JPH1059943A - ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物 - Google Patents
ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物Info
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- JPH1059943A JPH1059943A JP8235787A JP23578796A JPH1059943A JP H1059943 A JPH1059943 A JP H1059943A JP 8235787 A JP8235787 A JP 8235787A JP 23578796 A JP23578796 A JP 23578796A JP H1059943 A JPH1059943 A JP H1059943A
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- C07D223/24—Dibenz [b, f] azepines; Hydrogenated dibenz [b, f] azepines with hydrocarbon radicals, substituted by nitrogen atoms, attached to the ring nitrogen atom
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン
化合物を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ）で表される芳香族三級アミン
化合物。 【化１】 式中、（Ａ）および（Ｂ）は置換もしくは無置換の、ビ
ニレン又はｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 〜Ｒ4 は各
々、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の、アルキル、
アリール、アルコキシ、アリールオキシ、ジアルキルア
ミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ又はジアリー
ルアミノ基を表し、Ｒ5 はハロゲン原子又は置換もしく
は無置換の、アルキル、アルコキシ又はジアルキルアミ
ノ基を表す。ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌは各々、０〜４の整数
を、ｍは１〜６の整数を表す。
化合物を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ）で表される芳香族三級アミン
化合物。 【化１】 式中、（Ａ）および（Ｂ）は置換もしくは無置換の、ビ
ニレン又はｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 〜Ｒ4 は各
々、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の、アルキル、
アリール、アルコキシ、アリールオキシ、ジアルキルア
ミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ又はジアリー
ルアミノ基を表し、Ｒ5 はハロゲン原子又は置換もしく
は無置換の、アルキル、アルコキシ又はジアルキルアミ
ノ基を表す。ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌは各々、０〜４の整数
を、ｍは１〜６の整数を表す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はベンゾアゼピン誘導
体に関する。詳しくは有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）材料又は電子写真用材料等に有用な分子内にベ
ンゾアゼピン骨格を有する芳香族三級アミン化合物に関
する。
体に関する。詳しくは有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）材料又は電子写真用材料等に有用な分子内にベ
ンゾアゼピン骨格を有する芳香族三級アミン化合物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】バンスライクおよびタンらは例えば米国
特許第４，５３９，５０７号、同第４，７２０，４３２
号、特開平５−２３４，６８１号においてフェニル基、
フェニレン基、又はビフェニレン基を含む芳香第三級ア
ミンを内部接合有機ＥＬ装置の正孔注入・輸送帯域に使
用すると光出力の安定性が向上し、それによって動作寿
命が延びることを明らかにした。その後更なる光出力の
安定性を計るためにこの正孔注入輸送帯域に用いる芳香
族三級アミンの改良は多くの研究者により試みられ、多
くの特許出願および学術文献への報告がなされている。
その例をあげればビフェニル系の三級アミンに関して J
apanese Journal of Applied Physics,27,L269(1988)、
特開昭５９−１９４３９３号、Appl.Phys.Lett.66,2679
(1995)、特開平５−２３４６８１号、同７−３３１２３
８号、同８−４８６５６号、およびＷＯ９５／０９１４
７号など、スダーバースト系の三級アミンに関して、Ap
pl.Phys.Lett.65,807(1994) 、特公平７−１１０９４０
号などがある。
特許第４，５３９，５０７号、同第４，７２０，４３２
号、特開平５−２３４，６８１号においてフェニル基、
フェニレン基、又はビフェニレン基を含む芳香第三級ア
ミンを内部接合有機ＥＬ装置の正孔注入・輸送帯域に使
用すると光出力の安定性が向上し、それによって動作寿
命が延びることを明らかにした。その後更なる光出力の
安定性を計るためにこの正孔注入輸送帯域に用いる芳香
族三級アミンの改良は多くの研究者により試みられ、多
くの特許出願および学術文献への報告がなされている。
その例をあげればビフェニル系の三級アミンに関して J
apanese Journal of Applied Physics,27,L269(1988)、
特開昭５９−１９４３９３号、Appl.Phys.Lett.66,2679
(1995)、特開平５−２３４６８１号、同７−３３１２３
８号、同８−４８６５６号、およびＷＯ９５／０９１４
７号など、スダーバースト系の三級アミンに関して、Ap
pl.Phys.Lett.65,807(1994) 、特公平７−１１０９４０
号などがある。
【０００３】電子写真用材料としても芳香族三級アミン
は重要であり、正孔輸送材への利用が特許出願されてお
り、例えば特開昭５８−３２３７２号、同６３−２３５
９４６号、特開平１−１４２６５７号があげられる。そ
して、既に小型の普通紙コピー機には芳香族三級アミン
化合物が実用されており、安価なコピー機の普及に貢献
している。
は重要であり、正孔輸送材への利用が特許出願されてお
り、例えば特開昭５８−３２３７２号、同６３−２３５
９４６号、特開平１−１４２６５７号があげられる。そ
して、既に小型の普通紙コピー機には芳香族三級アミン
化合物が実用されており、安価なコピー機の普及に貢献
している。
【０００４】このように芳香族三級アミンは有機ＥＬ材
料や電子写真用材料として有用であるが、無機材料に比
べると未だ熱・光安定性に劣り、その改良は、引き続き
大きな研究課題となっている。この点について有機ＥＬ
材料について詳しく説明すれば、素子に真空蒸着された
これまでの芳香族三級アミンは膜質の安定性が不十分で
あるため、経時により結晶化が起こったり、駆動時の発
熱による素子温度の上昇でそれが促進されて膜質が変化
し、発光効率の低下と、ダークスポットとよばれる非発
光部分の発生・増加および定電流駆時の電圧上昇となり
素子の破壊へと進む。従って安定な膜質を形成する芳香
族三級アミンの開発が望まれている。
料や電子写真用材料として有用であるが、無機材料に比
べると未だ熱・光安定性に劣り、その改良は、引き続き
大きな研究課題となっている。この点について有機ＥＬ
材料について詳しく説明すれば、素子に真空蒸着された
これまでの芳香族三級アミンは膜質の安定性が不十分で
あるため、経時により結晶化が起こったり、駆動時の発
熱による素子温度の上昇でそれが促進されて膜質が変化
し、発光効率の低下と、ダークスポットとよばれる非発
光部分の発生・増加および定電流駆時の電圧上昇となり
素子の破壊へと進む。従って安定な膜質を形成する芳香
族三級アミンの開発が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者は様々
な変化、すなわち物理的変化、光学的変化および電気化
学的変化の少ない芳香族三級アミン系正孔輸送物質の開
発を目的として研究に取り組んだ。
な変化、すなわち物理的変化、光学的変化および電気化
学的変化の少ない芳香族三級アミン系正孔輸送物質の開
発を目的として研究に取り組んだ。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その結果、新規なベンゾ
アゼピン構造を有する芳香族三級アミンがこの目的を達
成することを見い出した。本発明はその知見に基づきな
されたものである。すなわち本発明の目的は新規化合物
である、一般式（Ｉ）で表わされる芳香族三級アミン化
合物によって達成された。
アゼピン構造を有する芳香族三級アミンがこの目的を達
成することを見い出した。本発明はその知見に基づきな
されたものである。すなわち本発明の目的は新規化合物
である、一般式（Ｉ）で表わされる芳香族三級アミン化
合物によって達成された。
【０００７】
【化２】
【０００８】（式中、（Ａ）および（Ｂ）は置換もしく
は無置換のビニレン又はｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はハロゲン原子、置換もしく
は無置換の、アルキル、アリール、アルコキシ、アリー
ルオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリ
ールアミノ又はジアリールアミノ基を表わし、Ｒ5 はハ
ロゲン原子又は置換もしくは無置換の、アルキル、アル
コキシもしくはジアルキルアミノ基を表わす。ｈ、ｉ、
ｊ、ｋおよびｌは０ないし４の整数を表わす。ｍは１な
いし６の整数を表わす。ｍが２以上の場合、各ベンゼン
環上の（Ｒ5)1 は同じでも異なっていてもよい。）
は無置換のビニレン又はｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はハロゲン原子、置換もしく
は無置換の、アルキル、アリール、アルコキシ、アリー
ルオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリ
ールアミノ又はジアリールアミノ基を表わし、Ｒ5 はハ
ロゲン原子又は置換もしくは無置換の、アルキル、アル
コキシもしくはジアルキルアミノ基を表わす。ｈ、ｉ、
ｊ、ｋおよびｌは０ないし４の整数を表わす。ｍは１な
いし６の整数を表わす。ｍが２以上の場合、各ベンゼン
環上の（Ｒ5)1 は同じでも異なっていてもよい。）
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一般式（Ｉ）で表
わされる化合物について詳しく説明する。一般式（Ｉ）
における（Ａ）および（Ｂ）は置換もしくは無置換の、
ビニレン又はｏ−アリーレンであるがこれらの無置換の
基について具体例を示せば例えば下記の基である。
わされる化合物について詳しく説明する。一般式（Ｉ）
における（Ａ）および（Ｂ）は置換もしくは無置換の、
ビニレン又はｏ−アリーレンであるがこれらの無置換の
基について具体例を示せば例えば下記の基である。
【００１０】
【化３】
【００１１】（Ａ）および（Ｂ）について好ましくは置
換もしくは無置換の、ビニレン又はｏ−フェニレン基で
ある。
換もしくは無置換の、ビニレン又はｏ−フェニレン基で
ある。
【００１２】一般式（Ｉ）の好ましい構造を具体的に示
せば下記一般式（II）および(III)で表わされる構造式
である。
せば下記一般式（II）および(III)で表わされる構造式
である。
【００１３】
【化４】
【００１４】（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 、ｈ〜ｌ、およ
びｍは前記と同義の基および数を表わす。Ｒ6 、Ｒ7 、
Ｒ8 およびＲ9 は水素原子、ハロゲン原子、置換もしく
は無置換の、アルキル、アリール、アルコキシもしくは
アルコキシカルボニル基又はシアノ基を表わす。）
びｍは前記と同義の基および数を表わす。Ｒ6 、Ｒ7 、
Ｒ8 およびＲ9 は水素原子、ハロゲン原子、置換もしく
は無置換の、アルキル、アリール、アルコキシもしくは
アルコキシカルボニル基又はシアノ基を表わす。）
【００１５】
【化５】
【００１６】（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 、ｈ〜ｌ、およ
びｍは前記と同義の基および数を表わす。Ｒ10およびＲ
11はＲ1 〜Ｒ4 と同義の基であり、ｎおよびｏはｈ〜ｌ
と同義の数を表わす。）
びｍは前記と同義の基および数を表わす。Ｒ10およびＲ
11はＲ1 〜Ｒ4 と同義の基であり、ｎおよびｏはｈ〜ｌ
と同義の数を表わす。）
【００１７】次に一般式（Ｉ）〜(III) における置換基
Ｒ1 〜Ｒ11およびｈ〜ｏの数について説明する。Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ10およびＲ11はハロゲン原子、置
換もしくは無置換のアルキル、アリール、アルコキシ、
アリールオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ
−アリールアミノ、又はジアリールアミノ基を表わす
が、詳しくは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素のハ
ロゲン原子、無置換の基について言えば炭素数１〜２０
のアルキル基、炭素数６〜３６のアリール基、炭素数１
〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜３６のアリールオキ
シ基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数７
〜４２のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基又は炭素
数１２〜４８のジアリールアミノ基である。
Ｒ1 〜Ｒ11およびｈ〜ｏの数について説明する。Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ10およびＲ11はハロゲン原子、置
換もしくは無置換のアルキル、アリール、アルコキシ、
アリールオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ
−アリールアミノ、又はジアリールアミノ基を表わす
が、詳しくは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素のハ
ロゲン原子、無置換の基について言えば炭素数１〜２０
のアルキル基、炭素数６〜３６のアリール基、炭素数１
〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜３６のアリールオキ
シ基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数７
〜４２のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基又は炭素
数１２〜４８のジアリールアミノ基である。
【００１８】ハロゲン原子以外をより具体的に示せば、
メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、ｎ−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、などのア
ルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フェ
ナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセニル
もしくはペンタフェニルなどのアリール基、メトキシ、
エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、シク
ロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくはドデシル
オキシなどのアルコキシル基、フェノキシ、ナフトキ
シ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシなどの
アリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジブチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはＮ−エチル
−Ｎ−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニル
アミノ、Ｎ−イソプロピル−Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）アミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）アミ
ノ、もしくはＮ−ブチル−Ｎ−（１−ナフタセニル）ア
ミノなどのＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−アントラセニ
ル）アミノ、もしくはＮ−（１−アントラセニル）−Ｎ
−（１−フェナントレニル）アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、ｎ−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、などのア
ルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フェ
ナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセニル
もしくはペンタフェニルなどのアリール基、メトキシ、
エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、シク
ロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくはドデシル
オキシなどのアルコキシル基、フェノキシ、ナフトキ
シ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシなどの
アリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジブチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはＮ−エチル
−Ｎ−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニル
アミノ、Ｎ−イソプロピル−Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）アミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）アミ
ノ、もしくはＮ−ブチル−Ｎ−（１−ナフタセニル）ア
ミノなどのＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−アントラセニ
ル）アミノ、もしくはＮ−（１−アントラセニル）−Ｎ
−（１−フェナントレニル）アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
【００１９】これらの基が置換基を有する場合、その置
換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カル
ボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、アニ
リノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミ
ノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモ
イル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテ
ロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイル
オキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル
アミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル
基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、アシ
ル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カル
ボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、アニ
リノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミ
ノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモ
イル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテ
ロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイル
オキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル
アミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル
基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、アシ
ル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
【００２０】Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ10およびＲ11について好ま
しくはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジア
ルキルアミノ基又はジアリールアミノ基であり、特に好
ましくは、アルキル基又はジアルキルアミノ基である。
しくはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジア
ルキルアミノ基又はジアリールアミノ基であり、特に好
ましくは、アルキル基又はジアルキルアミノ基である。
【００２１】Ｒ5 はハロゲン原子、又は置換もしくは無
置換の、アルキル、アルコキシもしくはジアルキルアミ
ノ基を表わすが、詳わしくは前記Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ10およ
びＲ11におけるそれらについて説明した基である。好ま
しくはハロゲン原子、または無置換の、アルキルもしく
はアルコキシ基である。特に好ましくはフッ素原子、塩
素原子、メチル基又はメトキシ基である。
置換の、アルキル、アルコキシもしくはジアルキルアミ
ノ基を表わすが、詳わしくは前記Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ10およ
びＲ11におけるそれらについて説明した基である。好ま
しくはハロゲン原子、または無置換の、アルキルもしく
はアルコキシ基である。特に好ましくはフッ素原子、塩
素原子、メチル基又はメトキシ基である。
【００２２】Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 およびＲ9 は水素原子、
ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル、アリー
ル、アルコキシもしくはアルコキシカルボニル基又はシ
アノ基を表わすが水素原子およびシアノ基以外を詳しく
説明すると、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素などの
ハロゲン原子、無置換の基としてメチル、エチル、ブチ
ル、ｔ−ブチルもしくはｎ−オクチルなどのアルキル
基、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、もしくは
２−アントラセニルなどのアリール基、メトキシ、エト
キシもしくはｎ−ブチルオキシなどのアルコキシ基、又
はメトキシカルボニル、エトキシカルボニルもしくはオ
クチルオキシカルボニルなどのアルコキシカルボニル基
である。これらが置換基を有する場合、その置換基とし
ては前記Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ10およびＲ11の説明で述べた置
換基があげられる。
ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル、アリー
ル、アルコキシもしくはアルコキシカルボニル基又はシ
アノ基を表わすが水素原子およびシアノ基以外を詳しく
説明すると、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素などの
ハロゲン原子、無置換の基としてメチル、エチル、ブチ
ル、ｔ−ブチルもしくはｎ−オクチルなどのアルキル
基、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、もしくは
２−アントラセニルなどのアリール基、メトキシ、エト
キシもしくはｎ−ブチルオキシなどのアルコキシ基、又
はメトキシカルボニル、エトキシカルボニルもしくはオ
クチルオキシカルボニルなどのアルコキシカルボニル基
である。これらが置換基を有する場合、その置換基とし
ては前記Ｒ1 〜Ｒ4 、Ｒ10およびＲ11の説明で述べた置
換基があげられる。
【００２３】Ｒ6 〜Ｒ9 の好ましい基は水素原子、アル
キル基又はアリール基であり、特に好ましくは水素原子
又はアルキル基である。
キル基又はアリール基であり、特に好ましくは水素原子
又はアルキル基である。
【００２４】次にｈ〜ｏで表わされる数について説明す
る。ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｎおよびｏは０ないし４の整
数を表わすが好ましくは０〜２の整数であり、より好ま
しくは０又は１である。ｍは１ないし６の整数を表わす
が好ましくは２ないし４の整数であり、特に好ましくは
２である。
る。ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｎおよびｏは０ないし４の整
数を表わすが好ましくは０〜２の整数であり、より好ま
しくは０又は１である。ｍは１ないし６の整数を表わす
が好ましくは２ないし４の整数であり、特に好ましくは
２である。
【００２５】次に本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化
合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
【００２６】
【化６】
【００２７】
【化７】
【００２８】
【化８】
【００２９】
【化９】
【００３０】
【化１０】
【００３１】
【化１１】
【００３２】
【化１２】
【００３３】次に本発明の化合物の合成法について以下
説明する。代表的合成法を（スキーム１）、（スキーム
２）および（スキーム３）に示した。（スキーム１）の
方法は、金属銅触媒と塩基を用いるウルマン型反応を基
本とした合成法であり（米国特許第４，７６４，６２５
号参照、（スキーム２）および（スキーム３）の方法は
ニッケル又はパラジウム金属触媒を用いたクロスカップ
リング反応に基づく合成法である（日本化学会編「第４
版 実験化学講座 第２５巻、３８９頁、１９９１年、
丸善）。
説明する。代表的合成法を（スキーム１）、（スキーム
２）および（スキーム３）に示した。（スキーム１）の
方法は、金属銅触媒と塩基を用いるウルマン型反応を基
本とした合成法であり（米国特許第４，７６４，６２５
号参照、（スキーム２）および（スキーム３）の方法は
ニッケル又はパラジウム金属触媒を用いたクロスカップ
リング反応に基づく合成法である（日本化学会編「第４
版 実験化学講座 第２５巻、３８９頁、１９９１年、
丸善）。
【００３４】
【化１３】
【００３５】
【化１４】
【００３６】
【化１５】
【００３７】上記合成法に用いるベンゾアゼピン、１お
よび２の合成は、B.Renfroe, C.Harrington, G.R.Proct
or "The Chemistry of Heterocyclic Compounds" Vol.
４３、Part１、１９８４、John Wiley & Sons Inc.およ
び H.C.Axtell et al., J.Org.Chem.,５６、３９０６
（１９９１）に記載の方法に基づき行なうことができ
る。
よび２の合成は、B.Renfroe, C.Harrington, G.R.Proct
or "The Chemistry of Heterocyclic Compounds" Vol.
４３、Part１、１９８４、John Wiley & Sons Inc.およ
び H.C.Axtell et al., J.Org.Chem.,５６、３９０６
（１９９１）に記載の方法に基づき行なうことができ
る。
【００３８】一般式（Ｉ）で表わされる化合物の精製は
シリカゲルカラムクロマトグラフィと再結晶法、更に必
要なら昇華法により行なわれる。
シリカゲルカラムクロマトグラフィと再結晶法、更に必
要なら昇華法により行なわれる。
【００３９】
【実施例】以下に実施例に基づき本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
【００４０】＜実施例１＞（例示化合物（１）の合成） ５Ｈ−ジベンズ〔ｂ、ｆ〕アゼピン、１７．４ｇ（９０
mmol）、４，４′−ジヨードビフェニル、１２．２ｇ
（３０mmol）、水酸化カリウム、１３．５ｇ（２４０mm
ol）、および銅粉９．５ｇ（１５０mmol）をデカリン１
８mlと混合し、窒素気流下、外温２００℃で２８時間加
熱攪拌した。反応液を室温近くに戻した後、クロロホル
ムを加え不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮
した。デカリンを除くため残渣にｎ−ヘキサンを加え、
固形物をろ過し、得られた固形物のメタノール晶析によ
り例示化合物（１）を含む結晶を８ｇ得た。この結晶を
シリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホ
ルム＋ｎ−hexane）で精製し、更にメタノール再結晶す
ることにより、純粋な例示化合物（１）を１．２ｇ（収
率９％）得た。融点２８８〜２９０℃。
mmol）、４，４′−ジヨードビフェニル、１２．２ｇ
（３０mmol）、水酸化カリウム、１３．５ｇ（２４０mm
ol）、および銅粉９．５ｇ（１５０mmol）をデカリン１
８mlと混合し、窒素気流下、外温２００℃で２８時間加
熱攪拌した。反応液を室温近くに戻した後、クロロホル
ムを加え不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮
した。デカリンを除くため残渣にｎ−ヘキサンを加え、
固形物をろ過し、得られた固形物のメタノール晶析によ
り例示化合物（１）を含む結晶を８ｇ得た。この結晶を
シリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホ
ルム＋ｎ−hexane）で精製し、更にメタノール再結晶す
ることにより、純粋な例示化合物（１）を１．２ｇ（収
率９％）得た。融点２８８〜２９０℃。
【００４１】＜実施例２＞（例示化合物（２）の合成） ９Ｈ−トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピン（J.Org.Che
m.,５６、３９０６（１９９１）に基づき合成）、１
８．２ｇ（７５mmol）、４，４′−ジヨードビフェニ
ル、１０．２ｇ（２５mmol）、水酸化カリウム１１．２
ｇ（２００mmol）および銅粉３．２ｇ（５０mmol）とデ
カリン１５mlを混合し、窒素気流下外温２００℃で１８
時間加熱攪拌した。室温近くに冷却した後クロロホルム
を加え、不溶物を除くためセライトろ過を行なった。ろ
液を濃縮し、残渣にメタノールを加え加熱し、得られた
結晶性化合物をろ過した。この結晶性化合物（２１ｇ）
を例示化合物（２）を含むが不純物の存在が薄層シリカ
ゲルクロマトグラフィにより確認できた。シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム＋ｎ−ヘ
キサン）で精製し、クロロホルム／ｎ−ヘキサン溶液で
再結晶を行なうことにより２．４ｇの結晶を得たが、純
度が不十分であったため、更にもう１回カラムクロマト
グラフィと再結晶を行なった。この操作により純粋な例
示化合物（２）を１．６ｇ（収率１０％）得ることがで
きた。融点、３２９〜３３１℃。
m.,５６、３９０６（１９９１）に基づき合成）、１
８．２ｇ（７５mmol）、４，４′−ジヨードビフェニ
ル、１０．２ｇ（２５mmol）、水酸化カリウム１１．２
ｇ（２００mmol）および銅粉３．２ｇ（５０mmol）とデ
カリン１５mlを混合し、窒素気流下外温２００℃で１８
時間加熱攪拌した。室温近くに冷却した後クロロホルム
を加え、不溶物を除くためセライトろ過を行なった。ろ
液を濃縮し、残渣にメタノールを加え加熱し、得られた
結晶性化合物をろ過した。この結晶性化合物（２１ｇ）
を例示化合物（２）を含むが不純物の存在が薄層シリカ
ゲルクロマトグラフィにより確認できた。シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホルム＋ｎ−ヘ
キサン）で精製し、クロロホルム／ｎ−ヘキサン溶液で
再結晶を行なうことにより２．４ｇの結晶を得たが、純
度が不十分であったため、更にもう１回カラムクロマト
グラフィと再結晶を行なった。この操作により純粋な例
示化合物（２）を１．６ｇ（収率１０％）得ることがで
きた。融点、３２９〜３３１℃。
【００４２】＜実施例３＞（例示化合物（２６）の合
成） ９Ｈ−トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピンを代りに２−
メチル−９Ｈ−トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピン（J.
Org.Chem.,５６、３９０６（１９９１）に開示の合成法
においてフランの代りに３−メチルフランを用いて合
成）を等モル量用いる以外は＜実施例２＞と同様にして
純粋な例示化合物（２６）を３．０ｇ（収率１８％）得
ることができた。
成） ９Ｈ−トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピンを代りに２−
メチル−９Ｈ−トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピン（J.
Org.Chem.,５６、３９０６（１９９１）に開示の合成法
においてフランの代りに３−メチルフランを用いて合
成）を等モル量用いる以外は＜実施例２＞と同様にして
純粋な例示化合物（２６）を３．０ｇ（収率１８％）得
ることができた。
【００４３】＜実施例４＞（例示化合物（２９）の合
成） ５Ｈ−ジベンズ〔ｂ、ｆ〕アゼピン、２０．０ｇ（０．
１０mol)、４，４′−ジヨードビフェニル、６０．９ｇ
（０．１５mol)、水酸化カリウム６．７ｇ（０．１２mo
l)、銅粉１．３ｇ（０．０２mol)とデカリン２０mlとを
混合し、窒素気流下外温２００℃で３６時間加熱攪拌し
た。反応液を室温近くに戻した後、クロロホルムを加え
不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮した。濃
縮液をシリカゲルクロマトグラフィで精製することによ
り５−（４′−ヨードビフェニル−４−イル）ジベンズ
〔ｂ、ｆ〕アゼピンを２３．６ｇ（収率５０％）得るこ
とができた。
成） ５Ｈ−ジベンズ〔ｂ、ｆ〕アゼピン、２０．０ｇ（０．
１０mol)、４，４′−ジヨードビフェニル、６０．９ｇ
（０．１５mol)、水酸化カリウム６．７ｇ（０．１２mo
l)、銅粉１．３ｇ（０．０２mol)とデカリン２０mlとを
混合し、窒素気流下外温２００℃で３６時間加熱攪拌し
た。反応液を室温近くに戻した後、クロロホルムを加え
不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮した。濃
縮液をシリカゲルクロマトグラフィで精製することによ
り５−（４′−ヨードビフェニル−４−イル）ジベンズ
〔ｂ、ｆ〕アゼピンを２３．６ｇ（収率５０％）得るこ
とができた。
【００４４】５−（４′−ヨードビフェニル−４−イ
ル）ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン１０ｇ（０．０２１mo
l)をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０mlに溶かし−７
８℃に冷却した。その中にｎ−ブチルリチウムの１．６
Ｍヘキサン溶液３３．６ml（０．０２１mol)を滴下し
た。滴下後３０分間攪拌し、その後、ホウ酸トリメメチ
ル２．２ｇ（０．０２１mol)のＴＨＦ溶液を約１時間で
滴下した。１時間攪拌後ゆっくり室温まで温度を上げ、
さらに２時間反応させた。次に希硫酸（硫酸３ml＋水５
０ml）を０℃で加え加水分解した。酢酸エチル抽出し、
減圧濃縮して得られたボロン酸の固体をトルエン再結に
より精製すると４′−（ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン−
５−イル）ビフェニル−４−イルボロン酸を６．９ｇ
（収率８５％）得ることができた。
ル）ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン１０ｇ（０．０２１mo
l)をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０mlに溶かし−７
８℃に冷却した。その中にｎ−ブチルリチウムの１．６
Ｍヘキサン溶液３３．６ml（０．０２１mol)を滴下し
た。滴下後３０分間攪拌し、その後、ホウ酸トリメメチ
ル２．２ｇ（０．０２１mol)のＴＨＦ溶液を約１時間で
滴下した。１時間攪拌後ゆっくり室温まで温度を上げ、
さらに２時間反応させた。次に希硫酸（硫酸３ml＋水５
０ml）を０℃で加え加水分解した。酢酸エチル抽出し、
減圧濃縮して得られたボロン酸の固体をトルエン再結に
より精製すると４′−（ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン−
５−イル）ビフェニル−４−イルボロン酸を６．９ｇ
（収率８５％）得ることができた。
【００４５】５−（４′−ヨードビフェニル−４−イ
ル）ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン５ｇ（０．０１１mol)
と４′−（ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン−５−イル）ビ
フェニル−４−イルボロン酸４．３ｇ（０．０１１mo
l)、酢酸パラジウム２５mg（０．１１mmol) 、トリ−ｏ
−トリルホスフィン８５mg（０．２８mmol）、トリエチ
ルアミン２．２ｇ（０．０２２mol)およびＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド５０mlの混合物を１００℃で約２時間
加熱した。溶媒を減圧留去し、残渣にクロロホルムと１
０％アンモニア水溶液を加えた。その後抽出操作を行な
い、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過・減圧濃縮し
た。得られた残渣をＴＨＦ−メタノール系溶媒で再結晶
することにより例示化合物（２９）を４．９ｇ（収率７
０％）得ることができた。
ル）ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン５ｇ（０．０１１mol)
と４′−（ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピン−５−イル）ビ
フェニル−４−イルボロン酸４．３ｇ（０．０１１mo
l)、酢酸パラジウム２５mg（０．１１mmol) 、トリ−ｏ
−トリルホスフィン８５mg（０．２８mmol）、トリエチ
ルアミン２．２ｇ（０．０２２mol)およびＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド５０mlの混合物を１００℃で約２時間
加熱した。溶媒を減圧留去し、残渣にクロロホルムと１
０％アンモニア水溶液を加えた。その後抽出操作を行な
い、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過・減圧濃縮し
た。得られた残渣をＴＨＦ−メタノール系溶媒で再結晶
することにより例示化合物（２９）を４．９ｇ（収率７
０％）得ることができた。
【００４６】＜実施例５＞（例示化合物（３３）の合
成） 実施例４において５Ｈ−ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピンの
代りに９Ｈ−トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピンに当モ
ル量用いる以外はほとんど同じ方法で９−（４′−ヨー
ドビフェニル−４−イル）トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕ア
ゼピンを２３．５ｇ（収率４５％）得ることができた。
次に、５−（４′−ヨードビフェニル−４−イル）ジベ
ンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピンの代りに９−（４′−ヨードビ
フェニル−４−イル）トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピ
ンを当モル量用いる以外はほとんど同様にして４′−
（トリベンゾ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピン−９−イル）ビフ
ェニル−４−イルボロン酸を７．４ｇ（収率８０％）得
ることができた。
成） 実施例４において５Ｈ−ジベンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピンの
代りに９Ｈ−トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピンに当モ
ル量用いる以外はほとんど同じ方法で９−（４′−ヨー
ドビフェニル−４−イル）トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕ア
ゼピンを２３．５ｇ（収率４５％）得ることができた。
次に、５−（４′−ヨードビフェニル−４−イル）ジベ
ンゾ〔ｂ、ｆ〕アゼピンの代りに９−（４′−ヨードビ
フェニル−４−イル）トリベンズ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピ
ンを当モル量用いる以外はほとんど同様にして４′−
（トリベンゾ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピン−９−イル）ビフ
ェニル−４−イルボロン酸を７．４ｇ（収率８０％）得
ることができた。
【００４７】４′−（トリベンゾ〔ｂ、ｄ、ｆ〕アゼピ
ン−９−イル）ビフェニル−４−イルボロン酸５．０ｇ
（０．０１１mol)と４，４′−ジヨードビフェニル２．
３ｇ（０．００５７mol)、酢酸パラジウム１３mg（０．
０５７mmol）、トリ−ｏ−トリルホスフィン４３mg
（０．１４mmol）、トリエチルアミン１．２ｇ（０．０
１１mol)およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０mlの
混合物を１００℃で約４時間加熱した。後処理を実施例
４と同様にし、さらに同様の方法で精製することにより
例示化合物（３３）を３．５ｇ（収率６５％）得ること
ができた。
ン−９−イル）ビフェニル−４−イルボロン酸５．０ｇ
（０．０１１mol)と４，４′−ジヨードビフェニル２．
３ｇ（０．００５７mol)、酢酸パラジウム１３mg（０．
０５７mmol）、トリ−ｏ−トリルホスフィン４３mg
（０．１４mmol）、トリエチルアミン１．２ｇ（０．０
１１mol)およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０mlの
混合物を１００℃で約４時間加熱した。後処理を実施例
４と同様にし、さらに同様の方法で精製することにより
例示化合物（３３）を３．５ｇ（収率６５％）得ること
ができた。
【００４８】
【発明の効果】本発明による新規な分子内にベンゾアゼ
ピン骨格を有する芳香族三級アミン化合物は真空蒸着法
等の手段によって、常温で安定なアモルファスの薄膜を
形成し、それ自体で大面積に薄膜化させることが可能で
ある。しかも本発明による化合物はガラス転移点が高く
そのアモルファス膜は耐熱性にすぐれ安定である。この
ような化合物を薄膜化し、有機ＥＬ素子の正孔輸送層用
の材料として用いることにより、従来より長時間の発光
に耐えうる寿命の長い有機ＥＬ素子の設計が可能になっ
た。更に本発明の化合物は電子写真用キヤリア輸送材と
しても優れた性能を有するので、その大巾な性能改良を
可能とした。
ピン骨格を有する芳香族三級アミン化合物は真空蒸着法
等の手段によって、常温で安定なアモルファスの薄膜を
形成し、それ自体で大面積に薄膜化させることが可能で
ある。しかも本発明による化合物はガラス転移点が高く
そのアモルファス膜は耐熱性にすぐれ安定である。この
ような化合物を薄膜化し、有機ＥＬ素子の正孔輸送層用
の材料として用いることにより、従来より長時間の発光
に耐えうる寿命の長い有機ＥＬ素子の設計が可能になっ
た。更に本発明の化合物は電子写真用キヤリア輸送材と
しても優れた性能を有するので、その大巾な性能改良を
可能とした。
【手続補正書】
【提出日】平成９年１月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】＜実施例１＞（例示化合物（１）の合成） ５Ｈ−ジベンズ〔ｂ、ｆ〕アゼピン、１７．４ｇ（９０
mmol）、４，４′−ジヨードビフェニル、１２．２ｇ
（３０mmol）、水酸化カリウム、１３．５ｇ（２４０mm
ol）、および銅粉９．５ｇ（１５０mmol）をデカリン１
８mlと混合し、窒素気流下、外温２００℃で２８時間加
熱攪拌した。反応液を室温近くに戻した後、クロロホル
ムを加え不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮
した。デカリンを除くため残渣にｎ−ヘキサンを加え、
固形物をろ過し、得られた固形物のメタノール晶析によ
り例示化合物（１）を含む結晶を８ｇ得た。この結晶を
シリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホ
ルム＋ｎ−hexane）で精製し、更にメタノール再結晶す
ることにより、純粋な例示化合物（１）を２．５ｇ（収
率１５．５％）得た。融点２８８〜２９０℃。
mmol）、４，４′−ジヨードビフェニル、１２．２ｇ
（３０mmol）、水酸化カリウム、１３．５ｇ（２４０mm
ol）、および銅粉９．５ｇ（１５０mmol）をデカリン１
８mlと混合し、窒素気流下、外温２００℃で２８時間加
熱攪拌した。反応液を室温近くに戻した後、クロロホル
ムを加え不溶物を除くためセライトろ過し、ろ液を濃縮
した。デカリンを除くため残渣にｎ−ヘキサンを加え、
固形物をろ過し、得られた固形物のメタノール晶析によ
り例示化合物（１）を含む結晶を８ｇ得た。この結晶を
シリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶出液：クロロホ
ルム＋ｎ−hexane）で精製し、更にメタノール再結晶す
ることにより、純粋な例示化合物（１）を２．５ｇ（収
率１５．５％）得た。融点２８８〜２９０℃。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）で表わされる芳香族三級ア
ミン化合物。 【化１】 （式中、（Ａ）および（Ｂ）は置換もしくは無置換の、
ビニレン又は、ｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 はハロゲン原子、置換もしくは無
置換のアルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキ
シ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールア
ミノ又はジアリールアミノ基を表わし、Ｒ5 はハロゲン
原子又は置換もしくは無置換のアルキル、アルコキシも
しくはジアルキルアミノ基を表わす。ｈ、ｉ、ｊ、ｋお
よびｌは０ないし４の整数を表わす。ｍは１ないし６の
整数を表わす。ｍが２以上の場合、各ベンゼン環上の
（Ｒ5)1は同じでも異なっていてもよい。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23578796A JP3798080B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物 |
| US08/914,248 US5929235A (en) | 1996-08-20 | 1997-08-19 | Aromatic tertiary amine compound having benzazepine structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23578796A JP3798080B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1059943A true JPH1059943A (ja) | 1998-03-03 |
| JP3798080B2 JP3798080B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=16991255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23578796A Expired - Fee Related JP3798080B2 (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5929235A (ja) |
| JP (1) | JP3798080B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10310574A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Minolta Co Ltd | 新規アミノ化合物、その製造方法および用途 |
| JPH10310573A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Minolta Co Ltd | ハロゲン化ビフェニル誘導体およびその製造方法 |
| JPH113049A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
| JPH11246529A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | ベンゾアゼピン構造を有する芳香族三級アミン化合物 |
| JPH11302258A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | エテニル基を有するベンゾアゼピン誘導体 |
| JP2000113985A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2000182777A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-06-30 | Eastman Kodak Co | 有機系多層型エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2001097953A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | トリベンゾアゼピン化合物およびその製造方法 |
| US6413657B1 (en) * | 1998-10-07 | 2002-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Benzoazepine derivative polymers as luminescent element materials |
| JP2002249484A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Mitsui Chemicals Inc | アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子 |
| JP2004217592A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | イミノスチルベン系化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料、および有機電界発光素子 |
| JP2006086235A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子、並びにアゼピン系化合物およびその製造方法 |
| JP2007059517A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Fujifilm Corp | 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法 |
| WO2015126156A1 (ko) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 주식회사 두산 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| JP2020077863A (ja) * | 2011-03-23 | 2020-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 材料および発光装置 |
| US11114622B2 (en) | 2015-10-22 | 2021-09-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device including the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6436558B1 (en) * | 1998-08-07 | 2002-08-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
| WO2009132023A2 (en) * | 2008-04-23 | 2009-10-29 | Brewer Science Inc. | Photosensitive hardmask for microlithography |
| KR102163721B1 (ko) | 2014-01-06 | 2020-10-08 | 삼성전자주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06105358B2 (ja) * | 1987-03-24 | 1994-12-21 | コニカ株式会社 | 電子写真感光体 |
| JPH08143550A (ja) * | 1993-12-15 | 1996-06-04 | Hodogaya Chem Co Ltd | ヒドラゾン化合物及び該化合物を用いた電子写真用感光体並びに有機電界発光素子 |
-
1996
- 1996-08-20 JP JP23578796A patent/JP3798080B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-19 US US08/914,248 patent/US5929235A/en not_active Expired - Lifetime
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