JPH10324680A - ベンズアゼピン骨格を有するヒドラゾン化合物 - Google Patents
ベンズアゼピン骨格を有するヒドラゾン化合物Info
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- JPH10324680A JPH10324680A JP13150997A JP13150997A JPH10324680A JP H10324680 A JPH10324680 A JP H10324680A JP 13150997 A JP13150997 A JP 13150997A JP 13150997 A JP13150997 A JP 13150997A JP H10324680 A JPH10324680 A JP H10324680A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子写真用感光体、有機電界発生素子などに
用いられる新規な化合物を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で表わされるヒドラゾン化
合物。 【化１】 （式中、（Ａ）はｏ−アリーレン基を表わす。Ａｒ1 は
アリーレン基を表わし、Ａｒ2 はアリール基を表わす。
Ｒ1 およびＲ2 はハロゲン原子、又はアルキル、アリー
ル、アルコキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ
−アリールアミノもしくはジアリールアミノ基を表わ
し、Ｒ3 はアルキル又はアリール基を表わす。ｓおよび
ｍは０ないし４の整数を表わし、ｎは０又は１を表わ
す。）
用いられる新規な化合物を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で表わされるヒドラゾン化
合物。 【化１】 （式中、（Ａ）はｏ−アリーレン基を表わす。Ａｒ1 は
アリーレン基を表わし、Ａｒ2 はアリール基を表わす。
Ｒ1 およびＲ2 はハロゲン原子、又はアルキル、アリー
ル、アルコキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ
−アリールアミノもしくはジアリールアミノ基を表わ
し、Ｒ3 はアルキル又はアリール基を表わす。ｓおよび
ｍは０ないし４の整数を表わし、ｎは０又は１を表わ
す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子写真用感光体並
びに有機電界発光（ＥＬ）素子などに用いられる電荷輸
送剤として有用なベンズアゼピン骨格を有する新規なヒ
ドラゾン化合物に関する。
びに有機電界発光（ＥＬ）素子などに用いられる電荷輸
送剤として有用なベンズアゼピン骨格を有する新規なヒ
ドラゾン化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の光導電性素材として用いられているものに、セ
レン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質があ
る。ゼログラフイーの方法はすでにカールソンが米国特
許第２，２９７，６９１号に明らかにしたように、画像
露光の間に受けた照射量に応じその電気抵抗が変化す
る、通常は絶縁性の物質をコーテイングした、支持体よ
りなる光導電性材料を用いる。この光導電性材料は一般
に適当な間の暗順応の後、暗所で、まず一様な表面電荷
を与えられる。次に、これは照射パターンの種々の部分
に含まれる相対エネルギーに応じて表面電荷を減らす効
果を有する照射のパターンに露光される。このようにし
て感光層表面に残った表面電荷又は静電潜像は次にその
表面が適当な検電表示物質で接触されてて可視像とな
る。このような表示物質すなわちトナーは絶縁液中に含
まれようと乾燥担体中に含まれようと、電荷パターンに
応じて、感光層表面上に付着させることができる。付着
した表示物質は、熱圧力、溶媒蒸気のような公知の手段
により定着することができる。また第２の支持体（例え
ば紙、フイルムなど）に転写することができる。同様に
静電潜像を第２の支持体に転写し、そこで現像すること
も可能である。
感光体の光導電性素材として用いられているものに、セ
レン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質があ
る。ゼログラフイーの方法はすでにカールソンが米国特
許第２，２９７，６９１号に明らかにしたように、画像
露光の間に受けた照射量に応じその電気抵抗が変化す
る、通常は絶縁性の物質をコーテイングした、支持体よ
りなる光導電性材料を用いる。この光導電性材料は一般
に適当な間の暗順応の後、暗所で、まず一様な表面電荷
を与えられる。次に、これは照射パターンの種々の部分
に含まれる相対エネルギーに応じて表面電荷を減らす効
果を有する照射のパターンに露光される。このようにし
て感光層表面に残った表面電荷又は静電潜像は次にその
表面が適当な検電表示物質で接触されてて可視像とな
る。このような表示物質すなわちトナーは絶縁液中に含
まれようと乾燥担体中に含まれようと、電荷パターンに
応じて、感光層表面上に付着させることができる。付着
した表示物質は、熱圧力、溶媒蒸気のような公知の手段
により定着することができる。また第２の支持体（例え
ば紙、フイルムなど）に転写することができる。同様に
静電潜像を第２の支持体に転写し、そこで現像すること
も可能である。
【０００３】電子写真法はこのようにして画像を形成す
るようにした画像形成法の一つである。この電子写真法
において感光体に要求される基本的な特性としては、
（１）暗所で適当な位置に帯電できること、（２）暗所
において電荷の逸散が少ないこと、（３）光照射によっ
て速やかに電荷を逸脱せしめうることなどがあげられ
る。従来用いられている前記無機物質は、多くの長所を
持っていると同時にさまざまな欠点を有していることは
事実である。例えば、現在広く用いられているセレン
は、前記（１）〜（３）の条件は十分に満足するが、製
造する条件がむずかしく、製造コストが高くなり、可撓
性がなく、ベルト状に加工することがむずかしく、熱や
機械的の衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要するなどの
欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結合剤とし
ての樹脂に分散させて感光体として用いられているが、
平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠
点があるためにそのままでは反復して使用することがで
きない。
るようにした画像形成法の一つである。この電子写真法
において感光体に要求される基本的な特性としては、
（１）暗所で適当な位置に帯電できること、（２）暗所
において電荷の逸散が少ないこと、（３）光照射によっ
て速やかに電荷を逸脱せしめうることなどがあげられ
る。従来用いられている前記無機物質は、多くの長所を
持っていると同時にさまざまな欠点を有していることは
事実である。例えば、現在広く用いられているセレン
は、前記（１）〜（３）の条件は十分に満足するが、製
造する条件がむずかしく、製造コストが高くなり、可撓
性がなく、ベルト状に加工することがむずかしく、熱や
機械的の衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要するなどの
欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結合剤とし
ての樹脂に分散させて感光体として用いられているが、
平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠
点があるためにそのままでは反復して使用することがで
きない。
【０００４】近年、これら無機物質の欠点を排除するた
めにいろいろの有機物質を用いた電子写真用感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例えば、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロフ
ルオレン−９−オンとからなる感光体（米国特許第３，
４８４，２３７号）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールを
ピリリウム塩系色素で増感したもの（特公昭４８−２５
６５８号）、有機顔料を主成分とする感光体（特開昭４
７−３７５４３号）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を
主成分とする感光体（特開昭４７−１０７３５号）、ヒ
ドラゾン系化合物を主成分とする感光体（特開昭５７−
１０１８４４号、同５４−１５０１２８号）、芳香族三
級アミン系化合物を主成分とする感光体（特公昭５８−
３２３７２号）、および、スチルベン系化合物を主成分
とする感光体（特開昭５８−１９８０４３号）などであ
る。これらの感光体は優れた特性を有するものであり、
実用的にも価値が高いと思われるものであるが、電子写
真法において、感光体に対するいろいろの要求を考慮す
ると、まだ、これらの要求を十分に満足するものが得ら
れていないのが実情である。そこで、有機物質を用いた
電子写真用感光体の研究は現在でも盛んに行われてお
り、最近、公開になった特許出願では、新規なヒドラゾ
ン化合物（特開平８−１４３５５０号）やカルバゾール
系スチルベン化合物（特開平８−５９６１５号）などが
開示されている。
めにいろいろの有機物質を用いた電子写真用感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例えば、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロフ
ルオレン−９−オンとからなる感光体（米国特許第３，
４８４，２３７号）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールを
ピリリウム塩系色素で増感したもの（特公昭４８−２５
６５８号）、有機顔料を主成分とする感光体（特開昭４
７−３７５４３号）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を
主成分とする感光体（特開昭４７−１０７３５号）、ヒ
ドラゾン系化合物を主成分とする感光体（特開昭５７−
１０１８４４号、同５４−１５０１２８号）、芳香族三
級アミン系化合物を主成分とする感光体（特公昭５８−
３２３７２号）、および、スチルベン系化合物を主成分
とする感光体（特開昭５８−１９８０４３号）などであ
る。これらの感光体は優れた特性を有するものであり、
実用的にも価値が高いと思われるものであるが、電子写
真法において、感光体に対するいろいろの要求を考慮す
ると、まだ、これらの要求を十分に満足するものが得ら
れていないのが実情である。そこで、有機物質を用いた
電子写真用感光体の研究は現在でも盛んに行われてお
り、最近、公開になった特許出願では、新規なヒドラゾ
ン化合物（特開平８−１４３５５０号）やカルバゾール
系スチルベン化合物（特開平８−５９６１５号）などが
開示されている。
【０００５】バンスライクおよびタンらは例えば米国特
許第４，５３９，５０７号、同第４，７２０，４３２
号、特開平５−２３４，６８１号においてフェニル基、
フェニレン基、又はビフェニレン基を含む芳香族第三級
アミンを内部接合有機ＥＬ装置の正孔注入・輸送帯域に
使用すると光出力の安定性が向上し、それによって動作
寿命が延びることを明らかにした。その後更なる光出力
の安定性を計るためにこの正孔注入輸送帯域に用いる芳
香族第三級アミンの改良は多くの研究者により試みら
れ、多くの特許出願および学術文献への報告がなされて
いる。その例をあげればビフェニル系の三級アミンに関
してＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２７，Ｌ２６９（１９８
８）、特開昭５９−１９４３９３号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６６，２６７９（１９９５）、特開平５
−２３４６８１号、同７−３３１２３８号、同８−４８
６５６号、およびＷＯ９５／０９１４７号など、スダー
バースト系の三級アミンに関して、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６５，８０７（１９９４）、特公平７−
１１０９４０号などがある。しかしながらこれまで公知
の化合物は、その性能が十分とはいえず、新しい化合物
の開発を含む更なる改良が望まれている。
許第４，５３９，５０７号、同第４，７２０，４３２
号、特開平５−２３４，６８１号においてフェニル基、
フェニレン基、又はビフェニレン基を含む芳香族第三級
アミンを内部接合有機ＥＬ装置の正孔注入・輸送帯域に
使用すると光出力の安定性が向上し、それによって動作
寿命が延びることを明らかにした。その後更なる光出力
の安定性を計るためにこの正孔注入輸送帯域に用いる芳
香族第三級アミンの改良は多くの研究者により試みら
れ、多くの特許出願および学術文献への報告がなされて
いる。その例をあげればビフェニル系の三級アミンに関
してＪａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ
ｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，２７，Ｌ２６９（１９８
８）、特開昭５９−１９４３９３号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６６，２６７９（１９９５）、特開平５
−２３４６８１号、同７−３３１２３８号、同８−４８
６５６号、およびＷＯ９５／０９１４７号など、スダー
バースト系の三級アミンに関して、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．６５，８０７（１９９４）、特公平７−
１１０９４０号などがある。しかしながらこれまで公知
の化合物は、その性能が十分とはいえず、新しい化合物
の開発を含む更なる改良が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明は電
子写真用感光体、有機電界発生素子などに用いられる新
規な化合物を提供することを目的とする。さらに本発明
は、電子写真用感光体並びに有機電界発生（ＥＬ）素子
に用いられ、優れた電荷輸送能や、保存安定性を示す新
規なヒドラゾン化合物を提供することを目的とする。
子写真用感光体、有機電界発生素子などに用いられる新
規な化合物を提供することを目的とする。さらに本発明
は、電子写真用感光体並びに有機電界発生（ＥＬ）素子
に用いられ、優れた電荷輸送能や、保存安定性を示す新
規なヒドラゾン化合物を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意検討した
結果、分子内にベンゾアゼピン型構造を有するヒドラゾ
ン化合物が、電荷輸送能や保存安定性が高く、上記目的
を満足することを見い出し、この知見に基づき本発明を
なすに至った。すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）で表
わされるヒドラゾン化合物
結果、分子内にベンゾアゼピン型構造を有するヒドラゾ
ン化合物が、電荷輸送能や保存安定性が高く、上記目的
を満足することを見い出し、この知見に基づき本発明を
なすに至った。すなわち、本発明は、一般式（Ｉ）で表
わされるヒドラゾン化合物
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中、（Ａ）はｏ−アリーレン基を表わ
す。Ａｒ1 はアリーレン基を表わし、Ａｒ2 はアリール
基を表わす。Ｒ1 およびＲ2 はハロゲン原子、又はアル
キル、アリール、アルコキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−
アルキル−Ｎ−アリールアミノもしくはジアリールアミ
ノ基を表わし、Ｒ3 はアルキル又はアリール基を表わ
す。ｓおよびｍは０ないし４の整数を表わし、ｎは０又
は１を表わす。）を提供するものである。なお、本発明
において、上記一般式（Ｉ）中の（Ａ）、Ａｒ1 、Ａｒ
2 、Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 が示すそれぞれの基は、以下の説
明からも明らかなように無置換のものだけでなく、さら
に置換基で置換されたものも包含する意味である。
す。Ａｒ1 はアリーレン基を表わし、Ａｒ2 はアリール
基を表わす。Ｒ1 およびＲ2 はハロゲン原子、又はアル
キル、アリール、アルコキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−
アルキル−Ｎ−アリールアミノもしくはジアリールアミ
ノ基を表わし、Ｒ3 はアルキル又はアリール基を表わ
す。ｓおよびｍは０ないし４の整数を表わし、ｎは０又
は１を表わす。）を提供するものである。なお、本発明
において、上記一般式（Ｉ）中の（Ａ）、Ａｒ1 、Ａｒ
2 、Ｒ1、Ｒ2 、Ｒ3 が示すそれぞれの基は、以下の説
明からも明らかなように無置換のものだけでなく、さら
に置換基で置換されたものも包含する意味である。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に一般式（Ｉ）における
（Ａ）、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、ｓ、ｍお
よびｎについて説明する。
（Ａ）、Ａｒ1 、Ａｒ2 、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、ｓ、ｍお
よびｎについて説明する。
【００１１】（Ａ）は置換又は無置換のｏ−アリーレン
基を表わすが、その無置換の基を例にとって具体例を示
せば、例えば下記の基である。
基を表わすが、その無置換の基を例にとって具体例を示
せば、例えば下記の基である。
【００１２】
【化３】
【００１３】（Ａ）が置換基を有する場合、好ましい置
換基は後述するＲ1 およびＲ2 と同義の基である。好ま
しい（Ａ）は置換もしくは無置換のｏ−フェニレン基で
あり、特に好ましくは無置換又はアルキル基置換のｏ−
フェニレン基である。
換基は後述するＲ1 およびＲ2 と同義の基である。好ま
しい（Ａ）は置換もしくは無置換のｏ−フェニレン基で
あり、特に好ましくは無置換又はアルキル基置換のｏ−
フェニレン基である。
【００１４】Ａｒ1 は置換又は無置換のアリーレン基を
表わすが、詳しくは置換又は無置換のフェニレン、ナフ
チレン、ビフェニレン又はアントリレン基などを表わ
す。Ａｒ1 が置換基を有する場合、好ましい置換基は後
述するＲ1 およびＲ2 と同義の基である。好ましいＡｒ
1 は置換又は無置換のフェニレン基であり、特に好まし
くは無置換のｐ−フェニレン基である。
表わすが、詳しくは置換又は無置換のフェニレン、ナフ
チレン、ビフェニレン又はアントリレン基などを表わ
す。Ａｒ1 が置換基を有する場合、好ましい置換基は後
述するＲ1 およびＲ2 と同義の基である。好ましいＡｒ
1 は置換又は無置換のフェニレン基であり、特に好まし
くは無置換のｐ−フェニレン基である。
【００１５】Ａｒ2 は置換又は無置換のアリール基を表
わすが、詳しくは置換もしくは無置換のフェニル、ナフ
チル、フェナントレニル又はピレニル基などを表わす。
Ａｒ2 が置換基を有する場合、好ましい置換基は後述す
るＲ1 およびＲ2 と同義の基である。好ましいＡｒ2 は
置換もしくは無置換のフェニル基であり、特に好ましく
は無置換もしくはアルキル基置換フェニル基である。
わすが、詳しくは置換もしくは無置換のフェニル、ナフ
チル、フェナントレニル又はピレニル基などを表わす。
Ａｒ2 が置換基を有する場合、好ましい置換基は後述す
るＲ1 およびＲ2 と同義の基である。好ましいＡｒ2 は
置換もしくは無置換のフェニル基であり、特に好ましく
は無置換もしくはアルキル基置換フェニル基である。
【００１６】Ｒ1 およびＲ2 はハロゲン原子、置換もし
くは無置換の、アルキル、アリール、アルコキシ、アリ
ールオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−ア
リールアミノ、又はジアリールアミノ基を表わすが、詳
しくは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素のハロゲン
原子、無置換の基を例にとって言えば炭素数１〜２０の
アルキル基、炭素数６〜３６のアリール基、炭素数１〜
２０のアルコキシ基、炭素数６〜３６のアリールオキシ
基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数７〜
４２のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基又は炭素数
１２〜４８のジアリールアミノ基である。
くは無置換の、アルキル、アリール、アルコキシ、アリ
ールオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ−ア
リールアミノ、又はジアリールアミノ基を表わすが、詳
しくは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素のハロゲン
原子、無置換の基を例にとって言えば炭素数１〜２０の
アルキル基、炭素数６〜３６のアリール基、炭素数１〜
２０のアルコキシ基、炭素数６〜３６のアリールオキシ
基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基、炭素数７〜
４２のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基又は炭素数
１２〜４８のジアリールアミノ基である。
【００１７】ハロゲン原子以外の場合をより具体的に示
せば、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ
ーブチル、ｎ−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、な
どのアルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニ
ル、フェナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペン
タセニルもしくはペンタフェニルなどのアリール基、メ
トキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキ
シ、シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくは
ドデシルオキシなどのアルコキシル基、フェノキシ、ナ
フトキシ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシ
などのアリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジブチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはＮ−
エチル−Ｎ−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、
Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−フ
ェニルアミノ、Ｎ−イソプロピル−Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）アミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）ア
ミノ、もしくはＮ−ブチル−Ｎ−（１−ナフタセニル）
アミノなどのＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−アントラセニ
ル）アミノ、もしくはＮ−（１−アントラセニル）−Ｎ
−（１−フェナントレニル）アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
せば、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ
ーブチル、ｎ−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、な
どのアルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニ
ル、フェナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペン
タセニルもしくはペンタフェニルなどのアリール基、メ
トキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキ
シ、シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくは
ドデシルオキシなどのアルコキシル基、フェノキシ、ナ
フトキシ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシ
などのアリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジブチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはＮ−
エチル−Ｎ−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、
Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−フ
ェニルアミノ、Ｎ−イソプロピル−Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）アミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）ア
ミノ、もしくはＮ−ブチル−Ｎ−（１−ナフタセニル）
アミノなどのＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−アントラセニ
ル）アミノ、もしくはＮ−（１−アントラセニル）−Ｎ
−（１−フェナントレニル）アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
【００１８】これらの基が置換基を有する場合、その置
換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カル
ボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、アニ
リノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミ
ノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモ
イル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテ
ロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイル
オキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル
アミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル
基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、アシ
ル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カル
ボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、アニ
リノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミ
ノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモ
イル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテ
ロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイル
オキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル
アミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル
基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、アシ
ル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
【００１９】Ｒ1 およびＲ2 について好ましくはハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基又はジアリールアミノ基であり、特に好ましくは、ア
ルキル基又はジアルキルアミノ基である。
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基又はジアリールアミノ基であり、特に好ましくは、ア
ルキル基又はジアルキルアミノ基である。
【００２０】Ｒ3 は置換もしくは無置換のアルキル又は
アリール基を表わすが、無置換の基を例に詳しく説明す
ると炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３６の
アリール基である。
アリール基を表わすが、無置換の基を例に詳しく説明す
ると炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜３６の
アリール基である。
【００２１】より具体的に示せばメチル、エチル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ドデシルもし
くはシクロヘキシルなどのアルキル基、フェニル、ナフ
チル、アントラセニル、フェナントレニル、ピレニル、
ナフタセニル、ペンタセニルもしくはペンタフェニルな
どのアリール基である。これらの基が置換基を有する場
合、その置換基はＲ1 およびＲ2 が有してもよい前記置
換基と同義の基である。好ましいＲ3 はメチル、エチ
ル、イソプロピル、ベンジル、フェニル、１−ナフチル
又は２−ナフチルである。Ｒ3 はＡｒ2 と結合して５〜
７員環を形成していてもよい。
プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ドデシルもし
くはシクロヘキシルなどのアルキル基、フェニル、ナフ
チル、アントラセニル、フェナントレニル、ピレニル、
ナフタセニル、ペンタセニルもしくはペンタフェニルな
どのアリール基である。これらの基が置換基を有する場
合、その置換基はＲ1 およびＲ2 が有してもよい前記置
換基と同義の基である。好ましいＲ3 はメチル、エチ
ル、イソプロピル、ベンジル、フェニル、１−ナフチル
又は２−ナフチルである。Ｒ3 はＡｒ2 と結合して５〜
７員環を形成していてもよい。
【００２２】ｓおよびｍは０ないし４の整数を表わす
が、好ましくは０又は１である。ｎは０又は１を表わす
が、好ましくは０である。
が、好ましくは０又は１である。ｎは０又は１を表わす
が、好ましくは０である。
【００２３】次に本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化
合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
【００２４】
【化４】
【００２５】
【化５】
【００２６】
【化６】
【００２７】
【化７】
【００２８】
【化８】
【００２９】
【化９】
【００３０】
【化１０】
【００３１】次に本発明の化合物の合成法について以下
説明する。代表的合成法を（スキーム１）に示した。１
から２の工程は、金属銅触媒と塩基を用いるウルマン型
反応（米国特許第４，７６４，６２５号参照）である。
２から３の工程における第一の反応は、マグネシウム金
属を用いるグリニャール反応又はアルキルリチウムによ
るリチオ化反応であり、生成したグリニャール試薬又は
アリールリチウム試薬とＤＭＦなどのホルミル化剤の反
応によって３は合成される。３とヒドラジンの反応は通
常のヒドラゾン合成反応であり、容易に本発明の一般式
（Ｉ）の化合物が得られる。反応モル比は化学量論的割
合で行うことができる。
説明する。代表的合成法を（スキーム１）に示した。１
から２の工程は、金属銅触媒と塩基を用いるウルマン型
反応（米国特許第４，７６４，６２５号参照）である。
２から３の工程における第一の反応は、マグネシウム金
属を用いるグリニャール反応又はアルキルリチウムによ
るリチオ化反応であり、生成したグリニャール試薬又は
アリールリチウム試薬とＤＭＦなどのホルミル化剤の反
応によって３は合成される。３とヒドラジンの反応は通
常のヒドラゾン合成反応であり、容易に本発明の一般式
（Ｉ）の化合物が得られる。反応モル比は化学量論的割
合で行うことができる。
【００３２】
【化１１】
【００３３】上記合成法に用いるベンゾアゼピン（１）
はビー・レントロー、シー・ハリントン及びジー・アー
ル・プロクター "ヘテロ環化合物の化学" Ｖｏｌ．４
３．パート１（１９８４）ジョン・ウイレイ・アンド・
サンズ・インコ（Ｂ．Ｒｅｎｆｒｏｅ，Ｃ．Ｈａｒｒｉ
ｎｇｔｏｎ，Ｇ．Ｒ．Ｐｒｏｃｆｏｒ，”Ｔｈｅ Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃ
ｏｍｐｏｕｎｄｓ”，Ｖｏｌ．４３，Ｐａｒｔ１，１９
８４，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｉｎ
ｃ．）およびエッチ・シ・アクスチルらＪ．Ｏｒｇ．Ｃ
ｈｅｍ．，５６，３９０６（１９９１）に記載の方法に
基づき行うことができる。
はビー・レントロー、シー・ハリントン及びジー・アー
ル・プロクター "ヘテロ環化合物の化学" Ｖｏｌ．４
３．パート１（１９８４）ジョン・ウイレイ・アンド・
サンズ・インコ（Ｂ．Ｒｅｎｆｒｏｅ，Ｃ．Ｈａｒｒｉ
ｎｇｔｏｎ，Ｇ．Ｒ．Ｐｒｏｃｆｏｒ，”Ｔｈｅ Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃ
ｏｍｐｏｕｎｄｓ”，Ｖｏｌ．４３，Ｐａｒｔ１，１９
８４，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ Ｉｎ
ｃ．）およびエッチ・シ・アクスチルらＪ．Ｏｒｇ．Ｃ
ｈｅｍ．，５６，３９０６（１９９１）に記載の方法に
基づき行うことができる。
【００３４】一般式（Ｉ）で表わされる化合物の精製は
シリカゲルカラムクロマトグラフィと再結晶法、更に必
要なら昇華法により行われる。
シリカゲルカラムクロマトグラフィと再結晶法、更に必
要なら昇華法により行われる。
【００３５】
【実施例】以下に実施例に基づき本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
【００３６】＜実施例１＞（例示化合物（１）の合成） ９Ｈ−トリベンズ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン１８．２ｇ
（７５ｍｍｏｌ）と１−ブロモ−４−ヨードベンゼン６
３．７ｇ（２２５ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム５．０ｇ
（９０ｍｍｏｌ）および銅粉２．０ｇとデカリン５０ｍ
ｌを混合し、窒素気流下外温２００℃で約１週間加熱撹
拌した。室温近くに冷却した後クロロホルムを加え、不
溶物を除くためセライトろ過を行った。ろ液に水を加
え、抽出操作を行い、得られた反応濃縮物をシリカゲル
クロマトグラフィで精製することにより９−（４−ブロ
モフェニル）トリベンズ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン１５．
５ｇ（収率５２％）を得ることができた。
（７５ｍｍｏｌ）と１−ブロモ−４−ヨードベンゼン６
３．７ｇ（２２５ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム５．０ｇ
（９０ｍｍｏｌ）および銅粉２．０ｇとデカリン５０ｍ
ｌを混合し、窒素気流下外温２００℃で約１週間加熱撹
拌した。室温近くに冷却した後クロロホルムを加え、不
溶物を除くためセライトろ過を行った。ろ液に水を加
え、抽出操作を行い、得られた反応濃縮物をシリカゲル
クロマトグラフィで精製することにより９−（４−ブロ
モフェニル）トリベンズ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン１５．
５ｇ（収率５２％）を得ることができた。
【００３７】９−（４−ブロモフェニル）トリベンズ
［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン１３ｇ（３３ｍｍｏｌ）をテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かし、アルゴン気流化−
７８℃に冷却した。その中にｎ−ＢｕＬｉ２．５Ｍ濃度
のｎ−ヘキサン溶液を１５．２ｍｌ（３８ｍｍｍｏｌ）
滴下し後３０分間撹拌した。次にその中にジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）３．９ｍｌ（５０ｍｍｏｌ）を滴下
し、約１時間撹拌し、徐々に室温まで昇温した。反応液
に希硫酸を加え次にクロロホルムで抽出し、反応濃縮物
をシリカゲルクロマトグラフィで精製することにより、
９−（４−ホルミルフェニル）トリベンゾ［ｂ，ｄ，
ｆ］アゼピン８．６ｇ（収率７５％）を得ることができ
た。９−（４−ホルミルフェニル）トリベンゾ［ｂ，
ｄ，ｆ］アゼピン８．０ｇ（２３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶
液にＮ，Ｎ−ジフェニルヒドラジン４．２ｇ（２３ｍｍ
ｏｌ）のＴＨＦ溶液を滴下し、滴下後加熱還流した。反
応液を濃縮し、メタノール／ＴＨＦより再結晶して、例
示化合物（１）を白色結晶として１０．０ｇ（収率８５
％）得ることができた。
［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン１３ｇ（３３ｍｍｏｌ）をテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶かし、アルゴン気流化−
７８℃に冷却した。その中にｎ−ＢｕＬｉ２．５Ｍ濃度
のｎ−ヘキサン溶液を１５．２ｍｌ（３８ｍｍｍｏｌ）
滴下し後３０分間撹拌した。次にその中にジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）３．９ｍｌ（５０ｍｍｏｌ）を滴下
し、約１時間撹拌し、徐々に室温まで昇温した。反応液
に希硫酸を加え次にクロロホルムで抽出し、反応濃縮物
をシリカゲルクロマトグラフィで精製することにより、
９−（４−ホルミルフェニル）トリベンゾ［ｂ，ｄ，
ｆ］アゼピン８．６ｇ（収率７５％）を得ることができ
た。９−（４−ホルミルフェニル）トリベンゾ［ｂ，
ｄ，ｆ］アゼピン８．０ｇ（２３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶
液にＮ，Ｎ−ジフェニルヒドラジン４．２ｇ（２３ｍｍ
ｏｌ）のＴＨＦ溶液を滴下し、滴下後加熱還流した。反
応液を濃縮し、メタノール／ＴＨＦより再結晶して、例
示化合物（１）を白色結晶として１０．０ｇ（収率８５
％）得ることができた。
【００３８】＜実施例２＞（例示化合物（２）の合成） 実施例１で合成した、９−（４−ホルミルフェニル）ト
リベンゾ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン１０．０ｇ（２８．８
ｍｍｏｌ）とＮ−フェニル−Ｎ−トリルヒドラジン５．
７ｇ（２８．８ｍｍｏｌ）を実施例１と同様の条件で反
応させることにより例示化合物（２）を１３．２ｇ（収
率８７％）得ることができた。
リベンゾ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン１０．０ｇ（２８．８
ｍｍｏｌ）とＮ−フェニル−Ｎ−トリルヒドラジン５．
７ｇ（２８．８ｍｍｏｌ）を実施例１と同様の条件で反
応させることにより例示化合物（２）を１３．２ｇ（収
率８７％）得ることができた。
【００３９】＜実施例３＞（例示化合物（３）の合成） ２−メチル−９Ｈ−トリベンゾ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン
（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５６，３９０６（１９９
１）記載の方法でフランの代りに３−メチルフランを用
いて合成）、２０．０ｇ（７７．７ｍｍｏｌ）を用い実
施例１と同様の方法により９−（４−ホルミルフェニ
ル）トリベンゾ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピンを１０．１ｇ
（全収率３６％）得ることができた。更にこれを用いて
Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルヒドラジン５．５ｇ（２７．
９ｍｍｏｌ）と実施例１の方法で反応させ例示化合物
（３）を１３．３ｇ（収率８８％）得ることができた。
（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５６，３９０６（１９９
１）記載の方法でフランの代りに３−メチルフランを用
いて合成）、２０．０ｇ（７７．７ｍｍｏｌ）を用い実
施例１と同様の方法により９−（４−ホルミルフェニ
ル）トリベンゾ［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピンを１０．１ｇ
（全収率３６％）得ることができた。更にこれを用いて
Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルヒドラジン５．５ｇ（２７．
９ｍｍｏｌ）と実施例１の方法で反応させ例示化合物
（３）を１３．３ｇ（収率８８％）得ることができた。
【００４０】＜実施例４＞（例示化合物（１７）の合
成） 実施例１で合成した９−（４−ホルミル）トリベンゾ
［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン２０．０ｇ（５７．６ｍｍｏ
ｌ）とアセトアルデヒド２．６ｇ（６０ｍｍｏｌ）を混
合したＴＨＦ溶液にトリエチルアミン１ｍｌを加え約３
時間加熱還流した。反応液を酢酸エチルで抽出操作を行
い、反応濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで
精製することにより、β−（４−トリベンゾ［ｂ，ｄ，
ｆ］アゼピン−９−イル）アクリルアルデヒドを１４．
０ｇ（収率６５％）得ることができた。この化合物と
Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジン６．９ｇ（３７．５ｍｍ
ｏｌ）を実施例１と同様に反応させることにより例示化
合物（１７）を１７．６ｇ（収率８７％）得ることがで
きた。
成） 実施例１で合成した９−（４−ホルミル）トリベンゾ
［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン２０．０ｇ（５７．６ｍｍｏ
ｌ）とアセトアルデヒド２．６ｇ（６０ｍｍｏｌ）を混
合したＴＨＦ溶液にトリエチルアミン１ｍｌを加え約３
時間加熱還流した。反応液を酢酸エチルで抽出操作を行
い、反応濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで
精製することにより、β−（４−トリベンゾ［ｂ，ｄ，
ｆ］アゼピン−９−イル）アクリルアルデヒドを１４．
０ｇ（収率６５％）得ることができた。この化合物と
Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジン６．９ｇ（３７．５ｍｍ
ｏｌ）を実施例１と同様に反応させることにより例示化
合物（１７）を１７．６ｇ（収率８７％）得ることがで
きた。
【００４１】＜実施例５＞（例示化合物（２０）の合
成） 実施例１で合成した９−（４−ホルミル）トリベンズ
［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン２０．０ｇ（５７．６ｍｍｏ
ｌ）とＮ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジン７．０ｇ
（５７．６ｍｍｏｌ）を実施例１と同様に反応させるこ
とにより例示化合物（２０）を２３．５ｇ（収率８７
％）得ることができた。
成） 実施例１で合成した９−（４−ホルミル）トリベンズ
［ｂ，ｄ，ｆ］アゼピン２０．０ｇ（５７．６ｍｍｏ
ｌ）とＮ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジン７．０ｇ
（５７．６ｍｍｏｌ）を実施例１と同様に反応させるこ
とにより例示化合物（２０）を２３．５ｇ（収率８７
％）得ることができた。
【００４２】
【発明の効果】本発明による新規なベンズアゼピン骨格
を有するヒドラゾン化合物は電子写真用感光体、有機電
界発光素子などに用いられる電荷輸送剤として有用であ
る。とりわけ本発明の化合物は、電荷輸送能や保存安定
性に優れ、電子写真感光体又は有機電界発光（ＥＬ）素
子用材料に用いることにより、それらの性能を改良する
のに効果がある。特に電子写真感光体に用いた時に高性
能の感光体を与え、その性能を大幅に向上させるもので
ある。
を有するヒドラゾン化合物は電子写真用感光体、有機電
界発光素子などに用いられる電荷輸送剤として有用であ
る。とりわけ本発明の化合物は、電荷輸送能や保存安定
性に優れ、電子写真感光体又は有機電界発光（ＥＬ）素
子用材料に用いることにより、それらの性能を改良する
のに効果がある。特に電子写真感光体に用いた時に高性
能の感光体を与え、その性能を大幅に向上させるもので
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）で表わされるヒドラゾン化
合物。 【化１】 （式中、（Ａ）はｏ−アリーレン基を表わす。Ａｒ1 は
アリーレン基を表わし、Ａｒ2 はアリール基を表わす。
Ｒ1 およびＲ2 はハロゲン原子、又はアルキル、アリー
ル、アルコキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル−Ｎ
−アリールアミノもしくはジアリールアミノ基を表わ
し、Ｒ3 はアルキル又はアリール基を表わす。ｓおよび
ｍは０ないし４の整数を表わし、ｎは０又は１を表わ
す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13150997A JPH10324680A (ja) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | ベンズアゼピン骨格を有するヒドラゾン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13150997A JPH10324680A (ja) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | ベンズアゼピン骨格を有するヒドラゾン化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10324680A true JPH10324680A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15059706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13150997A Pending JPH10324680A (ja) | 1997-05-21 | 1997-05-21 | ベンズアゼピン骨格を有するヒドラゾン化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10324680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11114622B2 (en) | 2015-10-22 | 2021-09-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device including the same |
-
1997
- 1997-05-21 JP JP13150997A patent/JPH10324680A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11114622B2 (en) | 2015-10-22 | 2021-09-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device including the same |
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