JPH10506747A - 電気化学発光装置 - Google Patents

電気化学発光装置

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JPH10506747A JP8503408A JP50340896A JPH10506747A JP H10506747 A JPH10506747 A JP H10506747A JP 8503408 A JP8503408 A JP 8503408A JP 50340896 A JP50340896 A JP 50340896A JP H10506747 A JPH10506747 A JP H10506747A
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Abstract

(57)【要約】 2つの電極に接触している複合材料を含む電気化学発光装置が、開示される。複合材料は、イオン種と「不動」半導体との混加物である。半導体は、両方(p型およびn型)キャリアを支持し、可逆的な電気化学酸化および還元による制御された方法で、動的に変化し得るドーピングプロファイルを有することが可能である。この構造を有する装置は、電気化学的に誘発されたpn接合を生成するために用いられ得、それによって、印加電圧下でこのような接合の発光特性を利用する新規の手段を提供する。これらの装置を用いる有用なレベルの光を生成するためのシステムおよび方法もまた、開示される。

Description

【発明の詳細な説明】 電気化学発光装置 発明の分野 本発明は、電気化学発光装置および有用なレベルの光を生成するためのその使 用、特に、発光装置がイオン種および半導体からなる複合層を備えるような装置 に関する。 発明の背景 半導体発光ダイオードは、印加電圧下で発光するように特別に製造されたpn 接合である。従来の無機物半導体装置において、pn接合は、結晶の一部にp型 と呼ばれる正に帯電されたキャリアがドープされ、他の部分にn型と呼ばれる負 に帯電されたキャリアがドープされるように形成された単結晶半導体からなる。 それらの化学組成が静的すなわち母体結晶の定位置に固定されていて、そしてそ れ故に、ドーピングプロファイルが静的すなわち母体結晶の定位置に固定されて いることが、すべてのこのような接合の基本的な特徴である。装置の動作の間、 電荷キャリアは、接合領域の外側の電気的接触によって接合に注入または接合か ら除去される。n型領域とp型領域との間の遷移が比較的狭い階段接合は、典型 的に、固体の不純物(例えば金属)を半導体と合金にすることによって、または 多くのエピタキシャル成長技術うちの1つによって結晶性半導体基板上に製造さ れる。遷移領域が比較的広い傾斜接合は、不純物の拡散または不純物の母体半導 体へのイオン注入によって製造される。これらの技術的に要求の多い製造プロセ スのため、大面積表示装置を製造するのは困難かつ高価である。さらに、このよ うな装置は本来脆く、有機、特にポリマー材料に通常付随する機械的および加工 上の利点を欠いている。これらの理由により、長年にわたり、発光ダイオードの 活性(発光)構成要素として使用される適切な有機材料の開発に対して大きな関 心が寄せられてきた。 ごく最近、多数の研究者が、サンドイッチ構造装置における活性発光層として 有機材料を用いる電気発光装置を開示している。例えば、米国特許第4,539,507 号のS.A.Van Slyke and C.W.Tangが、2つのコンタクトの間に挟まれた、小さな 有機分子の2つの真空昇華した膜の二層からなる装置を開示し、米国特許第5,24 7,190号のR.H.Friendらが、2つのコンタクトの間に挟まれた、少なくとも1つ の共役ポリマーを含む密度の高いポリマー薄膜からなる装置を開示した。これら は電界駆動装置であるので、活性電気発光層は非常に薄く(厚さが約1000オ ングストローム以下)かつ均一でなくてはならない。これらの装置において、金 属半導体界面研究において公知のプロセスによって、過度の電荷キャリアがコン タクトを介して発光半導体層に注入される[例えば、M.A.Lampert and P.Mark ,Current Injection in Solids,Academic Press,NY,1970を参照]。一方のコ ンタクトでの電子および他方のコンタクトでの正孔の注入を容易にするために、 コンタクトには異なる金属が用いられた。その結果、これらの装置の電流−電圧 特性曲線は、ダイオードの応答に典型的な曲線と同様に、印加された電圧の極性 に関して明白な非対称性を示す。従って、このような装置の整流率は高く、典型 的には103より大きく、光は印加された電圧の1つの極性に対してのみ発光す る。他の欠点の中には、S.A.Van Slyke and C.W.TangおよびFriendらによっ て開示された装置は、低駆動電圧で効率的な光出力を生成するために、活性層に 十分な数の電子を注入するように比較的低い仕事関数の金属を用いる必要がある ことから損害を受ける。このような金属は簡単に酸化するので、周囲の状況にお いて装置の劣化の原因となり、保護のためのパッケージングが必要である。 電気化学は、n型およびp型キャリアを多数の半導体に可逆的にドープする便 利な手段を提供する。このキャリア注入機構は、S.A.Van Slyke and C.W.Tangお よびFriendらによって開示されるサンドイッチ構造電気発光装置とは物理的に区 別される。特に、電気化学ドーピングの場合、生成される電荷キャリアは、電解 質からの対イオンによって補償される。しかし、これらのキャリアの移動度は、 しばしば、実用には低すぎる。これは、電解質と接触する半導体において、電気 化学的な酸化または還元反応に続いて、生成された電荷を運ぶ種(species)は、 典型的には、電解質からの対イオンとイオン的に結合することによると考えられ ている。従って、電荷キャリアの電気化学的生成は、必ず、半導体内の補償し合 う対イオンの統合も伴う。多くの半導体のしばしば密度の高い形態は、対イオン の拡散を阻止し、ドーピングおよび非ドーピング運動が遅くなる。 半導体ポリマーは電気材料として特別の利点を提供する。これらの材料は、ポ リマーの加工上の利点および機械的特性とともに半導体の電気的および光学的性 質を示す。多くのポリマー材料およびポリマー物と対照的に、無機物の結晶装置 は機械的に脆い。半導体ポリマーは、しばしば、比較的簡単に化学的手段によっ てドープされ得、ドーパント種は、しばしば、室温で異方性のポリマー構造に拡 散し得る。あるいは、ドーピングは、しばしば、酸化還元反応として電気化学的 に行われ得、ドーピングレベルは対向電極に対する印加された電気化学ポテンシ ャルによって制御され得る。バッテリ応用、エレクトロクロミック装置などの電 極として有用であるが、このような電気化学的にドープされた材料は、ドーパン ト種が室温で可動であるので、半導体装置応用に適しているとは考えられていな い。その結果、いずれのドーパントプロファイル(pn接合を形成するために必 要とされるものなど)も必然的に非定常である。 電気化学発光セル、すなわち、電気化学的セルにおいて有機または金属有機種 の可逆的酸化還元反応を用いて光を生成するための装置が、米国特許第3,900,41 8号のA.J.Bardらによって開示されている。本発明のように、電気化学発光装 置は、電気生成(electrogenerated)された種の間の電子移動反応により光を生じ る。Bardらによって開示された装置は、電極の間で、電荷キャリアよりむしろ、 酸化または還元された発光分子自体を運ぶために、電解質を含んでいる有機溶媒 に依存する。酸化および還元された種は互いに反応し、その後放射的に崩壊し得 る電子的に励起した状態にある最初の有機または金属有機種を形成する。米国特 許第5,189,549号のN.Levantis and M.S.Wrightonは、電気化学発光物質が固 体の電解質に溶解している電気化学発光表示装置を開示している。N.Levantis and M.S.Wrightonはまた、酸化および還元された種の生成後、該種は、それら の生成源(すなわち電極)から拡散し、最終的に電極の間のどこかで会合するこ とを開示している。あるいは、他の研究者は、電気化学発光材料が、電気化学セ ルの電極の1つに固定され、交流ポテンシャルによって周期的に還元および酸化 され得ることを見い出している。もし、セルが、電気化学的に還元されるのと同 じポテンシャルで発光材料を酸化させるか、または電気化学的に酸化されるのと 同じポテンシャルで発光材料を還元させるかのいずれかの方法で、発光材料と相 互作用するのに貢献する付加的な種を含んでいるなら、直流ポテンシャルが用い られ得る[例えば、Chem.Phys.Lettに公表されるM.M.Richterらを参照]。こ れらの電気化学発光装置の多くの重要な欠点は、電気化学発光材料の量に対して 有機溶媒が大量であるということであり、該大量の有機溶媒は、その電気化学的 副反応生成物が再結合放射を消滅させる反応物の源である。溶媒の使用もまたこ のような装置の製造および実装の点から不利である。ポリマーの電解質などの固 体の電解質では、酸化および還元された種の拡散速度が実質的に低くなり、装置 性能が低下する。 このように、効率的かつ低電圧で動作し、経済的に製造され得、大面積に製造 され得、大量の溶媒を用いたりカプセルに入れることなく製造され得る発光装置 の必要性が存在する。 発明の要旨 本発明は、電気化学発光装置を提供する。本発明の装置は、2つの電極と接触 する複合材料を含む。複合材料は、イオン種と「不動の(immobile)」半導体との 混加材料である。半導体は、p型とn型のキャリアを支持し得、可逆的な電気化 学的酸化および還元によって制御された方法で動的に変化され得るドーピングプ ロファイルを有することが可能である。この構造を有する装置は、電気化学的に 誘発されたpn接合を生成するのに用いられ得、それによって、印加電圧下で、 このような接合の発光特性を利用する新規な手段を提供する。 (本発明の要素および構成要素を記載するとき、形容詞「a」または「an」 が用いられる。これは、単に、利便さのためおよび本発明の一般的な意味を与え るために行われている。確かに、材料の混合が用いられ、この明細書は、1つま たは少なくとも1つを含むように読まれるべきであり、単数形もまた、そうでは ないことを意味することが明らかでないなら複数も含む。) 用語「不動の(immobile)」もまた用いられている。「不動」によって、半導体 の酸化または還元された領域が、1つの電極から他方の電極へ物理的に移動する のではなく、むしろ半導体内を移動するのはpおよびn型キャリアであるという ことを意味する。 このように、1つの局面において、本発明は、混加された複合層によって互い に離れた関係に保持される一対のコンタクト層からなる電気化学発光装置を提供 する。この複合層は、不動半導体およびイオン種供給源を含む。電力電圧が第1 および第2のコンタクト層の間に印加されると、半導体は、陰極で電気化学的に 還元され負に帯電されたキャリアを含むn型領域を形成し、陽極で電気化学的に 酸化され正に帯電されたキャリア(正孔)を含むp型領域を形成する。n型領域 とp型領域との間の界面にpn接合が形成される。印加電圧の影響下で、n型領 域からの電子およびp型領域からの正孔は、接合部で結合し、放射的に崩壊する 電荷キャリア対を形成し、発光が、層から発せられる。 1つの好適な局面において、不動の半導体は有機半導体であり、半導体とイオ ン種供給源の混合物は、イオン種供給源で満たされた有機半導体の開いた接続網 状組織の形態である。 別の好適な局面において、半導体は有機ポリマーまたはオリゴマーの半導体、 特に、共役材料であるが、p共役部分を含む非共役ポリマーならびにゲル材料な らびにレーザー染料ならびにレーザー染料部分を含むポリマーおよびオリゴマー も、本発明の範囲内である。 イオン種供給源は、本発明の装置の複合層に存在する。これは、混加された塩 であり得る。この混加された塩は単独であり得るが、好ましくは、ポリイオノマ ーまたはポリイオン透過担体と塩との混合物からなるポリマー電解質である。こ のように、ある好適な実施形態において、複合材料の層は、ポリマー電解質、お よび有機小分子、モノマー、プレポリマー、オリゴマーおよびポリマーならびに それらの混合物からなる群から選択される有機半導体を含み得る。 別の局面において、複合層は、不動半導体領域を提供するセグメントとイオン 種供給源であるセグメントとを含むブロックまたはランダムコポリマーを含む。 発光装置のさらに別の好適な実施形態において、複合材料の層は、p共役部分 のセグメントを含有する少なくとも1つの共役ポリマーまたはコポリマーを含有 する半導体を含む。 他の好適な実施態様において、複合材料の層は、ポリマー電解質および有機半 導体または半導体として導電させるポリマー(semiconducting polymer)の混合物 であり、有機半導体または半導体として導電させるポリマーは、支持しているポ リマーの固体の電解質内に低密度の開いた接続網状組織を形成する。 別の局面において、本発明は、コンタクト層の少なくとも1つは、装置が光を 発する波長において実質的に透明であり、その光がこの層を通して発せられるタ イプの装置を提供する。 別の局面において、複合層は、不動半導体領域を提供するセグメントとイオン 種供給源であるセグメントとを含むブロックまたはランダムコポリマーを含む。 本発明のほとんどの実施形態において、装置は、支持基板に接触し、かつ、そ れによって支持されている。装置は、薄膜またはフィラメントなどの形態を取り 得る。 発光装置としての実施形態に加えて、本発明は、発光のためのシステムの形態 を取り得る。このシステムは、有効電力電圧を一対の陽極および陰極コンタクト 層に印加している電源と組み合わせて記載されるタイプの装置を含む。有効電力 電圧は、陰極で不動半導体を還元し負に帯電されたキャリア(電子)を含むn型 領域を形成して、陽極で不動半導体を酸化し正に帯電されたキャリア(正孔)を 含むp型領域を形成する。これらの負に帯電された電子および正に帯電された正 孔は、印加電圧の影響下で層の中に伝搬し、結合して層の中で放射的に崩壊する 電荷キャリア対を形成し、光が、層から発光する。 さらなる局面において、本発明は、有用なレベルの光を生成するためのプロセ スを提供する。このプロセスは、上記に記載のシステムの電極間に有効電力電圧 を印加し、システムに光を発光させ、このように発光する光を、例えば照明また は表示目的に用いることを伴う。このように発光され使用される光は、所望であ れば、偏光され得る。 図面の簡単な説明 図1は、実施例1において測定された、ポリマー ポリ(酸化エチレン)、共 役ポリマー ポリ(pフェニレンビニレン)および塩 リチウムトリフレートを 含む層からの電気化学的に誘発された発光を示すグラフであり、該層は、酸化イ ンジウム錫およびアルミニウムの電極の間に挟まれ、+5Vまたは−5Vの電圧 が該電極の間に印加されている。 図2は、電極の間に印加された電圧の範囲に対する実施例1の電気化学発光装 置の外側で測定された光の強度を示すグラフである。 図3は、電極の間に印加された電圧の範囲に対する実施例1の電気化学発光装 置によって引かれた電流を示すグラフである。 図4は、電極の間に印加された電圧の範囲に対する実施例1の電気化学発光装 置の外側で測定された光の強度を示すグラフであり、印加電圧が、0Vから5V へまたは5Vから0Vへのいずれかに67mV/sの速度で掃引されて該測定が なされ、その方向はグラフの矢印によって示されている。 図5は、ポリマー ポリ(酸化エチレン)、共役ポリマー ポリ[2−メトキ シ、5−(2'−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン]および 塩 リチウムトリフレートを含む層からの電気化学的に誘発された発光を示す、 実施例2において測定されたデータのグラフであり、該層は、酸化インジウム錫 およびアルミニウムの電極の間に挟まれ、+4Vまたは−4Vの電圧が該電極の 間に印加されている。 図6は、電極の間に印加された電圧の範囲に対する、実施例2の電気化学発光 装置の外側で測定された光の強度を示すグラフである。 図7は、電極の間に印加された電圧の範囲に対する、実施例2の電気化学発光 装置によって引かれた電流を示すグラフである。 発明の詳細な説明 本発明は、2つの電極の間に支持され、かつ、小さな電圧が印加されると、イ オン種と「不動」の半導体材料とのブレンドが、pn接合として作用し、光を放 射するという発見に基づいている。この観察は全く予期しない結果である。なぜ なら、当業者は、このような装置により半導体ポリマーがドープされ導電状態に なり、その発光を効果的に消滅させると考える。例えば、J.Heinze[Synth.Met. 43:2805(1991)]は、共役ポリマーの公知の電気化学を検討し、電解質および印加 された電圧の存在下では、このようなポリマーは、電解質からの対イオンによっ て電荷が補償される電荷キャリアで可逆的にドープされ得ることを示している。 S.Hayashiら[Solid State Commun.61:249(1987)]を含む多くの研究者は、数モ ルパーセントの比較的低いレベルでさえ、このような電気化学ドーピングが、ポ リマーの発光を効率的に消滅させることに注目している。 本発明の2つの電極の間に電圧を印加すると、複合材料の層における半導体は 電気化学的に酸化され陽極でp型キャリアを形成する。それから、該p型キャリ アは、印加された電圧による場の影響下で、陰極に向かって層の中を伝搬する。 同様に、複合材料の層における半導体は、電気化学的に還元され陰極でn型キャ リアを形成し、それから、印加された電圧による場の影響下で、陽極に向かって 層の中を伝搬する。nおよびp型キャリアの領域の間で、陰極に向かって伝搬し ているp型キャリアおよび陽極に向かって伝搬しているn型キャリアが、電気化 学的に誘発されたpn接合を規定する領域において出会う。電気化学的に誘発さ れたpn接合の幅は、イオン的に導電させる層の厚さと同じかまたはそれ未満の いずれかであり得る。電気化学的に誘発されたpn接合の領域内において、nお よびp型キャリアが層の中で結合し、半導体の中性の基底状態まで放射的に崩壊 する電荷キャリア対を形成する。 元の位置(in-situ)で電気化学的にpn接合を生成する能力が特別の利点を 提供する。装置がその中性の形態で半導体を用いて製造され、かつ電気化学的に 誘発されるpn接合が、元の位置(in-situ)で電気化学的に生成されるので、 製造および実装はより簡単であり要求が少ない。発光pn接合として動作すると き、動電気化学的に生成されたpn接合は、バイポーラであり、バイポーラとは 、印加電圧を反転することによってドーピングプロファイルが反転することを意 味する。従って、バイポーラ特性により、装置は、正または逆極性のいずれかで 動作し得る。これは、当該分野(例えば、S.M.Sze,Physics of Semiconductor D evices,Wiley & Sons,N.Y.,1981を参照]で公知の従来の静的なpn接合の電流 −電圧特性曲線と本発明の特性曲線との比較に反映されている。従来の静的pn 接合はダイオードであり、掃引され印加された電圧への電流応答は、印加された 電圧の極性に関して非対称的であることを意味している。その結果は、典型的に 1 03〜108オーダーという大きな整流比(正対逆電流の比)である。対照的に、 バイポーラ電気化学発光装置の電流応答は、図3および図7に示すように、はぼ 対称的であり、その整流比は1に近い。 複合層 複合物は、不動の半導体とイオン種供給源との混合物である。複合材料は、実 質的に均一な厚さの層の形態が好ましい。一般的に、これは薄い層であり、約5 nm〜約1cm以上の厚さの範囲であり得る。ほとんどの応用において、約5n m〜約1mm、特に10nm〜0.1mmの厚さが用いられる。一般的に、薄い 層は厚い層よりよく用いられる。膜の形態の層、繊維、または大きさがこの範囲 を越える形状を含む他のより複雑な形状が用いられ得る。 半導体とイオン種供給源の割合は、光が発光され得る範囲内で変化し得、例え ば、重量ベースで約0.1:0.9から約0.9:0.1の範囲であり得る。現在、 約0.2:0.8〜約0.8〜0.2および特に約0.3:0.7〜約0.7:0.3の 範囲が好ましい。 複合材料もまた他の材料、または該複合材料の加工を容易にし、電気化学発光 装置の機能を向上させるのに有用である添加剤を含み得る。このような添加剤は 、例えば、安定剤、可塑剤、染料、着色剤、増量剤、機械的スペーサー粒子など を含み得る。これらの材料は任意であり、層全体の0〜約75%の範囲であり得 る。 半導体物質の物理的形状、形態または状態は重要ではなく、半導体が不動であ り、さらに半導体が、半導体内に伝搬し得るpおよびn型キャリアの両方を支持 し、半導体のドーピングプロファイルが、制御された方法で動的に変化し得るな ら、イオン媒体との均質および異質のブレンド、イオン媒体との混合物および混 加材料、イオン媒体内の相互浸透性の網状組織、イオン媒体を有する固体溶液、 イオン種を含む溶媒によって膨張したゲル、イオン媒体をさらに含む発泡または 多孔構造などを含み得る。 電気化学発光装置は、1つより多くの空間的に分離された領域を有し得、それ ぞれの領域は、異なる半導体をさらに含んでいるので、該分離された領域を組み 入れている装置の動作パラメーターを変化させることによって、装置内のpn接 合の位置が該領域の間で移動し得る。このように、例えば、発光構造において、 接合部は、異なるエネルギーギャップを有する半導体を含む領域の間で移動し得 るので、異なる色の光が発光され得る。 半導体 層は半導体を含む。好適な実施形態において、半導体はポリマーであり、好ま しくは、該ポリマーは、少なくとも1つの共役ポリマーまたはp共役部分のセグ メントを含有するコポリマーをさらに含む。共役ポリマーは当該分野において公 知である[例えば、Conjugated Polymers,J.-L.Bredas and R.Silbey eds.,K luwer Academic Press,Dordrecht,1991を参照]。適切な選択は、これには限ら ないが、 (i)ポリ(p−フェニレンビニレン)およびフェニレン部分の様々な位置で 置換されたその誘導体; (ii)ポリ(p−フェニレンビニレン)およびビニレン部分の様々な位置で置 換されたその誘導体; (iii)アリーレンがナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オ キサジアゾールなどの部分、または様々な位置に官能性置換基を有する該部分の 1つであり得るポリ(アリーレンビニレン); (iv)アリーレンが、上記(iii)においてと同様であり得、アリーレン部分 の様々な位置で置換されたポリ(アリーレンビニレン)の誘導体; (v)アリーレンが、上記(iii)においてと同様であり得、ビニレン部分の 様々な位置で置換されたポリ(アリーレンビニレン)の誘導体; (vi)非共役オリゴマーを有するアリーレンビニレンオリゴマーのコポリマー 、およびアリーレン部分の様々な位置で置換されたこのようなポリマーの誘導体 、ビニレン部分の様々な位置で置換されたこのようなポリマーの誘導体、ならび にアリーレンおよびビニレン部分の様々な位置で置換されたこのようなポリマー の誘導体; (vii)ポリ(p−フェニレン)およびフェニレン部分の様々な位置で置換さ れたその誘導体; (viii)ポリ(アリーレン)およびアリーレン部分の様々な位置で置換された その誘導体; (ix)非共役オリゴマーを有するオリゴアリーレンのコポリマー、およびアリ ーレン部分の様々な位置で置換されたこのようなポリマーの誘導体; (x)ポリキノリンおよびその誘導体; (xi)pフェニレンおよび可溶機能を有する部分を有するポリキノリンのコポ リマー; (xii)ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾビスチアゾール)(poly(p-phen ylene-2,6-benzobisthiazole))、ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾビスオ キサゾール)(poly(p-phenylene-2,6-benzobisoxazole))、ポリ(p−フェニレ ン−2,6−ベンゾイミダゾール)(poly(p-phenylene-2,6-benzimidazole)など の剛直なロッドポリマーおよびその誘導体; などを含む。 本発明の半導電性を有する(semiconducting)構成要素の他の適切な選択は、固 体状態で半導電性であり、電解質との適切なブレンドまたは複合物へと処理され 得る小さな有機分子、モノマー、プレポリマーまたはオリゴマーである。上記小 さな有機分子は、上記に定義された意味においてブレンド中で不動である。レー ザー染料は、この応用においてうまく作用した小さな分子の1つのタイプである 。これらのレーザー染料は、小さな分子として、または、内部においてそれらが 化学的に結合しているか、もしくはそうでなければ不動ポリマーにつながれてい るところのポリマー材料として存在し得る。 例えば、イオン種を含む適切な固体媒体に、半導電性分子、モノマー、プレポ リマーまたはオリゴマーの固体の混合物を形成することによって、またはイオン 種を含む適切な媒体に、半導電性分子またはオリゴマーの物理的または電子対を 共有して架橋された網状組織を形成することによって、またはイオン種をさらに 含む層内に含まれる適切な不動網状組織に、半導電性分子またはオリゴマーを物 理的または電子対を共有して結合させることによって、不動化が行われ得る。 イオン種供給源 イオン種は、塩の複合材料への組み入れによって提供され得、それは、溶媒ま たは他の適切な媒体においてイオン化して、溶媒または媒体を導電性にする、正 に帯電されたカチオンおよび負に帯電されたアニオンのイオン的な結合を意味す る。 これらの電気化学発光装置において、適切な代表的な塩は、単独にイオン化さ れたアルカリ金属リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムおよびセシウム ;金属アルミニウム、銀、バリウム、カルシウム、コバルト、銅、クロミウム、 亜鉛などのイオン;金属有機カチオン;およびアンモニウム、テトラメチルアン モニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブ チルアンモニウム、テトラデシルアンモニウム、トリベンジルアンモニウム、フ ェニルアンモニウムなどの有機カチオンを含むカチオンを有する。アニオンの代 表的な選択は、単独でイオン化されたハロゲン、フッ素、塩素、臭素およびヨー 素;過塩素酸塩、臭素酸塩、硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、テトラフルオロホウ酸塩 、ヘキサフルオロ燐酸塩、アルミニウムテトラ塩素酸塩などの無機アニオン;お よびn−酪酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホ ンアミド、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、トルエンス ルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、樟脳スルホン酸塩、ピクリン酸塩 、サリチル酸塩、チオシアン酸塩、安息香酸塩などの有機アニオンを含む。1つ 以上のカチオン種と1つ以上のアニオン種を含む混合物もまた、電気化学発光装 置に用いられるのに適切であり得る。 好適な実施形態において、イオン種はポリマー電解質によって提供される。ポ リマー電解質は、当該分野において公知であり[例えば、K.M.Abraham,Highl y Conductive Polymer Electrolytes in Applications of Electroactive Polym ers,B.Scrosati ed.,Chapman & Hall,London,1993を参照]、最適に間隔が置 かれた電子ドナー原子または塩のカチオンと配位結合する部分を含むハイポリマ ーの塩複合体からなる。このようなポリイオノマーまたはポリイオン透過担体の 適切な例は、ポリ(酸化エチレン)、ポリ(酸化プロピレン)、ポリ(ジメチル シロキサン)、ポリオキシメチレン、ポリ(エピクロロヒドラン)(poly(epichl orohydran))、ポリ(ホスファゼン)(poly(phosphazene))、ポリ[ビス−(メト キシエトキシエトキシ)ホスファゼン](poly[bis-methoxyethoxyethoxy)phosph azene])、ポリオキセタン(polyoxetane)、ポリテトラヒドロフラン(polytetrahy drofuran)、ポリ(1,3−ジオキソラン)、ポリ(エチレンイミン)、ポリ(エ チレンサクシネート)、ポリ(硫化エチレン)、ポリ(硫化プロピレン)、ポリ [オリゴ(オキシエチレン)オキシメチレン]、ポリ[オリゴ(オキシエチレン) メタクリレート]、ポリ[オリゴ(オキシエチレン)シクロトリスホスファゼン] (poly[oligo(oxyethylene)cyclotrisphosphazene])などおよびその混合物を含 む。 別の実施形態において、電気化学発光装置の発光層は、自己ドーピング部分に 共有結合した共役ポリマーの塩を用いる。このようなポリマーの適切な選択は、 ポリ(p−フェニレンスルホン酸塩)、ポリ(3−アルキルスルホン酸塩−チオ フェン)、ポリ(N−アルキルスルホン酸塩ピロール)などのスルホン酸塩およ びアルキルスルホン酸塩置換のポリアリーレン、ポリアリーレンビニレンなどの 塩を含み、ここで、アルキルは、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプ チル、オクチル、デシル、アンデシル、ドデシルなどの1つである。 別の実施形態において、電気化学発光装置は、ポリマー電解質として作用する セグメントおよびp−共役部分を含むセグメントをさらに含むブロックまたはグ ラフトコポリマーを含み得、例えば、オリゴアリーレン、アリーレン部分の様々 な位置で置換されたオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン、アリーレン 部分の様々な位置で置換されたオリゴアリーレンビニレン、ビニレン部分の様々 な位置で置換されたオリゴアリーレンビニレン、アリーレンおよびビニレン部分 の様々な位置で置換されたオリゴアリーレンビニレン、ジアリーレンポリエン、 アリーレン部分の様々な位置で置換されたジアリーレンポリエン、ジアリーレン ポリジエン、アリーレン部分の様々な位置で置換されたジアリーレンポリジエン などである。 さらに別の実施形態において、イオン種は、複合層内に組み込まれた適切な塩 の紫外線照射誘発光分解によって元の位置(in-situ)に生成され得る。レジス ト撮像応用によく用いられるこのような塩の例は、アリールジアゾニウム塩、ジ アリールヨードニウム塩およびトリアリールスルフォニウム塩を含む。 コンタクト層 本発明の装置はコンタクト層を有する。これらの層は、複合層に電力電圧を印 加するための電極として作用する。これらの電極は、イオン種と半導体材料の混 加物を1つの電極を保持している基板の層に加工し、それから、その層の自由な 表面に第2の電極を付着することによって、複合材料の層と接触して配置され得 る。 複合層への電力電圧のための電気的通路を形成することが可能であるいかなる 材料も、これらのコンタクト層として用いられ得る。典型的な材料は、アルミニ ウム、銀、白金、金、パラジウム、タングステン、インジウム、銅、鉄、ニッケ ル、亜鉛、鉛などの金属;酸化鉛、酸化錫などの酸化金属;グラファイト;シリ コン、ゲルマニウム、砒化ガリウムなどのドープされた無機半導体、およびポリ アニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどのドープされた導電性ポリマーを 含む。 電気化学発光装置の好適な実施形態において、少なくとも1つの電極は、酸化 インジウム錫、酸化錫、ニッケル、金、ドープされたポリアニリン、ドープされ たポリピロールなどの半透明の導電材料からなる。好ましくは、これらの電極は 、1平方当たり約10〜1000オームのシート抵抗および約400nmより長 い波長では約80%の光透過率を有する。 基板および一般的な加工条件 適切な基板は、剛直かまたは機械的に柔軟であり、ガラス、金属および合金、 ならびにプラスチックを含み得る。典型的には、薄い層を保持する基板の表面は 、適切な電極材料でコーティングされている。混加物は、1つまたはそれ以上の 溶媒または溶媒の混合物においてイオン種と半導体の溶液から、あるいは、2つ の材料の熱加工可能なブレンドから、あるいは、適切な真空蒸着技術を用いるこ とによって加工され得る。第2の電極は、適切な溶媒含有材料の付着によって、 または適切な材料の熱蒸着によって、または適切な金属もしくは合金の無電メッ キによって複合材料の層と接触して配置され得る。あるいは、両方の適切な電極 は、 積層によって複合材料の自立層(free-standing layer)と接触して配置され得 る。 機械的に柔軟な基板、電極および実装材料が用いられた本発明の実施形態にお いて、電気化学発光装置は、機械的に柔軟であり得る。このような装置は、多く の機器、自動推進器具パネル、消費者エレクトロニクスなどに見出されるように 、湾曲した表面に装着される表示装置に有用であり得る。もし、層の物理特性と 融和性があるなら、真空形成などのポスト成形動作が用いられ得る。 ポリマー電解質および半導電性ポリマーを含む好適な実施形態において、これ らのポリマーは、同じ有機溶媒または適切な溶媒の混合物から加工可能であるこ とが好ましい。あるいは、半導電性ポリマーは、加工可能な前駆体ポリマーの化 学または熱処理によって調製され得る。さらに好適な実施形態において、溶液加 工可能前駆体ポリマーは、ポリ電解質であり、それは、該前駆体ポリマーとポリ マー電解質の完全な混合を高め得る。複合材料の構成要素の適切な共溶液は、ス ピンコート、ロールコート、スクリーン印刷、フレキソ印刷、メニスカスコート などの多くの確立された技術を用いて、適切な厚さの実質的に均一な層に加工さ れ得る。 ポリマー電解質および半導電性ポリマーを含む別の好適な実施形態において、 該ポリマーは、例えば、押し出しなどによって、溶融物から加工可能であること が好ましい。 半導電性ポリマーおよび溶媒に溶解した電解質を含む別の好適な実施形態にお いて、半導電性ポリマーは、該電解質溶液を組み込んでいるゲルを形成する。こ のようなゲルは、例えば、物理的または化学的に架橋して網状組織を形成し得る 部分を有する半導電性ポリマーによって形成され得る。 高情報内容の表示装置を構成するために、電気化学発光装置は、個々にアドレ ス可能な電気化学発光装置のアレイとして製造され得る。このようなアレイは、 電極または複合材料の層のいずれかの適切なパターン形成によって簡単に製造さ れ得る。 電気化学発光装置は、例えば、複合材料からの酸素または水分を排除するため に、または支持、装着もしくは装飾目的のために、または発光された光の見かけ の色を調節するために、付加的な材料または層をさらに含む得る。 任意の要素 所望であれば、電極の1つまたはそれぞれは、電極材料に加えて、電極での還 元または酸化反応の電気化学ポテンシャルおよび電極での二重層のポテンシャル を制御するのに役立つさらなる1層または複数の層を含み得る。このような層は 、層のnおよびp型キャリアの相対的な個数を制御するのに役立ち、それによっ て、電圧印加下で電気化学的に誘発されたpn接合のドーピングプロファイルを 最適にする。 以下の実施例は、本発明をさらに説明するために記載され、本発明の精神およ び範囲を制限するように解釈されるべきではない。 実施例1 電気化学装置は、以下の方法で製造された。アセトニトリルと水(容量で5: 1)またはアセトニトリルとメタノール(容量で2:1)のいずれかの混合物の 中でポリマー ポリ(酸化エチレン)、ポリ電解質 ポリ(p−キシリルイデン テトラヒドロチオフェニウム クロライド)(poly(p−xylyliden tetrahydroth iophenium chloride))および塩 リチウムトリフレート(LiCF3SO3)の共 溶液が調製された。ポリ(酸化エチレン)中のCH2CH2O部分の塩に対するモ ル率は約20:1であった。それから、2つのポリマーの1:1(重量で)のブ レンドの薄膜が、基板上への溶液のスピンコートまたは滴下コートのいずれかに よって、酸化インジウム錫でコーティングされたガラス基板に付着された。基板 上の酸化インジウム錫の透明な電気的に導電性の層が、得られたイオン的に導電 する層に対する1つのコンタクトとして働いた。このように形成された層の厚さ は、約500オングストロームと1mmとのあいだの範囲であり、約5000オ ングストロームの厚さの膜から優れた装置が製造された。ポリ(p−キシリルイ デン テトラヒドロチオフェニウム クロライド)をテトラヒドロチオフェンお よび塩酸の熱除去によって、共役ポリマー ポリ(p−フェニレン ビニレン) にするために、層は、その後、窒素雰囲気中、熱板で約3時間、約100℃ まで加熱された。それから、コーティングされた基板は、熱エバポレータに移さ れ、そこで、第2のコンタクトが、基板に対向するイオン的に導電する層の表面 に400オングストロームのアルミニウム層の蒸着によって形成された。酸化イ ンジウム錫が、基板の全表面を覆っているので、約0.3cm×1cmの薄い小 片の形態でのアルミニウムコンタクトが、装置の活性発光領域を効果的に規定し た。 酸化インジウム錫とアルミニウムコンタクトとの間に電圧を印加すると、透明 コンタクトを通しての層からの黄緑色の光の発光が、5Vより少ない電圧で照明 された部屋で見えるようになった。これは、装置が低い有効電力電圧でオンにな ることを示すが、10または20ボルトまでおよびそれを含むような高い電圧あ るいは110ボルトまたは220ボルトの下げられていない線間電圧でさえ、所 望であれば用いられ得る。 図1は、また、いずれもの極性の電圧印加時における装置からの分光解像され た光の出力を示し、装置はバイポーラであることを示している。発光された光の スペクトルは、いずれの場合も同じように見え、発光は、どちらの電極が陽極と して働くか、どちらが陰極として働くかに無関係であることを示している。 図2は、装置からの光の出力の印加電圧依存性を示し、図3は、装置によって 引かれた電流を示す。正の電圧では、酸化インジウム錫が、陽極となり、アルミ ニウムコンタクトが陰極としてなったが、負の電圧では、2つのコンタクトの役 割は逆になった。これは、これらの装置のバイポーラ特質をさらに示している。 電流対電圧曲線は、ほぼ対称的である。これらの装置の外部量子効率(電源によ って供給された電子1個当たりの発光された光子)は、電圧極性とは本質的に無 関係であった。装置は、乾燥した酸素がないアルゴン雰囲気で、5Vの連続的な 直流バイアス電圧で作動させると、数日の間にわたって光の出力が観察された。 もし、本発明の装置が最適化されると、1または2ボルトもの低い電圧でオンす ることが可能である。 500オングストローム〜1mmの範囲の様々な厚さを有する層を用いた装置 は性能において相違を示した。スイッチング速度および見かけの閾動作電圧は層 の厚さが増加するに従い増加し、装置効率は、層の厚さが増加するにつれて増加 した。この後者の観察は、薄い層を有する装置において、電気化学的に誘発され たpn接合領域の幅が、層の幅と等しいことを示し得る。 装置電流電圧特性は、pn接合の電気化学的生成の動的特質の結果として、電 圧走査率依存性およびヒステリシスの両方を示した。図4は、電圧が0から5V へ走査されるときと、電圧が5から0Vへ走査されるときの両方における、約6 7mV/sの走査速度での電流電圧特性を示す。速い走査速度において、電圧走 査が増加するにつれて、発光に対する見かけの閾電圧は増加し、電圧走査が減少 するにつれて減少する。さらに、知覚されたスイッチング時間は、装置のサイク ル経歴に従って変化する。所与の極性の一時的な電圧に応答して光の出力が現れ る速度は、装置が、同じ極性の1つで予め動作している場合より、反対の極性の 電圧で予め動作している場合の方が遅い。これらの現象はすべて、電気化学的生 成の運動およびイオン的に導通する層におけるnおよびp型キャリアの運搬の結 果である。 実施例2 電気化学発光装置は以下の方法で製造された。ポリマー ポリ(酸化エチレン )、共役ポリマー ポリ[2−メトキシ,5−(2'−エチル−ヘキシロキシ)− 1,4−フェニレンビニレン]および塩 リチウムトリフレート(LiCF3SO3 )のピリジンでの共溶液が調製された。ポリ(酸化エチレン)中のCH2CH2O 部分の塩に対するモル率は約20:1であった。それから、2つのポリマーの1 :1(重量で)のブレンドの薄膜が、基板上への溶液のスピンコートまたは滴下 コートのいずれかによって、酸化インジウム錫でコーティングされたガラス基板 に付着された。基板上の酸化インジウム錫の透明な電気的に導電する層が、得ら れたイオン的に導電する層に対する1つのコンタクトとして働いた。このように 形成された層の厚さは、約500オングストロームと1mmとのあいだの範囲で あった。コーティングされた基板は、熱エバポレータに移され、そこで、第2の コンタクトが、基板に対向するイオン的に導電する層の表面に400オングスト ロームのアルミニウム層の蒸着によって形成された。酸化インジウム錫が、基板 の全表面を覆っているので、約0.3cm×1cmの薄い小片の形態でのア ルミニウムコンタクトが、装置の活性発光領域を効果的に規定した。 酸化インジウム錫とアルミニウムコンタクトとの間に電圧を印加すると、透明 コンタクトを通しての層からの黄橙色の光の発光が、4Vより少ない電圧で照明 された部屋で見えるようになった。図5は、いずれもの極性の電圧印加時におけ る装置からの分光解像された光の出力を示し、装置はバイポーラであることを示 している。発光された光のスペクトルは、いずれの場合も同じように見え、発光 は、どちらの電極が陽極として働き、どちらが陰極として働くかに無関係である ことを示している。 図6は、装置からの光の出力の印加電圧依存性を示し、図7は、装置によって 引かれた電流を示す。実施例1に記載の装置と同様に、これらのデータは、本発 明の装置のバイポーラ特質を示している。電流対電圧曲線は、ここでも、ほぼ対 称的である。これらの装置の外部量子効率(電源によって供給された電子1個当 たりの発光された光子)は、電圧極性とは本質的に無関係である。 実施例3 電気化学発光装置が、ポリマー ポリ(酸化エチレン)と塩 リチウムトリフ レートとの錯体(complex)、およびレーザー染料Rhodamine 6Gクロライドの、ア セトニトリルにおける共溶液から調製された。それから、ポリマーおよび染料の 1.6:1(重量でポリマー:染料)のブレンドの薄膜が、基板上への溶液のス ピンコートによって、酸化インジウム錫でコーティングされたガラス基板に付着 された。この実施例において、母体ポリ(酸化エチレン)層内の染料の集合の網 状組織が半導体として働いた。基板上の酸化インジウム錫の透明な電気的に導電 する層が、イオン的に導電するポリマー層に対する1つのコンタクトとして働い た。このように形成された層の厚さは、約1000オングストロームと1mmと のあいだの範囲であった。層の付着に続いて、コーティングされた基板は、熱エ バポレータに移され、そこで、第2のコンタクトが、層の上表面へのアルミニウ ム層の蒸着によって形成された。 酸化インジウム錫とアルミニウムコンタクトとの間に電圧を印加すると、透明 コンタクトを通しての層からの光の発光が、15Vより少ない電圧で感知された 。 実施例4 電気化学発光装置が、ポリマー ポリ(酸化エチレン)と塩 リチウムトリフ レートとの錯体(complex)およびレーザー染料Kiton red 620の、アセトニトリル での共溶液から調製された。それから、ポリマーおよび染料の1.6:1(重量 でポリマー:染料)のブレンドの薄膜が、基板上への溶液のスピンコートによっ て、酸化インジウム錫でコーティングされたガラス基板に付着された。この実施 例において、実施例2と同様に、母体ポリ(酸化エチレン)層内の染料の集合の 網状組織が半導体として働いた。基板上の酸化インジウム錫の透明な電気的に導 電する層が、イオン的に導電するポリマー層に対する1つのコンタクトとして働 いた。このように形成された層の厚さは、約1000オングストロームと1mm とのあいだの範囲であった。それから、コーティングされた基板は、熱エバポレ ータに移され、そこで、第2のコンタクトが、層の上表面へのアルミニウム層の 蒸着によって形成された。 酸化インジウム錫とアルミニウムコンタクトとの間に電圧を印加すると、透明 コンタクトを通しての層からの光の発光が、酸化インジウム錫が陽極として接続 されると6Vより少ない電圧で、そして、アルミニウムが陽極として接続される と14Vより少ない電圧で感知された。電流電圧特性曲線は、実施例1および2 に記載の装置で測定されたものより大きな非対称性を示した。光は、いずれの極 性の印加電圧に対しても感知された。 実施例5 電気化学発光装置が、15mgのドデシルベンゼンスルホン酸のテトラブチル アンモニウム塩および20mgの共役ポリマー ポリ[2−メトキシ,5−(2 ’−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン]の、3mlのキシレ ンでの共溶液から調製された。それから、ポリマーおよび塩の1.3:1(重量 でポリマー:塩)のブレンドの薄膜が、スピンコートによって酸化インジウム錫 でコーティングされたガラス基板に付着された。この実施例において、共役ポリ マー層が、半導体とテトラブチルアンモニウムカチオンおよびドデシルベンゼン ス ルホン酸アニオンのためのイオン的に導電するマトリックスとの両方として働い た。基板上の酸化インジウム錫の透明な電気的に導電する層が、イオン的に導電 するポリマー層に対する1つのコンタクトとして働いた。このように形成された 層の厚さは、約1000オングストロームと1mmとのあいだの範囲であった。 コーティングされた基板は、熱エバポレータに移され、そこで、第2のコンタク トが、層の上表面へのアルミニウム層の蒸着によって形成された。 酸化インジウム錫とアルミニウムコンタクトとの間に電圧を印加すると、透明 コンタクトを通しての層からの赤橙色の光の発光が、5Vより少ない電圧で、照 明された部屋の中で見えるようになった。電流電圧特性曲線は、実施例1に記載 の装置の場合と同様に、ほぼ対称であった。光は、いずれの極性の印加電圧に対 しても感知された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,MW,SD,SZ,UG), AM,AT,AU,BB,BG,BR,BY,CA,C H,CN,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB ,GE,HU,IS,JP,KE,KG,KP,KR, KZ,LK,LR,LT,LU,LV,MD,MG,M N,MW,MX,NO,MZ,PL,PT,RO,RU ,SD,SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TT, UA,UG,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.不動の半導体およびイオン種供給源を含む混合複合層によって、互いに離れ た関係で保持される一対のコンタクト層を備える電気化学発光装置。 2.前記半導体は、有機半導体である、請求項1に記載の装置。 3.前記混加複合体は、前記イオン種供給源で満たされた有機半導体の開いた接 続網状組織の形態である、請求項2に記載の装置。 4.前記有機半導体は、ポリマー半導体である、請求項2に記載の装置。 5.前記ポリマー半導体は、共役ポリマー半導体である、請求項4に記載の装置 。 6.前記ポリマー半導体は、p−共役部分を含む非共役ポリマーである、請求項 4に記載の装置。 7.前記共役半導体は、置換および非置換p−フェニレンビニレン、置換および 非置換p−フェニレン、置換および非置換キノリン、置換および非置換p−フェ ニレン−2,6−ベンゾビスチアゾール、置換および非置換p−フェニレン−2, 6−ベンゾビスオキサゾール、置換および非置換p−フェニレン−2,6−ベン ゾイミダゾール、置換および非置換アリーレン、ならびに置換および非置換アリ ーレンビニレンからなる群から選択されるマーユニットを有するホモポリマーま たはコポリマーを含み、ここで、アリーレンが、ナフタレン、アントラセン、フ リレン、チエニレン、ピロール、オキサジアゾール、またはイソチアナフテン、 およびその混合物である、請求項5に記載の装置。 8.前記有機半導体は、チオフェン、フェニレン、フェニレンビニレン、ピロー ル、アセチレン、ビニレンおよびその誘導体ならびに混合物からなる群から選択 されるマーユニットを有する共役半導体ホモオリゴマーまたはコオリゴマーを含 む、請求項2に記載の装置。 9.前記有機半導体は、ゲルである、請求項2に記載の装置。 10.前記半導体は、レーザー染料ならびにレーザー染料部分を含有するポリマ ーおよびオリゴマーから選択される、請求項2に記載の装置。 11.前記イオン種供給源は、混加された塩である、請求項1に記載の装置。 12.前記塩は、単独でイオン化されたアルカリ金属、リチウム、ナトリウム、 カリウム、ルビジウムおよびセシウム;金属アルミニウム、銀、バリウム、カル シウム、コバルト、銅、クロミウム、亜鉛などのイオン;金属有機カチオン;お よびアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テ トラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラデシルアンモニ ウム、トリベンジルアンモニウム、フェニルアンモニウムなどの有機カチオンお よびその混合物からなる群から選択されるカチオン、ならびに、単独でイオン化 されたハロゲン、フッ素、塩素、臭素およびヨー素;過塩素酸塩、臭素酸塩、硝 酸塩、硫酸塩、燐酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロ燐酸塩、アル ミニウムテトラ塩素酸塩などの無機アニオン;およびn−酪酸塩、トリフルオロ メタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホンアミド、酢酸塩、トリフルオ ロ酢酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼン スルホン酸塩、樟脳スルホン酸塩、ピクリン酸塩、サリチル酸塩、チオシアン酸 塩、安息香酸塩などの有機アニオンおよびその混合物からなる群から選択される アニオンを有する、請求項11に記載の装置。 13.前記イオン種供給源は、ポリマー電解質を含む、請求項1に記載の装置。 14.前記ポリマー電解質自体が、ポリイオノマーまたはポリイオン透過担体と 塩との混合物を含む、請求項13に記載の装置。 15.前記電解質ポリマーは、酸化エチレン、酸化プロピレン、ジメチルシロキ サン、オキシメチレン、エピクロロヒドラン、ホスファゼン、ビス−(メトキシ エトキシエトキシ)ホスファゼン、オキセタン、テトラヒドロフラン、1,3− ジオキソラン、エチレンイミン、エチレンサクシネート、硫化エチレン、硫化プ ロピレン、オリゴ(オキシエチレン)メタクリレート、オリゴ(オキシエチレン )オキシメチレン、オリゴ(オキシエチレン)シクロトリスホスファゼンおよび その混合物からなる群から選択されるマーユニットを有するホモポリマーまたは コポリマーを含む、請求項14に記載の装置。 16.前記ポリマー電解質はゲルである、請求項13に記載の装置。 17.不動の共役ポリマーまたはオリゴマー半導体およびポリマーまたはオリゴ マー電解質イオン種供給源を含む混加複合層によって、互いに離れた関係で保 持される一対のコンタクト層を備える電気化学発光装置。 18.前記共役ポリマーまたはオリゴマー半導体は、置換および非置換p−フェ ニレンビニレン、置換および非置換p−フェニレン、置換および非置換キノリン 、置換および非置換p−フェニレン−2,6−ベンゾビスチアゾール、置換およ び非置換p−フェニレン−2,6−ベンゾビスオキサゾール、置換および非置換 p−フェニレン−2,6−ベンゾイミダゾール、置換および非置換アリーレン、 ならびに置換および非置換アリーレンビニレンからなる群から選択されるマーユ ニットを有するホモポリマーまたはコポリマーを含み、ここで、アリーレンが、 ナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、ピロール、オキサジアゾー ル、またはイソチアナフテンであり、あるいは、チオフェン、フェニレン、フェ ニレンビニレン、ピロール、アセチレン、ビニレンならびにその誘導体および混 合物からなる群から選択されるマーユニットを有するホモオリゴマーまたはコオ リゴマーを含む、請求項17に記載の装置。 19.前記ポリマー電解質イオン種供給源自体は、酸化エチレン、酸化プロピレ ン、ジメチルシロキサン、オキシメチレン、エピクロロヒドラン、ホスファゼン 、ビス−(メトキシエトキシエトキシ)ホスファゼン、オキセタン、テトラヒド ロフラン、1,3−ジオキソラン、エチレンイミン、エチレンサクシネート、硫 化エチレン、硫化プロピレン、オリゴ(オキシエチレン)メタクリレート、オリ ゴ(オキシエチレン)オキシメチレン、オリゴ(オキシエチレン)シクロトリス ホスファゼンおよびその混合物からなる群から選択されるマーユニットを有する ホモポリマーまたはコポリマーである、ポリイオノマーまたはポリイオン透過担 体を塩と混加されて含む、請求項17に記載の電気化学発光装置。 20.前記複合層は、厚さが約5nm〜約10umである、請求項1に記載の装 置。 21.前記不動の半導体とイオン種供給源の前記混加複合層における重量割合範 囲が、約0.1:0.9〜約0.9:0.1である、請求項1に記載の装置。 22.前記コンタクト層の少なくとも1つは、前記装置が発光する波長において 実質的に透明である、請求項1に記載の装置。 23,前記コンタクト層の両方が、前記装置が発光する波長において実質的に透 明である、請求項22に記載の装置。 24.前記コンタクト層の少なくとも1つは、アルミニウム、銀、白金、金、パ ラジウム、タングステン、インジウム、亜鉛、銅、ニッケル、鉄、鉛、酸化鉛、 酸化錫、酸化インジウム錫、グラファイト、ドープされたシリコン、ドープされ たゲルマニウム、ドープされた砒化ガリウム、ドープされたポリアニリン、ドー プされたポリピロール、ドープされたポリチオフェン、ならびにその誘導体およ び混合物を含む層からなる群から選択される、請求項1に記載の装置。 25.前記コンタクト層の両方が、アルミニウム、銀、白金、金、パラジウム、 タングステン、インジウム、亜鉛、銅、ニッケル、鉄、鉛、酸化鉛、酸化錫、酸 化インジウム錫、グラファイト、ドープされたシリコン、ドープされたゲルマニ ウム、ドープされた砒化ガリウム、ドープされたポリアニリン、ドープされたポ リピロール、ドープされたポリチオフェンならびにその誘導体および混合物を含 む層からなる群から選択される、請求項24に記載の装置。 26.前記第1および第2のコンタクト層の1つは、また、支持基板と接触して いる、請求項1に記載の装置。 27.前記第1および第2のコンタクト層の両方は、また、支持基板と接触して いる、請求項1に記載の装置。 28.前記第1および第2のコンタクト層の少なくとも1つは、また、剛直また は柔軟な自立ポリマー膜、無機材料、無機ガラス、アモルファスシリコン、無機 単結晶、単結晶シリコン、単結晶石英、単結晶サファイアおよび金属からなる群 から選択される支持基板と接触している、請求項1に記載の装置。 29.前記第1および第2のコンタクト層の1つは、また、支持基板と接触して いる、請求項17に記載の装置。 30.前記第1および第2のコンタクト層の両方は、また、支持基板と接触して いる、請求項17に記載の装置。 31.前記第1および第2のコンタクト層の少なくとも1つは、また、剛直また は柔軟な自立ポリマー膜、無機材料、無機ガラス、アモルファスシリコン、無機 単結晶、単結晶シリコン、単結晶石英、単結晶サファイアおよび金属からなる群 から選択される支持基板と接触している、請求項17に記載の装置。 32.不動の半導体を提供するセグメントおよびイオン種供給源であるセグメン トを含有するブロックまたはランダムコポリマーを含む複合層によって、互いに 離れた関係で保持される一対のコンタクト層を備える電気化学発光装置。 33.不動の半導体およびイオン種供給源を含む混加複合層によって、互いに離 れた関係で保持される一対の陽極および陰極コンタクト層に有効電力電圧を印加 する電源を備える発光のためのシステムであって、該有効電力電圧は、それによ って、該陰極で該不動半導体を還元し、負に帯電されたキャリアを含むn型領域 を形成し、該陽極で該不動半導体を酸化し、正に帯電されたキャリアを含むp型 領域を形成し、該負に帯電されたキャリアおよび該正に帯電されたキャリアが該 印加電圧の影響下で該複合層において伝搬し、該複合層に放射的に崩壊する電荷 キャリア対を形成するために結合し、光が該層から発光されるシステム。 34.前記電力電圧が、0.1と110ボルトの間である、請求項33に記載の システム。 35.前記複合層は、厚さが約5nm〜約10umであり、前記混加複合物が、 前記イオン種供給源で満たされた不動共役有機半導体の開いた接続網状組織であ り、不動共役有機半導体とイオン種供給源の該混加複合薄層における重量割合範 囲が、約0.1:0.9〜約0.9:0.1である、請求項33に記載のシステム。 36.前記共役有機半導体は、置換および非置換p−フェニレンビニレン、置換 および非置換p−フェニレン、置換および非置換キノリン、置換および非置換p −フェニレン−2,6−ベンゾビスチアゾール、置換および非置換p−フェニレ ン−2,6−ベンゾビスオキサゾール、置換および非置換p−フェニレン−2,6 −ベンゾイミダゾール、置換および非置換アリーレン、ならびに置換および非置 換アリーレンビニレンからなる群から選択されるマーユニットを有するホモポリ マーおよびコポリマー、ここで、アリーレンが、ナフタレン、アントラセン、フ リレン、チエニレン、ピロール、オキサジアゾール、またはイソチアナフテンで あり、ならびに、チオフェン、フェニレン、フェニレンビニレン、ピロール、ア セチレン、ビニレンならびにその誘導体および混合物からなる群から選択される マーユニットを有するホモオリゴマーおよびコオリゴマーからなる群から選択さ れる、請求項35に記載のシステム。 37.前記イオン種供給源は、混加された塩である、請求項35に記載のシステ ム。 38.前記塩は、単独でイオン化されたアルカリ金属、リチウム、ナトリウム、 カリウム、ルビジウムおよびセシウム;金属アルミニウム、銀、バリウム、カル シウム、コバルト、銅、クロミウム、亜鉛などのイオン;金属有機カチオン;お よびアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テ トラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラデシルアンモニ ウム、トリベンジルアンモニウム、フェニルアンモニウムなどの有機カチオンお よびその混合物からなる群から選択されるカチオン、ならびに、単独でイオン化 されたハロゲン、フッ素、塩素、臭素およびヨー素;過塩素酸塩、臭素酸塩、硝 酸塩、硫酸塩、燐酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロ燐酸塩、アル ミニウムテトラ塩素酸塩などの無機アニオン;およびn−酪酸塩、トリフルオロ メタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホンアミド、酢酸塩、トリフルオ ロ酢酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼン スルホン酸塩、樟脳スルホン酸塩、ピクリン酸塩、サリチル酸塩、チオシアン酸 塩、安息香酸塩などの有機アニオンおよびその混合物からなる群から選択される アニオンを有する、請求項37に記載のシステム。 39.前記イオン種供給源が、ポリマー電解質を含む、請求項35に記載のシス テム。 40.前記電解質ポリマーは、酸化エチレン、酸化プロピレン、ジメチルシロキ サン、オキシメチレン、エピクロロヒドラン、ホスファゼン、ビス−(メトキシ エトキシエトキシ)ホスファゼン、オキセタン、テトラヒドロフラン、1,3− ジオキソラン、エチレンイミン、エチレンサクシネート、硫化エチレン、硫化プ ロピレン、オリゴ(オキシエチレン)メタクリレート、オリゴ(オキシエチレン )オキシメチレン、オリゴ(オキシエチレン)シクロトリスホスファゼンおよび その混合物からなる群から選択されるマーユニットを有するホモポリマーおよび コポリマーから選択されるポリイオノマーまたはポリイオン透過担体と塩との混 合物を含む、請求項39に記載のシステム。 41.前記コンタクト層の少なくとも1つは、前記装置が光を発光する波長に おいて実質的に透明であり、該光は、該実質的に透明なコンタクト層を通って発 光される、請求項33に記載のシステム。 42.前記電力電圧が、5ボルトより少ない、請求項34に記載のシステム。 43.偏光された可視光を発光することができることを特徴とする、請求項33 に記載のシステム。 44.混加複合層によって互いに離れた関係で保持される前記一対の陽極および 陰極のコンタクト層は、膜の形態で共にある、請求項33に記載のシステム。 45.混加複合層によって互いに離れた関係で保持される前記一対の陽極および 陰極のコンタクト層は、フィラメントの形態で共にある、請求項33に記載のシ ステム。 46.不動の半導体およびイオン種供給源を含む混加複合層によって、互いに離 れた関係で保持される一対の陽極および陰極コンタクト層に有効電力電圧を印加 することを包含する有用レベルの光を生成するプロセスであって、該有効電力電 圧は、それによって、該陰極で該不動半導体を還元し、負に帯電されたキャリア を含むn型領域を形成し、該陽極で該不動半導体を酸化し、正に帯電されたキャ リアを含むp型領域を形成し、該負に帯電されたキャリアおよび該正に帯電され たキャリアが該印加電圧の影響下で該複合層に伝搬し、該複合層に放射的に崩壊 する電荷キャリア対を形成するために結合し、それによって、光が該層から発光 され、および該発光された光を用いることを包含するプロセス。 47.前記電力電圧が、2と10ボルトの間である、請求項46に記載のプロセ ス。 48.前記複合層は、厚さが約5nm〜約10umであり、前記混加複合物が、 前記イオン種供給源で満たされた不動共役有機半導体の開いた接続網状組織であ り、不動共役有機半導体とイオン種供給源の該混加複合層における重量割合範囲 が、約0.1:0.9〜約0.9:0.1である、請求項46に記載のプロセス。 49.前記共役有機半導体は、置換および非置換p−フェニレンビニレン、置換 および非置換p−フェニレン、置換および非置換キノリン、置換および非置換p −フェニレン−2,6−ベンゾビスチアゾール、置換および非置換p−フェニレ ン−2,6−ベンゾビスオキサゾール、置換および非置換p−フェニレン−2,6 −ベンゾイミダゾール、置換および非置換アリーレン、ならびに置換および非置 換アリーレンビニレンからなる群から選択されるマーユニットを有するホモポリ マーおよびコポリマー、ここで、アリーレンが、ナフタレン、アントラセン、フ リレン、チエニレン、ピロール、オキサジアゾール、またはイソチアナフテンで あり、ならびに、チオフェン、フェニレン、フェニレンビニレン、ピロール、ア セチレン、ビニレンならびにその誘導体および混合物からなる群から選択される マーユニットを有するホモオリゴマーおよびコオリゴマーからなる群から選択さ れる、請求項48に記載のプロセス。 50.前記イオン種供給源は、混加された塩である、請求項48に記載のプロセ ス。 51.前記塩は、単独でイオン化されたアルカリ金属、リチウム、ナトリウム、 カリウム、ルビジウムおよびセシウム;金属アルミニウム、銀、バリウム、カル シウム、コバルト、銅、クロミウム、亜鉛などのイオン;金属有機カチオン;お よびアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テ トラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラデシルアンモニ ウム、トリベンジルアンモニウム、フェニルアンモニウムなどの有機カチオンお よびその混合物からなる群から選択されるカチオン、ならびに、単独でイオン化 されたハロゲン、フッ素、塩素、臭素およびヨー素;過塩素酸塩、臭素酸塩、硝 酸塩、硫酸塩、燐酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロ燐酸塩、アル ミニウムテトラ塩素酸塩などの無機アニオン;およびn−酪酸塩、トリフルオロ メタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホンアミド、酢酸塩、トリフルオ ロ酢酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼン スルホン酸塩、樟脳スルホン酸塩、ピクリン酸塩、サリチル酸塩、チオシアン酸 塩、安息香酸塩などの有機アニオンおよびその混合物からなる群から選択される アニオンを有する、請求項50に記載のプロセス。 52.前記イオン種供給源が、ポリマー電解質を含む、請求項48に記載のプロ セス。 53.前記電解質ポリマー自体は、酸化エチレン、酸化プロピレン、ジメチルシ ロキサン、オキシメチレン、エピクロロヒドラン、ホスファゼン、ビス−(メ トキシエトキシエトキシ)ホスファゼン、オキセタン、テトラヒドロフラン、1 ,3−ジオキソラン、エチレンイミン、エチレンサクシネート、硫化エチレン、 硫化プロピレン、オリゴ(オキシエチレン)メタクリレート、オリゴ(オキシエ チレン)オキシメチレン、オリゴ(オキシエチレン)シクロトリスホスファゼン およびその混合物からなる群から選択されるマーユニットを有するホモポリマー およびコポリマーから選択されるポリイオノマーまたはポリイオン透過担体と塩 との混合物を含む、請求項52に記載のプロセス。 54.前記コンタクト層の少なくとも1つは、前記装置が光を発光する波長にお いて実質的に透明であり、該光は、該実質的に透明なコンタクト層を通って発光 される、請求項48に記載のプロセス。 55.前記電力電圧が、5ボルトより少ない、請求項48に記載のプロセス。 56.偏光された可視光を発光することができることを特徴とする、請求項48 に記載のプロセス。 57.混加複合層によって互いに離れた関係で保持される前記一対の陽極および 陰極のコンタクト層は、共に膜の形態である、請求項48に記載のプロセス。 58.混加複合層によって互いに離れた関係で保持される前記一対の陽極および 陰極のコンタクト層は、共にフィラメントの形態である、請求項48に記載のプ ロセス。
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