光に
より、マスクを介し選択的に露光し、１１０℃で９０秒
間ダイレクトホットプレートでポストエクスポージャー
ベーク（ＰＥＢ）した後、アルカリ現像液（２．３８％
重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡ
Ｈ）水溶液）で６０秒間パドル現象することにより、シ
リコンウエハー上にポジ型のライン・アンド・スペース
パターンを得た。
【００５５】得られたポジ型パターンを、走査型電子顕
微鏡によってその線幅と断面形状を観測したところ、２
４ｍＪ／ｃｍ2 の露光量において、０．１８μｍ以下の
スタンディングウエーブのない良好な形状のパターンで
あった。
微鏡によってその線幅と断面形状を観測したところ、２
４ｍＪ／ｃｍ2 の露光量において、０．１８μｍ以下の
スタンディングウエーブのない良好な形状のパターンで
あった。
【００５６】比較例１フォトレジスト組成物の調整 ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒ
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェニルス
ルホニウムトリフレート１．５５０ｇ、０．１ミリモル
／ｇのトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳ
Ａ）のＰＧＭＥＡ溶液１８．０ｇおよびメガファック
０．０６ｇをＰＧＭＥＡにより、固形分の比率が１５．
５重量％となるように調整してレジスト溶液を得た。
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェニルス
ルホニウムトリフレート１．５５０ｇ、０．１ミリモル
／ｇのトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳ
Ａ）のＰＧＭＥＡ溶液１８．０ｇおよびメガファック
０．０６ｇをＰＧＭＥＡにより、固形分の比率が１５．
５重量％となるように調整してレジスト溶液を得た。
【００５７】実施例１と同様にして得られたポジ型パタ
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、３６ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．２０μｍ以下のパターンが形成されたが、かな
り顕著なスタンディングウエーブが観測された。
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、３６ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．２０μｍ以下のパターンが形成されたが、かな
り顕著なスタンディングウエーブが観測された。
【００５８】実施例２フォトレジスト組成物の調整 ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン３．０ｇに
替えて、ビスシクロヘキシルスルホニルメタン３．０ｇ
を用いた他は実施例１と同じくしてレジスト溶液を得
た。
替えて、ビスシクロヘキシルスルホニルメタン３．０ｇ
を用いた他は実施例１と同じくしてレジスト溶液を得
た。
【００５９】実施例１と同様にして得られたポジ型パタ
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、３８ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．１８μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンが得られた。また、その時の孤立
パターンと密集パターンの線幅の差は０．０２μｍであ
った。
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、３８ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．１８μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンが得られた。また、その時の孤立
パターンと密集パターンの線幅の差は０．０２μｍであ
った。
【００６０】比較例２フォトレジスト組成物の調整 ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒ
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、ビスシクロヘキ
シルスルホニルジアゾメタン５．０ｇ、０．１ミリモル
／ｇのトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳ
Ａ）のＰＧＭＥＡ溶液４．０ｇおよびメガファック０．
０６ｇをＰＧＭＥＡにより、固形分の比率が１５．５重
量％となるように調整してレジスト溶液を得た。
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、ビスシクロヘキ
シルスルホニルジアゾメタン５．０ｇ、０．１ミリモル
／ｇのトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳ
Ａ）のＰＧＭＥＡ溶液４．０ｇおよびメガファック０．
０６ｇをＰＧＭＥＡにより、固形分の比率が１５．５重
量％となるように調整してレジスト溶液を得た。
【００６１】実施例１と同様にして得られたポジ型パタ
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、１８ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．２０μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンであった。しかし、その時の孤立
パターンと密集パターンの線幅の差は、０．０９μｍで
あった。
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、１８ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．２０μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンであった。しかし、その時の孤立
パターンと密集パターンの線幅の差は、０．０９μｍで
あった。
【００６２】実施例３フォトレジスト組成物の調整 ポリ［ｐ−ブトキシカルボニルオキシメチルスチレン−
ｐ−ヒドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート１．０ｇ、ビスシクロヘ
キシルスルホニルジアゾメタン３．０ｇ、ビスシクロヘ
キシルスルホニルメタン３．０ｇ、０．１ミリモル／ｇ
のトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳＡ）の
ＰＧＭＥＡ溶液７．９ｇ、メガファック０．０６ｇをＰ
ＧＭＥＡにより、固形分の比率を１５．５重量％に調整
してレジスト溶液を得た。
ｐ−ヒドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェ
ニルスルホニウムトリフレート１．０ｇ、ビスシクロヘ
キシルスルホニルジアゾメタン３．０ｇ、ビスシクロヘ
キシルスルホニルメタン３．０ｇ、０．１ミリモル／ｇ
のトリフェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳＡ）の
ＰＧＭＥＡ溶液７．９ｇ、メガファック０．０６ｇをＰ
ＧＭＥＡにより、固形分の比率を１５．５重量％に調整
してレジスト溶液を得た。
【００６３】実施例１と同様にして得られたポジ型パタ
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、３０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．１８μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンであった。
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、３０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．１８μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンであった。
【００６４】実施例４フォトレジスト組成物の調整 ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒ
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェニルス
ルホニウムトリフレート０．５６７ｇ、ビスシクロヘキ
シルスルホニルジアゾメタン１．０ｇ、ピロガロールト
リストリフレート０．５ｇ、０．１ミリモル／ｇのトリ
フェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳＡ）のＰＧＭ
ＥＡ溶液７．９ｇ、メガファック０．０６ｇをＰＧＭＥ
Ａにより、固形分の比率を１５．５重量％に調整してレ
ジスト溶液を得た。
ドロキシスチレン］１００ｇに対して、トリフェニルス
ルホニウムトリフレート０．５６７ｇ、ビスシクロヘキ
シルスルホニルジアゾメタン１．０ｇ、ピロガロールト
リストリフレート０．５ｇ、０．１ミリモル／ｇのトリ
フェニルスルホニウムアセテート（ＴＰＳＡ）のＰＧＭ
ＥＡ溶液７．９ｇ、メガファック０．０６ｇをＰＧＭＥ
Ａにより、固形分の比率を１５．５重量％に調整してレ
ジスト溶液を得た。
【００６５】実施例１と同様にして得られたポジ型パタ
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、２０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．１８μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンであった。
ーンを、走査型電子顕微鏡によってその線幅と断面形状
を観測したところ、２０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量におい
て、０．１８μｍ以下のスタンディングウエーブのない
良好な形状のパターンであった。
【００６６】
【発明の効果】この発明の化学増幅型レジスト組成物
は、高感度であるとともに高解像度を示し、プロセス適
応性、プロセス安定性に優れ、またＴトップの形成、孤
立パターンと密集パターンの線幅の差，スタンディング
ウエーブのない良好なレジストパターンを形成すること
ができる。
は、高感度であるとともに高解像度を示し、プロセス適
応性、プロセス安定性に優れ、またＴトップの形成、孤
立パターンと密集パターンの線幅の差，スタンディング
ウエーブのない良好なレジストパターンを形成すること
ができる。
Claims (8)
- 【請求項１】酸により遊離しうる置換基を含有する有機
物および放射線の照射により酸を発生する化合物を含有
し、放射線の照射により発生した酸の触媒作用により、
放射線照射部分のアルカリ現像液に対する溶解性を変化
させてパターンを形成する化学増幅型レジスト組成物に
おいて、放射線の照射により酸を発生する化合物が、オ
ニウム塩化合物の少なくとも１種とスルホン化合物およ
びスルホネート化合物から選ばれた少なくとも１種とか
らなることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。 - 【請求項２】請求項１記載の化学増幅型レジスト組成物
において、化学増幅型レジスト組成物がさらに塩基性化
合物を含み、該化合物がスルホニウム化合物、ヨードニ
ウム化合物、アンモニウム化合物の少なくとも一種であ
ることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。 - 【請求項３】請求項１記載の化学増幅型レジスト組成物
において、酸により遊離しうる置換基を含有する有機物
が、酸により遊離しうる置換基で保護されたアルカリ不
溶性樹脂またはアルカリ難溶性樹脂からなることを特徴
とする化学増幅型レジスト組成物。 - 【請求項４】請求項１記載の化学増幅型レジスト組成物
において、化学増幅型レジスト組成物が、酸により遊離
しうる置換基を含有する有機物のアルカリ可溶性を制御
する性質を有し、酸の存在下で分解し該有機物のアルカ
リ溶解性制御効果が低下もしくは消失される化合物を含
むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。 - 【請求項５】請求項１記載の化学増幅型レジスト組成物
において、酸により遊離しうる置換基で保護された有機
物１００重量部に対し、オニウム塩化合物が０．１〜５
重量部、スルホン化合物および／またはスルホネート化
合物が総量で０．５〜１０重量部含有されることを特徴
とする化学増幅型レジスト組成物。 - 【請求項６】請求項１記載の化学増幅型レジスト組成物
において、酸により遊離しうる置換基で保護された有機
物１００重量部に対し、塩基性化合物が０．０５〜１０
重量部含有されることを特徴とする化学増幅型レジスト
組成物。 - 【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載の化学
増幅型レジスト組成物において、オニウム塩化合物が、
トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニル
スルホニウムプロピオネート、トリフェニルスルホニウ
ムヘキサフレートおよびジフェニルヨードニウムトリフ
レートから選ばれた少なくとも１種であり、スルホン化
合物は、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、
ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキ
シルスルホニルメタンおよびビスフェニルスルホニルメ
タンから選ばれた少なくとも１種であり、スルホネート
化合物が、ピロガロールトリストリフレートおよびベン
ゾイントシレートから選ばれた少なくとも１種であるこ
とを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。 - 【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載の化学
増幅型レジスト組成物において、スルホン化合物がビス
シクロヘキシルスルホニルジアゾメタンであることを特
徴とする化学増幅型レジスト組成物。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09568098A JP3955384B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 化学増幅型レジスト組成物 |
| TW088104483A TWI244579B (en) | 1998-04-08 | 1999-03-22 | A chemical amplifying form of the photoresistant composition |
| US09/445,345 US6479210B2 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-05 | Chemically amplified resist composition |
| PCT/JP1999/001791 WO1999053377A1 (fr) | 1998-04-08 | 1999-04-05 | Composition d'agent de protection amplifiee chimiquement |
| EP99912103A EP0989459A4 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-05 | CHEMICALLY AMPLIFIED PROTECTIVE AGENT COMPOSITION |
| CNB998004979A CN1241064C (zh) | 1998-04-08 | 1999-04-05 | 化学增强的抗蚀剂组合物 |
| KR1019997011567A KR100632714B1 (ko) | 1998-04-08 | 1999-04-05 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09568098A JP3955384B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 化学増幅型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295887A true JPH11295887A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3955384B2 JP3955384B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=14144225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09568098A Expired - Lifetime JP3955384B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 化学増幅型レジスト組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6479210B2 (ja) |
| EP (1) | EP0989459A4 (ja) |
| JP (1) | JP3955384B2 (ja) |
| KR (1) | KR100632714B1 (ja) |
| CN (1) | CN1241064C (ja) |
| TW (1) | TWI244579B (ja) |
| WO (1) | WO1999053377A1 (ja) |
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| JP7009980B2 (ja) | 2016-12-28 | 2022-01-26 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
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| JP7415972B2 (ja) | 2021-02-12 | 2024-01-17 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
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| JP2023161885A (ja) | 2022-04-26 | 2023-11-08 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2023177071A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2023177272A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2023177048A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP2023177038A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
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| JP2970879B2 (ja) * | 1990-01-30 | 1999-11-02 | 和光純薬工業株式会社 | 化学増幅型レジスト材料 |
| DE69125634T2 (de) | 1990-01-30 | 1998-01-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Chemisch verstärktes Photolack-Material |
| JPH03223863A (ja) | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | レジスト材料 |
| JP2919142B2 (ja) | 1990-12-27 | 1999-07-12 | 株式会社東芝 | 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
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1998
- 1998-04-08 JP JP09568098A patent/JP3955384B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1999
- 1999-03-22 TW TW088104483A patent/TWI244579B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-05 KR KR1019997011567A patent/KR100632714B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-04-05 EP EP99912103A patent/EP0989459A4/en not_active Withdrawn
- 1999-04-05 WO PCT/JP1999/001791 patent/WO1999053377A1/ja not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI244579B (en) | 2005-12-01 |
| CN1241064C (zh) | 2006-02-08 |
| EP0989459A1 (en) | 2000-03-29 |
| JP3955384B2 (ja) | 2007-08-08 |
| KR20010013560A (ko) | 2001-02-26 |
| CN1263612A (zh) | 2000-08-16 |
| US6479210B2 (en) | 2002-11-12 |
| US20010036589A1 (en) | 2001-11-01 |
| WO1999053377A1 (fr) | 1999-10-21 |
| EP0989459A4 (en) | 2001-09-19 |
| KR100632714B1 (ko) | 2006-10-13 |
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| JP2002236367A (ja) | レジスト用混合樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050228 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050228 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070111 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070410 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070502 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
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