JPH07201867A - バンプ形成用Ｐｄ合金ワイヤ及びそのＰｄ合金ワイヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置 - Google Patents
バンプ形成用Ｐｄ合金ワイヤ及びそのＰｄ合金ワイヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置Info
- Publication number
- JPH07201867A JPH07201867A JP5351529A JP35152993A JPH07201867A JP H07201867 A JPH07201867 A JP H07201867A JP 5351529 A JP5351529 A JP 5351529A JP 35152993 A JP35152993 A JP 35152993A JP H07201867 A JPH07201867 A JP H07201867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- wire
- ball
- alloy wire
- formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ａｕや半田を用いた場合の欠点を解消すべく
0.0001〜１％Ｐを含有したＰｄ合金ワイヤを採用し、且
つワイヤボンダの機械的な動作で所定高さのバンプ電極
を形成できるようにする。 【構成】 純度99.95 ％Ｐｄを出発原料として0.0001〜
１％のＰ含有量に設定した線径30μｍのバンプ用Ｐｄ合
金ワイヤＷをキャピラリ３に挿通せしめ、その先端を、
Ａｒ−10％Ｈ2 ガスの還元性雰囲気下でアーク放電によ
り加熱溶融せしめてボールＷ’を作製する。このボール
Ｗ’を半導体チップ１のＡｌ配線２上面に付着させ、そ
の状態でキャピラリ３を引き上げれば、ボールＷ’の根
本部所定箇所でワイヤＷが切断し、その上面に所定高さ
ｈのネックａ1 が残った状態で、配線２上面にバンプ電
極ａが形成される。
0.0001〜１％Ｐを含有したＰｄ合金ワイヤを採用し、且
つワイヤボンダの機械的な動作で所定高さのバンプ電極
を形成できるようにする。 【構成】 純度99.95 ％Ｐｄを出発原料として0.0001〜
１％のＰ含有量に設定した線径30μｍのバンプ用Ｐｄ合
金ワイヤＷをキャピラリ３に挿通せしめ、その先端を、
Ａｒ−10％Ｈ2 ガスの還元性雰囲気下でアーク放電によ
り加熱溶融せしめてボールＷ’を作製する。このボール
Ｗ’を半導体チップ１のＡｌ配線２上面に付着させ、そ
の状態でキャピラリ３を引き上げれば、ボールＷ’の根
本部所定箇所でワイヤＷが切断し、その上面に所定高さ
ｈのネックａ1 が残った状態で、配線２上面にバンプ電
極ａが形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤレスボンディン
グ法により半導体チップをリード端子又は基板へ実装す
る際に用いるバンプを形成するためのワイヤ及びそのワ
イヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置に関す
る。
グ法により半導体チップをリード端子又は基板へ実装す
る際に用いるバンプを形成するためのワイヤ及びそのワ
イヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、合金ワイヤの先端にボールを
形成し、このボールを半導体チップのＡｌ配線上に圧着
した後にワイヤから切断せしめてバンプ電極を形成する
方法が知られている。また従来、この種バンプ電極の形
成材料にはＡｕ又は半田が多く用いられ、半田バンプは
主としてＦＣ法に、ＡｕバンプはＴＡＢ法に夫々使用さ
れている。
形成し、このボールを半導体チップのＡｌ配線上に圧着
した後にワイヤから切断せしめてバンプ電極を形成する
方法が知られている。また従来、この種バンプ電極の形
成材料にはＡｕ又は半田が多く用いられ、半田バンプは
主としてＦＣ法に、ＡｕバンプはＴＡＢ法に夫々使用さ
れている。
【０００３】ところが、上記半田バンプの形成に際して
はチップのＡｌ配線に直接半田を接合させることができ
ないことからＡｌ配線上面に下地金属層（バリヤメタ
ル）を形成する必要があり、そのため製造工程が複雑化
すると共にコスト高になる問題があった。他方、Ａｕバ
ンプはチップ上のＡｌ配線との間にＡｕ−Ａｌ金属間化
合物が生成されてその接合が脆化し、長期の使用に対す
る信頼性が低下する恐れがあった。このような問題点を
解決するものとして、特公平４−７６４９７号公報では
Ｐｄワイヤの先端にボールを形成し、このボールを配線
上面に圧着した後にワイヤから切断せしめてバンプ電極
を形成することが提案されている。
はチップのＡｌ配線に直接半田を接合させることができ
ないことからＡｌ配線上面に下地金属層（バリヤメタ
ル）を形成する必要があり、そのため製造工程が複雑化
すると共にコスト高になる問題があった。他方、Ａｕバ
ンプはチップ上のＡｌ配線との間にＡｕ−Ａｌ金属間化
合物が生成されてその接合が脆化し、長期の使用に対す
る信頼性が低下する恐れがあった。このような問題点を
解決するものとして、特公平４−７６４９７号公報では
Ｐｄワイヤの先端にボールを形成し、このボールを配線
上面に圧着した後にワイヤから切断せしめてバンプ電極
を形成することが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら上記公報記
載の技術ではＰｄワイヤに関し高純度であること以外に
具体的な記載がなく、本願発明者が本発明に至る過程に
おいて一般に市販されているワイヤボンディング用のＰ
ｄワイヤについて調べたところ、以下の事実が判明し
た。すなわち、Ｐｄワイヤをバンプ形成用に用いた場
合、ボール形成時における再結晶粒領域が長く、ボール
を配線上面に圧着せしめた後にワイヤを引き上げた際の
バンプ上面に残るネック高さが高すぎること、及び、ボ
ンディング時にスパークエラーが発生しボンダーの停止
回数が多くボンディング作業性が悪い等の欠点を有し、
バンプ形成用としての特性を満たさないことが判明し
た。
載の技術ではＰｄワイヤに関し高純度であること以外に
具体的な記載がなく、本願発明者が本発明に至る過程に
おいて一般に市販されているワイヤボンディング用のＰ
ｄワイヤについて調べたところ、以下の事実が判明し
た。すなわち、Ｐｄワイヤをバンプ形成用に用いた場
合、ボール形成時における再結晶粒領域が長く、ボール
を配線上面に圧着せしめた後にワイヤを引き上げた際の
バンプ上面に残るネック高さが高すぎること、及び、ボ
ンディング時にスパークエラーが発生しボンダーの停止
回数が多くボンディング作業性が悪い等の欠点を有し、
バンプ形成用としての特性を満たさないことが判明し
た。
【０００５】本発明は斯る従来事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、Ａｕや半田を用いた場
合の欠点を解消すべくＰｄを採用し、且つワイヤボンダ
の機械的な動作で所定高さのバンプ電極を形成できるよ
うにすると共に、ボンダーの停止回数を低域することに
ある。
ので、その目的とするところは、Ａｕや半田を用いた場
合の欠点を解消すべくＰｄを採用し、且つワイヤボンダ
の機械的な動作で所定高さのバンプ電極を形成できるよ
うにすると共に、ボンダーの停止回数を低域することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本願発明者は、鋭意研究を行った結果、Ｐを0.0001
〜１％含有したＰｄ合金ワイヤーを用いることが再結晶
粒領域の抑制に効果的であり、バンプ形成材料として適
応可能であることを知見して本発明を完成するに至っ
た。
めに本願発明者は、鋭意研究を行った結果、Ｐを0.0001
〜１％含有したＰｄ合金ワイヤーを用いることが再結晶
粒領域の抑制に効果的であり、バンプ形成材料として適
応可能であることを知見して本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】すなわち本発明のバンプ形成用Ｐｄ合金ワ
イヤは、Ｐを0.0001〜１％含有し残部がＰｄ及び不可避
不純物からなるようにして作製したことを特徴とする。
また本発明のバンプ形成方法は、このＰｄ合金ワイヤを
用いてボールボンディング法によりバンプを形成するこ
とを特徴とする。さらに本発明の半導体装置は、このＰ
ｄ合金ワイヤからなるバンプを用いて半導体チップをリ
ード端子又は基板に実装してなることを特徴とする。
イヤは、Ｐを0.0001〜１％含有し残部がＰｄ及び不可避
不純物からなるようにして作製したことを特徴とする。
また本発明のバンプ形成方法は、このＰｄ合金ワイヤを
用いてボールボンディング法によりバンプを形成するこ
とを特徴とする。さらに本発明の半導体装置は、このＰ
ｄ合金ワイヤからなるバンプを用いて半導体チップをリ
ード端子又は基板に実装してなることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明のＰｄ合金ワイヤによれば、ボール形成
時における再結晶粒領域が所定範囲内に収まり、ボール
をリード端子又は基板上の配線上面に圧着せしめた後に
ワイヤを引き上げた際の切断位置が短くなり、この為バ
ンプ上面に残るネック高さが所定高さになる。更にボン
ディング時のスパークエラーの発生が減少し、ボンダー
の停止回数が減少する。尚、本発明のＰｄ合金ワイヤー
はＰを0.0001％以上含有する事が必要である。またＰを
1.5 ％含有するとボンディング時に真球性のボールが形
成されず、ボンディング時のスパークエラーが増加して
ボンディング作業が不可能となる。この為、Ｐの含有量
を0.0001〜１％に限定した。更に好ましいＰ含有量は0.
001 〜0.05％である。この時、ネック高さを更に低く抑
制しボンダー停止回数を更に少くする事が出来る。
時における再結晶粒領域が所定範囲内に収まり、ボール
をリード端子又は基板上の配線上面に圧着せしめた後に
ワイヤを引き上げた際の切断位置が短くなり、この為バ
ンプ上面に残るネック高さが所定高さになる。更にボン
ディング時のスパークエラーの発生が減少し、ボンダー
の停止回数が減少する。尚、本発明のＰｄ合金ワイヤー
はＰを0.0001％以上含有する事が必要である。またＰを
1.5 ％含有するとボンディング時に真球性のボールが形
成されず、ボンディング時のスパークエラーが増加して
ボンディング作業が不可能となる。この為、Ｐの含有量
を0.0001〜１％に限定した。更に好ましいＰ含有量は0.
001 〜0.05％である。この時、ネック高さを更に低く抑
制しボンダー停止回数を更に少くする事が出来る。
【０００９】
【実施例】以下、実施例について説明する。純度99.95
％Ｐｄを出発原料として通常の溶解法により表１に示さ
れたＰ成分組成を有するＰｄ合金溶湯を調整し、鋳造し
た後、溝型圧延機を用いて圧延し、次いで線引き加工、
アニールをくり返し行う事により線径30μｍのバンプ用
Ｐｄ合金ワイヤを製造した。図１は本発明のＰｄ合金ワ
イヤを用いたバンプ形成方法を表し、図中Ｗは本発明の
バンプ用ワイヤ、１は半導体チップ、２はそのチップ上
面に形成されたＡｌ又はＡｌ合金からなる配線、３は前
記ワイヤＷを挿通せしめたキャピラリ、４は基板、５は
その基板上面に形成された外部リードを示す。
％Ｐｄを出発原料として通常の溶解法により表１に示さ
れたＰ成分組成を有するＰｄ合金溶湯を調整し、鋳造し
た後、溝型圧延機を用いて圧延し、次いで線引き加工、
アニールをくり返し行う事により線径30μｍのバンプ用
Ｐｄ合金ワイヤを製造した。図１は本発明のＰｄ合金ワ
イヤを用いたバンプ形成方法を表し、図中Ｗは本発明の
バンプ用ワイヤ、１は半導体チップ、２はそのチップ上
面に形成されたＡｌ又はＡｌ合金からなる配線、３は前
記ワイヤＷを挿通せしめたキャピラリ、４は基板、５は
その基板上面に形成された外部リードを示す。
【００１０】而して、まず図１(a) に示すように上記Ｐ
ｄ合金ワイヤＷをキャピラリ３に挿通せしめ、且つその
先端を、Ａｒ−10％Ｈ2 ガスの還元性雰囲気下でアーク
放電により加熱溶融せしめてボールＷ’を作製する。こ
の時、Ｐｄ合金ワイヤＷのＰ含有量を0.0001〜１％に設
定したことから、ボール形成のための熱影響による再結
晶粒領域（図中に符号Ｓで示す範囲）がボールＷ’根本
部から所定範囲内に収まり、これにより、後述するボー
ルＷ’の切断位置が短くなりその上面に残るネック高さ
ｈが小さくなる。また、ボンディング時のスパークエラ
ーの発生が減少し、ボンダーの停止回数が減少する。ま
た、ボール形成時の雰囲気を上記還元性雰囲気としたこ
とから、作製されるボールＷ’の真球度が向上する。
ｄ合金ワイヤＷをキャピラリ３に挿通せしめ、且つその
先端を、Ａｒ−10％Ｈ2 ガスの還元性雰囲気下でアーク
放電により加熱溶融せしめてボールＷ’を作製する。こ
の時、Ｐｄ合金ワイヤＷのＰ含有量を0.0001〜１％に設
定したことから、ボール形成のための熱影響による再結
晶粒領域（図中に符号Ｓで示す範囲）がボールＷ’根本
部から所定範囲内に収まり、これにより、後述するボー
ルＷ’の切断位置が短くなりその上面に残るネック高さ
ｈが小さくなる。また、ボンディング時のスパークエラ
ーの発生が減少し、ボンダーの停止回数が減少する。ま
た、ボール形成時の雰囲気を上記還元性雰囲気としたこ
とから、作製されるボールＷ’の真球度が向上する。
【００１１】ボールＷ’を作製した後、同図(b) の如く
キャピラリ３を下降させてボールＷ’を配線２上面に付
着させる。この時、ボールＷ’がＰｄ合金ボールである
ことから、Ａｌ又はＡｌ合金からなる配線２との間にそ
の接合を脆化させる金属間化合物が生成されるようなこ
とはなく、よって、ボールＷ’は所定の接合強度をもっ
て配線２の上面に直接接合する。その状態でキャピラリ
３を引き上げることにより、同図(c) の如くボールＷ’
の根本部所定箇所でワイヤＷが切断し、その上面に所定
高さ（図中に符号ｈで示す高さ）のネックａ1 が残った
状態で、配線２上面にバンプ電極ａが形成される。さら
に同図(d) に示すように、上記バンプ電極ａを基板４上
に形成された外部リード５上面に圧着せしめて半導体チ
ップ１を基板４に実装し、半導体装置Ａを構成する。
キャピラリ３を下降させてボールＷ’を配線２上面に付
着させる。この時、ボールＷ’がＰｄ合金ボールである
ことから、Ａｌ又はＡｌ合金からなる配線２との間にそ
の接合を脆化させる金属間化合物が生成されるようなこ
とはなく、よって、ボールＷ’は所定の接合強度をもっ
て配線２の上面に直接接合する。その状態でキャピラリ
３を引き上げることにより、同図(c) の如くボールＷ’
の根本部所定箇所でワイヤＷが切断し、その上面に所定
高さ（図中に符号ｈで示す高さ）のネックａ1 が残った
状態で、配線２上面にバンプ電極ａが形成される。さら
に同図(d) に示すように、上記バンプ電極ａを基板４上
に形成された外部リード５上面に圧着せしめて半導体チ
ップ１を基板４に実装し、半導体装置Ａを構成する。
【００１２】次に、本発明実施品と比較品との性能に関
する試験結果を、表１に基づいて説明する。表中の実施
例１〜９及び比較例１〜２は、純度99.95 ％Ｐｄを出発
原料として表中記載のＰ含有量に設定した線径30μｍの
バンプ用Ｐｄ合金ワイヤで、これら各試料を用いて図１
に示すボールボンディング法により半導体チップのＡｌ
合金配線上面にバンプ電極を形成した。その際のボール
形成状況、ネック高さ、再結晶粒長さの平均値、ボンダ
ー停止回数について観察した。
する試験結果を、表１に基づいて説明する。表中の実施
例１〜９及び比較例１〜２は、純度99.95 ％Ｐｄを出発
原料として表中記載のＰ含有量に設定した線径30μｍの
バンプ用Ｐｄ合金ワイヤで、これら各試料を用いて図１
に示すボールボンディング法により半導体チップのＡｌ
合金配線上面にバンプ電極を形成した。その際のボール
形成状況、ネック高さ、再結晶粒長さの平均値、ボンダ
ー停止回数について観察した。
【００１３】
【表１】
【００１４】以上の結果から、Ｐ含有量を0.0001〜１％
の範囲内に設定した本発明実施品（実施例１〜９）では
アーク放電により安定したボールが形成され、且つボー
ル形成時における再結晶粒領域が所定範囲内に収まる為
に、バンプ上面に残るネック高さが所定範囲内になり、
しかもボンダーの停止回数も少い事が確認出来た。他
方、Ｐを含有しない比較品（比較例１）では、再結晶粒
領域が長い為ネック高さが大きくなる事及びボンディン
グ時にスパークエラーが多発してボンダーの停止回数が
多くボンディング作業性が悪かった。また、Ｐ含有量が
１．５％（比較例２）ではボンディング時にスパークエ
ラーが極度に増加してボンダーの正常な運転が出来なく
なり且つ真球性のボールが形成されない。
の範囲内に設定した本発明実施品（実施例１〜９）では
アーク放電により安定したボールが形成され、且つボー
ル形成時における再結晶粒領域が所定範囲内に収まる為
に、バンプ上面に残るネック高さが所定範囲内になり、
しかもボンダーの停止回数も少い事が確認出来た。他
方、Ｐを含有しない比較品（比較例１）では、再結晶粒
領域が長い為ネック高さが大きくなる事及びボンディン
グ時にスパークエラーが多発してボンダーの停止回数が
多くボンディング作業性が悪かった。また、Ｐ含有量が
１．５％（比較例２）ではボンディング時にスパークエ
ラーが極度に増加してボンダーの正常な運転が出来なく
なり且つ真球性のボールが形成されない。
【００１５】
【発明の効果】本発明のＰｄ合金ワイヤは以上説明した
ように構成したので、ボール形成時における再結晶粒領
域が所定範囲内に収まる結果、ボールを配線上面に圧着
せしめた後にワイヤを引き上げた際の切断位置が短くな
り、バンプ上面に残るネック高さが所定範囲高さとな
る。これにより、メッキ法により形成される下地金属層
を用いることなく半導体チップのＡｌ配線又はＡｌ合金
配線上に直接バンプ電極を形成できるＰｄワイヤの利点
を生かしながら、ワイヤボンダを用いて均一なバンプを
形成することができる。従って、簡単，低コストで製造
でき、且つ長期の使用における信頼性に優れた半導体装
置の提供が可能になる。
ように構成したので、ボール形成時における再結晶粒領
域が所定範囲内に収まる結果、ボールを配線上面に圧着
せしめた後にワイヤを引き上げた際の切断位置が短くな
り、バンプ上面に残るネック高さが所定範囲高さとな
る。これにより、メッキ法により形成される下地金属層
を用いることなく半導体チップのＡｌ配線又はＡｌ合金
配線上に直接バンプ電極を形成できるＰｄワイヤの利点
を生かしながら、ワイヤボンダを用いて均一なバンプを
形成することができる。従って、簡単，低コストで製造
でき、且つ長期の使用における信頼性に優れた半導体装
置の提供が可能になる。
【図１】本発明に係るＰｄ合金ワイヤを用いたバンプ形
成方法の一実施例を示す断面図。
成方法の一実施例を示す断面図。
Ｗ：バンプ用Ｐｄ合金ワイヤ Ｗ’：ボール
ａ：バンプ電極 １：半導体チップ ２：配線
３：キャピラリ ４：基板 ５：外部リード
Ａ：半導体装置
ａ：バンプ電極 １：半導体チップ ２：配線
３：キャピラリ ４：基板 ５：外部リード
Ａ：半導体装置
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐを0.0001〜１％含有し、残部がＰｄ及
び不可避不純物からなることを特徴とするバンプ形成用
Ｐｄ合金ワイヤ。 - 【請求項２】 請求項１記載のＰｄ合金ワイヤを用いて
ボールボンディング法によりバンプ電極を形成すること
を特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項３】 ボール形成時の雰囲気を不活性又は還元
性雰囲気にしたことを特徴とする請求項２記載のバンプ
形成方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のＰｄ合金ワイヤからなる
バンプ電極を用いて半導体チップをリード端子又は基板
に実装してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351529A JPH07201867A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | バンプ形成用Ｐｄ合金ワイヤ及びそのＰｄ合金ワイヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351529A JPH07201867A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | バンプ形成用Ｐｄ合金ワイヤ及びそのＰｄ合金ワイヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201867A true JPH07201867A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18417911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5351529A Pending JPH07201867A (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | バンプ形成用Ｐｄ合金ワイヤ及びそのＰｄ合金ワイヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201867A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032167A1 (fr) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Procede de formation d'une electrode saillante et procede de soudage des connexions d'un element a semi-conducteur |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP5351529A patent/JPH07201867A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032167A1 (fr) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Procede de formation d'une electrode saillante et procede de soudage des connexions d'un element a semi-conducteur |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5384090A (en) | Fine wire for forming bump electrodes using a wire bonder | |
| JP2891432B2 (ja) | 半導体材料の接続方法，それに用いる接続材料及び半導体装置 | |
| JP3382918B2 (ja) | 半導体素子接続用金線 | |
| JP4482605B1 (ja) | 高純度Ｃｕボンディングワイヤ | |
| WO2011118009A1 (ja) | 高純度Ｃｕボンディングワイヤ | |
| JP2737953B2 (ja) | 金バンプ用金合金細線 | |
| JPS60162741A (ja) | ボンデイングワイヤ− | |
| JPH07201867A (ja) | バンプ形成用Ｐｄ合金ワイヤ及びそのＰｄ合金ワイヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置 | |
| JP2778093B2 (ja) | 金バンプ用金合金細線 | |
| JP2773202B2 (ja) | 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線 | |
| JPH1098063A (ja) | ウエッジボンディング用金合金線 | |
| JP2621288B2 (ja) | 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線 | |
| JP2000150562A (ja) | 半導体装置のボンディング用金合金細線 | |
| JPH07122564A (ja) | バンプ形成方法 | |
| CN111656501A (zh) | 接合线 | |
| JP3426397B2 (ja) | 半導体素子用金合金細線 | |
| JP2782082B2 (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP3907534B2 (ja) | ボンディング用金合金線 | |
| JPH07122563A (ja) | バンプ形成用Ｐｄワイヤ及びそのＰｄワイヤを用いたバンプ形成方法並びに半導体装置 | |
| JP3571793B2 (ja) | 金合金細線および金合金バンプ | |
| JPH06145842A (ja) | ボンディング用金合金細線 | |
| JP3091076B2 (ja) | バンプ用微小金ボール | |
| JP2000144282A (ja) | 半導体装置のボンディング用金合金細線 | |
| JP3086126B2 (ja) | バンプ用微小金ボール | |
| JPH02251155A (ja) | 半導体素子用金合金細線及びその接合方法 |