KR100326478B1 - 금합금미세와이어,이미세와이어의제조방법 - Google Patents

금합금미세와이어,이미세와이어의제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100326478B1
KR100326478B1 KR1019980051223A KR19980051223A KR100326478B1 KR 100326478 B1 KR100326478 B1 KR 100326478B1 KR 1019980051223 A KR1019980051223 A KR 1019980051223A KR 19980051223 A KR19980051223 A KR 19980051223A KR 100326478 B1 KR100326478 B1 KR 100326478B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
gold alloy
gold
earth metal
fine wire
Prior art date
Application number
KR1019980051223A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990045637A (ko
Inventor
크리스토프 지몬스
귄터 헤르콜즈
루츠 쉐레플러
쥬르겐 레우엘
여ㅇ 철 조
Original Assignee
안드레아스 바우만/ 게하르트 리체르트
베.체. 헤레우스 게엠베하 운트 코. 카게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 안드레아스 바우만/ 게하르트 리체르트, 베.체. 헤레우스 게엠베하 운트 코. 카게 filed Critical 안드레아스 바우만/ 게하르트 리체르트
Publication of KR19990045637A publication Critical patent/KR19990045637A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100326478B1 publication Critical patent/KR100326478B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/02Alloys based on gold
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01018Argon [Ar]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01021Scandium [Sc]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01022Titanium [Ti]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01031Gallium [Ga]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01032Germanium [Ge]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01038Strontium [Sr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0104Zirconium [Zr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01041Niobium [Nb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01044Ruthenium [Ru]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01049Indium [In]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01056Barium [Ba]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01059Praseodymium [Pr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0106Neodymium [Nd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01063Europium [Eu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01066Dysprosium [Dy]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01076Osmium [Os]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01077Iridium [Ir]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/011Groups of the periodic table
    • H01L2924/01105Rare earth metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20753Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

0.5-0.9 중량%의 동 및 근소한 양의 백금 또는 알카리토금속 및 희토류금속족으로 부터의 적어도 하나의 원소의 근소한 양을 포함하는 금-합금으로된 미세와이어는 금에 유사한 비전기저항과 유리한 강도/연신율-비에 의하여 뛰어나고 있다. 이들은 와이어 본딩을 위해서도 후립-칩의 접촉돌기부의 제조를 위해서도 적합하다.

Description

금 합금 미세 와이어, 이 미세 와이어의 제조 방법
본 발명은 반도체 소자의 접합을 위한 금 합금 미세 와이어와, 이 미세 와이어의 제조 방법에 관한 것이다.
접합 와이어로도 알려져 있는 반도체 소자의 접합에 적합한 와이어는 우수한 전기적 특성 및 기계적 강도를 갖지 않으면 안 된다. 상기 와이어의 직경은 사용 목적에 상응하여 선택되는데, 약 10 내지 200 ㎛의 범위를 가질 수 있으며, 통상적으로 약 20 내지 60 ㎛이다.
접합 와이어는 종종 고순도의 금 또는 금 합금으로 형성된다. 후자는 높은 강도를 가지며, 이것이 미량의 합금 형성 성분을 함유하는 경우에는 금 합금에 유사한 전기 전도도를 갖는 장점이 있다.
예를 들어, 독일 특허 제 16 08 161 C 호에는 집적 회로내의 리드 와이어의 제조에 있어서 금 합금 및 0.001-0.1%의 미시메탈 또는 이트륨 형태의 하나 또는다수의 희토류 금속의 사용이 공지된다. 미량의 희토류 금속 또는 이트륨을 함유하는 상기 금 합금은 500℃ 이상의 가열 온도에서, 경도 및 화학적 안정성 또는 전기적 저항과 같은 금의 특성들이 실제적으로 영향을 받지 않으면서도 현저히 개선된 강도 및 인장 거동을 갖는다.
또한, 상기 접합 와이어에 있어서 금-희토류 금속 합금은 독일 특허 제 32 37 385 A 호(미국 특허 제 4 885 135 호), 독일 특허 제 39 36 281 A 호(미국 특허 제 4 938 923호), 일본 특허 제 5-179375 A 호, 일본 특허 제 5-179376 A 호, 일본 특허 제 6-112258 A 호, 유럽 특허 제 0 743 679 A 호, 및 유럽 특허 제 0 761 831 A 호에 기재된다.
독일 특허 제 32 37 385 A 호에는 0.0003 내지 0.01 중량%의 희토류 금속, 특히 세륨, 및 경우에 따라서는 게르마늄, 베릴륨 및/또는 칼슘을 함유하는 금 합금으로 형성되며, 높은 인장 강도를 갖는 금 합금 미세 와이어가 기재된다.
독일 특허 제 39 36 281 A 호에는 반도체 소자의 접합에 있어서 미량의 란탄, 베릴륨, 칼슘 및 특히 백금 및/또는 팔라듐과 같은 백금족 원소와 합금된 고순도의 금으로 형성되는 금 합금 와이어가 기재된다.
일본 특허 제 5-179375 A 호 및 일본 특허 제 5-179376 A 호는 고순도의 금 및 0.0003 내지 0.005 중량%의 알루미늄 또는 갈륨, 0.0003 내지 0.003중량%의 칼슘 및 0.0003 내지 0.003 중량%의 이트륨, 란탄, 세륨, 네오디뮴, 디스프로슘 및/또는 베릴륨으로 형성되는 접합용 금 합금 미세 와이어에 관한 것이다.
일본 특허 제 6-112258 A 호로부터 공지되며, Chemical Abstracts Vol.121,89287m에서 언급되는 접합 와이어는 1 내지 30%의 백금 및 0.0001 내지 0.05%의 스칸듐, 이트륨 및/또는 희토류 금속 및 경우에 따라서는 0.0001 내지 0.05%의 베릴륨, 칼슘, 게르마늄, 니켈, 철, 코발트 및/또는 은을 함유하는 금 합금으로 형성된다.
유럽 특허 제 0 743 679 A 호에는 백금이 함유된 금-희토류 금속 합금 접합 와이어가 기재된다. 이 합금은 금 및 미량의 백금(0.0001 내지 0.005 중량%), 은, 마그네슘, 및 유로퓸으로 형성되며, 예를 들어 0.0001 내지 0.002 중량%의 세륨을 함유할 수 있다.
유럽 특허 제 0 761 831 A 호에는 백금 및/또는 필라듐을 함유하는 금-희토류 금속 합금 미세 와이어가 기재된다. 이 합금은 0.1 내지 2.2 중량%의 백금 및/또는 팔라듐과, 0.0001 내지 0.005 중량%의 베릴륨, 게르마늄, 칼슘, 란탄, 이트륨 및/또는 유로퓸과, 잔여가 금으로 형성된다. 상기 와이어는 도가니로 내의 합금 형성 성분들의 용융과, 주물(주괴)을 획득하기 위하여 도가니로 내에 존재하는 합금 의 용융물을 하부로부터 상부로 진행되는 점진적인 냉각, 및 뒤이어 일어나는 압연, 인발 및 열처리에 의해 제조된다. 이것은 3 내지 8%의 연신율과, 6800 내지 9000 kgf/㎟의 영 계수(Young's modulus)를 갖는다.
유럽 특허 제 0 288 776 A2 호는 알루미늄으로 금속화한 접촉물에 관한 것으로, 이것은 경도와 강도의 개선을 위하여 구리가 함유되며, 그 결과로 적절한 경도를 갖는 베릴륨 함유 표준-금 접합 와이어보다도 더 적절하다. 따라서 구리가 함유된 알루미늄으로 형성되는 접촉 패드의 접합을 위해서는, 알루미늄에 적합한 경도를 가지며, 금 및 0.01 내지 1 중량%의 구리로 형성되는 합금으로 형성되는 접합 와이어가 제안된다.
구리를 함유하는 접합 와이어는 또한 독일 특허 제 39 90 432 C2 호(=미국 특허 제 5 491 034 A 호)에서 공지된다. 상기 접합 와이어는 외부 접속부와 반도체 소자의 전극과의 접합을 위해 사용되고, 1 내지 5 중량%를 갖는 금 합금으로 형성된다. 부가적으로 상기 접합 와이어는 0.0003 내지 0.01 중량%의 칼슘, 게르마늄, 베릴륨, 란탄 및/또는 인듐과, 적어도 1 중량% 내지 5 중량%의 백금을 함유할 수 있다. 상기 접합 와이어의 제조는 진공로에서 금 합금의 용융과, 와이어의 인발, 및 뒤이어 일어나는 200 내지 600℃에서의 열처리에 의하여 이루어진다. 이 어닐링은 통상적인 것이며, 인발의 결과로 인한 적절하지 않은 변형 가능성 또는 연신율("elongation")을 개선하는 목적을 가진다. 강도의 감소는 변형 가능성의 개선과 결부되어 있으므로, 방법과 양의 관점에서 강도에 영향을 주는 합금 형성 성분 및 열처리의 조건은 변형 가능성 및 강도 양자가 그때그때의 요구 조건에 상응하게 선택되어야 한다. 상기 접합 와이어의 강도는 구리 함량의 상승에 따라 증가한다.
일본 특허 제 01-87734 A 호(일본 특허초록)에는 금 및 0.05 내지 0.3 중량%의 구리, 알루미늄, 이트륨, 니켈, 코발트, 티타늄, 볼프람, 실리슘, 지르코늄, 칼슘, 팔라듐, 루테늄, 인듐, 백금, 은 및 오스뮴과 같은 원소 중 적어도 1종의 원소로 형성되는 미세 와이어가 공지된다. 이 미세 와이어는 우수한 인성 및 기계적 특성을 갖는다.
일본 특허 제 08-199261 A 호(일본특허청-일본특허초록)에는 고순도의 금, 0.1 내지 2 중량%의 구리와, 0.01 내지 0.1 중량%의 라듐 및 경우에 따라서 0.0001 내지 0.01 중량%의 주석 및/또는 0.0001 내지 0.01 중량%의 칼슘, 베릴륨, 게르마늄, 희토륨 금속, 스트론튬, 바륨, 인듐 및 티탄과 같은 금속 중 적어도 한 종류의 금속으로 형성되는 접합 와이어가 기재된다. 이 접합 와이어의 강도는 합성수지로 매설된 반도체 소자에 인접한 접합 루프 사이에서 접촉 불량을 피하기 위해 충분하다.
접합 와이어의 선택에 있어서 화학적 및 물리적 특성 이외에도, 특히 소정의 연신율에 있어서 가급적 높은 강도가 요구된다.
따라서 본 발명은 미세 와이어가 가급적이면 좋은 강도-연신율 비를 가지며, 이것의 전기 전도도가 순금 미세 와이어의 전기 전도도와 차이가 거의 없는, 특정된 종류의 금 합금 미세 와이어를 제공하는 과제를 기초로 하고 있다.
상기 과제는 금 합금이 0.5 내지 0.9 중량%의 구리와, 0.05 내지 0.95 중량%의 백금과, 잔여가 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 본 발명에 따른 금 합금 미세 와이어에 의하여 해결된다.
상기 과제는 또한 금 합금이 0.5 내지 0.9 중량%의 구리와, 0.0001 내지 0.1 중량%의 알칼리 토금속족 및 희토류 금속족에 속하는 적어도 1종의 원소와, 1 중량% 이하의 백금과, 잔여가 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 본 발명에 따른 금 합금 미세 와이어에 의하여 해결된다.
본 발명의 의미에서 " 알칼리 토금속" 은 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 바륨 및 스트론튬으로 " 희토류 금속" 은 란탄(원소번호 57) 및 전문 문헌에 " 란탄열의 원소들" 로서 표시되는 란탄 다음의 14개 원소들 세륨(원소번호 58) 내지 류테튬(원소번호 71)으로 이해된다.
상기 알칼리 토금속 함량 및/또는 희토류 금속 함량은 0.001 내지 0.01 중량%인 것이 유리하며, 백금이 함유되는 경우에 백금 함량은 0.1 내지 0.9 중량%인 것이 유리하다. 상기 알칼리 토금속은 베릴륨, 마그네슘, 칼슘이거나 또는 상기 알칼리 토금속 중 적어도 2종의 원소의 혼합물인 것이 바람직하다. 베릴륨 및 칼슘의 혼합물이 사용되는 경우에는 그때그때마다 50 중량%의 베릴륨 및 칼슘으로 형성되는 혼합물이 특히 적합한 것으로 증명되었다.
상기 희토류 금속은 세륨 또는 세륨 및 원소번호 57 및 59 내지 71을 갖는 희토류 금속 중의 하나 또는 다수로 형성되는 혼합물이다. 세륨-혼합 금속이 특히 적합한 것으로 입증되었다. 상기 세륨-혼합 금속으로는 통상적으로 50 내지 60%의 세륨, 25 내지 30%의 란탄, 10 내지 15%의 네오디뮴, 4 내지 6%의 프라세오디뮴 및 1%의 철 및 미소 비율을 갖는 또 다른 희토류 금속의 혼합물이 사용된다(Roempp Chemie Lexikon, Georg thieme Verlag Stuttgart-New York, Band 1, 10, Auflage(1996), 647).
접합 와이어에 있어서 통상적인 직경을 갖는 본 발명에 따른 미세 와이어는 접합을 위한 사용에 필요한 모든 특성을 갖는다. 이것은 특히 비 전기 저항(표 Ⅷ 참조)으로서 높은 전기적 전도성 및 연신율에 대한 우수한 강도(도면 참조)에 의한다. 놀라운 방법으로 구리 및 알칼리 토금속 및/또는 희토류 금속과 같은 합금 형성 성분의 종류 및 함량에 있어서 본 발명에 따른 실시예는 어닐링(annealing)에 의하여 강도 손실의 감소를 가져왔다(표 Ⅸ 참조). 미세 와이어의 매우 우수한 강도-연신율 비는 매우 우수한 접합에 기여하였다.
도면에서는 비교를 위하여 본 발명에 따르지 않은 미세 와이어 (실시예 7)의 연신율에 대한 강도(인장강도)[N/㎟] 및 본 발명에 따른 미세 와이어(실시예 1-6)의 연신율에 대한 강도가 도시된다. 본 발명에 따른 미세 와이어는 소정의 연신율에 있어서 더 높은 강도를 갖는다. 표 Ⅷ에는 비교를 위하여 실시예에서 기술된 본 발명에 따른 미세 와이어 및 본 발명에 따르지 않는 몇몇 미세 와이어들의 화학적 조성과 비 전기 저항이 제시된다. 표 Ⅸ는 강인 상태 및 약 4%의 연신율에서 실시예 1 내지 7에 기술된 미세 와이어의 강도값을 나타내고, 강도에 있어서 베릴륨, 칼슘 및 세륨 첨가의 영향을 알 수 있게 한다. 베릴륨, 칼슘 및 세륨은 어닐링과 함께 강도 손실을 감소시킨다.
본 발명에 따른 미세 와이어는 그것의 유리한 특성으로 인하여 와이어 접합용으로 특별한 장점을 가지고, 또한 개발 중에 있는 고주파 접합 및 플립-칩(flip-chip)의 접합 돌기부의 제조를 위하여 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 금 합금 미세 와이어의 연신율에 대한 인장 강도를 종래 미세 와이어와 비교하여 도시한 비교도이다.
상기 과제의 해결 방안은 반도체 소자의 접합을 위한 금 합금 미세 와이어의 제조를 위한 방법에 있으며, 이 방법은 본 발명에 따라서 a) 0.5 내지 0.9 중량%의 구리와, 0.05 내지 0.95 중량%의 백금과, 잔여가 금으로 형성되거나, 또는 b) 0.5내지 0.9 중량%의 구리와, 0.0001 내지 0.1 중량%의 알칼리 토금속족 및 희토류 금속족의 적어도 1종의 원소와, 1 중량% 이하의 백금과, 잔여가 금으로 형성되는 금 합금이 용융되며, 이 금 합금의 용융물이 스트랜드(strand)로 연속 주조되고, 이 스트랜드는 접합 목적을 위하여 통상적인 직경을 갖는 와이어로 인발되며, 이 와이어가 어닐링되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 방법은 금 합금의 용융물이 원형의 횡단면을 갖는 스트랜드로 연속 주조되며, 상기 와이어가 약 300 내지 700℃에서 어닐링되는 경우에 특히, 유용한 것으로 입증되었다. 어닐링에 의하여 강인한 와이어는 필요한 연신율을 얻는다. 합금의 용융 및 주조는 예를 들어, 아르곤과 같은 보호 기체하의 대기, 또는 진공 중에서 이루어진다.
본 발명에 따른 방법에서는 0.001-0.01 중량%의 알칼리 토금속 및/또는 희토류 금속의 함량을 가지며, 존재한다면 0.1-0.9 중량%의 백금 함량을 갖는 금 합금의 용융물이 선호된다.
상기 알칼리 토금속으로서는 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 또는 이 원소들 중 적어도 2종의 원소로 형성되는 혼합물이 사용될 수 있다. 특히 베릴륨, 마그네슘, 칼슘 또는 이 알칼리 토금속 중 적어도 2종의 원소로 형성되는 혼합물이 유리한 것으로 나타났다. 베릴륨 및 칼슘으로 형성되는 혼합물이 특히 유용한 것으로 입증되었는데, 약 50 중량%의 베릴륨 및 약 50 중량%의 칼슘의 혼합물이 바람직하다.
상기 희토류 금속으로서는 특히 세륨 또는 세륨 및 원소번호 57 및 59 내지71을 갖는 하나 또는 다수의 희토류 금속으로 형성되는 혼합물이 사용되며, 후자는 시판되는 세륨 혼합 금속의 형태로 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 방법은 특히 이것이 연속적으로 주조될 수 있고, 공정 제품 즉, 주조된 스트랜드 및 인발된 와이어가 매우 균일하며, 일정한 품질을 갖는다는 점에서 우수하다.
더 상세한 설명을 위하여 이하, 실시예 1 내지 실시예 6에서 본 발명에 따른 미세 와이어, 이 미세 와이어의 제조 방법이 기술되고, 실시예 7에서는 비교를 위하여 독일 특허 제 16 08 161 C 호로부터 공지된 선행 기술에 따른 미세 와이어가 기술된다. 이 미세 와이어는 이것의 연신율[%], 강도(인장 강도)[N/㎟] 및 비 전기 저항[Ω㎟/m]에 의하여 특성화된다.
실시예 1
0.8 중량%의 구리 및 0.8 중량%의 백금을 함유하는 금 합금 미세 와이어,
0.8 중량%의 구리와, 0.8 중량%의 백금 및 잔여가 금으로 형성되는 금 합금의 용융물이 연속 주조 설비에서 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조된다. 이어서 이 스트랜드로부터 30 ㎛의 직경을 갖는 와이어가 인발되고, 이 와이어는 얻고자 하는 연신율에 따라 약 300 내지 700℃에서 어닐링된다. 연신율[%]에 따라 측정된 강도값[N/㎟]은 표Ⅰ에 제시된다.
275 ㎛의 직경을 갖는 와이어에서 측정된, 실온에서의 비 전기 저항은 0.041 Ω㎟/m이다.
표 Ⅰ
실시예 2
0.8 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨과, 0.001 중량%의 칼슘 및 0.8 중량%의 백금을 함유하는 금 합금 미세 와이어.
0.8 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨과, 0.001 중량%의 칼슘과, 0.8 중량 %의 백금 및 잔여가 금으로 형성되는 금 합금의 용융물이 연속 주조 설비에서 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조된다. 이어서 이 스트랜드로부터 30 ㎛의 직경을 갖는 와이어가 인발되고, 이 와이어는 얻고자 하는 연신율에 따라 약 300 내지 700℃에서 어닐링된다. 연신율[%]에 따라 측정된 강도값[N/㎟]은 표 Ⅱ에 제시된다.
275 ㎛의 직경을 갖는 와이어에서 측정된, 실온에서의 비 전기 저항은 0.041 Ω㎟/m이다.
표 Ⅱ
실시예 3
0.8 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨과, 0.001 중량%의 칼슘 및 0.3 중량%의 백금을 함유하는 금 합금 미세 와이어.
0.8 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨과, 0.001 중량%의 칼슘과, 0.3 중량%의 백금 및 잔여가 금으로 형성되는 금 합금의 용융물이 연속 주조 설비에서 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조된다. 이어서 이 스트랜드로부터 30 ㎛의 직경을 갖는 와이어가 인발되고, 이 와이어는 얻고자 하는 연신율에 따라 약 300 내지 700℃에서 어닐링된다. 연신율[%]에 따라 측정된 강도값[N/㎟]은 표 Ⅲ에 제시된다.
275 ㎛의 직경을 갖는 와이어에서 측정된, 실온에서의 비 전기 저항은 0.036 Ω㎟/m이다.
표 Ⅲ
실시예 4
0.9 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨 및 0.001 중량%의 칼슘을 함유하는 금 합금 미세 와이어.
0.9 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨과, 0.001 중량%의 칼슘 및 잔여가 금으로 형성되는 금 합금의 용융물이 연속 주조 설비에서 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조된다. 이어서 이 스트랜드로부터 30 ㎛의 직경을 갖는 와이어가 인발되고, 이 와이어는 얻고자 하는 연신율에 따라 약 300 내지 700℃에서 어닐링된다. 연신율[%]에 따라 측정된 강도값[N/㎟]은 표 Ⅳ에 제시된다.
275 ㎛의 직경을 갖는 와이어에서 측정된, 실온에서의 비 전기 저항은 0.034 Ω㎟/m이다.
표Ⅳ
실시예 5
0.9 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨과, 0.001 중량%의 칼슘 및 0.9 중량%의 백금을 함유하는 금 합금 미세 와이어.
0.9 중량%의 구리와, 0.001 중량%의 베릴륨과, 0.001 중량%의 칼슘과, 0.9 중량%의 백금 및 잔여가 금으로 형성되는 금 합금의 용융물이 연속 주조 설비에서 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조된다. 이어서 이 스트랜드로부터 30 ㎛의 직경을 갖는 와이어가 인발되고, 얻고자 하는 연신율에 따라 약 300 내지 700℃에서 어닐링된다. 연신율[%]에 따라 측정된 강도값[N/㎟]은 표 Ⅴ에 제시된다.
275 ㎛의 직경을 갖는 와이어에서 측정된, 실온에서의 비 전기 저항은 0.043 Ω㎟/m이다.
표 Ⅴ
실시예 6
0.8 중량%의 구리 및 0.01 중량%의 세륨을 함유하는 금 합금 미세 와이어.
0.8 중량%의 구리와, 0.01 중량%의 세륨 및 잔여가 금으로 형성되는 금 합금의 용융물이 연속 주조 설비에서 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조된다. 이어서 이 스트랜드로부터 30 ㎛의 직경을 갖는 와이어가 인발되고, 얻고자 하는 연신율에 따라 약 300 내지 700℃에서 어닐링된다. 연신율[%]에 따라서 측정된 강도값[N/㎟]가 표 Ⅵ에 제시된다.
275 ㎛의 직경을 가지는 와이어에서 측정된, 실온에서의 비 전기 저항은 0.034 Ω㎟/m이다.
표 Ⅵ
실시예 7 (비교)
독일 특허 제 16 08 161 C 호에 따른 세륨 혼합 금속을 함유하는 금 합금 미세 와이어.
금 및 세륨 혼합 금속으로 형성되는 금 합금의 용융물이 연속 주조 설비에서 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조된다. 이어서 이 스트랜드로부터 30 ㎛의 직경을 갖는 와이어가 인발되고, 이 와이어는 얻고자 하는 연신율에 따라 약 300 내지 600℃에서 어닐링된다. 연신율[%]에 따라 측정된 강도값[N/㎟]은 표 Ⅶ에 제시된다.
275 ㎛의 직경을 갖는 와이어에서 측정된, 실온에서의 비 전기 저항은 0.023 Ω㎟/m이다.
표 Ⅶ
표 Ⅷ
실시예 7은 독일 특허 제 16 08 161 C 호에 따른 세륨 혼합 금속을 함유하는 금 합금이다.
표 Ⅸ
실시예 7은 독일 특허 제 16 08 161 C 호에 따른 세륨 혼합 금속을 함유하는 금 합금이다.
따라서 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 금 합금 미세와이어, 이 미세와이어의 제조 방법은 특히 연속적으로 주조될 수 있고, 공정 제품 즉, 주조된 스트랜드 및 인발된 와이어가 매우 균일하고 일정한 품질을 가지며, 소정의 연신율에 있어서 인장 강도가 높은 미세 와이어를 제공하는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 반도체 소자의 접합을 위한 금 합금 미세 와이어에 있어서,
    상기 금 합금은 0.5 내지 0.9 중량%의 구리와, 0.05 내지 0.95 중량%의 백금과, 잔여가 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어.
  2. 반도체 소자의 접합을 위한 미세 와이어에 있어서,
    상기 금 합금은 0.5 내지 0.9 중량%의 구리와, 0.0001 내지 0.1 중량%의 알칼리 토금속족 및 희토류 금속족에 속하는 적어도 1종의 원소와, 및 1 중량% 이하의 백금과, 잔여가 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 알칼리 토금속은 베릴륨, 마그네슘, 또는 칼슘인 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 희토류 금속은 세륨인 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어.
  5. 반도체 소자의 접합을 위한 금 합금 미세 와이어의 제조 방법에 있어서,
    a) 0.5 내지 0.9 중량%의 구리와, 0.05 내지 0.95 중량%의 백금과, 잔여가금으로 형성되거나 또는 b) 0.5 내지 0.9 중량%의 구리와, 0.0001 내지 0.1 중량%의 알칼리 토금속족 및 희토류 금속족에 속하는 적어도 1종의 원소와, 1 중량% 이하의 백금과, 잔여가 금으로 형성되는 상기 금 합금이 용융되며, 이 금 합금의 용융물은 스트랜드로 연속 주조되고, 상기 스트랜드는 접합 목적을 위하여 통상의 직경을 갖는 와이어로 인발되며, 이 와이어는 어닐링되는 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 금 합금의 용융물은 원형 횡단면을 갖는 스트랜드로 주조되는 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 알칼리 토금속으로서 베릴륨, 마그네슘, 또는 칼슘을 함유하는 상기 금 합금이 용융되는 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어의 제조 방법.
  8. 제 5 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 희토류 금속으로서 세륨을 함유하는 상기 금 합금이 용융되는 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어의 제조 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 와이어는 300 내지 700℃에서 어닐링되는 것을 특징으로 하는 금 합금 미세 와이어의 제조 방법.
KR1019980051223A 1997-11-29 1998-11-27 금합금미세와이어,이미세와이어의제조방법 KR100326478B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19753055A DE19753055B4 (de) 1997-11-29 1997-11-29 Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE19753055.9 1997-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990045637A KR19990045637A (ko) 1999-06-25
KR100326478B1 true KR100326478B1 (ko) 2002-07-02

Family

ID=7850260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980051223A KR100326478B1 (ko) 1997-11-29 1998-11-27 금합금미세와이어,이미세와이어의제조방법

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP3579603B2 (ko)
KR (1) KR100326478B1 (ko)
CN (1) CN1085739C (ko)
CH (1) CH693209A5 (ko)
DE (1) DE19753055B4 (ko)
MY (1) MY122351A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030096985A (ko) * 2002-06-18 2003-12-31 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 본딩용 금합금 세선

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4596467B2 (ja) * 2005-06-14 2010-12-08 田中電子工業株式会社 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線
JP4726205B2 (ja) * 2005-06-14 2011-07-20 田中電子工業株式会社 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線
JP4726206B2 (ja) * 2005-06-14 2011-07-20 田中電子工業株式会社 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線
KR101451361B1 (ko) * 2012-12-04 2014-10-15 희성금속 주식회사 반도체 패키지용 동 합금 본딩 와이어
JP6595344B2 (ja) * 2013-02-06 2019-10-23 ロレックス・ソシエテ・アノニム ローズゴールド合金から作成される時計
CN110446794B (zh) * 2017-03-27 2021-03-26 派特·古普塔 用于珠宝制造的含锆、钛和镁的硬质金合金
CN107974571B (zh) * 2017-11-22 2019-06-14 有研亿金新材料有限公司 一种金瓷合金丝材及其制备方法
CN108922876B (zh) * 2018-06-27 2020-05-29 汕头市骏码凯撒有限公司 一种金合金键合丝及其制造方法
CN111394606B (zh) * 2020-05-06 2021-03-16 贵研铂业股份有限公司 一种金基高阻合金、合金材料及其制备方法
CN114214538B (zh) * 2021-11-12 2022-07-26 中国科学院金属研究所 一种空间引力波探测惯性传感器用金铂合金检验质量材料及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63145729A (ja) * 1986-03-28 1988-06-17 Nittetsu Micro Metal:Kk 半導体素子ボンデイング用金線

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE674933C (de) * 1934-08-17 1939-04-25 Heraeus Gmbh W C Beryllium-Gold-Legierungen
GB2116208B (en) * 1981-12-04 1985-12-04 Mitsubishi Metal Corp Fine gold alloy wire for bonding of a semiconductor device
JP2613224B2 (ja) * 1987-09-29 1997-05-21 田中貴金属工業株式会社 金極細線用材料
JP2745065B2 (ja) * 1988-05-02 1998-04-28 新日本製鐵株式会社 半導体素子用ボンディングワイヤ
JPH04291748A (ja) * 1991-03-20 1992-10-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線基板
JP3586909B2 (ja) * 1995-01-20 2004-11-10 住友金属鉱山株式会社 ボンディングワイヤ
JP3367544B2 (ja) * 1995-08-23 2003-01-14 田中電子工業株式会社 ボンディング用金合金細線及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63145729A (ja) * 1986-03-28 1988-06-17 Nittetsu Micro Metal:Kk 半導体素子ボンデイング用金線

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030096985A (ko) * 2002-06-18 2003-12-31 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 본딩용 금합금 세선

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990045637A (ko) 1999-06-25
JP3579603B2 (ja) 2004-10-20
MY122351A (en) 2006-04-29
DE19753055A1 (de) 1999-06-10
CH693209A5 (de) 2003-04-15
CN1085739C (zh) 2002-05-29
CN1224767A (zh) 1999-08-04
JPH11222639A (ja) 1999-08-17
DE19753055B4 (de) 2005-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100326478B1 (ko) 금합금미세와이어,이미세와이어의제조방법
EP0922780B1 (en) Method of manufacturing a high purity hard gold alloy
JP2911886B2 (ja) セリウムミッシュメタルを含有する金合金から成る極細線及びその製造方法
KR100337382B1 (ko) 금 합금 미세 와이어, 이의 제조 방법 및 사용 방법
JPH0379416B2 (ko)
JP2873770B2 (ja) 半導体素子のワイヤボンディング用パラジウム細線
EP0283587B1 (en) Bonding wire
JP3573321B2 (ja) Auボンディングワイヤー
JPH0713273B2 (ja) 半導体素子用ボンディング線およびその製造方法
JPH0245336B2 (ko)
JPH07284983A (ja) 半田材料及びその製造方法
JPS6026822B2 (ja) 高張力Au合金細線
KR100284929B1 (ko) 금합금으로된미세와이어,이와이어의제조방법및이용
GB2220956A (en) Copper alloy bonding wire
JPS62127437A (ja) 半導体素子用ボンデイング線
JP2661247B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金細線
JPS63241127A (ja) 半導体装置のボンデイングワイヤ用Cu合金極細線
JP2766701B2 (ja) ボンデイングワイヤー
JPS6160841A (ja) ボンデイングワイヤ−
JPS622645A (ja) 半導体装置用ボンデイングワイヤ
JPS62193254A (ja) 半導体装置用Cu合金極細線
JPS62287636A (ja) 半導体素子結線用細線
JPH05132729A (ja) 銅ボンデイングワイヤ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130208

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140207

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee