JP2528710B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JP2528710B2 JP2528710B2 JP1094497A JP9449789A JP2528710B2 JP 2528710 B2 JP2528710 B2 JP 2528710B2 JP 1094497 A JP1094497 A JP 1094497A JP 9449789 A JP9449789 A JP 9449789A JP 2528710 B2 JP2528710 B2 JP 2528710B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- layer
- substance
- biphenyl
- diphenylamino
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体、更に詳細には、導電性支持
体上に、電荷発生物質と特定の電荷輸送物質を含む感光
層を設けた電子写真感光体に関する。
体上に、電荷発生物質と特定の電荷輸送物質を含む感光
層を設けた電子写真感光体に関する。
〔従来の技術〕 近年電子写真感光材料として広く用いられるものに、
無機系の光導電性物質としてはα−セレン、硫化カドミ
ウム、α−シリコン等があり、また、有機系の光導電性
物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアンスラセンをはじめとする種々の光導電性ポリマ
ーがあるが、これらはそれぞれ、価格、性能或は毒性な
ど少なからず問題を有している。
無機系の光導電性物質としてはα−セレン、硫化カドミ
ウム、α−シリコン等があり、また、有機系の光導電性
物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアンスラセンをはじめとする種々の光導電性ポリマ
ーがあるが、これらはそれぞれ、価格、性能或は毒性な
ど少なからず問題を有している。
これらの欠点を補い、また高感度化を目的として光導
電性物質の２つの機能、即ち、電荷の発生と発生した電
荷の輸送をそれぞれ別個の有機化合物により行わしめよ
うとする方式が盛んに提案されている。これらの方式に
おいては、電荷担体の発生効率の大きい物質（電荷発生
物質）と電荷輸送能力の大きい物質（電荷輸送物質）を
積層して組合せることにより、高感度の電子写真感光体
が得られる可能性が予想される。しかし、電子写真感光
体に要求される諸特性、すなわち、高い表面電位と電荷
保持能力を有し、光感度が高く、残留電位が殆んどない
等の特性を同時に満足するか否かは単にこれらの組合せ
だけでは予想できない。
電性物質の２つの機能、即ち、電荷の発生と発生した電
荷の輸送をそれぞれ別個の有機化合物により行わしめよ
うとする方式が盛んに提案されている。これらの方式に
おいては、電荷担体の発生効率の大きい物質（電荷発生
物質）と電荷輸送能力の大きい物質（電荷輸送物質）を
積層して組合せることにより、高感度の電子写真感光体
が得られる可能性が予想される。しかし、電子写真感光
体に要求される諸特性、すなわち、高い表面電位と電荷
保持能力を有し、光感度が高く、残留電位が殆んどない
等の特性を同時に満足するか否かは単にこれらの組合せ
だけでは予想できない。
従来、電荷輸送物質として、Ｎ−アルキルカルバゾー
ル−３−カルバルデヒドジフェニルヒドラゾン（特開昭
54−150128号）、Ｎ−アルキルフェノチアジン−３−カ
ルバルデヒドジフェニルヒドラゾン（特開昭57−58157
号）、ｐ−ジアルキルアミノベンズアルデヒドジフェニ
ルヒドラゾン（特公昭55−42380号）等を使用する電子
写真感光体が提案されている。
ル−３−カルバルデヒドジフェニルヒドラゾン（特開昭
54−150128号）、Ｎ−アルキルフェノチアジン−３−カ
ルバルデヒドジフェニルヒドラゾン（特開昭57−58157
号）、ｐ−ジアルキルアミノベンズアルデヒドジフェニ
ルヒドラゾン（特公昭55−42380号）等を使用する電子
写真感光体が提案されている。
しかしながら、上記ヒドラゾンを電荷輸送物質とする
電子写真感光体は光感度において充分とはいえず、かた
電子写真プロセスにしたがって繰り返し反復使用した場
合、もとの帯電特性を回復する能力が低下したり、残留
電位が上昇する等、感光体の寿命を短くする等の実用上
の問題点を有している。また、近年電子写真方式の複写
機、或はプリンター等の高速化、小型化に伴い、感光体
に対して速い応答性が要求されているが、これらの要求
は未だ満足されていないのが実状である。
電子写真感光体は光感度において充分とはいえず、かた
電子写真プロセスにしたがって繰り返し反復使用した場
合、もとの帯電特性を回復する能力が低下したり、残留
電位が上昇する等、感光体の寿命を短くする等の実用上
の問題点を有している。また、近年電子写真方式の複写
機、或はプリンター等の高速化、小型化に伴い、感光体
に対して速い応答性が要求されているが、これらの要求
は未だ満足されていないのが実状である。
本発明者らは、斯る実状に鑑み、電荷輸送物質につい
て鋭意研究した結果、特定の４′−（N,N−ジフェニル
アミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒドヒドラゾン誘
導体が上記問題を解決する優れた電荷輸送物質であるこ
とを見出し、本発明を完成した。
て鋭意研究した結果、特定の４′−（N,N−ジフェニル
アミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒドヒドラゾン誘
導体が上記問題を解決する優れた電荷輸送物質であるこ
とを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、導電性支持体上に、電荷発生物
質と電荷輸送物質を含む感光層を設けた電子写真感光体
において、電荷輸送物質として、次の一般式（Ｉ）で表
わされる４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルバルデヒドヒドラゾン誘導体を含有する電子
写真感光体を提供するものである。
質と電荷輸送物質を含む感光層を設けた電子写真感光体
において、電荷輸送物質として、次の一般式（Ｉ）で表
わされる４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルバルデヒドヒドラゾン誘導体を含有する電子
写真感光体を提供するものである。
（式中、R1及びR2は同一又は異なる低級アルキル基、ベ
ンジル基又はフェニル基を示すか、または両者が結合し
て隣接する窒素原子と共に複素環を形成してもよい） 本発明において、（Ｉ）式で表わされる４′−（N,N
−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒド
ヒドラゾン誘導体の代表的なものとしては次のものが挙
げられる。
ンジル基又はフェニル基を示すか、または両者が結合し
て隣接する窒素原子と共に複素環を形成してもよい） 本発明において、（Ｉ）式で表わされる４′−（N,N
−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒド
ヒドラゾン誘導体の代表的なものとしては次のものが挙
げられる。
これらの化合物は、例えば、次の反応式で表わされる
方法によって製造される。
方法によって製造される。
（式中、R1及びR2は前記と同じものを示す） まず、田村ら〔「日本化学雑誌」、92巻、11号、1021
〜1023（1971）〕の方法に準じて、４−ビフェニルカル
ニトリル（III）にヨウ素と過ヨウ素酸を反応せしめて
４′−ヨウドビフェニル−４−カルボニトリル（IV）を
得る。次いで、F.Ullmann〔Chem.Ber.,36,2382（190
3）〕の方法に従って、（IV）とジフェニルアミンと
を、銅触媒及び塩基（K2CO3）の存在下スルホラン（テ
トラヒドロチオフェン−1,1−オキシド）中縮合させ
て、４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４
−カルボニトリル（Ｖ）を得る。（Ｖ）に0.5等量ない
しやや過剰のビトリッド（Vitride）〔ナトリウム・ビ
ス（２−メトキシ）アルミニウム・ヒドリド〕を反応せ
しめ、次いで30％硫酸で加水分解して４′−（N,N−ジ
フェニルアミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒド（V
I）を得る。更に、（VI）にヒドラジン類（VII）又はそ
の塩を、縮合剤（例えば、ピリジン、トリエチルアミン
等の３級アミン、無機酸、酢酸等の有機酸）の存在下、
溶媒（メタノール、エタノール等のアルコール類、テト
ラヒドロフラン、酢酸）中、溶媒の還流温度又はそれ以
下の温度で反応させて４′−（N,N−ジフェニルアミ
ノ）ビフェニル−４−カルバルデヒドヒドラゾン誘導体
（Ｉ）を得る。
〜1023（1971）〕の方法に準じて、４−ビフェニルカル
ニトリル（III）にヨウ素と過ヨウ素酸を反応せしめて
４′−ヨウドビフェニル−４−カルボニトリル（IV）を
得る。次いで、F.Ullmann〔Chem.Ber.,36,2382（190
3）〕の方法に従って、（IV）とジフェニルアミンと
を、銅触媒及び塩基（K2CO3）の存在下スルホラン（テ
トラヒドロチオフェン−1,1−オキシド）中縮合させ
て、４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４
−カルボニトリル（Ｖ）を得る。（Ｖ）に0.5等量ない
しやや過剰のビトリッド（Vitride）〔ナトリウム・ビ
ス（２−メトキシ）アルミニウム・ヒドリド〕を反応せ
しめ、次いで30％硫酸で加水分解して４′−（N,N−ジ
フェニルアミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒド（V
I）を得る。更に、（VI）にヒドラジン類（VII）又はそ
の塩を、縮合剤（例えば、ピリジン、トリエチルアミン
等の３級アミン、無機酸、酢酸等の有機酸）の存在下、
溶媒（メタノール、エタノール等のアルコール類、テト
ラヒドロフラン、酢酸）中、溶媒の還流温度又はそれ以
下の温度で反応させて４′−（N,N−ジフェニルアミ
ノ）ビフェニル−４−カルバルデヒドヒドラゾン誘導体
（Ｉ）を得る。
次に、電荷輸送物質として（Ｉ）を使用する本発明の
電子写真感光体について基本的な例を挙げて説明する。
電子写真感光体について基本的な例を挙げて説明する。
第１図は、本発明の電子写真感光体の一例を示すもの
であり、導電性支持体１の上に、電荷発生物質２を主体
とする電荷発生層３と本発明化合物（Ｉ）を均一に含有
する電荷輸送層４とからなる感光層５を設けてなるもの
である。
であり、導電性支持体１の上に、電荷発生物質２を主体
とする電荷発生層３と本発明化合物（Ｉ）を均一に含有
する電荷輸送層４とからなる感光層５を設けてなるもの
である。
すなわち、第１図に示す感光体においては、電荷輸送
層を透過した光が電荷発生層中に分散された電荷発生物
質に到達し、電荷を発生させ、電荷輸送層は、この電荷
の注入を受けてその輸送を行うものである。
層を透過した光が電荷発生層中に分散された電荷発生物
質に到達し、電荷を発生させ、電荷輸送層は、この電荷
の注入を受けてその輸送を行うものである。
第１図の感光体を作成するには、まず導電性支持体上
に電荷発生物質を真空蒸着する、電荷発生物質の微
粒子を必要に応じて結着剤と混合分散して得られる分散
液を塗布し、乾燥する、電荷発生物質を適当な溶剤に
溶解した溶液を塗布し、乾燥する、などの手段により電
荷発生層を形成する。次にこの電荷発生層の上に式
（Ｉ）の化合物及び結着剤を含む溶液を塗布乾燥して電
荷輸送層を形成せしめることによって得られる。また必
要であれば、従来公知の電荷輸送能を有する物質を併用
してもよい。塗布は通常の手段、例えばドクターブレー
ド、ワイヤーバーなどを用いて行われる。
に電荷発生物質を真空蒸着する、電荷発生物質の微
粒子を必要に応じて結着剤と混合分散して得られる分散
液を塗布し、乾燥する、電荷発生物質を適当な溶剤に
溶解した溶液を塗布し、乾燥する、などの手段により電
荷発生層を形成する。次にこの電荷発生層の上に式
（Ｉ）の化合物及び結着剤を含む溶液を塗布乾燥して電
荷輸送層を形成せしめることによって得られる。また必
要であれば、従来公知の電荷輸送能を有する物質を併用
してもよい。塗布は通常の手段、例えばドクターブレー
ド、ワイヤーバーなどを用いて行われる。
電荷発生層の厚さは５μ以下で、好ましくは２μ以下
であり、電荷輸送層の厚さは３〜50μ、好ましくは５〜
20μである。また、電荷輸送層中への式（Ｉ）の化合物
の配合割合は10〜90重量％（以下単に「％」で示す）、
好ましくは30〜70％である。
であり、電荷輸送層の厚さは３〜50μ、好ましくは５〜
20μである。また、電荷輸送層中への式（Ｉ）の化合物
の配合割合は10〜90重量％（以下単に「％」で示す）、
好ましくは30〜70％である。
導電性支持体としてはアルミニウムなどの金属板、金
属箔若しくは金属管、アルミニウムなどの金属を蒸着し
たプラスチックフィルム、あるいは導電処理を施した紙
などが用いられる。結着剤としては、ポリエステル樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用
いられるが、なかでもポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂が好適である。
属箔若しくは金属管、アルミニウムなどの金属を蒸着し
たプラスチックフィルム、あるいは導電処理を施した紙
などが用いられる。結着剤としては、ポリエステル樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用
いられるが、なかでもポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂が好適である。
電荷発生物質としては、例えばアモルファスセレン、
セルン化砒素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン
などの無機材料、有機材料としては、例えばビスアゾ系
顔料；トリスアゾ系顔料；フタロシアニン系顔料；イン
ジゴ系顔料；ペリレン系顔料；スクアリウム系顔料；多
環キノン系顔料；ピリリウム系染料などがあげられるが
これらに限定されるものではなく、光を吸収して電荷を
発生させるものであればよい。
セルン化砒素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン
などの無機材料、有機材料としては、例えばビスアゾ系
顔料；トリスアゾ系顔料；フタロシアニン系顔料；イン
ジゴ系顔料；ペリレン系顔料；スクアリウム系顔料；多
環キノン系顔料；ピリリウム系染料などがあげられるが
これらに限定されるものではなく、光を吸収して電荷を
発生させるものであればよい。
第２図および第３図に本発明の写真感光体の他の例を
示す。すなわち第２図は導電性支持体１の上に電荷発生
物質の微粒子を結着剤と共に混合分散して得られる分散
溶液に、式（Ｉ）の化合物を均一に溶解させた塗液を塗
布、乾燥して作られた感光層５を設けてなるものであ
る。この場合の感光層の厚さは５〜50μであり、好まし
くは10〜25μである。また第３図は導電性支持体１の上
に、第１図の構成とは逆に式（Ｉ）の化合物を含有する
電荷輸送層を塗布し、その上に電荷発生層を塗布したも
のである。また、必要に応じて導電性支持体１と感光層
５の間に下引き層を設けてもよい。下引き層としては、
ポリアミド、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、カ
ゼイン、ニトロセルロース、ゼラチンなどが用いられ
る。下引き層の膜厚は0.1〜１μが好適である。
示す。すなわち第２図は導電性支持体１の上に電荷発生
物質の微粒子を結着剤と共に混合分散して得られる分散
溶液に、式（Ｉ）の化合物を均一に溶解させた塗液を塗
布、乾燥して作られた感光層５を設けてなるものであ
る。この場合の感光層の厚さは５〜50μであり、好まし
くは10〜25μである。また第３図は導電性支持体１の上
に、第１図の構成とは逆に式（Ｉ）の化合物を含有する
電荷輸送層を塗布し、その上に電荷発生層を塗布したも
のである。また、必要に応じて導電性支持体１と感光層
５の間に下引き層を設けてもよい。下引き層としては、
ポリアミド、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、カ
ゼイン、ニトロセルロース、ゼラチンなどが用いられ
る。下引き層の膜厚は0.1〜１μが好適である。
以上の如くして得られる本発明の感光体は、感度が極
めて高く、且つ可撓性に富み、帯電露光により特性が変
化せず、耐久性に富むなどの優れた特徴を有するもので
ある。
めて高く、且つ可撓性に富み、帯電露光により特性が変
化せず、耐久性に富むなどの優れた特徴を有するもので
ある。
本発明の感光体を市販の電子複写機を用いて帯電後、
原図を介して露光し静電潜像を形成せしめ現像剤を用い
て現像し、得られたトナー像を普通紙上に転写し定着し
たところ、原図に忠実な鮮明な複写画像が得られた。
原図を介して露光し静電潜像を形成せしめ現像剤を用い
て現像し、得られたトナー像を普通紙上に転写し定着し
たところ、原図に忠実な鮮明な複写画像が得られた。
次に合成例、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説
明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
合成例１ （１） ４′−ヨードビフェニル−４−カルボニトリル
〔化合物（IV）〕の合成： ４−シアノビフェニル17.9g（0.1モル）、メタ過ヨウ
素酸・二水和物5g（0.022モル）、ヨウ素13g（0.051モ
ル）、酢酸49ml、水10ml及び濃硫酸1.5mlを混合して70
℃にて一日撹拌した。
〔化合物（IV）〕の合成： ４−シアノビフェニル17.9g（0.1モル）、メタ過ヨウ
素酸・二水和物5g（0.022モル）、ヨウ素13g（0.051モ
ル）、酢酸49ml、水10ml及び濃硫酸1.5mlを混合して70
℃にて一日撹拌した。
得られた反応混合物を亜硫酸ソーダ水で洗浄し、300m
lのベンゼンで２回抽出した。得られたベンゼン層を飽
和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮す
ると24.5gの結晶が得られた。この結晶をエタノール−
酢酸エチル（5:1）mlより再結晶して、融点179〜181℃
の４′−ヨードビフェニル−４−カルボニトリルの結晶
18.5g（収率60.6％）を得た。
lのベンゼンで２回抽出した。得られたベンゼン層を飽
和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮す
ると24.5gの結晶が得られた。この結晶をエタノール−
酢酸エチル（5:1）mlより再結晶して、融点179〜181℃
の４′−ヨードビフェニル−４−カルボニトリルの結晶
18.5g（収率60.6％）を得た。
IR（CHCl3）;3010,2230（CN）,1610,1480,1385cm-1 1 H−NMR（400MHz,CDCl3）；δ 7.32（d,J＝8Hz,2H）,
7.64（d,J＝8Hz,2H）,7.72（d,J＝8Hz,2H）,7.81（d,J
＝8Hz,2H） MS;305,177,151,127,104,101,77,75,51 （２） ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルボニトリル〔化合物（Ｖ）〕の合成： ４′−ヨードビフェニル−４−カルボニトリル（IV）
11g（36.1ミリモル）、ジフェニルアミン5g（29.5ミリ
モル）、銅粉末2.3g（36.2ミリモル）、炭酸カリウム5g
（36.1ミリモル）及び少量のヨウ素を、100mlのテトラ
ヒドロチオフェン−1,1−ジオキシド中、180℃で５時間
反応させた。薄層クロマドグラフィーにてジフェニルア
ミンの消失を確認し、熱時にろ過して無機物を取除いた
後、ろ液を水に注ぎ、200mlのベンゼンにて３回抽出し
た。得られたベンゼン層を食塩水にて洗浄し、硫酸マグ
ネシウムにて乾燥した後、濃縮して、シリカゲルクロマ
トグラフィー（溶媒はベンゼン）に付し、6.5gの油状物
を得た。この油状物をエタノール200mlを用い結晶化さ
せると、融点141〜142℃の４′−（N,N−ジフェニルア
ミノ）ビフェニル−４−カルボニトリルの結晶4.17g
（収率40.8％）を得た。
7.64（d,J＝8Hz,2H）,7.72（d,J＝8Hz,2H）,7.81（d,J
＝8Hz,2H） MS;305,177,151,127,104,101,77,75,51 （２） ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルボニトリル〔化合物（Ｖ）〕の合成： ４′−ヨードビフェニル−４−カルボニトリル（IV）
11g（36.1ミリモル）、ジフェニルアミン5g（29.5ミリ
モル）、銅粉末2.3g（36.2ミリモル）、炭酸カリウム5g
（36.1ミリモル）及び少量のヨウ素を、100mlのテトラ
ヒドロチオフェン−1,1−ジオキシド中、180℃で５時間
反応させた。薄層クロマドグラフィーにてジフェニルア
ミンの消失を確認し、熱時にろ過して無機物を取除いた
後、ろ液を水に注ぎ、200mlのベンゼンにて３回抽出し
た。得られたベンゼン層を食塩水にて洗浄し、硫酸マグ
ネシウムにて乾燥した後、濃縮して、シリカゲルクロマ
トグラフィー（溶媒はベンゼン）に付し、6.5gの油状物
を得た。この油状物をエタノール200mlを用い結晶化さ
せると、融点141〜142℃の４′−（N,N−ジフェニルア
ミノ）ビフェニル−４−カルボニトリルの結晶4.17g
（収率40.8％）を得た。
IR（CHCl3）;3010,2225（CN）,1590,1490,1330cm-1 1 H−NMR（400MHz,CDCl3）；δ 7.05−7.10（m,2H）,7.
10−7.16（m,6H）,7.25−7.32（m,4H）,7.46（d,J＝8H
z,2H）,7.64−7.70（m,4H） MS;346,341,268,243,167,77 （３） ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルバルデヒド〔化合物（VI）〕の合成： ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４−
カルボニトリル（Ｖ）4.2g（12.12ミリモル）をテトラ
ヒドロフラン50mlに溶解し、氷浴にて冷却し、これにビ
トリッドの70％トルエン溶液1.8g（6.23ミリモル）を０
〜３℃に10分間かけ滴下した。反応を薄層クロマトグラ
フィーにて追跡し、ビトリッドがやや過剰となるように
ビトリッドを少量ずつ加え、反応を完結させた。この
後、５℃以下で４時間撹拌し、30％硫酸50mlを加えた。
室温で終夜撹拌し、40％水酸化ナトリウム水溶液で中和
し、200mlベンゼンにて３回抽出後、ベンゼン層を食塩
水で洗浄した。このベンゼン層を硫酸マグネシウムにて
乾燥し、濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィー（溶媒
はベンゼン）にかけ、3.36gの結晶が得られた。これを
酢酸エチル−エタノール（1:2）100mlより再結晶して融
点119℃の結晶2.4g（収率56.7％）を得た。
10−7.16（m,6H）,7.25−7.32（m,4H）,7.46（d,J＝8H
z,2H）,7.64−7.70（m,4H） MS;346,341,268,243,167,77 （３） ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルバルデヒド〔化合物（VI）〕の合成： ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４−
カルボニトリル（Ｖ）4.2g（12.12ミリモル）をテトラ
ヒドロフラン50mlに溶解し、氷浴にて冷却し、これにビ
トリッドの70％トルエン溶液1.8g（6.23ミリモル）を０
〜３℃に10分間かけ滴下した。反応を薄層クロマトグラ
フィーにて追跡し、ビトリッドがやや過剰となるように
ビトリッドを少量ずつ加え、反応を完結させた。この
後、５℃以下で４時間撹拌し、30％硫酸50mlを加えた。
室温で終夜撹拌し、40％水酸化ナトリウム水溶液で中和
し、200mlベンゼンにて３回抽出後、ベンゼン層を食塩
水で洗浄した。このベンゼン層を硫酸マグネシウムにて
乾燥し、濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィー（溶媒
はベンゼン）にかけ、3.36gの結晶が得られた。これを
酢酸エチル−エタノール（1:2）100mlより再結晶して融
点119℃の結晶2.4g（収率56.7％）を得た。
IR（CHCl3）;3020,1700（CHO）,1590,1520,1490cm-1 1 H−NMR（400MHz,CDCl3）；δ 7.05−7.10（m,2H）,7.
10−7.16（m,6H）,7.22−7.35（m,4H）,7.50（d,J＝8H
z,2H）,7.75（d,J＝8Hz,2H）,7.95（d,J＝8Hz,2H）,10.
05（s,1H） MS;349.320,243,167,141,77 （４） ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルバルデヒドメチルフェニルヒドラゾン〔化合
物（Ｉ−１）〕の合成： ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４−
カルバルデヒド（VI）500mg（1.43ミリモル）及びメチ
ルフェニルヒドラジン200mg（1.64ミリモル）をエタノ
ール20ml中で数滴の酢酸と共に３時間還流せしめた。得
られた反応混合物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶媒はベンゼン）に付し、620mgの結晶が
得られた。酢酸エチル−エタノール（1:1）40mlを用い
再結晶せしめると融点187℃の４′−（N,N−ジフェニル
アミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒドメチルフェニ
ルヒドラゾンの結晶580mg（収率89.4％）が得られた。
10−7.16（m,6H）,7.22−7.35（m,4H）,7.50（d,J＝8H
z,2H）,7.75（d,J＝8Hz,2H）,7.95（d,J＝8Hz,2H）,10.
05（s,1H） MS;349.320,243,167,141,77 （４） ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル
−４−カルバルデヒドメチルフェニルヒドラゾン〔化合
物（Ｉ−１）〕の合成： ４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニル−４−
カルバルデヒド（VI）500mg（1.43ミリモル）及びメチ
ルフェニルヒドラジン200mg（1.64ミリモル）をエタノ
ール20ml中で数滴の酢酸と共に３時間還流せしめた。得
られた反応混合物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶媒はベンゼン）に付し、620mgの結晶が
得られた。酢酸エチル−エタノール（1:1）40mlを用い
再結晶せしめると融点187℃の４′−（N,N−ジフェニル
アミノ）ビフェニル−４−カルバルデヒドメチルフェニ
ルヒドラゾンの結晶580mg（収率89.4％）が得られた。
IR（CHCl3）;3000,1590,1490,1380cm-1 1 H−NMR（400MHz,CDCl3）；δ 3.45（s,3H）,6.90−7.
00（m,1H）,7.00−7.05（m,2H）,7.10−7.20（m,5H）,
7.20−7.40（m,9H）,7.50−7.60（m,5H）,7.70−7.80
（m,2H） MS;453,346,320,266,227,168,152,141,106,91,77,65 合成例２ 合成例１と同様にして次の化合物を得た。
00（m,1H）,7.00−7.05（m,2H）,7.10−7.20（m,5H）,
7.20−7.40（m,9H）,7.50−7.60（m,5H）,7.70−7.80
（m,2H） MS;453,346,320,266,227,168,152,141,106,91,77,65 合成例２ 合成例１と同様にして次の化合物を得た。
実施例１ （ｉ） クロルシアンブルー0.2gを、ポリカーボネート
樹脂（三菱瓦斯化学株式会社製「ユーピロンＥ−200
0」）を５％含有するジクロルエタン溶液4gに混ぜ、ジ
クロルエタン20mlを加えたのち、振動ミルを用いて１μ
以下に粉砕して電荷担体発生顔料の分散液を作り、これ
をアルミニウムを蒸着したポリエステルフィルム上に、
ワイヤーバーを用いて塗布し、45℃で乾燥して、約１μ
の厚さに電荷担体発生層を作った。一方、化合物（Ｉ−
１）〜（Ｉ−４）のそれぞれ0.2gを上記ポリカーボネー
ト樹脂を10％含有するジクロロエタン溶液2gに溶解させ
て電荷輸送層形成液をつくり、これを上記電荷担体発生
層上にドクターブレードを用いて、乾燥時膜厚約20μに
なるように塗布し、80℃で２時間乾燥して、感光体を作
成した。
樹脂（三菱瓦斯化学株式会社製「ユーピロンＥ−200
0」）を５％含有するジクロルエタン溶液4gに混ぜ、ジ
クロルエタン20mlを加えたのち、振動ミルを用いて１μ
以下に粉砕して電荷担体発生顔料の分散液を作り、これ
をアルミニウムを蒸着したポリエステルフィルム上に、
ワイヤーバーを用いて塗布し、45℃で乾燥して、約１μ
の厚さに電荷担体発生層を作った。一方、化合物（Ｉ−
１）〜（Ｉ−４）のそれぞれ0.2gを上記ポリカーボネー
ト樹脂を10％含有するジクロロエタン溶液2gに溶解させ
て電荷輸送層形成液をつくり、これを上記電荷担体発生
層上にドクターブレードを用いて、乾燥時膜厚約20μに
なるように塗布し、80℃で２時間乾燥して、感光体を作
成した。
（ii） この感光体について静電複写紙試験装置「SP−
428型」（川口電機製作所製）をもちいてスタティック
方式により電子写真特性を測定した。すなわち、前記感
光体を、−6KVのコロナ放電を５秒間行って帯電せし
め、表面電位V0（単位−ボルト）を測定し、これを暗所
で５秒間保持した後、タングステンランプにより照度５
ルックスの光を照射し、表面電位を1/2及び1/6に減衰さ
せるに必要な露光量Ｅ1/2ルックス・秒）及びＥ1/6（ル
ックス・秒）、さらに照度５ルックスの光を10秒間照射
後の表面残留電位VR（−ボルト）を測定した。この結果
を後記第１表に示す。
428型」（川口電機製作所製）をもちいてスタティック
方式により電子写真特性を測定した。すなわち、前記感
光体を、−6KVのコロナ放電を５秒間行って帯電せし
め、表面電位V0（単位−ボルト）を測定し、これを暗所
で５秒間保持した後、タングステンランプにより照度５
ルックスの光を照射し、表面電位を1/2及び1/6に減衰さ
せるに必要な露光量Ｅ1/2ルックス・秒）及びＥ1/6（ル
ックス・秒）、さらに照度５ルックスの光を10秒間照射
後の表面残留電位VR（−ボルト）を測定した。この結果
を後記第１表に示す。
なお、比較化合物として特開昭54−150128号に開示さ
れている下記式の化合物を用い上記（ｉ）と同様な感光
体を製造し、（ii）と同様に試験した。この結果も第１
表に示す。
れている下記式の化合物を用い上記（ｉ）と同様な感光
体を製造し、（ii）と同様に試験した。この結果も第１
表に示す。
実施例２ ポリエステルフィルム上に蒸着したアルミニウム薄膜
上に、チタニウムフタロシアニンを10-6Torrで約0.8ミ
クロンの厚さに真空蒸着し、電荷発生層を形成した。10
％ポリカーボネート樹脂を含有するジクロロエタン溶液
2gに、化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）のそれぞれ0.2gを
溶解させてなる電荷輸送層形成液を電荷発生層の上にド
クターブレードを用いて乾燥時膜厚22ミクロンになるよ
うに塗布し、80℃,3時間乾燥して感光体を作成した。こ
の感光体について実施例１と同様にして測定した結果を
第２表に示す。
上に、チタニウムフタロシアニンを10-6Torrで約0.8ミ
クロンの厚さに真空蒸着し、電荷発生層を形成した。10
％ポリカーボネート樹脂を含有するジクロロエタン溶液
2gに、化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）のそれぞれ0.2gを
溶解させてなる電荷輸送層形成液を電荷発生層の上にド
クターブレードを用いて乾燥時膜厚22ミクロンになるよ
うに塗布し、80℃,3時間乾燥して感光体を作成した。こ
の感光体について実施例１と同様にして測定した結果を
第２表に示す。
第１〜３図は、本発明の電子写真感光体の一例を示す断
面説明図である。 １……導電性支持体、２……電荷発生物質、３……電荷
発生層、４……電荷輸送層、５……感光層。
面説明図である。 １……導電性支持体、２……電荷発生物質、３……電荷
発生層、４……電荷輸送層、５……感光層。
Claims (1)
- 【請求項１】導電性支持体上に、電荷発生物質と電荷輸
送物質を含む感光層を設けた電子写真感光体において、
電荷輸送物質として次の一般式（Ｉ） （式中、R1及びR2は同一又は異なる低級アルキル基、ベ
ンジル基又はフェニル基を示すか、または両者が結合し
て隣接する窒素原子と共に複素環を形成してもよい） で表される４′−（N,N−ジフェニルアミノ）ビフェニ
ル−４−カルバルデヒドヒドラゾン誘導体を含有するこ
とを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094497A JP2528710B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094497A JP2528710B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272571A JPH02272571A (ja) | 1990-11-07 |
| JP2528710B2 true JP2528710B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=14111943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1094497A Expired - Lifetime JP2528710B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2528710B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2529033B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1996-08-28 | 三田工業株式会社 | ヒドラゾン系化合物およびそれを用いた感光体 |
| JPH05273772A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-10-22 | Mita Ind Co Ltd | ヒドラゾン系化合物およびそれを用いた感光体 |
| US5688703A (en) * | 1995-09-05 | 1997-11-18 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a gate structure for a metal semiconductor field effect transistor |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1094497A patent/JP2528710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02272571A (ja) | 1990-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4568623A (en) | Photoconductive compositions containing novel disazo compounds and electrophotographic photoreceptors using the same | |
| KR960001242B1 (ko) | 1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔 유도체의 제조방법 및 이를 사용하는 전자사진 감광재 | |
| US4869988A (en) | Photoconductive imaging members with N,N-bis(biarylyl)aniline, or tris(biarylyl)amine charge transporting components | |
| JP3412348B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH03203739A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2685229B2 (ja) | 感光体 | |
| JP2528710B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH10260540A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH10282698A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2572650B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2733716B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH09138512A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0743918A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2988055B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH05100456A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH05119489A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0230501B2 (ja) | ||
| US5721082A (en) | Electrophotographic photoreceptor containing amine compound | |
| JPH09297415A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2660593B2 (ja) | フェロセンカルバルデヒドヒドラゾン誘導体及びこれを含有する電子写真感光体 | |
| JP5309122B2 (ja) | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置 | |
| JP2852956B2 (ja) | ヒドラゾン誘導体及びこれを含有する電子写真感光体 | |
| JP3225714B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0256657B2 (ja) | ||
| JP3460756B2 (ja) | 電子写真感光体 |