JPH1121349A - ポリアリーレンアミン及びその製造方法 - Google Patents
ポリアリーレンアミン及びその製造方法Info
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- JPH1121349A JPH1121349A JP12608898A JP12608898A JPH1121349A JP H1121349 A JPH1121349 A JP H1121349A JP 12608898 A JP12608898 A JP 12608898A JP 12608898 A JP12608898 A JP 12608898A JP H1121349 A JPH1121349 A JP H1121349A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性、耐溶媒性等に優れた、新規なポリア
リーレンアミン及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、各々独立して炭素数６〜２
４の芳香族基を示す。）で表される構造単位を有するポ
リアリーレンアミン。
リーレンアミン及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、各々独立して炭素数６〜２
４の芳香族基を示す。）で表される構造単位を有するポ
リアリーレンアミン。
Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】本発明は新規なポリアリーレ
ンアミン及びその製造方法に関する。本発明のポリアリ
ーレンアミンは、３級アリールアミノ基が連続的に結合
した構造を有することから耐熱性、耐溶剤性等に優れ構
造材料として有用なものである。
ンアミン及びその製造方法に関する。本発明のポリアリ
ーレンアミンは、３級アリールアミノ基が連続的に結合
した構造を有することから耐熱性、耐溶剤性等に優れ構
造材料として有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、耐熱性、耐溶剤性に優れる高分子
材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂、又はポリフェニレンテレフタルアミド、ポリ
イミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレン
サルファイド、液晶ポリマー等の種々のエンジニアリン
グプラスチックが知られ、様々な分野で構造材料として
用いられている。
材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂、又はポリフェニレンテレフタルアミド、ポリ
イミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレン
サルファイド、液晶ポリマー等の種々のエンジニアリン
グプラスチックが知られ、様々な分野で構造材料として
用いられている。
【０００３】一方、新規なポリマーとして、Ｃｈｅｍ．
Ｌｅｔｔ．，ｐｐ．１１３５〜１１３６，１９９６にア
リールジハライドとピペラジン又はピペリジン誘導体を
塩基の存在下に塩化パラジウムとトリス（ｏ−トリルホ
スフィン）配位子からなる触媒の存在下にアミノ化反応
しポリアリーレンアミンを製造することが提案されてい
る。
Ｌｅｔｔ．，ｐｐ．１１３５〜１１３６，１９９６にア
リールジハライドとピペラジン又はピペリジン誘導体を
塩基の存在下に塩化パラジウムとトリス（ｏ−トリルホ
スフィン）配位子からなる触媒の存在下にアミノ化反応
しポリアリーレンアミンを製造することが提案されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
熱硬化性樹脂は耐熱性には優れるが、生産性には劣るも
のである。またエンジニアリングプラスチックは溶融加
工が困難であり溶融紡糸等の特殊な加工法により加工さ
れている。そして溶融加工が可能なものではその耐熱性
能が十分なものではない。さらにこのようなエンジニア
リングプラスチックの製造には、その単量体の合成が困
難、特殊な溶媒中で重合を行わなくてはならない、重合
反応時に高温を要する、成型物としての生産性が悪い等
の様々な課題を有するものが多い。
熱硬化性樹脂は耐熱性には優れるが、生産性には劣るも
のである。またエンジニアリングプラスチックは溶融加
工が困難であり溶融紡糸等の特殊な加工法により加工さ
れている。そして溶融加工が可能なものではその耐熱性
能が十分なものではない。さらにこのようなエンジニア
リングプラスチックの製造には、その単量体の合成が困
難、特殊な溶媒中で重合を行わなくてはならない、重合
反応時に高温を要する、成型物としての生産性が悪い等
の様々な課題を有するものが多い。
【０００５】またＣｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，ｐｐ．１１３
５〜１１３６，１９９６に開示されたアリールジハライ
ドとピペラジン又はピペリジン誘導体等の脂環式アミン
からなるポリマーは、耐熱性に劣るものである。
５〜１１３６，１９９６に開示されたアリールジハライ
ドとピペラジン又はピペリジン誘導体等の脂環式アミン
からなるポリマーは、耐熱性に劣るものである。
【０００６】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、耐熱性、耐溶媒性等に優れた、新
規なポリアリーレンアミン及びその製造方法を提供する
ことである。
であり、その目的は、耐熱性、耐溶媒性等に優れた、新
規なポリアリーレンアミン及びその製造方法を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題に
関して鋭意検討した結果、新規なポリアリーレンアミン
を見出し、本発明を完成させるにいたった。
関して鋭意検討した結果、新規なポリアリーレンアミン
を見出し、本発明を完成させるにいたった。
【０００８】即ち、本発明は、下記一般式（１）
【０００９】
【化６】
【００１０】（式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、各々独立して
炭素数６〜２４の芳香族基を示す。）で表される構造単
位を有することを特徴とするポリアリーレンアミン、及
びその製造方法である。
炭素数６〜２４の芳香族基を示す。）で表される構造単
位を有することを特徴とするポリアリーレンアミン、及
びその製造方法である。
【００１１】本発明のポリアリーレンアミンは、その構
造単位において、上記一般式（１）で示される単位を有
することを特徴とする。
造単位において、上記一般式（１）で示される単位を有
することを特徴とする。
【００１２】一般式（１）において、Ａｒ１、Ａｒ２
は、各々独立して炭素数６〜２４の芳香族基を示すが、
炭素数６〜２４の芳香族基としては、無置換若しくは置
換基を有するフェニル基、ビフェニル基、アントラセニ
ル基、ナフチル基又はフルオレニル基が好ましい。
は、各々独立して炭素数６〜２４の芳香族基を示すが、
炭素数６〜２４の芳香族基としては、無置換若しくは置
換基を有するフェニル基、ビフェニル基、アントラセニ
ル基、ナフチル基又はフルオレニル基が好ましい。
【００１３】Ａｒ１としては、例えば、フェニル基、２
−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−
メトキシフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチ
ルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−ヒドロキシ
フェニル基、３−ヒドロキシフェニル基、４−ヒドロキ
シフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，６
−ジメチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、
３，４−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニ
ル基、３，５−ジメチルフェニル基、３−（トリフルオ
ロメトキシ）フェニル基、４−（トリフルオロメトキ
シ）フェニル基、３，４−（メチレンジオキシ）フェニ
ル基等の無置換又は置換基を有するフェニル基；２−ビ
フェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基等の
ビフェニル基；１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−
メチルナフチル基、４−メチルナフチル基等のナフチル
基；９−アントラセニル基、２−フルオレニル基等が挙
げられる。
−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−
メトキシフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチ
ルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−ヒドロキシ
フェニル基、３−ヒドロキシフェニル基、４−ヒドロキ
シフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３
−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメ
チルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，６
−ジメチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、
３，４−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニ
ル基、３，５−ジメチルフェニル基、３−（トリフルオ
ロメトキシ）フェニル基、４−（トリフルオロメトキ
シ）フェニル基、３，４−（メチレンジオキシ）フェニ
ル基等の無置換又は置換基を有するフェニル基；２−ビ
フェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基等の
ビフェニル基；１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−
メチルナフチル基、４−メチルナフチル基等のナフチル
基；９−アントラセニル基、２−フルオレニル基等が挙
げられる。
【００１４】Ａｒ２としては、例えば、以下に示すよう
な構造を挙げることができる。
な構造を挙げることができる。
【００１５】
【化７】
【００１６】（式中、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜５の
アルキル基又はトリフルオロメトキシ基を示し、ｍは１
又は２の整数を示す。）
アルキル基又はトリフルオロメトキシ基を示し、ｍは１
又は２の整数を示す。）
【００１７】
【化８】
【００１８】
【化９】
【００１９】
【化１０】
【００２０】
【化１１】
【００２１】（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を
示す。） そして本発明のポリアリーレンアミンのうち、下記一般
式（２）
示す。） そして本発明のポリアリーレンアミンのうち、下記一般
式（２）
【００２２】
【化１２】
【００２３】（式中、ＲはＨ又はＣＨ３を示し、ｎは１
〜５の整数を示す。）で表される構造単位を有するポリ
アリーレンアミンが、優れた耐熱性を有することから特
に好ましい。
〜５の整数を示す。）で表される構造単位を有するポリ
アリーレンアミンが、優れた耐熱性を有することから特
に好ましい。
【００２４】本発明のポリアリーレンアミンにおいて、
耐熱性向上を目的とする場合には、上記Ａｒ２がパラ位
の結合からなることが好ましい。また、溶剤に対する溶
解性、成形性の向上を目的とする場合には、メタ位及び
／又はオルト位の結合を含んでいても良い。
耐熱性向上を目的とする場合には、上記Ａｒ２がパラ位
の結合からなることが好ましい。また、溶剤に対する溶
解性、成形性の向上を目的とする場合には、メタ位及び
／又はオルト位の結合を含んでいても良い。
【００２５】本発明のポリアリーレンアミンは、上記一
般式（１）で示される構造単位を有していれば、単独重
合体又は共重合体であってもよいが、上記一般式（１）
で示される単位が１０以上繰り返した単位よりなるポリ
アリーレンアミンは、耐熱性、耐溶剤性に優れるため、
特に好ましい。
般式（１）で示される構造単位を有していれば、単独重
合体又は共重合体であってもよいが、上記一般式（１）
で示される単位が１０以上繰り返した単位よりなるポリ
アリーレンアミンは、耐熱性、耐溶剤性に優れるため、
特に好ましい。
【００２６】本発明のポリアリーレンアミンは、いかな
る方法により製造されても差し支えないが、例えば、下
記一般式（３）
る方法により製造されても差し支えないが、例えば、下
記一般式（３）
【００２７】
【化１３】
【００２８】（式中、Ａｒ１は炭素数６〜２４の芳香族
基を示す。）で示されるアリールアミン及び／又は下記
一般式（４）
基を示す。）で示されるアリールアミン及び／又は下記
一般式（４）
【００２９】
【化１４】
【００３０】（式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、各々独立して
炭素数６〜２４の芳香族基を示す。）で示されるアリー
レンジアミン誘導体と下記一般式（５）
炭素数６〜２４の芳香族基を示す。）で示されるアリー
レンジアミン誘導体と下記一般式（５）
【００３１】
【化１５】
【００３２】（式中、Ａｒ２は炭素数６〜２４の芳香族
基を示し、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｆ又はＩを示す。）で示さ
れるアリールジハライドとを、トリアルキルホスフィン
及び／又はアリールホスフィンとパラジウム化合物とか
らなる触媒を用い、塩基の存在下でアミノ化反応させる
ことにより、効率的に製造することができる。
基を示し、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｆ又はＩを示す。）で示さ
れるアリールジハライドとを、トリアルキルホスフィン
及び／又はアリールホスフィンとパラジウム化合物とか
らなる触媒を用い、塩基の存在下でアミノ化反応させる
ことにより、効率的に製造することができる。
【００３３】本発明の方法で使用される上記一般式
（３）で示されるアリールアミンとしては、具体的に
は、アニリン、２−フルオロアニリン、３−フルオロア
ニリン、４−フルオロアニリン、２−アニシジン、３−
アニシジン、４−アニシジン、２−ナフチルアミン、２
−アミノビフェニル、４−アミノビフェニル等を例示す
ることができる。
（３）で示されるアリールアミンとしては、具体的に
は、アニリン、２−フルオロアニリン、３−フルオロア
ニリン、４−フルオロアニリン、２−アニシジン、３−
アニシジン、４−アニシジン、２−ナフチルアミン、２
−アミノビフェニル、４−アミノビフェニル等を例示す
ることができる。
【００３４】本発明の方法で使用される上記一般式
（４）で示されるアリーレンジアミン誘導体としては、
具体的には、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルフェニレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−メトキシフェニル）フェニレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メトキシフェニル）フェ
ニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニ
ル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−メチルフ
ェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチ
ルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−
メチルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
（２−ヒドロキシフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジ（３−ヒドロキシフェニル）フェニレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ヒドロキシフェニル）フェニレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−トリフルオロメチルフ
ェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−トリ
フルオロメチルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）フェニレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２，６−ジメチルフェニ
ル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３，６−ジメ
チルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
（２，３−ジメチルフェニル）フェニレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ（３，４−ジメチルフェニル）フェニレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２，４−ジメチルフェニル）
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３，５−ジメチル
フェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ト
リフルオロメトキシフェニル）フェニレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ（４−トリフルオロメトキシフェニル）フ
ェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ビフェニル）フ
ェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ビフェニル）フ
ェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）フェ
ニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ナフチル）フェニ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３，４−メチレンジオキ
シフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−
メチルナフチル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
（４−メチルナフチル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’
−ジ（９−アントラセニル）フェニレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジ（２−フルオレニル）フェニレンジアミン等を
例示することができる。
（４）で示されるアリーレンジアミン誘導体としては、
具体的には、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルフェニレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−メトキシフェニル）フェニレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メトキシフェニル）フェ
ニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニ
ル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−メチルフ
ェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチ
ルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−
メチルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
（２−ヒドロキシフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジ（３−ヒドロキシフェニル）フェニレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ヒドロキシフェニル）フェニレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−トリフルオロメチルフ
ェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−トリ
フルオロメチルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）フェニレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２，６−ジメチルフェニ
ル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３，６−ジメ
チルフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
（２，３−ジメチルフェニル）フェニレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ（３，４−ジメチルフェニル）フェニレン
ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２，４−ジメチルフェニル）
フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３，５−ジメチル
フェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ト
リフルオロメトキシフェニル）フェニレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ（４−トリフルオロメトキシフェニル）フ
ェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ビフェニル）フ
ェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ビフェニル）フ
ェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）フェ
ニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ナフチル）フェニ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（３，４−メチレンジオキ
シフェニル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−
メチルナフチル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
（４−メチルナフチル）フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’
−ジ（９−アントラセニル）フェニレンジアミン、Ｎ，
Ｎ’−ジ（２−フルオレニル）フェニレンジアミン等を
例示することができる。
【００３５】本発明の方法で使用される一般式（５）で
表されるアリールジハライドとしては、具体的には、
１，４−ジブロモベンゼン、１，２−ジブロモベンゼ
ン、１，３−ジブロモベンゼン、２，５−ジブロモトル
エン、３，５−ジブロモトルエン、１，４−ジブロモ−
２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ジブロモ−５−
（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、１，４−ジブロモ
ビフェニル、９，１０−ジブロモアントラセン、Ｎ−メ
チル−３，６−ジブロモカルバゾール、Ｎ−エチル−
３，６−ジブロモカルバゾール、Ｎ−プロピル−３，６
−ジブロモカルバゾール、Ｎ−ブチル−３，６−ジブロ
モカルバゾール、２，７−ジブロモフルオレン等のジブ
ロモベンゼン類；１，４−ジクロロベンゼン、１，２−
ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、２，５
−ジクロロトルエン、３，５−ジクロロトルエン、１，
４−ジクロロ−２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ジ
クロロ−５−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、１，
４−ジクロロビフェニル、９，１０−ジクロロアントラ
セン、Ｎ−メチル−３，６−ジクロロカルバゾール、Ｎ
−エチル−３，６−ジクロロカルバゾール、Ｎ−プロピ
ル−３，６−ジクロロカルバゾール、Ｎ−ブチル−３，
６−ジクロロカルバゾール、２，７−ジクロロフルオレ
ン等のジクロロベンゼン類；１，４−ジヨードベンゼ
ン、１，２−ジヨードベンゼン、１，３−ジヨードベン
ゼン、２，５−ジヨードトルエン、３，５−ジヨードト
ルエン、１，４−ジヨード−２，５−ジメチルベンゼ
ン、１，３−ジヨード−５−（トリフルオロメトキシ）
ベンゼン、１，４−ジヨードビフェニル、９，１０−ジ
ヨードアントラセン、Ｎ−メチル−３，６−ジヨードカ
ルバゾール、Ｎ−エチル−３，６−ジヨードカルバゾー
ル、Ｎ−プロピル−３，６−ジヨードカルバゾール、Ｎ
−ブチル−３，６−ジヨードカルバゾール、２，７−ジ
ヨードフルオレン等のジヨードベンゼン類；１，４−ジ
フルオロベンゼン、１，２−ジフルオロベンゼン、１，
３−ジフルオロベンゼン、２，５−ジフルオロトルエ
ン、３，５−ジフルオロトルエン、１，４−ジフルオロ
−２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ジフルオロ−５
−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、１，４−ジフル
オロビフェニル、９，１０−ジフルオロアントラセン、
Ｎ−メチル−３，６−ジフルオロカルバゾール、Ｎ−エ
チル−３，６−ジフルオロカルバゾール、Ｎ−プロピル
−３，６−ジフルオロカルバゾール、Ｎ−ブチル−３，
６−ジフルオロカルバゾール、２，７−ジフルオロフル
オレン等のジフルオロベンゼン類等を例示することがで
きる。
表されるアリールジハライドとしては、具体的には、
１，４−ジブロモベンゼン、１，２−ジブロモベンゼ
ン、１，３−ジブロモベンゼン、２，５−ジブロモトル
エン、３，５−ジブロモトルエン、１，４−ジブロモ−
２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ジブロモ−５−
（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、１，４−ジブロモ
ビフェニル、９，１０−ジブロモアントラセン、Ｎ−メ
チル−３，６−ジブロモカルバゾール、Ｎ−エチル−
３，６−ジブロモカルバゾール、Ｎ−プロピル−３，６
−ジブロモカルバゾール、Ｎ−ブチル−３，６−ジブロ
モカルバゾール、２，７−ジブロモフルオレン等のジブ
ロモベンゼン類；１，４−ジクロロベンゼン、１，２−
ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、２，５
−ジクロロトルエン、３，５−ジクロロトルエン、１，
４−ジクロロ−２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ジ
クロロ−５−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、１，
４−ジクロロビフェニル、９，１０−ジクロロアントラ
セン、Ｎ−メチル−３，６−ジクロロカルバゾール、Ｎ
−エチル−３，６−ジクロロカルバゾール、Ｎ−プロピ
ル−３，６−ジクロロカルバゾール、Ｎ−ブチル−３，
６−ジクロロカルバゾール、２，７−ジクロロフルオレ
ン等のジクロロベンゼン類；１，４−ジヨードベンゼ
ン、１，２−ジヨードベンゼン、１，３−ジヨードベン
ゼン、２，５−ジヨードトルエン、３，５−ジヨードト
ルエン、１，４−ジヨード−２，５−ジメチルベンゼ
ン、１，３−ジヨード−５−（トリフルオロメトキシ）
ベンゼン、１，４−ジヨードビフェニル、９，１０−ジ
ヨードアントラセン、Ｎ−メチル−３，６−ジヨードカ
ルバゾール、Ｎ−エチル−３，６−ジヨードカルバゾー
ル、Ｎ−プロピル−３，６−ジヨードカルバゾール、Ｎ
−ブチル−３，６−ジヨードカルバゾール、２，７−ジ
ヨードフルオレン等のジヨードベンゼン類；１，４−ジ
フルオロベンゼン、１，２−ジフルオロベンゼン、１，
３−ジフルオロベンゼン、２，５−ジフルオロトルエ
ン、３，５−ジフルオロトルエン、１，４−ジフルオロ
−２，５−ジメチルベンゼン、１，３−ジフルオロ−５
−（トリフルオロメトキシ）ベンゼン、１，４−ジフル
オロビフェニル、９，１０−ジフルオロアントラセン、
Ｎ−メチル−３，６−ジフルオロカルバゾール、Ｎ−エ
チル−３，６−ジフルオロカルバゾール、Ｎ−プロピル
−３，６−ジフルオロカルバゾール、Ｎ−ブチル−３，
６−ジフルオロカルバゾール、２，７−ジフルオロフル
オレン等のジフルオロベンゼン類等を例示することがで
きる。
【００３６】本発明の方法において、アリーレンジアミ
ン誘導体及び／又はアリールアミンの添加量は、特に限
定するものではないが、高分子量のポリアリーレンアミ
ンが得られることから、アリーレンジアミン誘導体の場
合には、アリールジハライド１モルに対して０．９〜
１．１の割合で添加し、アリールアミンの場合には、ア
リールジハライド１モルに対して０．４〜０．６の割合
で添加することが好ましい。更に本発明においては本発
明の目的を逸脱しないかぎりにおいてこれらの混合物を
用いても、又はさらに第三成分を加えても良い。
ン誘導体及び／又はアリールアミンの添加量は、特に限
定するものではないが、高分子量のポリアリーレンアミ
ンが得られることから、アリーレンジアミン誘導体の場
合には、アリールジハライド１モルに対して０．９〜
１．１の割合で添加し、アリールアミンの場合には、ア
リールジハライド１モルに対して０．４〜０．６の割合
で添加することが好ましい。更に本発明においては本発
明の目的を逸脱しないかぎりにおいてこれらの混合物を
用いても、又はさらに第三成分を加えても良い。
【００３７】本発明の方法においては、トリアルキルホ
スフィン及び／又はアリールホスフィンとパラジウム化
合物からなる触媒を用いてアミノ化反応を進行させる。
トリアルキルホスフィン及び／又はアリールホスフィン
は、それぞれ単独又は混合物として用いても良い。
スフィン及び／又はアリールホスフィンとパラジウム化
合物からなる触媒を用いてアミノ化反応を進行させる。
トリアルキルホスフィン及び／又はアリールホスフィン
は、それぞれ単独又は混合物として用いても良い。
【００３８】本発明の方法で使用するパラジウム化合物
としては、特に限定するものではないが、例えば、ヘキ
サクロロパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、ヘ
キサクロロパラジウム（ＩＶ）酸カリウム等の４価のパ
ラジウム化合物類；塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラ
ジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウム
アセチルアセトナート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾ
ニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセト
ニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテト
ラアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（シクロオク
タ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウム
トリフルオロアセテート（ＩＩ）等の２価パラジウム化
合物類；トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウ
ム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジ
ウムクロロホルム錯体（０）、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）等の０価パラジウム化
合物類を挙げることができる。
としては、特に限定するものではないが、例えば、ヘキ
サクロロパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、ヘ
キサクロロパラジウム（ＩＶ）酸カリウム等の４価のパ
ラジウム化合物類；塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラ
ジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウム
アセチルアセトナート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾ
ニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセト
ニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテト
ラアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（シクロオク
タ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウム
トリフルオロアセテート（ＩＩ）等の２価パラジウム化
合物類；トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウ
ム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジ
ウムクロロホルム錯体（０）、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）等の０価パラジウム化
合物類を挙げることができる。
【００３９】本発明の方法においてパラジウム化合物の
使用量は、特に限定するものではないが、原料のアリー
ルジハライドのハロゲン原子１モルに対し、パラジウム
換算で通常０．００００１〜２０．０モル％の範囲であ
り、さらに高価なパラジウム化合物を使用することか
ら、より好ましくは原料のアリールジハライドのハロゲ
ン原子１モルに対し、パラジウム換算で０．００１〜
５．０モル％の範囲である。
使用量は、特に限定するものではないが、原料のアリー
ルジハライドのハロゲン原子１モルに対し、パラジウム
換算で通常０．００００１〜２０．０モル％の範囲であ
り、さらに高価なパラジウム化合物を使用することか
ら、より好ましくは原料のアリールジハライドのハロゲ
ン原子１モルに対し、パラジウム換算で０．００１〜
５．０モル％の範囲である。
【００４０】本発明の方法で触媒成分として使用される
トリアルキルホスフィンとしては、特に限定するもので
はないが、例えば、トリエチルホスフィン、トリシクロ
ヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、ト
リ−ｎ−ブチルホスフィン、トリイソブチルホスフィ
ン、トリ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ
−ブチルホスフィン等が挙げられる。これらのうちトリ
ターシャリーブチルホスフィンが触媒として特に高い反
応活性を有することから好ましい。
トリアルキルホスフィンとしては、特に限定するもので
はないが、例えば、トリエチルホスフィン、トリシクロ
ヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、ト
リ−ｎ−ブチルホスフィン、トリイソブチルホスフィ
ン、トリ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ
−ブチルホスフィン等が挙げられる。これらのうちトリ
ターシャリーブチルホスフィンが触媒として特に高い反
応活性を有することから好ましい。
【００４１】また、本発明の方法で使用されるアリール
ホスフィンとしては、特に限定するものではないが、例
えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホ
スフィン、トリ（ｍ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−
トリル）ホスフィン、ＢＩＮＡＰ、トリメシチルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフ
ィノプロパン、ジフェニルホスフィノフェロセン等が挙
げられる。
ホスフィンとしては、特に限定するものではないが、例
えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホ
スフィン、トリ（ｍ−トリル）ホスフィン、トリ（ｐ−
トリル）ホスフィン、ＢＩＮＡＰ、トリメシチルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフ
ィノプロパン、ジフェニルホスフィノフェロセン等が挙
げられる。
【００４２】本発明の方法において、トリアルキルホス
フィン及び／又はアリールホスフィンの使用量は、特に
限定するものではなく、パラジウム化合物に対して通常
０．０１〜１００００倍モルの範囲で使用すればよい。
そして、高価なトリアルキルホスフィン及び／又はアリ
ールホスフィンを使用することから、パラジウム化合物
に対して０．１〜１０倍モルの範囲であることが好まし
い。
フィン及び／又はアリールホスフィンの使用量は、特に
限定するものではなく、パラジウム化合物に対して通常
０．０１〜１００００倍モルの範囲で使用すればよい。
そして、高価なトリアルキルホスフィン及び／又はアリ
ールホスフィンを使用することから、パラジウム化合物
に対して０．１〜１０倍モルの範囲であることが好まし
い。
【００４３】本発明の方法においては触媒成分としてパ
ラジウム化合物とトリアルキルホスフィン及び／又はア
リールホスフィンからなる触媒が用いられる。その際、
これら触媒成分は、反応系にそれぞれ触媒成分として単
独に加えても良いし、予めこれら触媒成分よりなる錯体
の形に調製して添加してもよい。
ラジウム化合物とトリアルキルホスフィン及び／又はア
リールホスフィンからなる触媒が用いられる。その際、
これら触媒成分は、反応系にそれぞれ触媒成分として単
独に加えても良いし、予めこれら触媒成分よりなる錯体
の形に調製して添加してもよい。
【００４４】本発明の方法で用いられる塩基としては、
特に限定するものではないが、例えば、ナトリウム，カ
リウムの炭酸塩、アルカリ金属アルコキシド等の無機塩
基又は３級アミン等の有機塩基が挙げられる。これらの
うち、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−
ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキ
シド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金
属アルコキシドが好ましく、それらは反応系にそのまま
加えても、また、アルカリ金属、水素化アルカリ金属又
は水酸化アルカリ金属とアルコールとからその場で調製
して反応系に供してもよい。
特に限定するものではないが、例えば、ナトリウム，カ
リウムの炭酸塩、アルカリ金属アルコキシド等の無機塩
基又は３級アミン等の有機塩基が挙げられる。これらの
うち、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウム−
ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキ
シド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金
属アルコキシドが好ましく、それらは反応系にそのまま
加えても、また、アルカリ金属、水素化アルカリ金属又
は水酸化アルカリ金属とアルコールとからその場で調製
して反応系に供してもよい。
【００４５】本発明の方法において塩基の使用量は、特
に限定するものではないが、反応系に添加するアリール
ハライドのハロゲン原子に対して、０．５倍モル以上使
用することが好ましく、反応終了後の後処理操作が容易
となることから、１．０〜５倍モルの範囲であることが
特に好ましい。
に限定するものではないが、反応系に添加するアリール
ハライドのハロゲン原子に対して、０．５倍モル以上使
用することが好ましく、反応終了後の後処理操作が容易
となることから、１．０〜５倍モルの範囲であることが
特に好ましい。
【００４６】本発明の方法は、通常は不活性溶媒下で実
施することが好ましい。そのような不活性溶媒として
は、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に
限定するものではないが、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒；ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶
媒；アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等が挙げ
られ、これらのうち、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒が特に好ましい。
施することが好ましい。そのような不活性溶媒として
は、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に
限定するものではないが、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒；ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶
媒；アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等が挙げ
られ、これらのうち、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒が特に好ましい。
【００４７】本発明の方法は、常圧下で、窒素、アルゴ
ン等の不活性ガス雰囲気下で実施することが好ましい
が、たとえ加圧条件であっても実施することが可能であ
る。
ン等の不活性ガス雰囲気下で実施することが好ましい
が、たとえ加圧条件であっても実施することが可能であ
る。
【００４８】本発明の方法において反応条件としては、
ポリアリ−ルアミンを製造することが可能な条件であれ
ばよく特に限定するものではないが、例えば、反応温度
として２０℃〜３００℃、より好ましくは５０℃〜２０
０℃の範囲、反応時間として数分〜７２時間の範囲で製
造することが可能である。
ポリアリ−ルアミンを製造することが可能な条件であれ
ばよく特に限定するものではないが、例えば、反応温度
として２０℃〜３００℃、より好ましくは５０℃〜２０
０℃の範囲、反応時間として数分〜７２時間の範囲で製
造することが可能である。
【００４９】本発明のポリアリーレンアミンは、上記一
般式（１）に示される繰り返し単位からなり、アリール
残基及びアニリン誘導体の残基が交互に結合したもので
あり、高融点を有し、耐熱性に優れていることから耐熱
性構造材料として優れたものである。また、本発明のポ
リアリーレンアミンは、正孔輸送性の高いトリアリール
アミン構造を連続的に有するため、有機ＥＬ素子の正孔
輸送材料としても有用である。
般式（１）に示される繰り返し単位からなり、アリール
残基及びアニリン誘導体の残基が交互に結合したもので
あり、高融点を有し、耐熱性に優れていることから耐熱
性構造材料として優れたものである。また、本発明のポ
リアリーレンアミンは、正孔輸送性の高いトリアリール
アミン構造を連続的に有するため、有機ＥＬ素子の正孔
輸送材料としても有用である。
【００５０】本発明のポリアリーレンアミンは、単独で
も樹脂材料として使用できるが、ガラス繊維、炭素繊
維、タルク、炭酸カルリウム、マイカ等の充填剤；各種
顔料；酸化防止剤、光安定剤等の各種安定剤と混合して
使用することができる。また、ポリエチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリスチレン等の汎用樹脂；ポリプロピレン、
変性ポリフェニレンエーテル等のエンジニアリングプラ
スチック；ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレン
スルフィドケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、
液晶ポリマー等のスーパーエンジニアリングプラスチッ
ク等とアロイブレンドして使用することもできる。
も樹脂材料として使用できるが、ガラス繊維、炭素繊
維、タルク、炭酸カルリウム、マイカ等の充填剤；各種
顔料；酸化防止剤、光安定剤等の各種安定剤と混合して
使用することができる。また、ポリエチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリスチレン等の汎用樹脂；ポリプロピレン、
変性ポリフェニレンエーテル等のエンジニアリングプラ
スチック；ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレン
スルフィドケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、
液晶ポリマー等のスーパーエンジニアリングプラスチッ
ク等とアロイブレンドして使用することもできる。
【００５１】
【発明の効果】本発明は、３級アリールアミノ基が連続
的に結合した構造を有する耐熱性、耐溶剤性等に優れる
構造材料として有用な新規なポリアリーレンアミン、及
びその効率的な製造方法を提供するものであり、工業的
にも非常に有意義である。
的に結合した構造を有する耐熱性、耐溶剤性等に優れる
構造材料として有用な新規なポリアリーレンアミン、及
びその効率的な製造方法を提供するものであり、工業的
にも非常に有意義である。
【００５２】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示すが本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
【００５３】実施例１ 冷却管、温度計を装着した２００ｍｌ四つ口フラスコ
に、室温下Ｎ，Ｎ’−ジフェニルフェニレンジアミン
２．６ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｐ−ジブロモベンゼン
２．３６ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ナトリウムターシャリ
ーブトキシド２．８８ｇ（臭素原子に対して１．４当
量）及びｏ−キシレン６０ｍｌを仕込んだ。この混合液
に窒素雰囲気下で酢酸パラジウム１１．２ｍｇ（０．５
ｍｏｌ％）及びトリターシャリーブチルホスフィン０．
２ｍｌ（パラジウム化合物に対して４当量）を添加し
た。その後窒素雰囲気下、温度を１２０℃まで昇温し、
１２０℃で３時間反応を行った。
に、室温下Ｎ，Ｎ’−ジフェニルフェニレンジアミン
２．６ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ｐ−ジブロモベンゼン
２．３６ｇ（０．０１ｍｏｌ）、ナトリウムターシャリ
ーブトキシド２．８８ｇ（臭素原子に対して１．４当
量）及びｏ−キシレン６０ｍｌを仕込んだ。この混合液
に窒素雰囲気下で酢酸パラジウム１１．２ｍｇ（０．５
ｍｏｌ％）及びトリターシャリーブチルホスフィン０．
２ｍｌ（パラジウム化合物に対して４当量）を添加し
た。その後窒素雰囲気下、温度を１２０℃まで昇温し、
１２０℃で３時間反応を行った。
【００５４】反応終了後、水６０ｍｌを添加し水洗した
後、固形分を濾別回収した。回収した固形分を再度２０
ｍｌの水で洗浄した後、減圧乾燥して、４．０３ｇの黄
色粉体を得た（収率９２．８％）。
後、固形分を濾別回収した。回収した固形分を再度２０
ｍｌの水で洗浄した後、減圧乾燥して、４．０３ｇの黄
色粉体を得た（収率９２．８％）。
【００５５】得られた粉体を融点をＴＧ／ＤＴＡを用い
測定したところ３２５．６℃に融点を示した。元素分析
を測定結果を表１、ＩＲの測定結果を図１に示す。
測定したところ３２５．６℃に融点を示した。元素分析
を測定結果を表１、ＩＲの測定結果を図１に示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】これらの結果より、得られた粉体は、高い
融点を有するポリアリーレンアミンであることが確認さ
れた。
融点を有するポリアリーレンアミンであることが確認さ
れた。
【００５８】実施例２ 冷却管、温度計を装着した２００ｍｌ四つ口フラスコ
に、室温下３−トルイジン２．１４ｇ（０．０２ｍｏ
ｌ）、ｐ−ジブロモベンゼン９．４４ｇ（０．０４ｍｏ
ｌ）、ナトリウムターシャリーブトキシド４．７２ｇ
（臭素原子に対して１．４当量）及びｏ−キシレン６０
ｍｌを仕込んだ。この混合液に窒素雰囲気下にトリス
（ジベンジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム
錯体（アルドリッチ製）５１．８ｍｇ（０．２５ｍｏｌ
％）及びトリターシャリーブチルホスフィン０．４ｍｌ
（パラジウム化合物に対して４当量）を添加した。その
後窒素雰囲気下に温度を１２０℃まで昇温し、１２０℃
で３時間反応を行った。
に、室温下３−トルイジン２．１４ｇ（０．０２ｍｏ
ｌ）、ｐ−ジブロモベンゼン９．４４ｇ（０．０４ｍｏ
ｌ）、ナトリウムターシャリーブトキシド４．７２ｇ
（臭素原子に対して１．４当量）及びｏ−キシレン６０
ｍｌを仕込んだ。この混合液に窒素雰囲気下にトリス
（ジベンジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム
錯体（アルドリッチ製）５１．８ｍｇ（０．２５ｍｏｌ
％）及びトリターシャリーブチルホスフィン０．４ｍｌ
（パラジウム化合物に対して４当量）を添加した。その
後窒素雰囲気下に温度を１２０℃まで昇温し、１２０℃
で３時間反応を行った。
【００５９】反応終了後、水６０ｍｌを添加し水洗した
後、固形分を濾別回収した。回収した固形分を再度２０
ｍｌの水で洗浄した後、減圧乾燥して、３．７５ｇの黄
色粉体を得た。（収率８９．４％） 得られた粉体を融点をＴＧ／ＤＴＡを用い測定したとこ
ろ３２７．６℃に融点を示した。元素分析を測定結果を
表２、ＩＲの測定結果を図２に示す。
後、固形分を濾別回収した。回収した固形分を再度２０
ｍｌの水で洗浄した後、減圧乾燥して、３．７５ｇの黄
色粉体を得た。（収率８９．４％） 得られた粉体を融点をＴＧ／ＤＴＡを用い測定したとこ
ろ３２７．６℃に融点を示した。元素分析を測定結果を
表２、ＩＲの測定結果を図２に示す。
【００６０】
【表２】
【００６１】これらの結果より得られた粉体は、高い融
点を有するポリアリーレンアミンであることが確認され
た。
点を有するポリアリーレンアミンであることが確認され
た。
【００６２】実施例３ ｐ−ジブロモベンゼンの使用量を９．４４ｇ（０．０４
ｍｏｌ）から４．７２ｇ（０．．０２ｍｏｌ）とした以
外は実施例２と同様の条件で反応及び後処理を行った。
減圧乾燥後３．４１ｇの黄白色粉体を得た（収率９４．
２％）。
ｍｏｌ）から４．７２ｇ（０．．０２ｍｏｌ）とした以
外は実施例２と同様の条件で反応及び後処理を行った。
減圧乾燥後３．４１ｇの黄白色粉体を得た（収率９４．
２％）。
【００６３】得られた粉末をＴＧ−ＤＴＡを用いて測定
した結果、３２７．６℃に融点を示した。元素分析の結
果を表３、ＩＲの結果を図３に示す。
した結果、３２７．６℃に融点を示した。元素分析の結
果を表３、ＩＲの結果を図３に示す。
【００６４】
【表３】
【００６５】実施例４ ３−トルイジン２．１４ｇ（０．０２ｍｏｌ）のかわり
に４−フルオロアニリン２．２２ｇ（０．０２ｍｏｌ）
を用いた以外は実施例３と同様の条件で反応及び後処理
を行った。減圧乾燥後、３．６０ｇの黄白色粉体を得た
（収率９７．３％）。
に４−フルオロアニリン２．２２ｇ（０．０２ｍｏｌ）
を用いた以外は実施例３と同様の条件で反応及び後処理
を行った。減圧乾燥後、３．６０ｇの黄白色粉体を得た
（収率９７．３％）。
【００６６】得られた粉体をＴＧ−ＤＴＡを用いて測定
した結果、３３１．３℃に融点を示した。元素分析の結
果を表４、ＩＲの測定結果を図４に示す。
した結果、３３１．３℃に融点を示した。元素分析の結
果を表４、ＩＲの測定結果を図４に示す。
【００６７】
【表４】
【００６８】実施例５ ｐ−ジブロモベンゼン４．７２ｇの代わりに４，４’−
ジブロモビフェニル６．２４ｇを用いた以外は実施例３
と同様の条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後
５．１０ｇの黄白色粉体を得た（収率９９．０％）。
ジブロモビフェニル６．２４ｇを用いた以外は実施例３
と同様の条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後
５．１０ｇの黄白色粉体を得た（収率９９．０％）。
【００６９】得られた粉末をＴＧ−ＤＴＡを用いて測定
した結果、２６８．０℃に融点を示した。元素分析の結
果を表５、ＩＲの結果を図５に示す。
した結果、２６８．０℃に融点を示した。元素分析の結
果を表５、ＩＲの結果を図５に示す。
【００７０】
【表５】
【００７１】実施例６ ｐ−ジブロモベンゼンの代わりにｍ−ジブロモベンゼン
を４．７２ｇ（０．０２ｍｏｌ）用いた以外は実施例３
と同様の条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後
３．３５ｇの黄白色粉体を得た（収率９２．５％）。
を４．７２ｇ（０．０２ｍｏｌ）用いた以外は実施例３
と同様の条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後
３．３５ｇの黄白色粉体を得た（収率９２．５％）。
【００７２】得られた粉末をＴＧ−ＤＴＡを用いて測定
した結果、２８１．２℃に融点を示した。元素分析の結
果を表６、ＩＲの結果を図６に示す。
した結果、２８１．２℃に融点を示した。元素分析の結
果を表６、ＩＲの結果を図６に示す。
【００７３】
【表６】
【００７４】実施例７ パラジウム触媒の量を０．２５ｍｏｌ％から２．５ｍｏ
ｌ％（５１８ｍｇ）とし、ホスフィンをトリターシャリ
ーブチルホスフィンからトリオルトトリルホスフィンと
して触媒に対して４当量用いた以外は実施例３と同様の
条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後２．７２ｇ
の黄白色粉体を得た（収率７５．１％）。
ｌ％（５１８ｍｇ）とし、ホスフィンをトリターシャリ
ーブチルホスフィンからトリオルトトリルホスフィンと
して触媒に対して４当量用いた以外は実施例３と同様の
条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後２．７２ｇ
の黄白色粉体を得た（収率７５．１％）。
【００７５】実施例８ パラジウム触媒の量を０．２５ｍｏｌ％から０．５ｍｏ
ｌ％（１０３．６ｍｇ）とし、ホスフィンをトリターシ
ャリーブチルホスフィンからトリシクロヘキシルホスフ
ィンとして触媒に対して４当量用いた以外は実施例３と
同様の条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後２．
９４ｇの黄白色粉体を得た（収率８１．２％）。
ｌ％（１０３．６ｍｇ）とし、ホスフィンをトリターシ
ャリーブチルホスフィンからトリシクロヘキシルホスフ
ィンとして触媒に対して４当量用いた以外は実施例３と
同様の条件で反応及び後処理を行った。減圧乾燥後２．
９４ｇの黄白色粉体を得た（収率８１．２％）。
【図１】実施例１で得られたポリアリーレンアミンのＩ
Ｒチャートである。
Ｒチャートである。
【図２】実施例２で得られたポリアリーレンアミンのＩ
Ｒチャートである。
Ｒチャートである。
【図３】実施例３で得られたポリアリーレンアミンのＩ
Ｒチャートである。
Ｒチャートである。
【図４】実施例４で得られたポリアリーレンアミンのＩ
Ｒチャートである。
Ｒチャートである。
【図５】実施例５で得られたポリアリーレンアミンのＩ
Ｒチャートである。
Ｒチャートである。
【図６】実施例６で得られたポリアリーレンアミンのＩ
Ｒチャートである。
Ｒチャートである。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、各々独立して炭素数６〜２
４の芳香族基を示す。）で表される構造単位を有するポ
リアリーレンアミン。 - 【請求項２】 一般式（１）において、Ａｒ１、Ａｒ２
が、各々独立して無置換若しくは置換基を有するフェニ
ル基、ビフェニル基、アントラセニル基、ナフチル基又
はフルオレニル基を示すことを特徴とする請求項１に記
載のポリアリーレンアミン。 - 【請求項３】 下記一般式（２） 【化２】 （式中、ＲはＨ又はＣＨ3を示し、ｎは１〜５の整数を
示す。）で表される構造単位を有することを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載のポリアリーレンアミン。 - 【請求項４】 下記一般式（３） 【化３】 （式中、Ａｒ１は炭素数６〜２４の芳香族基を示す。）
で示されるアリールアミン及び／又は下記一般式（４） 【化４】 （式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、各々独立して炭素数６〜２
４の芳香族基を示す。）で示されるアリーレンジアミン
誘導体と下記一般式（５） 【化５】 （式中、Ａｒ２は炭素数６〜２４の芳香族基を示し、Ｘ
はＣｌ、Ｂｒ、Ｆ又はＩを示す。）で示されるアリール
ジハライドとを、トリアルキルホスフィン及び／又はア
リールホスフィンとパラジウム化合物とからなる触媒を
用い、塩基の存在下でアミノ化反応させることを特徴と
する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のポリアリ
ーレンアミンの製造方法。 - 【請求項５】 トリアルキルホスフィンが、トリターシ
ャリーブチルホスフィンであることを特徴とする請求項
４に記載のポリアリーレンアミンの製造方法。
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