JPH1095787A - シラン化合物及びその製造方法 - Google Patents
シラン化合物及びその製造方法Info
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- JPH1095787A JPH1095787A JP9121256A JP12125697A JPH1095787A JP H1095787 A JPH1095787 A JP H1095787A JP 9121256 A JP9121256 A JP 9121256A JP 12125697 A JP12125697 A JP 12125697A JP H1095787 A JPH1095787 A JP H1095787A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機電子デバイスに応用可能なように、溶解
性、成膜性に優れ、強固な膜を形成する化合物を提供す
る。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表されるシラン化合
物。 【化１】 ［式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 はそれぞれ独立に置換又は未置
換のアリール基を示し、Ａｒ5 は置換若しくは未置換の
アリール基又はアリーレン基を示し、且つＡｒ1〜Ａｒ5
のうち１〜４個は、−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−ＳｉＲ
1 3-a （ＯＲ2 ）a で示される置換基を有し、Ｒ1 は水
素、アルキル基、置換又は未置換のアリール基を示し、
Ｒ2 は水素、アルキル基、トリアルキルシリル基を示
し、ａは１〜３の整数を示し、Ｙは２価の基を示し、ｋ
は０又は１を示す］
性、成膜性に優れ、強固な膜を形成する化合物を提供す
る。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表されるシラン化合
物。 【化１】 ［式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 はそれぞれ独立に置換又は未置
換のアリール基を示し、Ａｒ5 は置換若しくは未置換の
アリール基又はアリーレン基を示し、且つＡｒ1〜Ａｒ5
のうち１〜４個は、−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−ＳｉＲ
1 3-a （ＯＲ2 ）a で示される置換基を有し、Ｒ1 は水
素、アルキル基、置換又は未置換のアリール基を示し、
Ｒ2 は水素、アルキル基、トリアルキルシリル基を示
し、ａは１〜３の整数を示し、Ｙは２価の基を示し、ｋ
は０又は１を示す］
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なシラン化合
物及びその製造方法に関するものである。
物及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子写真用感光体の電荷輸送層は、一般
に、ポリエステル等のようなバインダーポリマーと、ト
リアリールアミン、テトラアリールベンジジン系化合物
等のような低分子の電荷輸送材料とを含んでおり、成膜
性を持たせるためにこれらの低分子の電荷輸送性材料は
バインダーポリマー中に分散される。
に、ポリエステル等のようなバインダーポリマーと、ト
リアリールアミン、テトラアリールベンジジン系化合物
等のような低分子の電荷輸送材料とを含んでおり、成膜
性を持たせるためにこれらの低分子の電荷輸送性材料は
バインダーポリマー中に分散される。
【０００３】しかし、バインダーポリマー中に低分子の
電荷輸送性材料が分散されるために、バインダーポリマ
ー本来の機械的強度が低下してしまい、その結果、電子
写真感光体として用いた場合耐久性に劣るという問題が
ある。
電荷輸送性材料が分散されるために、バインダーポリマ
ー本来の機械的強度が低下してしまい、その結果、電子
写真感光体として用いた場合耐久性に劣るという問題が
ある。
【０００４】上記の欠点を克服すべく、ポリビニルカル
バゾール等のように、電荷輸送成分を主鎖に含む電荷輸
送性ポリマーが提案されているが、未だ電気特性や強度
の面で十分な特性の材料が得られていない。
バゾール等のように、電荷輸送成分を主鎖に含む電荷輸
送性ポリマーが提案されているが、未だ電気特性や強度
の面で十分な特性の材料が得られていない。
【０００５】また、近年低分子の電荷輸送材料を有機Ｅ
Ｌ素子として応用することが注目されているが、この場
合には、発生するジュール熱により低分子化合物が融解
してしまい、寿命の長い安定な素子を得にくいという問
題があった。
Ｌ素子として応用することが注目されているが、この場
合には、発生するジュール熱により低分子化合物が融解
してしまい、寿命の長い安定な素子を得にくいという問
題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、溶解
性、成膜性に優れ、強固な膜を形成し、有機ＥＬ素子や
電子写真感光体等の種々の有機電子デバイスに応用可能
な新規化合物及びその製造方法を提供することにある。
性、成膜性に優れ、強固な膜を形成し、有機ＥＬ素子や
電子写真感光体等の種々の有機電子デバイスに応用可能
な新規化合物及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
に対し鋭意検討した結果、特定のシラン化合物が３次元
架橋硬化が可能であり、且つその膜が電荷輸送性、耐機
械的磨耗性に優れ、高い耐久性を示すことを見い出し、
本発明を完成するに至った。
に対し鋭意検討した結果、特定のシラン化合物が３次元
架橋硬化が可能であり、且つその膜が電荷輸送性、耐機
械的磨耗性に優れ、高い耐久性を示すことを見い出し、
本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は一般式（Ｉ）で表されるシ
ラン化合物である。
ラン化合物である。
【０００９】
【化４】
【００１０】式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 はそれぞれ独立に置
換又は未置換のアリール基を示し、Ａｒ5 は置換若しく
は未置換のアリール基又はアリーレン基を示し、且つＡ
ｒ1〜Ａｒ5 のうち１〜４個は、−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−Ｓｉ
Ｒ1 3-a （ＯＲ2 ）a で示される置換基を有し、Ｒ1 は
水素、アルキル基、置換又は未置換のアリール基を示
し、Ｒ2 は水素、アルキル基、トリアルキルシリル基を
示し、ａは１〜３の整数を示し、Ｙは２価の基を示し、
ｋは０又は１を示す。
換又は未置換のアリール基を示し、Ａｒ5 は置換若しく
は未置換のアリール基又はアリーレン基を示し、且つＡ
ｒ1〜Ａｒ5 のうち１〜４個は、−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−Ｓｉ
Ｒ1 3-a （ＯＲ2 ）a で示される置換基を有し、Ｒ1 は
水素、アルキル基、置換又は未置換のアリール基を示
し、Ｒ2 は水素、アルキル基、トリアルキルシリル基を
示し、ａは１〜３の整数を示し、Ｙは２価の基を示し、
ｋは０又は１を示す。
【００１１】また、本発明者らは様々なシラン化合物の
合成法を鋭意検討した。従来のシラン化合物の合成法と
しては、以下に挙げるような方法が知られている。
合成法を鋭意検討した。従来のシラン化合物の合成法と
しては、以下に挙げるような方法が知られている。
【００１２】１） アルケンやアルキンのヒドロシリル
化反応を用いた合成法 「有機金属化学」（裳華房、１９８２年出版）の３２２
頁等に示されるような、Ｓｐｅｉｅｒ試薬｛Ｈ2 ＰｔＣ
ｌ6 ／ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）｝を用いてア
ルケンやアルキンのヒドロシリル化反応を行うことによ
り、Ｓｉ−Ｃ結合を持った様々なシラン化合物を合成す
る方法がある。この方法は、１×１０-7モル程度の触媒
添加量で合成が可能であるため、非常に有用な方法であ
る。
化反応を用いた合成法 「有機金属化学」（裳華房、１９８２年出版）の３２２
頁等に示されるような、Ｓｐｅｉｅｒ試薬｛Ｈ2 ＰｔＣ
ｌ6 ／ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）｝を用いてア
ルケンやアルキンのヒドロシリル化反応を行うことによ
り、Ｓｉ−Ｃ結合を持った様々なシラン化合物を合成す
る方法がある。この方法は、１×１０-7モル程度の触媒
添加量で合成が可能であるため、非常に有用な方法であ
る。
【００１３】しかし、このようなヒドロシリル化反応で
は異性体や還元反応等による副生成物が混入するため、
蒸留等による厳密な精製が必要であり、本発明のような
沸点の高いシラン化合物の合成には困難が伴う。
は異性体や還元反応等による副生成物が混入するため、
蒸留等による厳密な精製が必要であり、本発明のような
沸点の高いシラン化合物の合成には困難が伴う。
【００１４】２） Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応を用いた合成
法 「Ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」（Ｓ．Ｐａｔ
ａｉ編、１９８９年出版）の６５５頁等に示されるよう
に、Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬を用いることにより、シラン
化合物の合成が可能である。
法 「Ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」（Ｓ．Ｐａｔ
ａｉ編、１９８９年出版）の６５５頁等に示されるよう
に、Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬を用いることにより、シラン
化合物の合成が可能である。
【００１５】しかし、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応は酸素や水
分等に非常に敏感であり、且つ多量の無機塩を生じるた
め処理が困難であり、工業化するには莫大な費用がかか
る。
分等に非常に敏感であり、且つ多量の無機塩を生じるた
め処理が困難であり、工業化するには莫大な費用がかか
る。
【００１６】３） 脱塩酸反応を用いたアミン系シラン
化合物の合成法 「Ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」（Ｓ．Ｐａｔ
ａｉ編、１９８９年出版）の６５５頁等に示されるよう
に、ハロゲン置換基の付いたシランとアミンの脱塩酸反
応により、シラン化合物の合成が可能である。
化合物の合成法 「Ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」（Ｓ．Ｐａｔ
ａｉ編、１９８９年出版）の６５５頁等に示されるよう
に、ハロゲン置換基の付いたシランとアミンの脱塩酸反
応により、シラン化合物の合成が可能である。
【００１７】しかし、得られる化合物は特殊なものに限
られ、且つ必然的にアミノ基を有するため、電荷輸送材
料に用いた場合、電荷トラップとなりやすく、電気特性
に悪影響を与えやすいという欠点がある。
られ、且つ必然的にアミノ基を有するため、電荷輸送材
料に用いた場合、電荷トラップとなりやすく、電気特性
に悪影響を与えやすいという欠点がある。
【００１８】４） ウレタン結合形成反応を用いた合成
法 特開平３−１９１３５８号公報にはウレタン結合を用い
て電荷輸送部位を有するシラン化合物の電子写真感光体
への応用例が提案されている。しかしながら、この方法
で合成された化合物はヘテロ原子に直接結合した水素原
子を有するため大気中の水分を吸着しやすく、電子写真
感光体等の有機電子デバイスとして用いる際に、湿度等
の影響を受けやすく、環境安全性にかけるという欠点が
ある。
法 特開平３−１９１３５８号公報にはウレタン結合を用い
て電荷輸送部位を有するシラン化合物の電子写真感光体
への応用例が提案されている。しかしながら、この方法
で合成された化合物はヘテロ原子に直接結合した水素原
子を有するため大気中の水分を吸着しやすく、電子写真
感光体等の有機電子デバイスとして用いる際に、湿度等
の影響を受けやすく、環境安全性にかけるという欠点が
ある。
【００１９】本発明者らは、これらの方法に対し、本発
明の方法は、反応の選択性が高く副反応もほとんど起こ
らないため、カラムクロマトグラフィーや蒸留等による
精製の必要がなく、水洗いのみで過剰の原料等の不純物
を除くことができ、このため、工業化する際にも有利で
あることを見い出し、本発明を完成するに至った。
明の方法は、反応の選択性が高く副反応もほとんど起こ
らないため、カラムクロマトグラフィーや蒸留等による
精製の必要がなく、水洗いのみで過剰の原料等の不純物
を除くことができ、このため、工業化する際にも有利で
あることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【００２０】即ち、本発明は、下記一般式（Ａ）で表さ
れる化合物と、下記一般式（Ｂ）で表される化合物とを
酸性触媒を用いて反応させることにより一般式（Ｉ）で
表されるシラン化合物を合成することを特徴とする。
れる化合物と、下記一般式（Ｂ）で表される化合物とを
酸性触媒を用いて反応させることにより一般式（Ｉ）で
表されるシラン化合物を合成することを特徴とする。
【００２１】
【化５】
【００２２】式中、Ａｒ6 〜Ａｒ9 はそれぞれ独立に置
換又は未置換のアリール基を示し、Ａｒ10は置換若しく
は未置換のアリール基又はアリーレン基を示し、且つＡ
ｒ6〜Ａｒ10のうち１〜４個は、−ＣＨＯ又は−Ｙ−Ｎ
Ｈ2 で置換され、ｋは０又は１を示し、Ｙは２価の基を
示す。
換又は未置換のアリール基を示し、Ａｒ10は置換若しく
は未置換のアリール基又はアリーレン基を示し、且つＡ
ｒ6〜Ａｒ10のうち１〜４個は、−ＣＨＯ又は−Ｙ−Ｎ
Ｈ2 で置換され、ｋは０又は１を示し、Ｙは２価の基を
示す。
【００２３】
【化６】
【００２４】式中、Ｒ1 は水素、アルキル基、置換又は
未置換のアリール基を示し、Ｒ2 は水素、アルキル基、
トリアルキルシリル基を示し、ａは１〜３の整数を示
し、Ｙは２価の基を示し、Ｔは一般式（Ａ）で表される
化合物が−ＣＨＯを有している場合には−Ｙ−ＮＨ2 を
示し且つ一般式（Ａ）で表される化合物が−Ｙ−ＮＨ2
を有している場合には−ＣＨＯを示し、Ｙは２価の基を
示す。
未置換のアリール基を示し、Ｒ2 は水素、アルキル基、
トリアルキルシリル基を示し、ａは１〜３の整数を示
し、Ｙは２価の基を示し、Ｔは一般式（Ａ）で表される
化合物が−ＣＨＯを有している場合には−Ｙ−ＮＨ2 を
示し且つ一般式（Ａ）で表される化合物が−Ｙ−ＮＨ2
を有している場合には−ＣＨＯを示し、Ｙは２価の基を
示す。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
【００２６】本発明のシラン化合物は前記一般式（Ｉ）
で表される。式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 はそれぞれ独立に置
換又は未置換のアリール基を示し、具体的には、以下の
ものが挙げられる。
で表される。式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 はそれぞれ独立に置
換又は未置換のアリール基を示し、具体的には、以下の
ものが挙げられる。
【００２７】
【化７】
【００２８】また、一般式（Ｉ）中、ｋは０又は１を示
し、Ａｒ5 は置換若しくは未置換のアリール基又はアリ
ーレン基を示し、具体的には、以下のものが挙げられ
る。
し、Ａｒ5 は置換若しくは未置換のアリール基又はアリ
ーレン基を示し、具体的には、以下のものが挙げられ
る。
【００２９】
【化８】
【００３０】ここで、Ｘは−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−ＳｉＲ1
3-a （ＯＲ2 ）a を示す。Ｙは２価の基を示し、具体的
には、以下のものが挙げられる。
3-a （ＯＲ2 ）a を示す。Ｙは２価の基を示し、具体的
には、以下のものが挙げられる。
【００３１】
【化９】
【００３２】この中では、特に以下のものが好ましい。
【００３３】
【化１０】
【００３４】上記のＡｒ1 〜Ａｒ5 のうち１〜４個は、
−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−ＳｉＲ1 3-a （ＯＲ2 ）a で示される
置換基を有していることが必要である。また、Ａｒは以
下の基から選択される。
−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−ＳｉＲ1 3-a （ＯＲ2 ）a で示される
置換基を有していることが必要である。また、Ａｒは以
下の基から選択される。
【００３５】
【化１１】
【００３６】さらに、Ｚ’は以下のものから選択され
る。
る。
【００３７】
【化１２】
【００３８】また、Ｚは以下のものから選択される。
【００３９】
【化１３】
【００４０】さらに、Ｗは以下の基から選択される。
【００４１】
【化１４】
【００４２】また、Ｒ4 は水素、炭素数１〜４のアルキ
ル基、炭素数１〜４のアルキル基若しくは炭素数１〜４
のアルコキシ基で置換された置換又は未置換のフェニル
基、炭素数７〜１０のアラルキル基から選択される。さ
らに、Ｒ5 は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数
１〜４のアルコキシ基、ハロゲン原子から選択される。
Ｒ1 は水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜
４のアルキル基若しくは炭素数１〜４のアルコキシ基で
置換された置換又は未置換のアリール基を示し、Ｒ2 は
水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアル
キル基で置換されたトリアルキルシリル基を示す。ま
た、Ｒ6 は水素、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる。ｍ、及びｓはそれぞれ０又は１を示し、ｔ及びａ
はそれぞれ１〜３の整数を示し、ｙ及びｚはそれぞれ１
〜５の整数を示す。また、ｘは１〜１５の整数を示し、
ｘ’及びｘ”はそれぞれ２〜１５の整数を示す。さら
に、ｔ’は１又は２の整数を示し、ｓ’は０〜３の整数
を示し、ｑ及びｒはそれぞれ１〜１０の整数を示す。
ル基、炭素数１〜４のアルキル基若しくは炭素数１〜４
のアルコキシ基で置換された置換又は未置換のフェニル
基、炭素数７〜１０のアラルキル基から選択される。さ
らに、Ｒ5 は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数
１〜４のアルコキシ基、ハロゲン原子から選択される。
Ｒ1 は水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜
４のアルキル基若しくは炭素数１〜４のアルコキシ基で
置換された置換又は未置換のアリール基を示し、Ｒ2 は
水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアル
キル基で置換されたトリアルキルシリル基を示す。ま
た、Ｒ6 は水素、炭素数１〜４のアルキル基から選択さ
れる。ｍ、及びｓはそれぞれ０又は１を示し、ｔ及びａ
はそれぞれ１〜３の整数を示し、ｙ及びｚはそれぞれ１
〜５の整数を示す。また、ｘは１〜１５の整数を示し、
ｘ’及びｘ”はそれぞれ２〜１５の整数を示す。さら
に、ｔ’は１又は２の整数を示し、ｓ’は０〜３の整数
を示し、ｑ及びｒはそれぞれ１〜１０の整数を示す。
【００４３】また、Ａｒ1 〜Ａｒ5 のうち少なくとも１
つは２つ以上の共役した芳香族を有するものが光酸化に
対して安定であり好ましい。
つは２つ以上の共役した芳香族を有するものが光酸化に
対して安定であり好ましい。
【００４４】なお、Ａｒ5 は以下のものがより好まし
い。
い。
【００４５】
【化１５】
【００４６】一般式（Ｉ）のシラン化合物の具体例を表
１〜６に示す。
１〜６に示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】
【００５１】
【表５】
【００５２】
【表６】
【００５３】一般式（Ｉ）のシラン化合物は、前記一般
式（Ａ）で表される化合物と、前記一般式（Ｂ）で表さ
れる化合物とを、酸性触媒を用いて反応させることによ
り、合成することができる。
式（Ａ）で表される化合物と、前記一般式（Ｂ）で表さ
れる化合物とを、酸性触媒を用いて反応させることによ
り、合成することができる。
【００５４】一般式（Ａ）、（Ｂ）中、一般式（Ｉ）の
置換基、数値と同じ置換基、数値については、同一の符
号を付して説明を省略する。
置換基、数値と同じ置換基、数値については、同一の符
号を付して説明を省略する。
【００５５】一般式（Ａ）中、Ａｒ6 〜Ａｒ9 はそれぞ
れ独立に置換又は未置換のアリール基を示し、具体的に
は、以下のものが挙げられる。
れ独立に置換又は未置換のアリール基を示し、具体的に
は、以下のものが挙げられる。
【００５６】
【化１６】
【００５７】また、一般式（Ａ）中、Ａｒ10は置換若し
くは未置換のアリール基又はアリーレン基を示し、具体
的には、以下のものが挙げられる。
くは未置換のアリール基又はアリーレン基を示し、具体
的には、以下のものが挙げられる。
【００５８】
【化１７】
【００５９】ここで、Ｄは−ＣＨＯ又は−Ｙ−ＮＨ2 を
示す。上記のＡｒ6 〜Ａｒ10のうち１〜４個は、−ＣＨ
Ｏ又は−Ｙ−ＮＨ2 で示される置換基を有していること
が必要である。
示す。上記のＡｒ6 〜Ａｒ10のうち１〜４個は、−ＣＨ
Ｏ又は−Ｙ−ＮＨ2 で示される置換基を有していること
が必要である。
【００６０】また、一般式（Ｂ）中、Ｔは一般式（Ａ）
で表される化合物が−ＣＨＯを有している場合には−Ｙ
−ＮＨ2 を示し、一般式（Ａ）で表される化合物が−Ｙ
−ＮＨ2 を有している場合には−ＣＨＯを示す。
で表される化合物が−ＣＨＯを有している場合には−Ｙ
−ＮＨ2 を示し、一般式（Ａ）で表される化合物が−Ｙ
−ＮＨ2 を有している場合には−ＣＨＯを示す。
【００６１】合成の容易さを考慮すると、一般式（Ａ）
で表される化合物が−ＣＨＯ基（ホルミル基）を有し
｛一般式（Ａ1 ）｝、一般式（Ｂ）で表される化合物が
−Ｙ−ＮＨ2 基（アミノ基）を有する｛一般式（Ｂ
1 ）｝ことが好ましい。
で表される化合物が−ＣＨＯ基（ホルミル基）を有し
｛一般式（Ａ1 ）｝、一般式（Ｂ）で表される化合物が
−Ｙ−ＮＨ2 基（アミノ基）を有する｛一般式（Ｂ
1 ）｝ことが好ましい。
【００６２】
【化１８】
【００６３】
【化１９】
【００６４】一般式（Ａ1 ）中、ｅは１〜４の整数を示
す。合成に用いられる酸性触媒は、塩酸、硫酸、酢酸、
蟻酸、トリフルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸等か
ら任意に選択することができる。このうち、本発明のシ
ラン化合物の酸に対する安定性から、パラトルエンスル
ホン酸が特に好ましい。また、酸性触媒の使用量は反応
速度等に応じて任意に設定できるが、使用量が多くなる
と処理、分離等が困難になったり、反応の選択性が低下
したりするため、ホルミル基を持った化合物又はアミノ
基を持った化合物１モルに対して、０．０１から１０モ
ル、好ましくは０．０１から０．１モルで用いられる。
す。合成に用いられる酸性触媒は、塩酸、硫酸、酢酸、
蟻酸、トリフルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸等か
ら任意に選択することができる。このうち、本発明のシ
ラン化合物の酸に対する安定性から、パラトルエンスル
ホン酸が特に好ましい。また、酸性触媒の使用量は反応
速度等に応じて任意に設定できるが、使用量が多くなる
と処理、分離等が困難になったり、反応の選択性が低下
したりするため、ホルミル基を持った化合物又はアミノ
基を持った化合物１モルに対して、０．０１から１０モ
ル、好ましくは０．０１から０．１モルで用いられる。
【００６５】また、合成においては反応溶媒を用いるこ
とができ、このような反応溶媒は、エタノール、クロロ
ホルム、ジクロロメタン、ニトロメタン、ジメチルスル
ホキシド、ジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、テトラヒドロフラン、ペンタン、ヘキサン、ベ
ンゼン、キシレン、トルエン等の一般の有機溶媒から任
意に選択することができ、さらに、それらの混合溶媒を
用いることもできる。これらの中では、トルエンが特に
好ましい。
とができ、このような反応溶媒は、エタノール、クロロ
ホルム、ジクロロメタン、ニトロメタン、ジメチルスル
ホキシド、ジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、テトラヒドロフラン、ペンタン、ヘキサン、ベ
ンゼン、キシレン、トルエン等の一般の有機溶媒から任
意に選択することができ、さらに、それらの混合溶媒を
用いることもできる。これらの中では、トルエンが特に
好ましい。
【００６６】また、反応温度は０〜１００℃であること
が好ましい。本発明の上記一般式（Ｉ）で表される化合
物は、電子写真感光体、有機ＥＬ素子、有機導電体、電
子写真用キャリアのコート材、電荷発生材料の表面処
理、アルミニウムやニッケルやネサガラス等と有機感光
層との中間層等へ応用することができる。例えば、アル
ミニウム等の導電性基板上に電荷発生層及び電荷輸送層
が形成された電子写真感光体において、本発明の化合物
を電荷輸送層に用いることができる。また、アルミニウ
ム等の導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層及び表面
保護層が形成された電子写真感光体の表面保護層に用い
ることができる。より具体的には、本発明の化合物を含
む塗布液を塗布することによって電荷輸送層や表面保護
層を形成すればよい。また、塗布した後に加熱又は酢
酸、塩酸、チタネート系触媒、アルミニウム系触媒等の
触媒を用いることにより硬化膜を形成させてもよい。
が好ましい。本発明の上記一般式（Ｉ）で表される化合
物は、電子写真感光体、有機ＥＬ素子、有機導電体、電
子写真用キャリアのコート材、電荷発生材料の表面処
理、アルミニウムやニッケルやネサガラス等と有機感光
層との中間層等へ応用することができる。例えば、アル
ミニウム等の導電性基板上に電荷発生層及び電荷輸送層
が形成された電子写真感光体において、本発明の化合物
を電荷輸送層に用いることができる。また、アルミニウ
ム等の導電性基板上に電荷発生層、電荷輸送層及び表面
保護層が形成された電子写真感光体の表面保護層に用い
ることができる。より具体的には、本発明の化合物を含
む塗布液を塗布することによって電荷輸送層や表面保護
層を形成すればよい。また、塗布した後に加熱又は酢
酸、塩酸、チタネート系触媒、アルミニウム系触媒等の
触媒を用いることにより硬化膜を形成させてもよい。
【００６７】本発明のシラン化合物を含む電荷輸送層用
塗布液には、バインダーポリマー中に本発明のシラン化
合物を相溶させたものを用いることができ、このような
バインダーポリマーとしては、ポリカーボネート樹脂、
ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタ
ジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共
重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹
脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムア
ルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の公知の樹脂を用い
ることができるが、これらに限定されるものではない。
これらのバインダーポリマーのうち、相溶性、成膜性等
の点から、下記構造式（ＩＩ）〜（ＶＩ）で示されるポ
リカーボネート樹脂、又はそれらを共重合させたポリカ
ーボネート樹脂がより好ましい。
塗布液には、バインダーポリマー中に本発明のシラン化
合物を相溶させたものを用いることができ、このような
バインダーポリマーとしては、ポリカーボネート樹脂、
ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタ
ジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共
重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹
脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムア
ルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の公知の樹脂を用い
ることができるが、これらに限定されるものではない。
これらのバインダーポリマーのうち、相溶性、成膜性等
の点から、下記構造式（ＩＩ）〜（ＶＩ）で示されるポ
リカーボネート樹脂、又はそれらを共重合させたポリカ
ーボネート樹脂がより好ましい。
【００６８】
【化２０】
【００６９】上記構造式中、ｎは重合度を表し、５０〜
３０００の整数を示す。これらのバインダーポリマーは
単独で用いたり、２種以上混合して用いることができ
る。電荷輸送材料としての上記シラン化合物とバインダ
ーポリマーとの配合比（重量比）は１０：１〜１：５が
好ましい。
３０００の整数を示す。これらのバインダーポリマーは
単独で用いたり、２種以上混合して用いることができ
る。電荷輸送材料としての上記シラン化合物とバインダ
ーポリマーとの配合比（重量比）は１０：１〜１：５が
好ましい。
【００７０】また、本発明のシラン化合物を含む塗布液
には、アルミニウム系カップリング剤、チタネート系カ
ップリング剤、シラン系カップリング剤等の各種のカッ
プリング剤や市販のハードコート剤を添加してもよい。
には、アルミニウム系カップリング剤、チタネート系カ
ップリング剤、シラン系カップリング剤等の各種のカッ
プリング剤や市販のハードコート剤を添加してもよい。
【実施例】以下、実施例によって本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００７１】（実施例１） −シラン化合物（１）［表１］の合成− 窒素置換した二口フラスコにＮ−（４−ホルミルフェニ
ル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−
４−アミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍｌに溶解さ
せた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇとパラトル
エンスルホン酸０．５ｇを加えた。その後撹拌しなが
ら、３−アミノプロピルトリメトキシシラン１３ｇを１
０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２００ｍ
ｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の油状
のシラン化合物（１）１３．２ｇを得た。得られたシラ
ン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図１に示す。
ル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−
４−アミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍｌに溶解さ
せた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇとパラトル
エンスルホン酸０．５ｇを加えた。その後撹拌しなが
ら、３−アミノプロピルトリメトキシシラン１３ｇを１
０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２００ｍ
ｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の油状
のシラン化合物（１）１３．２ｇを得た。得られたシラ
ン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図１に示す。
【００７２】（実施例２） −シラン化合物（３）［表１］の合成− 窒素置換した二口フラスコにＮ−（４−ホルミルフェニ
ル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−
４−アミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍｌに溶解さ
せた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇとパラトル
エンスルホン酸０．５ｇを加えた。その後撹拌しなが
ら、３−アミノプロピルトリエトキシシラン１３ｇを１
０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２００ｍ
ｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の油状
のシラン化合物（３）１３ｇを得た。得られたシラン化
合物のＩＲ吸収スペクトルを図２に示す。
ル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−
４−アミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍｌに溶解さ
せた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇとパラトル
エンスルホン酸０．５ｇを加えた。その後撹拌しなが
ら、３−アミノプロピルトリエトキシシラン１３ｇを１
０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２００ｍ
ｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の油状
のシラン化合物（３）１３ｇを得た。得られたシラン化
合物のＩＲ吸収スペクトルを図２に示す。
【００７３】（実施例３） −シラン化合物（１６）［表４］の合成− 窒素置換した二口フラスコに３，３’−ジメチル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍ
ｌに溶解させた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇ
とパラトルエンスルホン酸１ｇを加えた。その後撹拌し
ながら、３−アミノプロピルトリメトキシシラン１２ｇ
を１０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２０
０ｍｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の
油状のシラン化合物（１６）１１ｇを得た。得られたシ
ラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図３に示す。
Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍ
ｌに溶解させた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇ
とパラトルエンスルホン酸１ｇを加えた。その後撹拌し
ながら、３−アミノプロピルトリメトキシシラン１２ｇ
を１０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２０
０ｍｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の
油状のシラン化合物（１６）１１ｇを得た。得られたシ
ラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図３に示す。
【００７４】（実施例４） −シラン化合物（１８）［表４］の合成− 窒素置換した二口フラスコに３，３’−ジメチル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍ
ｌに溶解させた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇ
とパラトルエンスルホン酸１ｇを加えた。その後撹拌し
ながら、３−アミノプロピルトリエトキシシラン１５ｇ
を１０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２０
０ｍｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の
油状のシラン化合物（１８）１２ｇを得た。得られたシ
ラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図４に示す。
Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍ
ｌに溶解させた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇ
とパラトルエンスルホン酸１ｇを加えた。その後撹拌し
ながら、３−アミノプロピルトリエトキシシラン１５ｇ
を１０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２０
０ｍｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の
油状のシラン化合物（１８）１２ｇを得た。得られたシ
ラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図４に示す。
【００７５】実施例１〜４で合成したシラン化合物を用
いて以下のように電子写真用感光体を製造した。
いて以下のように電子写真用感光体を製造した。
【００７６】（下引層の形成）ホーニング処理した３０
ｍｍφのアルミニウム円筒基板上にジルコニウム化合物
（商品名：オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社
製）１０重量部、シラン化合物（商品名：Ａ１１１０、
日本ユンカー社製）１重量部、イソプロパノール４０重
量部及びブタノール２０重量部からなる溶液を浸漬コー
ティング法で塗布し、１５０°Ｃにおいて１０分間加熱
乾燥し膜厚０．５μｍの下引層を形成した。
ｍｍφのアルミニウム円筒基板上にジルコニウム化合物
（商品名：オルガチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社
製）１０重量部、シラン化合物（商品名：Ａ１１１０、
日本ユンカー社製）１重量部、イソプロパノール４０重
量部及びブタノール２０重量部からなる溶液を浸漬コー
ティング法で塗布し、１５０°Ｃにおいて１０分間加熱
乾燥し膜厚０．５μｍの下引層を形成した。
【００７７】（電荷発生層の形成）ｘ−型メタルフリー
フタロシアニン１重量部を、ポリビニルブチラール樹脂
（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１重量
部及び酢酸ｎ−ブチル１００重量部と混合し、ガラスビ
ーズと共にペイントシェーカーで１時間処理して分散し
た後、得られた塗布液を上記下引層上に浸漬コーティン
グ法で塗布し、１００°Ｃにおいて１０分間加熱乾燥し
た。
フタロシアニン１重量部を、ポリビニルブチラール樹脂
（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１重量
部及び酢酸ｎ−ブチル１００重量部と混合し、ガラスビ
ーズと共にペイントシェーカーで１時間処理して分散し
た後、得られた塗布液を上記下引層上に浸漬コーティン
グ法で塗布し、１００°Ｃにおいて１０分間加熱乾燥し
た。
【００７８】（電荷輸送層の形成）次にＮ−（４−メチ
ルフェニル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフ
ェニル−４−アミン３２重量部と一般式（ＩＶ）で示さ
れるポリカーボネート樹脂３重量部を、モノクロロベン
ゼン２０重量部に溶解し、得られた塗布液を、電荷発生
層が形成されたアルミニウム基板上に浸漬コーティング
法で塗布し、１２０°Ｃにおいて１時間加熱乾燥、膜厚
２０μｍの電荷輸送層を形成した。
ルフェニル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフ
ェニル−４−アミン３２重量部と一般式（ＩＶ）で示さ
れるポリカーボネート樹脂３重量部を、モノクロロベン
ゼン２０重量部に溶解し、得られた塗布液を、電荷発生
層が形成されたアルミニウム基板上に浸漬コーティング
法で塗布し、１２０°Ｃにおいて１時間加熱乾燥、膜厚
２０μｍの電荷輸送層を形成した。
【００７９】（表面保護層の形成）さらに、実施例１の
シラン化合物３重量部とフェニルトリエトキシシラン１
重量部をシリコンハードコート剤（商品名：Ｘ−４０−
２２３９、信越シリコン社製）６重量部と酢酸エチル５
重量部に溶解し、得られた塗布液を、電荷輸送層上に浸
漬コーティング法で塗布し、室温で乾燥させて、膜厚３
μｍの表面保護層を形成した。
シラン化合物３重量部とフェニルトリエトキシシラン１
重量部をシリコンハードコート剤（商品名：Ｘ−４０−
２２３９、信越シリコン社製）６重量部と酢酸エチル５
重量部に溶解し、得られた塗布液を、電荷輸送層上に浸
漬コーティング法で塗布し、室温で乾燥させて、膜厚３
μｍの表面保護層を形成した。
【００８０】また、実施例１で合成されたシラン化合物
の代わりに実施例２で合成されたシラン化合物を使用し
た他は上記と同様に電子写真用感光体を製造した。
の代わりに実施例２で合成されたシラン化合物を使用し
た他は上記と同様に電子写真用感光体を製造した。
【００８１】同様に、実施例１で合成されたシラン化合
物の代わりに実施例３で合成されたシラン化合物を使用
した他は上記と同様に電子写真用感光体を製造した。
物の代わりに実施例３で合成されたシラン化合物を使用
した他は上記と同様に電子写真用感光体を製造した。
【００８２】さらに、実施例１で合成されたシラン化合
物の代わりに実施例４で合成されたシラン化合物を使用
した他は上記と同様に電子写真用感光体を製造した。
物の代わりに実施例４で合成されたシラン化合物を使用
した他は上記と同様に電子写真用感光体を製造した。
【００８３】このようにして得られた電子写真用感光体
を実機（商品名：ＸＰ−１１、富士ゼロックス社製）に
登載し１万枚の耐久試験を行った後も、感光体表面には
磨耗、傷、剥離、クラック等は見られず、鮮明な画像が
得られた。
を実機（商品名：ＸＰ−１１、富士ゼロックス社製）に
登載し１万枚の耐久試験を行った後も、感光体表面には
磨耗、傷、剥離、クラック等は見られず、鮮明な画像が
得られた。
【００８４】以上から、本実施例のシラン化合物が溶解
性、成膜性に優れ、且つその膜は強固なものであり、優
れた繰り返し安定性および環境安定性を示すことがわか
った。
性、成膜性に優れ、且つその膜は強固なものであり、優
れた繰り返し安定性および環境安定性を示すことがわか
った。
【００８５】
【発明の効果】本発明のシラン化合物は新規な化合物で
あり、溶解性、成膜性に優れ、強固な膜を形成し、有機
ＥＬ素子や電子写真感光体等の種々の有機電子デバイス
に応用可能である。
あり、溶解性、成膜性に優れ、強固な膜を形成し、有機
ＥＬ素子や電子写真感光体等の種々の有機電子デバイス
に応用可能である。
【図１】実施例１で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。
スペクトルである。
【図２】実施例２で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。
スペクトルである。
【図３】実施例３で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。
スペクトルである。
【図４】実施例４で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。
スペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１５ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１５Ｃ 5/147 ５０２ 5/147 ５０２ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表されるシラン化合
物。 【化１】 ［式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 はそれぞれ独立に置換又は未置
換のアリール基を示し、Ａｒ5 は置換若しくは未置換の
アリール基又はアリーレン基を示し、且つＡｒ1〜Ａｒ5
のうち１〜４個は、−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ−ＳｉＲ
1 3-a （ＯＲ2 ）a で示される置換基を有し、Ｒ1 は水
素、アルキル基、置換又は未置換のアリール基を示し、
Ｒ2 は水素、アルキル基、トリアルキルシリル基を示
し、ａは１〜３の整数を示し、Ｙは２価の基を示し、ｋ
は０又は１を示す］ - 【請求項２】 ｘを１〜１５の整数、ｘ’及びｘ”をそ
れぞれ２から１５の整数としたときに、前記一般式
（Ｉ）中、Ｙが、−（ＣＨ2 ）x −、−（Ｃx'Ｈ
2x'-2 ）−、−（Ｃx"Ｈ2x"-4 ）−、置換又は未置換の
アリーレン基を少なくとも１種以上含有することを特徴
とする請求項１に記載のシラン化合物。 - 【請求項３】 下記一般式（Ａ）で表される化合物と下
記一般式（Ｂ）で表される化合物とを酸性触媒を用いて
反応させることにより請求項１に記載のシラン化合物を
製造するシラン化合物の製造方法。 【化２】 ［式中、Ａｒ6 〜Ａｒ9 はそれぞれ独立に置換又は未置
換のアリール基を示し、Ａｒ10は置換若しくは未置換の
アリール基又はアリーレン基を示し、且つＡｒ6〜Ａｒ
10のうち１〜４個は、−ＣＨＯ又は−Ｙ−ＮＨ2 で置換
され、ｋは０又は１を示し、Ｙは２価の基を示す］ 【化３】 ［式中、Ｒ1 は水素、アルキル基、置換又は未置換のア
リール基を示し、Ｒ2 は水素、アルキル基、トリアルキ
ルシリル基を示し、ａは１〜３の整数を示し、Ｙは２価
の基を示し、Ｔは一般式（Ａ）で表される化合物が−Ｃ
ＨＯを有している場合には−Ｙ−ＮＨ2 を示し且つ一般
式（Ａ）で表される化合物が−Ｙ−ＮＨ2を有している
場合には−ＣＨＯを示し、Ｙは２価の基を示す］
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12125697A JP3596235B2 (ja) | 1996-07-17 | 1997-05-12 | シラン化合物及びその製造方法 |
| US08/892,912 US6046348A (en) | 1996-07-17 | 1997-07-15 | Silane compound, method for making the same, and electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-187933 | 1996-07-17 | ||
| JP18793396 | 1996-07-17 | ||
| JP12125697A JP3596235B2 (ja) | 1996-07-17 | 1997-05-12 | シラン化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1095787A true JPH1095787A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3596235B2 JP3596235B2 (ja) | 2004-12-02 |
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ID=26458675
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|---|---|---|---|
| JP12125697A Expired - Fee Related JP3596235B2 (ja) | 1996-07-17 | 1997-05-12 | シラン化合物及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3596235B2 (ja) |
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- 1997-05-12 JP JP12125697A patent/JP3596235B2/ja not_active Expired - Fee Related
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