JPH11322719A - 含窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化合物 - Google Patents
含窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化合物Info
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- JPH11322719A JPH11322719A JP10129335A JP12933598A JPH11322719A JP H11322719 A JPH11322719 A JP H11322719A JP 10129335 A JP10129335 A JP 10129335A JP 12933598 A JP12933598 A JP 12933598A JP H11322719 A JPH11322719 A JP H11322719A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】含窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化
合物を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ）で表わされる芳香族三級アミ
ン化合物。 【化１】 式中、（Ａ）および（Ｂ）はエチレン、ビニレン又は、
ｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 〜Ｒ9 は水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、Ｎ−アルキル
−Ｎ−アリールアミノ基又はジアリールアミノ基を表わ
す。ｌ、ｍ、およびｎは１ないし４の整数を表わし、ｐ
は０ないし２の整数を表わす。
合物を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ）で表わされる芳香族三級アミ
ン化合物。 【化１】 式中、（Ａ）および（Ｂ）はエチレン、ビニレン又は、
ｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 〜Ｒ9 は水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、Ｎ−アルキル
−Ｎ−アリールアミノ基又はジアリールアミノ基を表わ
す。ｌ、ｍ、およびｎは１ないし４の整数を表わし、ｐ
は０ないし２の整数を表わす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は芳香族三級アミン化
合物に関する。詳しくは有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）材料又は電子写真用材料等に有用な分子内に含
窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化合物に関す
る。
合物に関する。詳しくは有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）材料又は電子写真用材料等に有用な分子内に含
窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化合物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】バンスライクおよびタンらは例えば米国
特許第４，５３９，５０７号、同第４，７２０，４３２
号、特開平５−２３４，６８１号においてフェニル基、
フェニレン基、又はビフェニレン基を含む芳香族三級ア
ミンを内部接合有機ＥＬ装置の正孔注入・輸送帯域に使
用すると光出力の安定性が向上し、それによって動作寿
命が延びることを明らかにした。その後更なる光出力の
安定性を計るためにこの正孔注入輸送帯域に用いる芳香
族三級アミンの改良は多くの研究者により試みられ、多
くの特許出願および学術文献への報告がなされている。
その例をあげればビフェニル系の三級アミンに関して J
apanese Journal of Applied Physics,27,L269(1988)、
特開昭５９−１９４３９３号、Appl.Phys.Lett.66,2679
(1995)、特開平５−２３４６８１号、同７−３３１２３
８号、同８−４８６５６号、ＷＯ９５／０９１４７号お
よび特開平１０−２５４７３号など、スダーバースト系
の三級アミンに関して、Appl.Phys.Lett.65,807(1994)
、特公平７−１１０９４０号などがある。
特許第４，５３９，５０７号、同第４，７２０，４３２
号、特開平５−２３４，６８１号においてフェニル基、
フェニレン基、又はビフェニレン基を含む芳香族三級ア
ミンを内部接合有機ＥＬ装置の正孔注入・輸送帯域に使
用すると光出力の安定性が向上し、それによって動作寿
命が延びることを明らかにした。その後更なる光出力の
安定性を計るためにこの正孔注入輸送帯域に用いる芳香
族三級アミンの改良は多くの研究者により試みられ、多
くの特許出願および学術文献への報告がなされている。
その例をあげればビフェニル系の三級アミンに関して J
apanese Journal of Applied Physics,27,L269(1988)、
特開昭５９−１９４３９３号、Appl.Phys.Lett.66,2679
(1995)、特開平５−２３４６８１号、同７−３３１２３
８号、同８−４８６５６号、ＷＯ９５／０９１４７号お
よび特開平１０−２５４７３号など、スダーバースト系
の三級アミンに関して、Appl.Phys.Lett.65,807(1994)
、特公平７−１１０９４０号などがある。
【０００３】電子写真用材料としても芳香族三級アミン
は重要であり、正孔輸送材への利用が特許出願されてお
り、例えば特開昭５８−３２３７２号、同６３−２３５
９４６号、特開平１−１４２６５７号があげられる。そ
して、既に小型の普通紙コピー機には芳香族三級アミン
化合物が実用されており、安価なコピー機の普及に貢献
している。このような従来公知の芳香族三級アミンの代
表例としては次式で示すものがあげられる。
は重要であり、正孔輸送材への利用が特許出願されてお
り、例えば特開昭５８−３２３７２号、同６３−２３５
９４６号、特開平１−１４２６５７号があげられる。そ
して、既に小型の普通紙コピー機には芳香族三級アミン
化合物が実用されており、安価なコピー機の普及に貢献
している。このような従来公知の芳香族三級アミンの代
表例としては次式で示すものがあげられる。
【０００４】
【化２】
【０００５】このように芳香族三級アミンは有機ＥＬ材
料や電子写真用材料として有用であるが、無機材料に比
べると未だ熱・光安定性に劣り、その改良は、引き続き
大きな研究課題となっている。この点について有機ＥＬ
材料について詳しく説明すれば、素子に真空蒸着された
これまでの芳香族三級アミンは膜質の安定性が不十分で
あるため、経時により結晶化が起こったり、駆動時の発
熱による素子温度の上昇でそれが促進されて膜質が変化
し、発光効率の低下と、ダークスポットとよばれる非発
光部分の発生・増加および定電流駆時の電圧上昇となり
素子の破壊へと進む。従って安定な膜質を形成する芳香
族三級アミンの開発が望まれている。
料や電子写真用材料として有用であるが、無機材料に比
べると未だ熱・光安定性に劣り、その改良は、引き続き
大きな研究課題となっている。この点について有機ＥＬ
材料について詳しく説明すれば、素子に真空蒸着された
これまでの芳香族三級アミンは膜質の安定性が不十分で
あるため、経時により結晶化が起こったり、駆動時の発
熱による素子温度の上昇でそれが促進されて膜質が変化
し、発光効率の低下と、ダークスポットとよばれる非発
光部分の発生・増加および定電流駆時の電圧上昇となり
素子の破壊へと進む。従って安定な膜質を形成する芳香
族三級アミンの開発が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明は物
理的変化、光学的変化および電気化学的変化の点で安定
性の高い新規な芳香族三級アミン化合物を提供すること
を目的とする。
理的変化、光学的変化および電気化学的変化の点で安定
性の高い新規な芳香族三級アミン化合物を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は一般式
（Ｉ）で表わされる芳香族三級アミン化合物によって達
成された。
（Ｉ）で表わされる芳香族三級アミン化合物によって達
成された。
【０００８】
【化３】
【０００９】（式中、（Ａ）および（Ｂ）はエチレン、
ビニレン又は、ｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 〜Ｒ9
は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ
基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基又はジアリー
ルアミノ基を表わす。ｌ、ｍ、およびｎは１ないし４の
整数を表わし、ｐは０ないし２の整数を表わす。）
ビニレン又は、ｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 〜Ｒ9
は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ
基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基又はジアリー
ルアミノ基を表わす。ｌ、ｍ、およびｎは１ないし４の
整数を表わし、ｐは０ないし２の整数を表わす。）
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一般式（Ｉ）で表
わされる化合物について詳しく説明する。一般式（Ｉ）
における（Ａ）および（Ｂ）はエチレン、ビニレン又は
ｏ−アリーレン基を表わすが、これらは置換又は無置換
の基である。これらの基について無置換の基について具
体例を示せば例えば下記の基である。
わされる化合物について詳しく説明する。一般式（Ｉ）
における（Ａ）および（Ｂ）はエチレン、ビニレン又は
ｏ−アリーレン基を表わすが、これらは置換又は無置換
の基である。これらの基について無置換の基について具
体例を示せば例えば下記の基である。
【００１１】
【化４】
【００１２】（Ａ）および（Ｂ）について好ましくは置
換もしくは無置換のビニレン又はｏ−フェニレン基であ
る。
換もしくは無置換のビニレン又はｏ−フェニレン基であ
る。
【００１３】（Ａ）および（Ｂ）が置換基を有する場
合、有してもよい置換基は後述するＲ 1 〜Ｒ9 が有して
もよい置換基と同義の置換基である。
合、有してもよい置換基は後述するＲ 1 〜Ｒ9 が有して
もよい置換基と同義の置換基である。
【００１４】次に一般式（Ｉ）におけるＲ1 〜Ｒ9 につ
いて説明する。Ｒ1 〜Ｒ9 は水素原子、ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の、アルキル、アリール、アルコキ
シ、アリールオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル
−Ｎ−アリールアミノ、又はジアリールアミノ基を表わ
すが、詳しくは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素か
ら選ばれるハロゲン原子、無置換の基について言えば炭
素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜３６のアリール
基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜３６の
アリールオキシ基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ
基、炭素数７〜４２のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミ
ノ基又は炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基であ
る。
いて説明する。Ｒ1 〜Ｒ9 は水素原子、ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の、アルキル、アリール、アルコキ
シ、アリールオキシ、ジアルキルアミノ、Ｎ−アルキル
−Ｎ−アリールアミノ、又はジアリールアミノ基を表わ
すが、詳しくは、フッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素か
ら選ばれるハロゲン原子、無置換の基について言えば炭
素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜３６のアリール
基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜３６の
アリールオキシ基、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ
基、炭素数７〜４２のＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミ
ノ基又は炭素数１２〜４８のジアリールアミノ基であ
る。
【００１５】ハロゲン原子以外の基をより具体的に示せ
ば、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−
ブチル、ｎ−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、など
のアルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニル、
フェナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセ
ニルもしくはペンタフェニルなどのアリール基、メトキ
シ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、
シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくはドデ
シルオキシなどのアルコキシ基、フェノキシ、ナフトキ
シ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシなどの
アリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジブチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはＮ−エチル
−Ｎ−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニル
アミノ、Ｎ−イソプロピル−Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）アミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）アミ
ノ、もしくはＮ−ブチル−Ｎ−（１−ナフタセニル）ア
ミノなどのＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−アントラセニ
ル）アミノ、もしくはＮ−（１−アントラセニル）−Ｎ
−（１−フェナントレニル）アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
ば、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−
ブチル、ｎ−ドデシル、もしくはシクロヘキシル、など
のアルキル基、フェニル、ナフチル、アントラセニル、
フェナントレニル、ピレニル、ナフタセニル、ペンタセ
ニルもしくはペンタフェニルなどのアリール基、メトキ
シ、エトキシ、イソプロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、
シクロヘキシルオキシ、オクチルオキシ、もしくはドデ
シルオキシなどのアルコキシ基、フェノキシ、ナフトキ
シ、アントラセノキシ、もしくはペンタセノキシなどの
アリールオキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、
ジブチルアミノ、ジオクチルアミノもしくはＮ−エチル
−Ｎ−ブチルアミノなどのジアルキルアミノ基、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニル
アミノ、Ｎ−イソプロピル−Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）アミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）アミ
ノ、もしくはＮ−ブチル−Ｎ−（１−ナフタセニル）ア
ミノなどのＮ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、又
は、ジフェニルアミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（１−ナフ
チル）アミノ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−アントラセニ
ル）アミノ、もしくはＮ−（１−アントラセニル）−Ｎ
−（１−フェナントレニル）アミノなどのジアリールア
ミノ基である。
【００１６】これらの基が置換基を有する場合、その置
換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カル
ボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、アニ
リノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミ
ノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモ
イル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテ
ロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイル
オキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル
アミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル
基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、アシ
ル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、
ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カル
ボキシ基、スルホ基、アミノ基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アシルアミノ基、アルキルアミノ基、アニ
リノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニルアミ
ノ基、スルホンアミド基、カルバモイル基、スルファモ
イル基、スルホニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテ
ロ環オキシ基、アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイル
オキシ基、シリルオキシ基、アリールオキシカルボニル
アミノ基、イミド基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル
基、ホスホニル基、アリールオキシカルボニル基、アシ
ル基、シリル基又はアゾリル基があげられる。
【００１７】Ｒ1 〜Ｒ9 は、好ましくは水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミ
ノ基又はジアリールアミノ基であり、特に好ましくは、
アルキル基又はジアリールアミノ基である。
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミ
ノ基又はジアリールアミノ基であり、特に好ましくは、
アルキル基又はジアリールアミノ基である。
【００１８】Ｒ1 〜Ｒ9 が水素原子以外の基の場合、Ｒ
1 〜Ｒ9 で表わされる基が同一ベンゼン環上に１個だけ
置換しているとは限らず、同一又は異なる置換基が複数
個（例えば２〜４個）存在していてもよい。その場合隣
り同志の基が互いに結合して、飽和もしくは不飽和（芳
香族環など）の環を形成してもよい。
1 〜Ｒ9 で表わされる基が同一ベンゼン環上に１個だけ
置換しているとは限らず、同一又は異なる置換基が複数
個（例えば２〜４個）存在していてもよい。その場合隣
り同志の基が互いに結合して、飽和もしくは不飽和（芳
香族環など）の環を形成してもよい。
【００１９】ｌ、ｍ、およびｎは１ないし４の整数を表
わすが、好ましくは２である。
わすが、好ましくは２である。
【００２０】ｐは０ないし２の整数を表すが、好ましく
は０又は１である。
は０又は１である。
【００２１】次に本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化
合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
【００２２】
【化５】
【００２３】
【化６】
【００２４】
【化７】
【００２５】次に本発明の化合物の合成法について以下
説明する。代表的合成法を（スキーム１）および（スキ
ーム２）に示した。（スキーム１）の第一工程は、金属
銅触媒と塩基を用いるウルマン型反応を基本とした合成
法であり（米国特許第４，７６４，６２５号参照、最終
工程はニッケル又はパラジウム金属触媒を用いたクロス
カップリング反応を用いた合成法である（日本化学会編
「第４版 実験化学講座 第２５巻、３８９頁、１９９
１年、丸善）。（スキーム２）はウルマン型反応を利用
した合成法である。
説明する。代表的合成法を（スキーム１）および（スキ
ーム２）に示した。（スキーム１）の第一工程は、金属
銅触媒と塩基を用いるウルマン型反応を基本とした合成
法であり（米国特許第４，７６４，６２５号参照、最終
工程はニッケル又はパラジウム金属触媒を用いたクロス
カップリング反応を用いた合成法である（日本化学会編
「第４版 実験化学講座 第２５巻、３８９頁、１９９
１年、丸善）。（スキーム２）はウルマン型反応を利用
した合成法である。
【００２６】
【化８】
【００２７】
【化９】
【００２８】上記合成法の原料であるベンゾアゼピンの
合成は、B.Renfroe, C.Harrington,G.R.Proctor "The C
hemistry of Heterocyclic Compounds" Vol. ４３、Par
t１、１９８４、John Wiley & Sons Inc.および H.C.Ax
tell et al., J.Org.Chem.,５６、３９０６（１９９
１）に記載の方法に基づき行なうことができる。
合成は、B.Renfroe, C.Harrington,G.R.Proctor "The C
hemistry of Heterocyclic Compounds" Vol. ４３、Par
t１、１９８４、John Wiley & Sons Inc.および H.C.Ax
tell et al., J.Org.Chem.,５６、３９０６（１９９
１）に記載の方法に基づき行なうことができる。
【００２９】一般式（Ｉ）で表わされる化合物の精製は
シリカゲルカラムクロマトグラフィと再結晶法、更に必
要なら昇華法により行なわれる。
シリカゲルカラムクロマトグラフィと再結晶法、更に必
要なら昇華法により行なわれる。
【００３０】
【実施例】以下に実施例に基づき本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものでは
ない。
【００３１】＜実施例１＞（例示化合物（１）の合成） ５Ｈ−ジベンズ〔ｂ，ｆ〕アゼピン、８．７ｇ（４５mm
ol）、ジブロモベンゼン、２１．２ｇ（９０mmol）、水
酸化カリウム、５．０ｇ（９０mmol）、および銅粉４．
８ｇ（７５mmol）をデカリン３０mlと混合し、窒素気流
下、外温２００℃で４０時間加熱攪拌した。反応液を室
温近くに戻した後、クロロホルムを加え不溶物を除くた
めセライトろ過し、ろ液を濃縮した。デカリンを除くた
め残渣にｎ−ヘキサンを加え、固形物をろ過し、得られ
た固形物のメタノール晶析により５−（４−ブロモフェ
ニル）−５Ｈ−ジベンズ〔ｂ，ｆ〕アゼピン(A) を含む
結晶を得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィで精製することにより、ほぼ純粋な(A) を３．９ｇ
（収率２５％）得た。次に（Ａ）３．６ｇ（１０．４mm
ol) をテトラヒドロフラン（THF)４０mlに溶かし、窒素
気流下−７８℃に冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウ
ムヘキサン溶液を６．４ml（１０．４mmol) 注射器で加
えた。しばらく攪拌後、ホウ酸トリメチル１．１ｇ（１
０．４mmol）のTHF 溶液を滴下し、徐々に室温にもど
し、さらに約２時間反応させた。次に希硫酸を０℃で加
え、加水分解した。酢酸エチルを抽出し、後処理・濃縮
するとボロン酸の固体が得られた。この粗ボロン酸にト
ルエン１００mlと２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液２３ml
（４６mmol) を加え、テトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム０．１ｇ（０．０８７mmol) を添加した。
更に４、４´−ジブロモトリフェニルアミン１．９ｇ
（４．８mmol) を加え、窒素気流下加熱還流した。約１
０時間後反応液を室温に戻し、水を加えると結晶が折出
したので濾過し、メタノールで洗浄した。粗結晶をシリ
カゲルクロマトグラフィで精製し、更に再結晶にて精製
することにより例示化合物(1) を２．４ｇ（６５％）得
ることができた。融点約２７５℃。
ol）、ジブロモベンゼン、２１．２ｇ（９０mmol）、水
酸化カリウム、５．０ｇ（９０mmol）、および銅粉４．
８ｇ（７５mmol）をデカリン３０mlと混合し、窒素気流
下、外温２００℃で４０時間加熱攪拌した。反応液を室
温近くに戻した後、クロロホルムを加え不溶物を除くた
めセライトろ過し、ろ液を濃縮した。デカリンを除くた
め残渣にｎ−ヘキサンを加え、固形物をろ過し、得られ
た固形物のメタノール晶析により５−（４−ブロモフェ
ニル）−５Ｈ−ジベンズ〔ｂ，ｆ〕アゼピン(A) を含む
結晶を得た。この結晶をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィで精製することにより、ほぼ純粋な(A) を３．９ｇ
（収率２５％）得た。次に（Ａ）３．６ｇ（１０．４mm
ol) をテトラヒドロフラン（THF)４０mlに溶かし、窒素
気流下−７８℃に冷却し、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウ
ムヘキサン溶液を６．４ml（１０．４mmol) 注射器で加
えた。しばらく攪拌後、ホウ酸トリメチル１．１ｇ（１
０．４mmol）のTHF 溶液を滴下し、徐々に室温にもど
し、さらに約２時間反応させた。次に希硫酸を０℃で加
え、加水分解した。酢酸エチルを抽出し、後処理・濃縮
するとボロン酸の固体が得られた。この粗ボロン酸にト
ルエン１００mlと２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液２３ml
（４６mmol) を加え、テトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム０．１ｇ（０．０８７mmol) を添加した。
更に４、４´−ジブロモトリフェニルアミン１．９ｇ
（４．８mmol) を加え、窒素気流下加熱還流した。約１
０時間後反応液を室温に戻し、水を加えると結晶が折出
したので濾過し、メタノールで洗浄した。粗結晶をシリ
カゲルクロマトグラフィで精製し、更に再結晶にて精製
することにより例示化合物(1) を２．４ｇ（６５％）得
ることができた。融点約２７５℃。
【００３２】＜実施例２＞（例示化合物（２）の合成） 出発原料を９Ｈ−トリベンズ〔ｂ，ｄ，ｆ〕アゼピン
（J.Org.Chem, 56. 3906(1991)に基づき合成）を等モル
で置き換える以外は実施例１と全く同様にしてまず９−
（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−トリベンズ〔ｂ，ｄ，
ｆ〕アゼピン（Ｂ）を収率３０％で得ることができた。
更に（Ａ）の代わりに（Ｂ）を等モル量用いる以外は全
く同様の方法でボロン酸を合成し４、４´−ジブロモト
リフェニルアミンとクロスカップリングすることにより
例示化合物(2) を収率６０％で得ることができた。融点
３００℃以上。
（J.Org.Chem, 56. 3906(1991)に基づき合成）を等モル
で置き換える以外は実施例１と全く同様にしてまず９−
（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−トリベンズ〔ｂ，ｄ，
ｆ〕アゼピン（Ｂ）を収率３０％で得ることができた。
更に（Ａ）の代わりに（Ｂ）を等モル量用いる以外は全
く同様の方法でボロン酸を合成し４、４´−ジブロモト
リフェニルアミンとクロスカップリングすることにより
例示化合物(2) を収率６０％で得ることができた。融点
３００℃以上。
【００３３】＜実施例３＞（例示化合物（３）の合成） ５Ｈ−ジベンズ〔ｂ，ｆ〕アゼピン１０．０ｇ（５２mm
ol) 、４，４′−ジヨードビフェニル４２．２ｇ（１０
４mmol) 、水酸化カリウム５．８ｇ（１０４mmol) およ
び銅粉５．５ｇ（５２mmol) をデカリン１００mlと混合
し、窒素気流下、外温２００℃で２０時間加熱攪拌し
た。反応液を５０℃近辺に冷却後クロロホルムを加え、
不溶物を除くためセライト濾過し、濾液を濃縮した。デ
カリンを除くため残渣にｎ−ヘキサンを加え、固形物を
濾過し、得られた固形物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製することにより、５−（４′−ヨード−
４−ビフェニルイル）−５Ｈ−ジベンズ〔ｂ，ｆ〕アゼ
ピン（Ｃ）を９．８ｇ（４０％）得ることができた。次
に（Ｃ）５．０ｇ（１０．６mmol) 、Ｎ，Ｎ′−ジフェ
ニルベンジジン１．４ｇ（４．２mmol) 、水酸化カリウ
ム０．９４ｇ（１６．８mmol) および銅粉１．０ｇ（１
６．０mmol) をデカリン３０mlと混合し、窒素気流下、
外温２００℃で約４０時間加熱攪拌した。反応液を冷却
後クロロホルムを加え、不溶物を除くためセライト濾過
し、濾液を濃縮した。デカリンを除くため残渣にｎ−ヘ
キサンを加え、固形物を濾過し、得られた固形物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶（テトラ
ヒドロフラン／メタノール系より）で精製することによ
り、例示化合物（３）を１．５ｇ（３５％）得ることが
できた。融点約２９５℃。
ol) 、４，４′−ジヨードビフェニル４２．２ｇ（１０
４mmol) 、水酸化カリウム５．８ｇ（１０４mmol) およ
び銅粉５．５ｇ（５２mmol) をデカリン１００mlと混合
し、窒素気流下、外温２００℃で２０時間加熱攪拌し
た。反応液を５０℃近辺に冷却後クロロホルムを加え、
不溶物を除くためセライト濾過し、濾液を濃縮した。デ
カリンを除くため残渣にｎ−ヘキサンを加え、固形物を
濾過し、得られた固形物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製することにより、５−（４′−ヨード−
４−ビフェニルイル）−５Ｈ−ジベンズ〔ｂ，ｆ〕アゼ
ピン（Ｃ）を９．８ｇ（４０％）得ることができた。次
に（Ｃ）５．０ｇ（１０．６mmol) 、Ｎ，Ｎ′−ジフェ
ニルベンジジン１．４ｇ（４．２mmol) 、水酸化カリウ
ム０．９４ｇ（１６．８mmol) および銅粉１．０ｇ（１
６．０mmol) をデカリン３０mlと混合し、窒素気流下、
外温２００℃で約４０時間加熱攪拌した。反応液を冷却
後クロロホルムを加え、不溶物を除くためセライト濾過
し、濾液を濃縮した。デカリンを除くため残渣にｎ−ヘ
キサンを加え、固形物を濾過し、得られた固形物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶（テトラ
ヒドロフラン／メタノール系より）で精製することによ
り、例示化合物（３）を１．５ｇ（３５％）得ることが
できた。融点約２９５℃。
【００３４】＜実施例４＞（例示化合物（４）の合成） 出発原料を９Ｈ−トリベンズ〔ｂ，ｄ，ｆ〕アゼピン
（J.Org.Chem.56. 3906(1991) に基づき合成）を等モル
で置き換える以外は実施例３と全く同様にしてまず、９
−（４′−ヨード−４−ビフェニルイル）−９Ｈ−トリ
ベンズ〔ｂ，ｄ，ｆ〕アゼピン（Ｄ）を収率４５％で得
ることができた。更に（Ｃ）の代わりに（Ｄ）を等モル
量用いる以外は全く同様の方法で例示化合物（４）を収
率３０％で得ることができた。融点３００℃以上。
（J.Org.Chem.56. 3906(1991) に基づき合成）を等モル
で置き換える以外は実施例３と全く同様にしてまず、９
−（４′−ヨード−４−ビフェニルイル）−９Ｈ−トリ
ベンズ〔ｂ，ｄ，ｆ〕アゼピン（Ｄ）を収率４５％で得
ることができた。更に（Ｃ）の代わりに（Ｄ）を等モル
量用いる以外は全く同様の方法で例示化合物（４）を収
率３０％で得ることができた。融点３００℃以上。
【００３５】
【発明の効果】本発明の芳香族三級アミン化合物は融点
及びガラス転移点が高く、熱安定性に優れ、有機ＥＬ用
材料の正孔輸送材として有用である。本発明の新規な分
子内にベンゾアゼピン骨格を有する芳香族三級アミン化
合物は真空蒸着法等の手段によって、常温で安定なアモ
ルファスの薄膜を形成し、それ自体で大面積に薄膜化さ
せることが可能である。しかも本発明の化合物は融点及
びガラス転移点が高くそのアモルファス膜は耐熱性にす
ぐれ安定である。このような化合物を薄膜化し、有機Ｅ
Ｌ素子の正孔輸送層用の材料として用いることにより、
従来より長時間の発光に耐えうる寿命の長い有機ＥＬ素
子の設計が可能になった。更に本発明の化合物は電子写
真用キャリア輸送材としても優れた性能を有するので、
その大幅な性能改良を可能とした。
及びガラス転移点が高く、熱安定性に優れ、有機ＥＬ用
材料の正孔輸送材として有用である。本発明の新規な分
子内にベンゾアゼピン骨格を有する芳香族三級アミン化
合物は真空蒸着法等の手段によって、常温で安定なアモ
ルファスの薄膜を形成し、それ自体で大面積に薄膜化さ
せることが可能である。しかも本発明の化合物は融点及
びガラス転移点が高くそのアモルファス膜は耐熱性にす
ぐれ安定である。このような化合物を薄膜化し、有機Ｅ
Ｌ素子の正孔輸送層用の材料として用いることにより、
従来より長時間の発光に耐えうる寿命の長い有機ＥＬ素
子の設計が可能になった。更に本発明の化合物は電子写
真用キャリア輸送材としても優れた性能を有するので、
その大幅な性能改良を可能とした。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）で表わされる芳香族三級ア
ミン化合物。 【化１】 （式中、（Ａ）および（Ｂ）はエチレン、ビニレン又
は、ｏ−アリーレン基を表わす。Ｒ1 〜Ｒ9 は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、Ｎ−ア
ルキル−Ｎ−アリールアミノ基又はジアリールアミノ基
を表わす。ｌ、ｍ、およびｎは１ないし４の整数を表わ
し、ｐは０ないし２の整数を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129335A JPH11322719A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 含窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10129335A JPH11322719A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 含窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322719A true JPH11322719A (ja) | 1999-11-24 |
Family
ID=15007071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10129335A Pending JPH11322719A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 含窒素７員環構造を有する芳香族三級アミン化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11322719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008115247A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Nagoya City | ジベンズアゼピン共重合体 |
-
1998
- 1998-05-12 JP JP10129335A patent/JPH11322719A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008115247A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Nagoya City | ジベンズアゼピン共重合体 |
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