JPH06310557A - 半導体素子配線用ワイヤ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体素子の高集積化、多ピン化
という実装上の課題に応えるため、従来は困難であった
２０μｍ径以下のボンディングワイヤを提供する。 【構成】 合金元素を含むＡｕ合金を芯にし、純度の高
いＡｕ，Ａｕ合金で被覆する。芯となるＡｕ合金はＣｕ
を１〜５wt％未満にし、Ｃａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎ
を合計で０．０００３〜０．０１wt％にすることも可。 【効果】 ２０μｍ以下の細径にしても強度と接合性を
兼ね備え、従来のワイヤと同様の信頼性を持ったワイヤ
を提供できる。ワイヤの引張強度を３０kg／mm2以上に
することで１５μｍ径以下の極細ワイヤを提供できる。
という実装上の課題に応えるため、従来は困難であった
２０μｍ径以下のボンディングワイヤを提供する。 【構成】 合金元素を含むＡｕ合金を芯にし、純度の高
いＡｕ，Ａｕ合金で被覆する。芯となるＡｕ合金はＣｕ
を１〜５wt％未満にし、Ｃａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎ
を合計で０．０００３〜０．０１wt％にすることも可。 【効果】 ２０μｍ以下の細径にしても強度と接合性を
兼ね備え、従来のワイヤと同様の信頼性を持ったワイヤ
を提供できる。ワイヤの引張強度を３０kg／mm2以上に
することで１５μｍ径以下の極細ワイヤを提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の電極と外部
リードを配線・接続するために使用するボンディングワ
イヤに関するものである。
リードを配線・接続するために使用するボンディングワ
イヤに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の電極を外部リードに
接続するために、Ａｕに微量のＣａ，Ｂｅ，Ｇｅ等を含
有させたＡｕ合金の２５〜５０μｍ径のワイヤ、すなわ
ちボンディングワイヤが用いられている。このワイヤを
用いて半導体素子とリードフレームを接続する際に、両
者とも超音波による圧接（ウェッジボンディング）か、
半導体素子の電極については、アークで先端をボールア
ップした後、熱圧着する方法（ボールボンディング）が
とられている。しかしながら、近年ＩＣのより一層の小
型化、高集積化が行われ、電極数の増加のため、現状ワ
イヤ径では、電極の占める面積が大きくなりすぎること
が問題視されるようになってきた。
接続するために、Ａｕに微量のＣａ，Ｂｅ，Ｇｅ等を含
有させたＡｕ合金の２５〜５０μｍ径のワイヤ、すなわ
ちボンディングワイヤが用いられている。このワイヤを
用いて半導体素子とリードフレームを接続する際に、両
者とも超音波による圧接（ウェッジボンディング）か、
半導体素子の電極については、アークで先端をボールア
ップした後、熱圧着する方法（ボールボンディング）が
とられている。しかしながら、近年ＩＣのより一層の小
型化、高集積化が行われ、電極数の増加のため、現状ワ
イヤ径では、電極の占める面積が大きくなりすぎること
が問題視されるようになってきた。
【０００３】この問題を解決するために、単にワイヤ径
を細くしたのでは、配線時及び使用中の断線の割合が高
く、実用に供し得ない。そのため、現状ワイヤではボン
ディングワイヤの特性としては線径２０μｍ程度が限界
であるとされている。そのため、特開昭５６−４９５３
４号公報及び特開昭５６−４９５３５号公報ではＰｔを
３０wt％まで、あるいはＰｄを４０wt％までＡｕに加え
ることによりワイヤの高強度化をはかり、細線化を可能
にするという提案もあるが、合金元素の含有量がある限
界を超えると接合時に形成するボールの硬さが増し、熱
圧着に必要な荷重が大きくなり、ＩＣのシリコンチップ
に損傷を与える等の問題が起きる。
を細くしたのでは、配線時及び使用中の断線の割合が高
く、実用に供し得ない。そのため、現状ワイヤではボン
ディングワイヤの特性としては線径２０μｍ程度が限界
であるとされている。そのため、特開昭５６−４９５３
４号公報及び特開昭５６−４９５３５号公報ではＰｔを
３０wt％まで、あるいはＰｄを４０wt％までＡｕに加え
ることによりワイヤの高強度化をはかり、細線化を可能
にするという提案もあるが、合金元素の含有量がある限
界を超えると接合時に形成するボールの硬さが増し、熱
圧着に必要な荷重が大きくなり、ＩＣのシリコンチップ
に損傷を与える等の問題が起きる。
【０００４】ボール形成を伴わないウェッジボンディン
グ法を用いる場合でも安定した接合にはワイヤ径の１．
５〜２倍程度のつぶれ幅になるように変形させることが
必要であり、合金元素がある限界を超えるとこのつぶれ
幅にするための荷重が大きくなり、ＩＣのシリコンチッ
プに損傷を与えることになる。また、合金元素を含有さ
せたＡｕは純度の高いものに較べて多かれ少なかれ耐食
性、耐酸化性を弱めさせ、ワイヤの保存条件を限定され
たり、酸化膜の生成による接合性の低下をまねき、使用
後の信頼性を低下させる。特開昭６０−１５９５８号公
報では、Ａｌに異種元素を混入した電極への配線に対し
て良好な熱圧着性を有するボンディングワイヤとして、
Ａｕ基の合金ワイヤが提案されているが、これも同様の
問題があり、従来から採用されているＩＣ、及び接合方
法を特別に変更することなく、ＩＣの小型化、高密度化
がはかれる新しいボンディングワイヤが求められてい
る。
グ法を用いる場合でも安定した接合にはワイヤ径の１．
５〜２倍程度のつぶれ幅になるように変形させることが
必要であり、合金元素がある限界を超えるとこのつぶれ
幅にするための荷重が大きくなり、ＩＣのシリコンチッ
プに損傷を与えることになる。また、合金元素を含有さ
せたＡｕは純度の高いものに較べて多かれ少なかれ耐食
性、耐酸化性を弱めさせ、ワイヤの保存条件を限定され
たり、酸化膜の生成による接合性の低下をまねき、使用
後の信頼性を低下させる。特開昭６０−１５９５８号公
報では、Ａｌに異種元素を混入した電極への配線に対し
て良好な熱圧着性を有するボンディングワイヤとして、
Ａｕ基の合金ワイヤが提案されているが、これも同様の
問題があり、従来から採用されているＩＣ、及び接合方
法を特別に変更することなく、ＩＣの小型化、高密度化
がはかれる新しいボンディングワイヤが求められてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
ボンディングワイヤの線径をこれまでよりも細くしても
必要な強度と良好な接合性を兼ね備え、従来のワイヤと
同じ信頼性を持ったワイヤを提供しようとするものであ
る。
ボンディングワイヤの線径をこれまでよりも細くしても
必要な強度と良好な接合性を兼ね備え、従来のワイヤと
同じ信頼性を持ったワイヤを提供しようとするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は下記のと
おりである。 （１）Ａｕ合金を芯とし、被覆金属としてＡｕあるい
は、芯材よりも合金成分の含有量の合計が少ないＡｕ合
金を該芯材の周囲に被覆した構成であって、芯材の断面
積率が７０％以上９５％以下であることを特徴とする半
導体素子配線用ワイヤ。
おりである。 （１）Ａｕ合金を芯とし、被覆金属としてＡｕあるい
は、芯材よりも合金成分の含有量の合計が少ないＡｕ合
金を該芯材の周囲に被覆した構成であって、芯材の断面
積率が７０％以上９５％以下であることを特徴とする半
導体素子配線用ワイヤ。
【０００７】（２）Ｃｕを１〜５wt％未満と不可避的に
含まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金
を芯とし、被覆金属が、不可避的に含まれる元素のほか
は残部がＡｕであることを特徴とする前項（１）記載の
半導体素子配線用ワイヤ。
含まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金
を芯とし、被覆金属が、不可避的に含まれる元素のほか
は残部がＡｕであることを特徴とする前項（１）記載の
半導体素子配線用ワイヤ。
【０００８】（３）Ｃｕを１〜５wt％未満とＣａ，Ｇ
ｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で
０．０００３wt％以上０．０１wt％以内含有し、不可避
的に含まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成のＡｕ
合金を芯とし、被覆金属が、不可避的に含まれる元素の
ほかは残部がＡｕであることを特徴とする前項（１）記
載の半導体素子配線用ワイヤ。
ｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で
０．０００３wt％以上０．０１wt％以内含有し、不可避
的に含まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成のＡｕ
合金を芯とし、被覆金属が、不可避的に含まれる元素の
ほかは残部がＡｕであることを特徴とする前項（１）記
載の半導体素子配線用ワイヤ。
【０００９】（４）Ｃｕを１〜５wt％未満とＣａ，Ｇ
ｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で
０．０１wt％以内含有し、不可避的に含まれる元素のほ
かは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯とし、被覆金
属が、Ｃａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種
以上を合計で０．０００３wt％以上０．０１wt％以内含
有し、不可避的に含まれる元素のほかは残部をＡｕとし
た組成のＡｕ合金であることを特徴とする前項（１）記
載の半導体素子配線用ワイヤ。
ｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で
０．０１wt％以内含有し、不可避的に含まれる元素のほ
かは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯とし、被覆金
属が、Ｃａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種
以上を合計で０．０００３wt％以上０．０１wt％以内含
有し、不可避的に含まれる元素のほかは残部をＡｕとし
た組成のＡｕ合金であることを特徴とする前項（１）記
載の半導体素子配線用ワイヤ。
【００１０】（５）Ｃｕを１〜５wt％未満とＣａ，Ｇ
ｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で
０．０１wt％以内含有し、不可避的に含まれる元素のほ
かは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯とし、被覆金
属として、不可避的に含まれる元素のほかは残部がＡｕ
を、あるいは、Ｃａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種ま
たは二種以上を合計で０．０１wt％以内含有し、不可避
的に含まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成を有す
るＡｕ合金を該芯材の周囲に被覆した構成であって、芯
材の断面積率が７０％以上９５％以下であり、ワイヤの
引張強度を３０kg／mm2 以上に調整し、かつワイヤの外
径が１５μｍ以下の極細にしたことを特徴とする半導体
素子配線用ワイヤ。
ｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で
０．０１wt％以内含有し、不可避的に含まれる元素のほ
かは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯とし、被覆金
属として、不可避的に含まれる元素のほかは残部がＡｕ
を、あるいは、Ｃａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種ま
たは二種以上を合計で０．０１wt％以内含有し、不可避
的に含まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成を有す
るＡｕ合金を該芯材の周囲に被覆した構成であって、芯
材の断面積率が７０％以上９５％以下であり、ワイヤの
引張強度を３０kg／mm2 以上に調整し、かつワイヤの外
径が１５μｍ以下の極細にしたことを特徴とする半導体
素子配線用ワイヤ。
【００１１】以下本発明を詳細に説明する。本発明の半
導体素子配線用ボンディングワイヤにおいて、Ａｕ合金
を芯材にしたのは強度を高めるには一定以上の合金元素
を加える必要があるからであり、このことによりワイヤ
の線径を細くしても必要な引張強度を確保できるからで
ある。しかしながらこのままでは接合性が十分でなく、
ボンディングワイヤとしての信頼性に欠けることにな
る。そこで、Ａｕあるいは合金成分の比率の少ないＡｕ
合金を被覆金属として芯材のまわりに被覆することによ
って半導体素子の電極部及び外部リードとの接合性を向
上し、接合作業中における接合エラーの発生頻度を極力
低減せしめることができる。この被覆のもう一つの効果
として、芯材における合金元素の含有量の増加とともに
生ずる耐食性の低下を防ぐことができる。芯材の断面積
率をワイヤ断面積の７０％以上とした理由はこれ未満で
はワイヤ全体としての強度が低下するためであり、９５
％を超えると接合性の向上の効果が発現しないためであ
る。
導体素子配線用ボンディングワイヤにおいて、Ａｕ合金
を芯材にしたのは強度を高めるには一定以上の合金元素
を加える必要があるからであり、このことによりワイヤ
の線径を細くしても必要な引張強度を確保できるからで
ある。しかしながらこのままでは接合性が十分でなく、
ボンディングワイヤとしての信頼性に欠けることにな
る。そこで、Ａｕあるいは合金成分の比率の少ないＡｕ
合金を被覆金属として芯材のまわりに被覆することによ
って半導体素子の電極部及び外部リードとの接合性を向
上し、接合作業中における接合エラーの発生頻度を極力
低減せしめることができる。この被覆のもう一つの効果
として、芯材における合金元素の含有量の増加とともに
生ずる耐食性の低下を防ぐことができる。芯材の断面積
率をワイヤ断面積の７０％以上とした理由はこれ未満で
はワイヤ全体としての強度が低下するためであり、９５
％を超えると接合性の向上の効果が発現しないためであ
る。
【００１２】Ａｕを被覆することにより接合性が向上す
る理由は、Ａｕ元素が化学的に最も貴の性質を持つこと
から表面に接合性を損なう酸化物等を形成する心配がな
いためと推察される。被覆金属に意図をもって合金元素
を添加する場合にも、合金元素の含有率増加とともに表
面の酸化物の形成が容易になるため、被覆材には合金成
分の比率は低くしておくことが必要である。従来の金ボ
ンディングワイヤの添加にも用いられているＣａ，Ｂ
ｅ，Ｇｅ，Ｌａ，Ｉｎの添加は、耐熱性を向上させ、接
合強度を高める。この目的のために、これらの元素の一
種または二種以上を被覆金属に合計で０．０００３〜
０．０１wt％の範囲で添加することができる。
る理由は、Ａｕ元素が化学的に最も貴の性質を持つこと
から表面に接合性を損なう酸化物等を形成する心配がな
いためと推察される。被覆金属に意図をもって合金元素
を添加する場合にも、合金元素の含有率増加とともに表
面の酸化物の形成が容易になるため、被覆材には合金成
分の比率は低くしておくことが必要である。従来の金ボ
ンディングワイヤの添加にも用いられているＣａ，Ｂ
ｅ，Ｇｅ，Ｌａ，Ｉｎの添加は、耐熱性を向上させ、接
合強度を高める。この目的のために、これらの元素の一
種または二種以上を被覆金属に合計で０．０００３〜
０．０１wt％の範囲で添加することができる。
【００１３】本発明の半導体素子配線用ボンディングワ
イヤにおいて、ＡｕにＣｕを１〜５％未満含有させた合
金を芯にする理由は、ＣｕがＡｕに完全に固溶すること
により、母線の強度が向上するからで、これまでのワイ
ヤではなかなか難しかった線径２０μｍ以下の細線にし
ても、Ｃｕが１％以上含有されていれば、破断強度を高
めることができ、従来のワイヤと同様の取扱いが可能と
なる。この特徴は、Ｃｕの含有量とともに強度の上昇が
認められるが、Ｃｕの含有量が５％に達すると接合時に
形成するボールの硬さが増加し、熱圧着に必要な荷重が
大きくなることからシリコンチップに損傷を与える頻度
が増加するためである。ボール形成を伴わないウェッジ
ボンディングの場合でも、Ｃｕの含有量が５％に達する
と安定した接合に必要なつぶれ幅にするのに加えられる
荷重が大きくなり同様の問題が生じる。
イヤにおいて、ＡｕにＣｕを１〜５％未満含有させた合
金を芯にする理由は、ＣｕがＡｕに完全に固溶すること
により、母線の強度が向上するからで、これまでのワイ
ヤではなかなか難しかった線径２０μｍ以下の細線にし
ても、Ｃｕが１％以上含有されていれば、破断強度を高
めることができ、従来のワイヤと同様の取扱いが可能と
なる。この特徴は、Ｃｕの含有量とともに強度の上昇が
認められるが、Ｃｕの含有量が５％に達すると接合時に
形成するボールの硬さが増加し、熱圧着に必要な荷重が
大きくなることからシリコンチップに損傷を与える頻度
が増加するためである。ボール形成を伴わないウェッジ
ボンディングの場合でも、Ｃｕの含有量が５％に達する
と安定した接合に必要なつぶれ幅にするのに加えられる
荷重が大きくなり同様の問題が生じる。
【００１４】従来の金ボンディングワイヤの添加にも用
いられているＣａ，Ｂｅ，Ｇｅ，Ｌａ，Ｉｎの添加は、
本発明のボンディングワイヤのボールネック部の強度を
向上させ、接合後のワイヤのプル強度を高める。この目
的のために、これらの元素の一種または二種以上を合計
で０．０００３〜０．０１wt％の範囲で添加することが
できる。これらの方法によりワイヤ径を２０μｍ未満に
しても必要な強度と良好な接合性を兼ね備え、従来のワ
イヤと同じ信頼性を持ったワイヤが提供できる。
いられているＣａ，Ｂｅ，Ｇｅ，Ｌａ，Ｉｎの添加は、
本発明のボンディングワイヤのボールネック部の強度を
向上させ、接合後のワイヤのプル強度を高める。この目
的のために、これらの元素の一種または二種以上を合計
で０．０００３〜０．０１wt％の範囲で添加することが
できる。これらの方法によりワイヤ径を２０μｍ未満に
しても必要な強度と良好な接合性を兼ね備え、従来のワ
イヤと同じ信頼性を持ったワイヤが提供できる。
【００１５】請求項５の本発明は外径が１５μｍ以下の
特別に細いワイヤを提供する手段を示すもので、製造工
程の最終段階での熱処理の条件を調整することにより、
ワイヤの引張強度を３０kg／mm2 以上にしたもので、接
合方法はウェッジボンディング法にすることが望まし
い。
特別に細いワイヤを提供する手段を示すもので、製造工
程の最終段階での熱処理の条件を調整することにより、
ワイヤの引張強度を３０kg／mm2 以上にしたもので、接
合方法はウェッジボンディング法にすることが望まし
い。
【００１６】なお、原料となるＡｕ，Ｃｕは不純物の含
有量が多いと製品の特性が不安定となることと、細線化
や接合時に破断の原因となるので、９９．９９％以上の
高純度とすることが望ましい。
有量が多いと製品の特性が不安定となることと、細線化
や接合時に破断の原因となるので、９９．９９％以上の
高純度とすることが望ましい。
【００１７】本発明のボンディングワイヤは、真空溶解
炉等を用いて本発明にしたがった化学成分のＡｕ合金を
溶解・鋳造し、鋳ぐるみ法、あるいは適度の太さまで伸
線した後にメッキすること等によりＡｕ及びＡｕ合金を
被覆し、さらに伸線、熱処理等を行って所望の線径のワ
イヤに製造される。また、所望線径のＡｕ合金のワイヤ
を製造した後に、蒸着法により被覆する方法を用いても
よい。なお、被覆するＡｕは９９．９９％以上であるこ
とが望ましく、同様に被覆するＡｕ合金も意図して添加
する合金元素以外の元素は極力排除した高純度であるこ
とが望ましい。
炉等を用いて本発明にしたがった化学成分のＡｕ合金を
溶解・鋳造し、鋳ぐるみ法、あるいは適度の太さまで伸
線した後にメッキすること等によりＡｕ及びＡｕ合金を
被覆し、さらに伸線、熱処理等を行って所望の線径のワ
イヤに製造される。また、所望線径のＡｕ合金のワイヤ
を製造した後に、蒸着法により被覆する方法を用いても
よい。なお、被覆するＡｕは９９．９９％以上であるこ
とが望ましく、同様に被覆するＡｕ合金も意図して添加
する合金元素以外の元素は極力排除した高純度であるこ
とが望ましい。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の効果を明瞭にする実施例を説
明する。純度９９．９９％の高純度Ａｕと、純度９９．
９９％の高純度Ｃｕを、Ｃａ等の微量元素はあらかじめ
高純度Ａｕとの母合金を用意し、芯材用として表１に示
す元素を添加した種々の合金を真空溶解炉で溶製した。
Ａｕの被覆は芯材を１mm径まで伸線をしたところでＡｕ
メッキ処理を行った。Ａｕ合金の被覆は円棒にした芯材
用合金を円筒状の鋳型の中心に置き、周囲にＡｕ合金の
融液を注いだ後、冷却凝固させる鋳ぐるみ法を用いた。
明する。純度９９．９９％の高純度Ａｕと、純度９９．
９９％の高純度Ｃｕを、Ｃａ等の微量元素はあらかじめ
高純度Ａｕとの母合金を用意し、芯材用として表１に示
す元素を添加した種々の合金を真空溶解炉で溶製した。
Ａｕの被覆は芯材を１mm径まで伸線をしたところでＡｕ
メッキ処理を行った。Ａｕ合金の被覆は円棒にした芯材
用合金を円筒状の鋳型の中心に置き、周囲にＡｕ合金の
融液を注いだ後、冷却凝固させる鋳ぐるみ法を用いた。
【００１９】その後に、伸線、熱処理を行った。線径
は、１０μｍ，１２μｍ，１５μｍ，１９μｍ，２０μ
ｍである。比較例を表２に示す。接合強度はプル試験に
よって評価した。ワイヤの破断荷重、伸び率は通常の引
張試験によるものでプル強度値とともに実施例を表１
に、比較例を表２に示す。表１から明らかなように、本
発明ワイヤは、細径にもかかわらず破断強度及び接合強
度が優れていることがわかる。また、従来のボンディン
グワイヤと同様の線径で使用すれば、より強度の高いワ
イヤが得られることが期待される。
は、１０μｍ，１２μｍ，１５μｍ，１９μｍ，２０μ
ｍである。比較例を表２に示す。接合強度はプル試験に
よって評価した。ワイヤの破断荷重、伸び率は通常の引
張試験によるものでプル強度値とともに実施例を表１
に、比較例を表２に示す。表１から明らかなように、本
発明ワイヤは、細径にもかかわらず破断強度及び接合強
度が優れていることがわかる。また、従来のボンディン
グワイヤと同様の線径で使用すれば、より強度の高いワ
イヤが得られることが期待される。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明は２０μｍ以下と
いう細径にした金ベース細線に強度と接合性を兼ね備え
るとともに従来のワイヤと同様の信頼性を持ったワイヤ
とすることができる。また、ワイヤの引張強度を３０kg
／mm2 以上とすれば、１５μｍ径以下の極細ワイヤを提
供できる。
いう細径にした金ベース細線に強度と接合性を兼ね備え
るとともに従来のワイヤと同様の信頼性を持ったワイヤ
とすることができる。また、ワイヤの引張強度を３０kg
／mm2 以上とすれば、１５μｍ径以下の極細ワイヤを提
供できる。
Claims (5)
- 【請求項１】 Ａｕ合金を芯とし、被覆金属としてＡｕ
あるいは、芯材よりも合金成分の含有量の合計が少ない
Ａｕ合金を該芯材の周囲に被覆した構成であって、芯材
の断面積率が７０％以上９５％以下であることを特徴と
する半導体素子配線用ワイヤ。 - 【請求項２】 Ｃｕを１〜５wt％未満と不可避的に含ま
れる元素のほかは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯
とし、被覆金属が、不可避的に含まれる元素のほかは残
部がＡｕであることを特徴とする請求項１記載の半導体
素子配線用ワイヤ。 - 【請求項３】 Ｃｕを１〜５wt％未満とＣａ，Ｇｅ，Ｂ
ｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で０．００
０３wt％以上０．０１wt％以内含有し、不可避的に含ま
れる元素のほかは残部をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯
とし、被覆金属が、不可避的に含まれる元素のほかは残
部がＡｕであることを特徴とする請求項１記載の半導体
素子配線用ワイヤ。 - 【請求項４】 Ｃｕを１〜５wt％未満とＣａ，Ｇｅ，Ｂ
ｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で０．０１
wt％以内含有し、不可避的に含まれる元素のほかは残部
をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯とし、被覆金属が、Ｃ
ａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合
計で０．０００３wt％以上０．０１wt％以内含有し、不
可避的に含まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成の
Ａｕ合金であることを特徴とする請求項１記載の半導体
素子配線用ワイヤ。 - 【請求項５】 Ｃｕを１〜５wt％未満とＣａ，Ｇｅ，Ｂ
ｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二種以上を合計で０．０１
wt％以内含有し、不可避的に含まれる元素のほかは残部
をＡｕとした組成のＡｕ合金を芯とし、被覆金属とし
て、不可避的に含まれる元素のほかは残部がＡｕを、あ
るいは、Ｃａ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｌａ，Ｉｎの一種または二
種以上を合計で０．０１wt％以内含有し、不可避的に含
まれる元素のほかは残部をＡｕとした組成を有するＡｕ
合金を該芯材の周囲に被覆した構成であって、芯材の断
面積率が７０％以上９５％以下であり、ワイヤの引張強
度を３０kg／mm2 以上に調整し、かつワイヤの外径が１
５μｍ以下の極細にしたことを特徴とする半導体素子配
線用ワイヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9621193A JPH06310557A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 半導体素子配線用ワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9621193A JPH06310557A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 半導体素子配線用ワイヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310557A true JPH06310557A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14158918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9621193A Pending JPH06310557A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 半導体素子配線用ワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003023030A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | ボンディングワイヤ及びその製造方法 |
| JP2008198977A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-08-28 | Nippon Steel Materials Co Ltd | 半導体実装用ボンディングワイヤ |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP9621193A patent/JPH06310557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003023030A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | ボンディングワイヤ及びその製造方法 |
| JP2008198977A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-08-28 | Nippon Steel Materials Co Ltd | 半導体実装用ボンディングワイヤ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990316 |