JP2911886B2 - セリウムミッシュメタルを含有する金合金から成る極細線及びその製造方法 - Google Patents

セリウムミッシュメタルを含有する金合金から成る極細線及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、セリウムミッシュ
メタル(Cer−Mischmetall)を含有する
金合金から成る、半導体構造部材の接触用極細線に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体構造部材の接触−結合のために適
当な線−結合線(Bonddraht)とも称される−
は、優れた電気的特性及び機械的強度を有しなければな
らない。線の直径は約10〜200マイクロメ−トルで
あってよく、通常は約20〜60マイクロメ−トルであ
る。それは使用目的により選択される。
【0003】結合線は高純度の金又は希土類金属を含有
する金合金から成ることが多い。
【0004】すなわち例えばドイツ国特許第16081
61号明細書からは、集積回路における導電線の製造の
ために、金及び特にセリウムミッシュメタルの形の1種
以上の希土類金属又はイットリウム0.001〜0.1
%から成る合金を使用することが公知である。少量の希
土類金属又はイットリウムを含有するこの金合金は、5
00℃までの加熱温度では著しく改良された強度及び伸
び特性を有するが、金の他の特性、例えば硬度、化学的
安定性又は電気抵抗は著しい影響を受けない。
【0005】またドイツ国特許公開第3237385号
(米国特許第4885135号)及び同第393628
1号(米国特許第4938923号)明細書、特開平5
−179375号、特開平5−179376号及び特開
平6−112258号公報、ヨ−ロッパ特許出願公開第
0743679号及び同第0761831号明細書に
も、結合線のための金−希土類金属合金が記載されてい
る。
【0006】ドイツ国特許出願公開第3237385号
明細書は、希土類金属、特にセリウム0.0003〜
0.01重量%及び場合により更にゲルマニウム、ベリ
リウム及び/又はカルシウムを含有する金合金から成
る、高い引張り強さを有する微細金合金線に関するもの
である。
【0007】ドイツ国特許出願公開第3936281号
明細書は、少量のランタン、ベリリウム、カルシウム及
び白金族の元素、特に白金及び/又はパラジウムと合金
された、高純度の金から成る、半導体装置の結合用金線
を記載している。
【0008】特開平5−179375号及び−1793
76号明細書は、高純度の金及び及びアルミニウム又は
ガリウム0.0003〜0.005重量%、カルシウム
0.0003〜0.003重量%及びイットリウム、ラ
ンタン、セリウム、ネオジム、ジスプロシウム及び/又
はベリリウム0.0003〜0.003重量%から成
る、結合用微細金合金線に関する。
【0009】特開平6−112258号公報(Chem
ical Abstracts Vol.121,89
287mに抄録)から公知の結合線は、白金1〜30%
及びスカンジウム、イットリウム及び/又は希土類金属
0.0001〜0.05%及び場合によりベリリウム、
カルシウム、ゲルマニウム、ニッケル、鉄、コバルト及
び/又は銀0.0001〜0.05%を含有する金合金
から成る。
【0010】ヨ−ロッパ特許出願公開第0743679
号明細書には、同様に白金を含有する金−希土類金属合
金から成る結合線が提案されている。同合金は金及び少
量の白金(0.0001〜0.005重量%)、銀、マ
グネシウム及びユ−ロピウムから成り、さらに例えば
0.0001〜0.002重量%の量のセリウムも含有
することができる。
【0011】ヨ−ロッパ特許出願公開第0761831
号明細書には、白金及び/又はパラジウムを含有する金
−希土類金属−合金から成る細線が記載されている。該
合金は、白金及び/又はパラジウム0.1〜2.2重量
%、ベリリウム、ゲルマニウム、カルシウム、ランタ
ン、イットリウム及び/又はユ−ロピウム0.0001
〜0.005重量%、残り金から成る。この線は、合金
を形成する元素をるつぼで溶融し、るつぼ中に存在する
合金溶融物を下から上へと漸進的に冷却して鋳造片(イ
ンゴット)を作り、次に圧延し、延ばしかつ赤熱するこ
とによって製造する。この鋳造片は3〜8%の伸び及び
6800〜9000kgf/mmのヤング率を有す
る。
【0012】特開平7−335685号公報からは、
金、白金0.1〜0.8重量%及びカルシウム、ベリリ
ウム、ゲルマニウム、希土類金属、ストロンチウム、バ
リウム、インジウム、錫及び/又はチタン0.0003
〜0.01重量%から成る結合線が公知である。
【0013】特開平8−293515号公報も同様に、
金−白金−合金から成る結合線に関する。この金合金
は、金の他に白金0.04〜1.5重量%、イットリウ
ム、カルシウム、ランタン及び/又はセリウム0.00
4〜0.06重量%及び場合によりさらにアルミニウム
及び/又はインジウム0.0005〜0.05重量%を
含有している。
【0014】特開平6−112254号公報には、金、
白金0.1〜1重量%及び鉄、ケイ素、ベリリウム、カ
ルシウム、ゲルマニウム、イットリウム、スカンジウム
及び/又は希土類金属0.0001〜0.005重量%
から成る混合物からの結合線の製造が記載されている。
この混合物を溶融して鋳造する。次に形状圧延(For
mwalzen)、赤熱及び線延ばしを行って25マイ
クロメ−トルの直径を有する線を形成する。白金を添加
することによって結合線の強度が増大し、それによって
高温試験の際の損失がより小さくなる。
【0015】特開平6−112256号公報には、金、
パラジウム、白金、ロジウム、イリジウム、オスミウム
及び/又はルテニウム0.003〜0.1重量%及びス
カンジウム、イットリウム及び/又は希土類金属0.0
001〜0.05重量%から成る混合物からの結合線の
製造が記載されている。この混合物を溶融して鋳造す
る。次に形状圧延、赤熱及び線延ばしを行って直径25
マイクロメ−トルを有する線を形成する。白金族金属の
添加によって結合線の強度が増大し、それによって高温
試験の際の損失がより小さくなる。
【0016】特開平2−91944号公報は、金の他に
パラジウム0.5〜10重量%及びランタン、セリウム
及び/又はカルシウム0.0001〜0.02重量%を
含有する金合金から成る、金バンプ(Gold−Bum
p)に適当な金細線に関する。
【0017】ドイツ国特許第4442960号明細書
は、フリップチップ(Flip−Chip)装置用はん
だノッブ(Lothoecker)(バンプ)及びその
製造方法に関する。はんだノッブ核はボ−ルバンプ(B
all−Bumps)として金98%及びパラジウム2
%から成る線材料を使用して機械的に製造することがで
きる。
【0018】結合線の選択の場合には、化学的及び物理
的な特殊な特性の他に、特にまた所与の伸びの際の可及
的に高い強度が要求される。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従ってドイ
ツ国特許第1608161号明細書から出発して、セリ
ウムミッシュメタルを含有する金合金から成る冒頭記載
の特徴を有する種類の極細線であって、可及的に優れた
強度/伸び−比を有するものを見いだすという課題を基
礎にしている。また本発明は、該極細線の連続的製造を
経済的に有利に可能にする方法を提案するものである。
本発明はまた、該極細線を線結合のためならびに例えば
ドイツ国特許第4442960号明細書に記載されてい
るような、フリップチップ法に用いる所謂ボ−ルバンプ
(Ball−Bumps)を製造するために適するよう
にすることである。
【0020】セリウムミッシュメタルは、Roempp
Chemie Lexikon,Georg Thi
eme Verlag Stuttgart−New
York,第9版,1989,625頁によれば、セリ
ウム45〜60%、ランタン15〜30%、ネオジム1
0〜20%、プラセオジム4〜6%及びサマリウム1〜
2%、さらにイットリウム0.5〜1%及びしばしばさ
らに鉄及びケイ素0.5〜1%、炭素、リン、マンガ
ン、マグネシウム及びカルシウムから成る混合物であ
り、Roempp Chemie Lexikon,第
10版,1996,647頁によれば、セリウム50〜
60%、ランタン25〜30%、ネオジム10〜15
%、プラセオジム4〜6%及び鉄1%ならびに少量の他
の希土類金属を含有する混合物である。
【0021】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する極細
線は、本発明によれば、金合金が白金0.05〜0.9
5重量%、セリウムミッシュメタル0.001〜0.1
重量%、アルカリ土類金属0〜0.1重量%、残り金か
ら成り、かつセリウムミッシュメタルの少なくとも50
重量%がセリウムから成ることを特徴とする。
【0022】特に極細線は、金合金の白金含量が0.2
5〜0.9重量%である場合が効果がある。有利にはセ
リウムミッシュメタルの含量は0.001〜0.01重
量%であり、アルカリ土類金属の含量は0.0001〜
0.01重量%である。
【0023】結合線用に使用する直径を有する本発明の
極細線は、結合のために使用するのに必要なすべての特
性を有している。該極細線は特に伸びに対する極めて良
好な強度によって優れている。合金成分(セリウムミッ
シュメタル、白金及び場合によりアルカリ土類金属)の
種類及び量の本発明の選択は、意外にも極めて有利な、
極細線の強度/伸び−比をもたらし、この比は接続結合
(Bondverbindungen)の極めて良好な
質に著しく貢献する。
【0024】図1には、伸び(破断点伸び)[%]に従
属する、本発明による若干の極細線(例1〜5)及び比
較のためにドイツ国特許第1608161号明細書から
公知の従来の技術水準による極細線(例6)の強度(引
張強さ)[MPa]を図示してある。本発明の極細線は
所与の伸びで高い強度を有する。
【0025】本発明の極細線は、その有利な特性に基づ
いて線結合のため、また開発状態にある高周波結合のた
め及びフリップチップの接触ノッブ(Kontakth
uegel)の製造のために極めて有利に使用すること
ができる。
【0026】また前記課題の解決は、セリウムミッシュ
メタルを含有する金合金から成る半導体構造部材の接触
用極細線の製造方法において、白金0.05〜0.95
重量%、セリウムミッシュメタル0.001〜0.1重
量%、アルカリ土類金属0〜0.1重量%、残り金から
成り、セリウムミッシュメタルの少なくとも50重量%
がセリウムから成る金合金を溶融し、溶融合金を連続的
に鋳造し(strangvergiessen)、鋳造
ストランドを結合目的のために普通用いられている直径
を有する線に延ばし、この線を赤熱する(gluehe
n)ことを特徴とする。
【0027】本発明の方法は、溶融合金を円形断面を有
するストランドに鋳造し、線を約300〜700℃で赤
熱する場合に、特に効果があった。赤熱によって初めは
引伸し困難な線が必要な伸びを得る。合金の溶融及び鋳
造は空気中、保護ガス、例えばアルゴン下、または真空
中で行うことができる。
【0028】本発明の場合には特に、白金含量0.25
〜0.9重量%、セリウムミッシュメタル含量0.00
1〜0.01重量%及びアルカリ土類金属含量0.00
01〜0.01重量%を含む金合金の溶融が極めて有利
であることが判明した。
【0029】アルカリ土類金属としては、ベリリウム、
マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウ
ム、又はこれらの元素の少なくとも2種類からなる混合
物を使用することができる。特にベリリウムとカルシウ
ムとから成る混合物が有効であり、ベリリウム約50重
量%及びカルシウム約50重量%から成る混合物が好ま
しい。
【0030】白金が一部分又は完全にパラジウムによっ
て代用されている合金を溶融するのが有利である場合も
ある。
【0031】本発明の方法は、特に、同方法が連続的に
実施され、極めて均一かつ不変の品質を有する方法生成
物(鋳造ストランド及び引伸し線)を供給することによ
って優れている。
【0032】
【実施例】本発明をさらに詳述するために、以下の実施
例に、本発明による極細線及びその製造(例1〜5)及
び比較のためにドイツ国特許第1608161号明細書
から公知の従来の技術水準による極細線(例6)を記載
する。これらの極細線は伸び(破断点伸び)[%]及び
強度(引張り強さ)[MPa]によって特性を示す。例
中で使用したセリウムミッシュメタルは50重量%以上
のセリウム含量を有する市販製品である。
【0033】例1 白金0.25重量%及びセリウムミッシュメタル0.0
03重量%を含む金合金から成る極細線 白金0.25重量%及び53.6重量%のセリウム含量
を有するセリウムミッシュメタル0.003重量%及び
残部としての金から成る合金の溶融物を、連続鋳造装置
(Stranggussanlage)で円形断面を有
するストランドに鋳造する。次にこのストランドから3
0マイクロメ−トルの直径を有する線を作り、この線を
目標とする伸びに応じて約300〜600℃で空気中で
赤熱する。伸び[%]に従属して測定した強度値[MP
a]を第1表に記載する。
【0034】直径275マイクロメ−トルの線により測
定した室温での比電気抵抗は0.026オ−ムmm
mである。
【0035】
【表1】
【0036】例2 白金0.5重量%及びセリウムミッシュメタル0.00
3重量%を含む金合金から成る極細線 白金0.5重量%、53.6重量%のセリウム含量を有
するセリウムミッシュメタル0.003重量%及び残部
としての金から成る合金の溶融物を、連続鋳造装置で円
形断面を有するストランドに鋳造する。次にこのストラ
ンドから30マイクロメ−トルの直径を有する線を作
り、この線を目標とする伸びに応じて約300〜600
℃で空気中で赤熱する。伸び[%]に従属して測定され
た強度値[MPa]を第2表に記載する。
【0037】直径275マイクロメ−トルを有する線に
より測定した、室温での比電気抵抗は0.028オ−ム
mm/mである。
【0038】
【表2】
【0039】例3 白金0.75重量%及びセリウムミッシュメタル0.0
03重量%を含む金合金から成る極細線 白金0.75重量%、53.6重量%のセリウム含量を
有するセリウムミッシュメタル0.003重量%及び残
部としての金から成る合金の溶融物を連続鋳造装置で円
形断面を有するストランドに鋳造する。次にこのストラ
ンドから直径30マイクロメ−トルを有する線を作り、
この線を目標とする伸びに応じて約300〜600℃で
空気中で赤熱する。伸び[%]に従属して測定した強度
値[MPa]を第3表に記載する。
【0040】直径275マイクロメ−トルの線により測
定した、室温での比電気抵抗は0.031オ−ムmm
/mである。
【0041】
【表3】
【0042】例4 白金0.9重量%及びセリウムミッシュメタル0.00
3重量%を含む金合金からの極細線 白金0.9重量%、53.6重量%のセリウム含量を有
するセリウムミッシュメタル0.003重量%及び残部
としての金から成る合金の溶融物を連続鋳造装置で円形
断面を有するストランドに鋳造する。次にこのストラン
ドから直径25マイクロメ−トルを有する線及び直径3
0マイクロメ−トルを有する線を作り、各線を目標とす
る伸びに応じて約300〜600℃で赤熱する。伸び
[%]に従属して測定した強度値[MPa]を第4表に
記載する。
【0043】直径275マイクロメ−トルを有する線に
より測定した、室温での比電気抵抗は0.032オ−ム
mm/mである。
【0044】
【表4】
【0045】例5 白金0.9重量%、セリウムミッシュメタル0.003
重量%、ベリリウム0.001重量%及びカルシウム
0.001重量%を含有する金合金から成る極細線白金
0.9重量%、53.6重量%のセリウム含量を有する
セリウムミッシュメタル0.003重量%、ベリリウム
0.001重量%、カルシウム0.001重量%及び残
部としての金から成る合金の溶融物を、連続鋳造装置で
円形断面を有するストランドに鋳造する。次にこのスト
ランドから直径30マイクロメ−トルを有する線を作
り、目標とする伸びに応じて約300〜600℃で空気
中で赤熱する。伸び[%]に従属して測定した強度値
[MPa]を第5表に記載する。
【0046】
【表5】
【0047】例6(比較) ドイツ国特許第1608161号明細書によるセリウム
ミッシュメタルを含有する金合金からの極細線 金及び53.6重量%のセリウム含量を有するセリウム
ミッシュメタルから成る合金の溶融物を連続鋳造装置で
円形断面を有するストランドに鋳造する。次にこのスト
ランドから直径25マイクロメ−トルの線及び直径30
マイクロメ−トルの線を作り、各線を目標とする伸びに
応じて約300〜600℃で空気中で赤熱する。伸び
[%]に従属して測定した強度値[MPa]を第6表に
記載する。
【0048】直径275マイクロメ−トルを有する線に
より測定した、室温での比電気抵抗は0.024オ−ム
mm/mである。
【0049】
【表6】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による極細線の引張り強さと公知技術水
準による極細線の引張り強さとの比較を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C22F 1/00 661 C22F 1/00 661A 682 682 685 685Z 686 686A 691 691B (72)発明者 ユルゲン ロイエル ドイツ連邦共和国 ゲルンハウゼン イ ム ノイエン ベルク 17 (72)発明者 ルッツ シュレープラー ドイツ連邦共和国 アルツェナウ ベル リーナー シュトラーセ 20ベー (72)発明者 クリストフ ジモンス ドイツ連邦共和国 ビーバーゲミュント ズュートリング 3 (56)参考文献 特開 平11−26491(JP,A) 特開 平8−293516(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 301 C22C 5/02 C22F 1/00

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セリウムミッシュメタルを含有する金合
    金から成る、半導体の構造部材の接触のための極細線に
    おいて、金合金が白金0.05〜0.95重量%、セリ
    ウムミッシュメタル0.001〜0.1重量%、アルカ
    リ土類金属0〜0.1重量%、残り金から成り、かつ
    リウムミッシュメタルの少なくとも50重量%がセリウ
    ムから成ることを特徴とする、セリウムミッシュメタル
    を含有する金合金から成る極細線。
  2. 【請求項2】 金合金の白金含量が0.25〜0.9重
    量%である、請求項1記載の極細線。
  3. 【請求項3】 金合金のセリウムミッシュメタル含量が
    0.001〜0.01重量%である、請求項1又は2記
    載の極細線。
  4. 【請求項4】 金合金のアルカリ土類金属含量が0.0
    001〜0.01重量%である、請求項1から請求項3
    までのいずれか1項記載の極細線。
  5. 【請求項5】 アルカリ土類金属がベリリウム及びカル
    シウムから成る混合物である、請求項1から請求項4ま
    でのいずれか1項記載の極細線。
  6. 【請求項6】 白金が部分的に又は完全にパラジウムに
    よって代用されている、請求項1から請求項5までのい
    ずれか1項記載の極細線。
  7. 【請求項7】 請求項1から請求項6までのいずれか1
    項記載のセリウムミッシュメタルを含有する金合金から
    成る、半導体構造部材の接触のための極細線を製造する
    に当たり、白金0.05〜0.95重量%、セリウムミ
    ッシュメタル0.001〜0.1重量%、アルカリ土類
    金属0〜0.1重量%、残り金から成り、セリウムミッ
    シュメタルの少なくとも50重量%がセリウムから成る
    金合金を溶融し、溶融合金を連続的に鋳造し、鋳造スト
    ランドを結合目的に普通用いられている直径を有する線
    に延ばしかつこの線を赤熱することを特徴とする、セリ
    ウムミッシュメタルを含有する金合金から成る極細線の
    製造方法。
  8. 【請求項8】 溶融合金を円形断面を有するストランド
    に鋳造する、請求項7記載の方法。
  9. 【請求項9】 0.25〜0.9重量%の白金含量を有
    する金−白金−希土類金属−合金を溶融する、請求項7
    又は8記載の方法。
  10. 【請求項10】 0.001〜0.01重量%のセリウ
    ムミッシュメタルを有する金合金を溶融する、請求項7
    から請求項9までのいずれか1項記載の方法。
  11. 【請求項11】 0.0001〜0.01重量%のアル
    カリ土類金属含量を有する金合金を溶融する、請求項7
    から請求項10までのいずれか1項記載の方法。
  12. 【請求項12】 アルカリ土類金属としてベリリウム及
    びカルシウムから成る混合物を含有する金合金を溶融す
    る、請求項7から請求項11までのいずれか1項記載の
    方法。
  13. 【請求項13】 白金がその中で部分的又は完全にパラ
    ジウムによって代用されている、金合金を溶融する、請
    求項7から請求項12までのいずれか1項記載の方法。
  14. 【請求項14】 極細線を300〜700℃で赤熱す
    る、請求項7から請求項13までのいずれか1項記載の
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19821395C2 (de) * 1998-05-13 2000-06-29 Heraeus Gmbh W C Verwendung eines Feinstdrahtes aus einer nickelhaltigen Gold-Legierung
KR100717667B1 (ko) * 2000-09-18 2007-05-11 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 반도체용 본딩 와이어 및 그 제조 방법
US6500760B1 (en) 2001-08-02 2002-12-31 Sandia Corporation Gold-based electrical interconnections for microelectronic devices
KR100427749B1 (ko) * 2002-05-07 2004-04-28 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어
JP2004257950A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Denso Corp 半導体圧力センサ
US6858943B1 (en) 2003-03-25 2005-02-22 Sandia Corporation Release resistant electrical interconnections for MEMS devices
US8154092B2 (en) 2004-08-09 2012-04-10 Case Western Reserve University Silicon carbide MEMS structures and methods of forming the same
WO2006035803A1 (ja) * 2004-09-30 2006-04-06 Tanaka Denshi Kogyo K.K. Au合金ボンディング・ワイヤ
JP5311715B2 (ja) * 2005-01-24 2013-10-09 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体素子接続用金線
JP5166738B2 (ja) * 2006-03-24 2013-03-21 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体素子接続用金線

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2116208B (en) * 1981-12-04 1985-12-04 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
JP2737953B2 (ja) * 1988-09-29 1998-04-08 三菱マテリアル株式会社 金バンプ用金合金細線
GB2231336B (en) * 1989-04-28 1993-09-22 Tanaka Electronics Ind Gold wire for the bonding of a semiconductor device
JP2641000B2 (ja) * 1991-12-26 1997-08-13 新日本製鐵株式会社 ボンディング用金合金細線
JP3143755B2 (ja) * 1992-01-06 2001-03-07 新日本製鐵株式会社 ボンディング用金合金細線
JP3185994B2 (ja) * 1992-09-30 2001-07-11 田中電子工業株式会社 半導体素子用ボンディング線
JP3204336B2 (ja) * 1992-09-30 2001-09-04 田中電子工業株式会社 半導体素子用ボンディング線
JP2922388B2 (ja) * 1993-04-22 1999-07-19 新日本製鐵株式会社 ボンディング用金合金細線
JP3358295B2 (ja) * 1994-06-09 2002-12-16 住友金属鉱山株式会社 ボンディングワイヤ
DE4442960C1 (de) * 1994-12-02 1995-12-21 Fraunhofer Ges Forschung Lothöcker für die Flip-Chip-Montage und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH08293514A (ja) * 1995-04-20 1996-11-05 Nippon Steel Corp 半導体素子用金合金細線
JP3579493B2 (ja) * 1995-04-20 2004-10-20 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金合金細線
JP3426397B2 (ja) * 1995-04-20 2003-07-14 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金合金細線
JP3426399B2 (ja) * 1995-04-21 2003-07-14 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金合金細線
JP3337049B2 (ja) * 1995-05-17 2002-10-21 田中電子工業株式会社 ボンディング用金線
JP3367544B2 (ja) * 1995-08-23 2003-01-14 田中電子工業株式会社 ボンディング用金合金細線及びその製造方法

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