JPH11222639A - 半導体構成素子を接触するための金合金からなる極細線およびその製造方法 - Google Patents

半導体構成素子を接触するための金合金からなる極細線およびその製造方法

Info

Publication number
JPH11222639A
JPH11222639A JP10335469A JP33546998A JPH11222639A JP H11222639 A JPH11222639 A JP H11222639A JP 10335469 A JP10335469 A JP 10335469A JP 33546998 A JP33546998 A JP 33546998A JP H11222639 A JPH11222639 A JP H11222639A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
gold
wire
gold alloy
platinum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10335469A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3579603B2 (ja
Inventor
Christoph Dr Simons
ジーモンス クリストフ
Guenter Herklotz
ヘルクロッツ ギュンター
Lutz Schraepler
シュレプラー ルッツ
Juergen Reuel
ロイエル ユルゲン
Y C Cho
シー チョー ワイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WC Heraus GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH and Co KG filed Critical WC Heraus GmbH and Co KG
Publication of JPH11222639A publication Critical patent/JPH11222639A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3579603B2 publication Critical patent/JP3579603B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01031—Gallium [Ga]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01038—Strontium [Sr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01041—Niobium [Nb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01063—Europium [Eu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/011—Groups of the periodic table
    • H01L2924/01105—Rare earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 できるだけ良好な強度／伸びの比を有し、そ
の導電率が純金の極細線の導電率からできるだけ僅かに
相違する金合金からなる半導体構成素子を接触するため
の極細線を提供する。 【解決手段】 金合金が、銅０．５〜０．９重量％、白
金０．０５〜０．９５重量％、残部金からなるかまたは
銅０．５〜０．９重量％、アルカリ土類金属および希土
類金属の群からの少なくとも１つの元素０．０００１〜
０．１重量％、白金０〜１重量％、残部金からなる。 【効果】 極細線は、ワイヤボンデングのためならびに
フリップチップ技術のための接点こぶ製造のために適当
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体構成素子を
接触するための金合金からなる極細線（Ｆｅｉｎｓｔｄ
ｒａｔ）および極細線の製造方法およびその使用に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体構成素子を接触−ボンディング−
するために適当な線［接続線（Ｂｏｎｄｄｒａｅｔｅ）
とも呼ばれる］は、良好な電気的性質を有しおよび良好
な機械的強度値を有しなければならない。線の直径は約
１０〜２００μｍであってもよく、通例約２０〜６０μ
ｍであり、直径は使用目的に応じて選択される。
【０００３】接続線は屡々、高純度の金または金合金か
らなる。金合金はより高い強度および、合金成分を少量
しか含有しない場合、金に類似の導電率の利点を有す
る。
【０００４】それで、たとえばＤＥ１６０８１６１Ｃ号
からは、集積回路中の導線の製造のために金および１種
または数種の希土類金属、殊にセリウム含有ミッシュメ
タルの形またはイットリウム０．００１〜０．１％から
なる合金の使用は公知である。少量の希土類金属または
イットリウムを有するこの金合金は、５００℃までの加
熱温度において著しく改善された強度および伸びの挙動
を有し、硬さ、化学的安定性または電気抵抗のような金
の他の性質が著しく影響されることもない。
【０００５】接続線の金−希土類金属合金は、ＤＥ３２
３７３８５号（ＵＳ４８８５１３５号）、ＤＥ３９３６
２８１号（ＵＳ４９３８９２３号）、特開平５−１７９
３７５号、特開平５−１７９３７６号、特開平６−１１
２２５８号、ＥＰ０７４３６７９Ａ号およびＥＰ０７６
１８３１Ａにも記載される。
【０００６】ＤＥ３２３７３８５Ａ号は、希土類金属、
殊にセリウム０．０００３〜０．０１重量％、および場
合により付加的になおゲルマニウム、ベリリウムおよび
／またはカルシウムを有する金合金からなる、高い引張
強さを有する金合金細線に関する。
【０００７】ＤＥ３９３６２８１Ａ号は、少量のランタ
ン、ベリリウム、カルシウムおよび白金族の元素、とく
に白金および／またはパラジウムと合金化された、高純
度の金からなる半導体装置を結合するための金線を記載
する。
【０００８】特開平５−１７９３７５号および特開平５
−１７９３７６号は、高純度の金およびアルミニウムな
いしはガリウム０．０００３〜０．００５重量％、カル
シウム０．０００３〜０．００３重量％およびイットリ
ウム、ランタン、セリウム、ネオジム、ジスプロシウム
および／またはベリリウム０．０００３〜０．００３重
量％からなるボンディングのための金合金細線に関す
る。
【０００９】特開平６−１１２２５８号（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ １２１巻、８９２８７ｍに
紹介された）から公知の接続線は、白金１〜３０％およ
びスカンジウム、イットリウムおよび／または希土類金
属０．０００１〜０．０５％および場合によりベリリウ
ム、カルシウム、ゲルマニウム、ニッケル、鉄、コバル
トおよび／または銀０．０００１〜０．０５％からな
る。
【００１０】ＥＰ０７４３６７９Ａ号には、同様に白金
含有の金−希土類金属合金からなる接続線が提案され
る。この合金は、金および少量の白金（０．０００１〜
０．００５重量％）、銀、マグネシウムおよびユーロピ
ウムからなり、たとえばなおセリウム０．０００１〜
０．０２重量％を含有しうる。
【００１１】ＥＰ０７６１８３１Ａ号には、白金および
／またはパラジウムを含有する金−希土類金属合金から
なる極細線が記載される。この合金は、白金および／ま
たはパラジウム０．１〜２．２重量％、ベリリウム、ゲ
ルマニウム、カルシウム、ランタン、イットリウムおよ
びまたはユウロピウム０．０００１〜０．００５重量
％、残部金からなる。線は、合金を形成する元素をるつ
ぼ中で溶融し、るつぼ中に存在する合金溶融液を下方か
ら上方へ前進的に冷却して鋳物ブルームにし、引き続き
圧延し、引抜きし、焼鈍することによって製造される。
線は、３〜８％の伸びおよび６８００〜９０００ｋｇｆ
／ｍｍ2のヤング率を有する。
【００１２】ＥＰ０２８８７７６Ａ２号は、硬さおよび
強度を改善するために銅が配量されているアルミニウム
からなるメタライジング部材の接触に関し、それでベリ
リウム配合を有する僅かな硬さを有する標準金接続線は
あまり好適ではない。従って、銅を配合したアルミニウ
ムからなる接触パッドを結合するために、金および銅
０．０１〜１重量％からなり、配量されたアルミニウム
の硬さに適合した硬さを有する合金が提案される。
【００１３】銅含有接続線は、ＤＥ３９９０４３２Ｃ２
号（＝ＵＳ５４９１０３４号）から公知である。この接
続線は、半導体素子の電極を外部接続と結合するために
使用され、銅少なくとも１重量％および５重量％以下を
有する金合金からなる。付加的に、接続線は、カルシウ
ム、ゲルマニウム、ベリリウム、ランタンおよび／また
はインジウム０．０００３〜０．０１重量％および白金
多くても５重量％を含有することができる。接続線の製
造は、金合金を真空溶融炉中で溶融し、線引きし、引き
続き２００〜６００℃で熱処理（焼鈍）することにより
行われる。熱処理は通例であり、引抜のために不良の変
形性または伸び（“ｅｌｏｎｇａｔｉｏｎ”）を改善す
る目的を有する。変形性の改善と強度の減少が結合して
いるので、強度に影響を及ぼす合金成分（種類および量
に関して）および熱処理の条件は、両方−変形性および
強度−がその都度の要求に合致するように選択しなけれ
ばならない。接続線の強度は銅分量の増加につれて大き
くなる。
【００１４】特開平１−８７７３４号（日本の特許抜
粋）からは、金および元素銅、アルミニウム、イットリ
ウム、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、ケ
イ素、ジルコニウム、カルシウム、パラジウム、ルテニ
ウム、イリジウム、白金、銀およびオスミウムの少なく
とも１つ０．０５〜０．３重量％からなる極細線が公知
である。この極細線は、良好な引抜能および非常に良好
な機械的性質を有する。
【００１５】特開平８−１９９２６１号（日本国特許庁
−日本の特許抜粋）は、高純度の金、銅０．１〜２重量
％、パラジウム０．０１〜０．１重量％および場合によ
りスズ０．０００１〜０．０１重量％および／または金
属カルシウム、ベリリウム、ゲルマニウム、希土類金
属、ストロンチウム、バリウム、インジウムおよびチタ
ンの少なくとも１つ０．０００１〜０．０１重量％から
なる接続線を記載する。接続線の強度は、プラスチック
埋設された半導体構成素子中の隣接する接続ループ間の
接点障害を回避するのに十分である。
【００１６】接続線の選択の際には、特殊な化学的およ
び物理的性質のほかに所定の伸びにおいてできるだけ高
い強度が要求される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の基礎に
なっている課題は、できるだけ良好な強度／伸びの比を
有し、その導電率が純金極細線の導電率からできるだけ
僅かに相違する、金合金からなる冒頭に特性表示した種
類の極細線を見出すことである。さらに、極細線の連続
的製造を経済的に有利な方法で可能にする方法が記載さ
れるべきである。極細線は、ワイヤボンディングのため
ならびに、たとえばＤＥ４４４２９６０Ｃ号に記載され
るようなフリップチップ技術のためのいわゆるこぶ（Ｂ
ａｌｌ−Ｂｕｍｐｓ）の製造のために適当であるべきで
ある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
り、金合金が銅０．５〜０．９重量％、白金０．０５〜
０．９５重量％、残部金からなることを特徴とする金合
金からなる極細線によって解決される。
【００１９】この課題は、本発明により、金合金が銅
０．５〜０．９重量％、アルカリ土類金属および希土類
金属の群からの少なくとも１つの元素０．０００１〜
０．１重量％、白金０〜１重量％、残部金からなること
を特徴とする金合金からなる極細線によっても解決され
る。
【００２０】本発明の意味における“アルカリ土類金
属”とは、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、バ
リウムおよびストロンチウムを意味し、“希土類金属”
とはランタン（原子番号５７）およびランタンに続く１
４個の元素セリウム（原子番号５８）ないしルテニウム
（原子番号７１）（専門文献ではランタン系列元素とも
呼ばれる）を意味する。
【００２１】有利には、アルカリ土類金属含量および／
または希土類金属含量は０．００１〜０．０１重量％で
あり、白金が存在する場合、白金含量は０．１〜０．９
重量％である。
【００２２】アルカリ土類金属は、好ましくはベリリウ
ム、マグネシウム、カルシウムまたはこれらアルカリ土
類金属少なくとも２つからなる混合物からなる。ベリリ
ウムおよびカルシウムからなる混合物を使用する場合、
ベリリウムおよびカルシウムその都度５０重量％からな
る混合物がとくに適当であることが判明した。
【００２３】希土類金属は、好ましくはセリウムからな
るかまたはセリウムおよび原子番号５７および５９〜７
１を有する希土類金属１種または数種からなる混合物か
らなる。通例、セリウム５０〜６０％、ランタン２５〜
３０％、ネオジム１０〜１５％、プラセオジム４〜６％
および鉄１％ならびに他の希土類金属の僅かな分量を有
する混合物がセリウム含有ミッシュメタルと呼ばれる
（Ｒｏｅｍｐｐ ｃｈｅｍｉｅ Ｌｅｘｉｋｏｎ、Ｇｅ
ｏｒｇ Ｔｉｅｍｅ出版、ストットガルト−ニューヨー
ク、１巻、１０版（１９９６年）、６４７ページ）。
【００２４】接続線に通例の直径を有する本発明による
極細線は、接続のための使用に必要なすべての性質を有
する。該極細線は殊に、比電気抵抗率として測定される
その高い導電率（第ＶＩＩＩ表参照）およびその−伸び
に対して−非常に良好な強度（図参照）により優れてい
る。意外にも、合金成分（Ｌｅｇｉｅｒｕｎｇｓｂｉｌ
ｄｎｅｒ）銅およびアルカリ土類金属および／または希
土類金属の種類および量の本発明による選択は、焼鈍に
よる強度損失の減少をもたらす（第ＩＸ表参照）。極細
線の非常に有利な強度／伸びの比は、主として接続結合
部の非常に良好な品質に寄与する。
【００２５】図には、本発明による若干の極細線（例１
〜６）および−比較のため−本発明によらない極細線
（例７）の強度（引張強さ）［Ｎ／ｍｍ2］が、伸び
（破断点伸び）［％］に依存して図示される。本発明に
よる極細線は、所定の伸びにおいて高い強度を有する。
第ＶＩＩＩ表には、例に記載された本発明による極細線
および比較のため本発明によらない若干の極細線の化学
組成および比電気抵抗率が記載される。第ＩＸ表は、引
張り時の硬さ状態（ｚｉｅｈｈａｒｔｅｎ Ｚｕｓｔａ
ｎｄ）および約４％伸びにおける例１〜７に記載された
極細線の強度値を示し、強度に対するベリリウム、カル
シウムおよびセリウム添加の影響を認識させる。ベリリ
ウム、カルシウムおよびセリウムは、焼鈍と結合した強
度損失を減少する。
【００２６】本発明による極細線は、その有利な性質に
基づき、とくに有利にワイヤボンディングのため、発展
中に存在する高周波ボンディングにも、およびフリップ
フロップの接点こぶの製造のために使用することができ
る。
【００２７】課題の解決は、さらに金合金からなる半導
体構成素子を接触するための極細線の製造方法にあり、
該方法は本発明により、ａ）銅０．５〜０．９重量％、
白金０．０５〜０．９５重量％、残部金からなるか、ま
たはｂ）銅０．５〜０．９重量％、アルカリ土類金属お
よび希土類金属の群からの少なくとも１つの元素０．０
００１〜０．１重量％、白金０〜１重量％、残部金から
なる金合金を溶融し、溶融した合金を連続鋳造し、スト
ランドをボンディング目的に通例の直径を有する線に引
抜きしおよび線を焼鈍することを特徴とする。
【００２８】本発明による方法はとくに、溶融した合金
を円形断面を有するストランドに鋳造し、線を約３００
〜７００℃で焼鈍する場合に有利であると確証された。
焼鈍により、最初の引張り時の硬さの線は必要な伸びを
得る。合金の溶融および鋳造は空気中、保護ガス、たと
えばアルゴン下、または真空中で行なうことができる。
【００２９】本発明による方法においては、０．００１
〜０．０１重量％のアルカリ土類金属および／または希
土類金属の含量および０．１〜０．９重量％の白金−存
在する場合−の含量を有する金合金を溶融するのが好ま
れる。
【００３０】アルカリ土類金属としては、ベリリウム、
マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム
またはこれら元素の少なくとも２つからなる混合物が使
用される。ベリリウム、マグネシウム、カルシウムまた
はこれらアルカリ土類金属の少なくとも２つからなる混
合物が特に有利であると確証された。ベリリウムおよび
カルシウムからなる混合物を使用する場合には、ベリリ
ウムおよびカルシウムそれぞれ５０重量％からなる混合
物が好まれる。
【００３１】希土類金属としては、とくにセリウムまた
はセリウムおよび原子番号５７および５９〜７１を有す
る１種または数種の希土類金属からなる混合物、後者は
とくに市販のセリウム含有ミッシュメタルの形で使用さ
れる。
【００３２】本発明による方法はとくに、連続的に実施
できおよび非常に均等かつ不変の品質を有する方法生成
物−鋳造ストランドおよび引抜線−を生じることにより
優れている。
【００３３】詳説するために、次の例１〜６に本発明に
よる極細線およびその製造および−比較のため−例７に
ＤＥ１６０８１６１Ｃ号から公知の技術水準による極細
線を記載する。極細線は、その伸び（破断点伸び）
［％］、その強度（引張強さ）［Ｎ／ｍｍ2］およびそ
の比電気抵抗率［オームｍｍ2／ｍ］によって特性表示
される。
【００３４】
【実施例】例１ 銅０．８重量％および白金０．８重量％を有する金合金
からなる極細線 銅０．８重量％、白金０．８重量％および残部として金
からなる合金の溶融液を、連続鋳造装置中で円形断面を
有するストランドに鋳造する。引き続き、ストランドか
ら３０μｍの直径を有する線を引抜きし、線を達成すべ
き伸びに応じて約３００〜７Ｏ０℃で空気中で焼鈍す
る。伸び［％］に依存して測定した強度値［Ｎ／ｍ
ｍ2］は、第Ｉ表に記載する。
【００３５】２７５μｍの直径を有する線につき測定し
た、室温における比電気抵抗率は、０．０４１オームｍ
ｍ2／ｍである。
【００３６】
【表１】
【００３７】例２ 銅０．８重量％、ベリリウム０．００１重量％、カルシ
ウム０．００１重量％および白金０．８％を有する金合
金からなる極細線 銅０．８重量％、ベリリウム０．００１重量％、カルシ
ウム０．００１重量％、白金０．８重量％および残部と
して金からなる合金の溶融液を、連続鋳造装置中で円形
断面を有するストランドに鋳造する。引き続き、ストラ
ンドから３０μｍの直径を有する線を引抜きし、線を達
成すべき伸びに応じて約３００〜７００℃で空気中で焼
鈍する。伸び［％］に依存して測定した強度値［Ｎ／ｍ
ｍ2］は、第ＩＩ表に記載する。
【００３８】２７５μｍの直径を有する線につき測定し
た室温における比電気抵抗率は、０．０４１オームｍｍ
2／ｍである。
【００３９】
【表２】
【００４０】例３ 銅０．８重量％、ベリリウム０．００１重量％、カルシ
ウム０．００１重量％および白金０．３重量％を有する
金合金からなる極細線 銅０．８重量％、ベリリウム０．００１重量％、カルシ
ウム０．００１重量％、白金０．３重量％および残部と
して金からなる合金の溶融液を、連続鋳造装置中で円形
断面を有するストランドに鋳造する。引き続き、ストラ
ンドから３０μｍの直径を有する線を引抜きし、線を達
成すべき伸びに応じて約３００〜７００℃で空気中で焼
鈍する。伸び［％］に依存して測定した強度値［Ｎ／ｍ
ｍ2］は、第ＩＩＩ表に記載する。
【００４１】２７５μｍの直径を有する線につき測定し
た室温における比電気抵抗率は、０．０３６オームｍｍ
2／ｍである。
【００４２】
【表３】
【００４３】例４ 銅０．９重量％、ベリリウム０．００１重量％およびカ
ルシウム０．００１重量％を有する金合金からなる極細
線 銅０．９重量％、ベリリウム０．００１重量％、カルシ
ウム０．００１重量％および残部として金からなる合金
の溶融液を、連続鋳造装置中で円形断面を有するストラ
ンドに鋳造する。引き続き、ストランドから３０μｍの
直径を有する線を引抜きし、線を達成すべき伸びに応じ
て約３００〜７００℃で空気中で焼鈍する。伸び［％］
に依存して測定した強度値［Ｎ／ｍｍ2］は、第ＩＶ表
に記載する。
【００４４】２７５μｍの直径を有する線につき測定し
た室温における比電気抵抗率は、０．０３４オームｍｍ
2／ｍである。
【００４５】
【表４】
【００４６】例５ 銅０．９重量％、ベリリウム０．００１重量％、カルシ
ウム０．００１重量％および白金０．９重量％を有する
金合金からなる極細線 銅０．９重量％、ベリリウム０．００１重量％、カルシ
ウム０．００１重量％、白金０．９重量％および残部と
して金からなる合金の溶融液を連続鋳造装置中で円形断
面を有するストランドに鋳造する。引き続き、ストラン
ドから３０μｍの直径を有する線を引抜きし、達成すべ
き伸びに応じて約３００〜７００℃で空気中で焼鈍す
る。伸び［％］に依存して測定した強度値［Ｎ／ｍ
ｍ2］は、第Ｖ表に記載する。
【００４７】２７５μｍの直径を有する線につき測定し
た室温における比電気抵抗率は、０．０４３オームｍｍ
2／ｍである。
【００４８】
【表５】
【００４９】例６ 銅０．８重量％およびセリウム０．０１重量％を有する
金合金からなる極細線 銅０．８重量％、セリウム０．０１重量％および残部と
して金からなる合金の溶融液を、連続鋳造装置中で円形
断面を有するストランドに鋳造する。引き続き、ストラ
ンドから３０μｍの直径を有する線を引抜きし、達成す
べき伸びに応じて約３００〜７００℃で空気中で焼鈍す
る。伸び［％］に依存して測定した強度値［Ｎ／ｍ
ｍ2］は、第ＶＩ表に記載する。
【００５０】２７５μｍの直径を有する線につき測定し
た室温における比電気抵抗率は、０．０３４オームｍｍ
2／ｍである。
【００５１】
【表６】
【００５２】例７（比較） ＤＥ１６０８１６１Ｃ号によるセリウム含有ミッシュメ
タルを有する金合金からなる極細線 金およびセリウム含有ミッシュメタルからなる合金の溶
融液を連続鋳造装置中で円形断面を有するストランドに
鋳造する。引き続き、ストランドから３０μｍの直径を
有する線を引抜きし、線を達成すべき伸びに応じて約３
００〜６００℃で空気中で焼鈍する。伸び［％］に依存
して測定した強度値［Ｎ／ｍｍ2］は、第ＶＩＩ表に記
載する。
【００５３】２７５μｍの直径を有する線につき測定し
た室温における比電気抵抗率は、０．０２３オームｍｍ
2／ｍである。
【００５４】
【表７】
【００５５】
【表８】
【００５６】
【表９】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による若干の極細線（例１〜６）および
本発明によらない極細線（例７）の引張強さを破断点伸
びに依存して示した図である。
フロントページの続き (72)発明者 ギュンター ヘルクロッツ ドイツ連邦共和国 ブルフケーベル トー マス−マン−シュトラーセ 18 (72)発明者 ルッツ シュレプラー ドイツ連邦共和国 アルツェナウ ベルリ ナー シュトラーセ 20ベー (72)発明者 ユルゲン ロイエル ドイツ連邦共和国 ゲルンハウゼン イム ノイエン ベルク 17 (72)発明者 ワイ シー チョー 大韓民国 インチョン ナム−グ クァン キョー−ドン 13−10 サム ワン ア パートメント 203−501

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金合金が銅０．５〜０．９重量％、白金
    ０．０５〜０．９５重量％、残部金からなることを特徴
    とする半導体構成素子を接触するための金合金からなる
    極細線。
  2. 【請求項２】 金合金が銅０．５〜０．９重量％、アル
    カリ土類金属および希土類金属の群からの少なくとも１
    つの元素０．０００１〜０．１重量％、白金０〜１重量
    ％、残部金からなることを特徴とする半導体構成素子を
    接触するための金合金からなる極細線。
  3. 【請求項３】 金合金のアルカリ土類金属含量および／
    または希土類金属含量が０．００１〜０．０１重量％で
    あることを特徴とする請求項２記載の極細線。
  4. 【請求項４】 金合金の白金含量が０．１〜０．９重量
    ％であることを特徴とする請求項１から３までのいずれ
    か１項記載の極細線。
  5. 【請求項５】 アルカリ土類金属がベリリウム、マグネ
    シウムおよび／またはカルシウムであることを特徴とす
    る請求項２から４までのいずれか１項記載の極細線。
  6. 【請求項６】 希土類金属がセリウムであることを特徴
    とする請求項２から５までのいずれか１項記載の極細
    線。
  7. 【請求項７】 ａ）銅０．５〜０．９重量％、白金０．
    ０５〜０．９５重量％、残部金からなるかまたはｂ）銅
    ０．５〜０．９重量％、アルカリ土類金属および希土類
    金属の群からの少なくとも１つの元素０．０００１〜
    ０．１重量％、白金０〜１重量％、残部金からなる金合
    金を溶融し、溶融した合金を連続鋳造し、ストランドを
    ボンディング目的のために通例の直径を有する線に引抜
    きし、線を焼鈍することを特徴とする、請求項１から６
    までのいずれか１項記載の半導体構成素子を接触するた
    めの金合金からなる極細線の製造方法。
  8. 【請求項８】 溶融した合金を円形断面を有するストラ
    ンドに鋳造することを特徴とする請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】 ０．００１〜０．０１重量％のアルカリ
    土類金属含量および／または希土類金属含量を有する金
    合金を溶融することを特徴とする請求項７または８記載
    の方法。
  10. 【請求項１０】 ０．１〜０．９重量％の白金含量を有
    する金合金を溶融することを特徴とする請求項７から９
    までのいずれか１項記載の方法。
  11. 【請求項１１】 アルカリ土類金属としてベリリウム、
    マグネシウムおよび／またはカルシウムを含有する金合
    金を溶融することを特徴とする請求項７から１０までの
    いずれか１項記載の方法。
  12. 【請求項１２】 希土類金属としてセリウムを有する金
    合金を溶融することを特徴とする請求項７から１１まで
    のいずれか１項記載の方法。
  13. 【請求項１３】 線を３００〜７００℃で焼鈍すること
    を特徴とする請求項７から１２までのいずれか１項記載
    の方法。
JP33546998A 1997-11-29 1998-11-26 半導体構成素子を接触するための金合金からなる極細線およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3579603B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19753055A DE19753055B4 (de) 1997-11-29 1997-11-29 Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE19753055.9 1997-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11222639A true JPH11222639A (ja) 1999-08-17
JP3579603B2 JP3579603B2 (ja) 2004-10-20

Family

ID=7850260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33546998A Expired - Fee Related JP3579603B2 (ja) 1997-11-29 1998-11-26 半導体構成素子を接触するための金合金からなる極細線およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP3579603B2 (ja)
KR (1) KR100326478B1 (ja)
CN (1) CN1085739C (ja)
CH (1) CH693209A5 (ja)
DE (1) DE19753055B4 (ja)
MY (1) MY122351A (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030096985A (ko) * 2002-06-18 2003-12-31 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 본딩용 금합금 세선
JP4596467B2 (ja) * 2005-06-14 2010-12-08 田中電子工業株式会社 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線
JP4726205B2 (ja) * 2005-06-14 2011-07-20 田中電子工業株式会社 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線
JP4726206B2 (ja) * 2005-06-14 2011-07-20 田中電子工業株式会社 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線
KR101451361B1 (ko) * 2012-12-04 2014-10-15 희성금속 주식회사 반도체 패키지용 동 합금 본딩 와이어
JP6595344B2 (ja) 2013-02-06 2019-10-23 ロレックス・ソシエテ・アノニム ローズゴールド合金から作成される時計
SG11201901205XA (en) * 2017-03-27 2019-03-28 Subodh Pethe Hard gold alloy with zirconium, titanium and magnesium for jewelry manufacture
CN107974571B (zh) * 2017-11-22 2019-06-14 有研亿金新材料有限公司 一种金瓷合金丝材及其制备方法
CN108922876B (zh) * 2018-06-27 2020-05-29 汕头市骏码凯撒有限公司 一种金合金键合丝及其制造方法
CN111394606B (zh) * 2020-05-06 2021-03-16 贵研铂业股份有限公司 一种金基高阻合金、合金材料及其制备方法
CN114214538B (zh) * 2021-11-12 2022-07-26 中国科学院金属研究所 一种空间引力波探测惯性传感器用金铂合金检验质量材料及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE674933C (de) * 1934-08-17 1939-04-25 Heraeus Gmbh W C Beryllium-Gold-Legierungen
GB2116208B (en) * 1981-12-04 1985-12-04 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
JPS63145729A (ja) * 1986-03-28 1988-06-17 Nittetsu Micro Metal:Kk 半導体素子ボンデイング用金線
JP2613224B2 (ja) * 1987-09-29 1997-05-21 田中貴金属工業株式会社 金極細線用材料
JP2745065B2 (ja) * 1988-05-02 1998-04-28 新日本製鐵株式会社 半導体素子用ボンディングワイヤ
JPH04291748A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線基板
JP3586909B2 (ja) * 1995-01-20 2004-11-10 住友金属鉱山株式会社 ボンディングワイヤ
JP3367544B2 (ja) * 1995-08-23 2003-01-14 田中電子工業株式会社 ボンディング用金合金細線及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100326478B1 (ko) 2002-07-02
CN1224767A (zh) 1999-08-04
CN1085739C (zh) 2002-05-29
DE19753055B4 (de) 2005-09-15
CH693209A5 (de) 2003-04-15
KR19990045637A (ko) 1999-06-25
MY122351A (en) 2006-04-29
DE19753055A1 (de) 1999-06-10
JP3579603B2 (ja) 2004-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105132735A (zh) 一种微电子封装用超细铜合金键合丝及其制备方法
JP3579603B2 (ja) 半導体構成素子を接触するための金合金からなる極細線およびその製造方法
EP0922780B1 (en) Method of manufacturing a high purity hard gold alloy
JP2911886B2 (ja) セリウムミッシュメタルを含有する金合金から成る極細線及びその製造方法
JP2002525425A (ja) ワイヤボンティング合金複合物
JPH0379416B2 (ja)
US5637274A (en) Palladium alloy thin wire for wire bonding semiconductor elements
US6242106B1 (en) Fine wire made of a gold alloy, method for its production, and its use
JP3573321B2 (ja) Ａｕボンディングワイヤー
JP2732355B2 (ja) 電子機器用高力高導電性銅合金材の製造方法
CN110699570B (zh) 一种高成球性的键合银丝材料及其制备方法
JPH0245336B2 (ja)
JPH0726167B2 (ja) 半導体装置のボンデイングワイヤ用Ａｕ合金極細線
JP2003059964A (ja) ボンディングワイヤ及びその製造方法
JPH0586427A (ja) 導電用極細銅線
JP2706539B2 (ja) ボンディングワイヤー
JP2661247B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金細線
JP2766701B2 (ja) ボンデイングワイヤー
JPH059624A (ja) ボンデイングワイヤー
JPH0736431B2 (ja) 半導体装置のボンディングワイヤ用高純度銅の製造法
JPS6240342A (ja) 高純度鉄極細線
JPS6294969A (ja) 半導体装置用ボンデイングワイヤ
JPH06310557A (ja) 半導体素子配線用ワイヤ
JPH07258807A (ja) 電子機器用高力高導電性銅合金材の製造方法
JPH07258776A (ja) 電子機器用高力高導電性銅合金

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040506

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040716

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080723

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110723

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723

Year of fee payment: 8

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120723

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees