JPS59188181A - シリコン副マウント - Google Patents

シリコン副マウント

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JPS59188181A
JPS59188181A JP59054238A JP5423884A JPS59188181A JP S59188181 A JPS59188181 A JP S59188181A JP 59054238 A JP59054238 A JP 59054238A JP 5423884 A JP5423884 A JP 5423884A JP S59188181 A JPS59188181 A JP S59188181A
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JP
Japan
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light emitting
wafer
emitting diode
junction
submount
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Pending
Application number
JP59054238A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Mori
森　光廣
Yuichi Ono
小野　佑一
Kazuhiro Ito
和弘 伊藤
Masahiko Kawada
河田　雅彦
Hitoshi Nakamura
均 中村
Kazuhiro Kurata
倉田　一宏
Akizumi Sano
佐野　日隅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
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    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は副マウントに関し、詳しくは、発光ダイオード
の配線基板として用いる副マウントに関する。
従来、高出力発光ダイオード用のＳｉ副マウントとして
はＳｉウェーハ上に絶縁膜を堆積しさらにその上にＡｕ
配線がなされたものが使用された。
Ｓｉウェーハは熱伝導度（ｋ　＝　１　、５　Ｗ／ｃｍ
−ｄｅｇ）が各種材料中では良好であり、かつ精密加工
が通常のホトリソグラフィーを用いて可能であるという
点から副マウン１へ材としては好適である。しかし電極
間のアイソレーションにｋが約２桁低い絶縁膜を用いて
いるため、発光素子からの放熱が不十分となり、高電流
直流駆動およびパルス駆動において、発光素子のｐ−ｎ
接合部の温度Ｔｊが上昇して外部量子効率の低下すなわ
ち光出力の飽和をもたらしていた。
従って本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなく
し、良好な放熱性を有するＳｉ副マウン１〜を提供する
ものである。
上記の目的を達成するために、本発明は、Ｓｌウェーハ
にｐ−ｎ接合を作成したものを副マウンＦ・とじて用い
、これに発光ダイオードを接続する。
これによって発光ダイオードに順方向電流が流れるとき
は、Ｓｉ副マウントに逆方向に電圧がかかつて、絶縁膜
がなくてもＳｉ副マウントには電流が流れず、発光ダイ
オードの発光のみが行なわれる。また、発光ダイオード
に逆方向の電圧が印加されたときは、Ｓｉ副マウント内
に電流が流れて発光ダイオードは保護される。
実施例 第１図（ａ）、　（ｂ）は、それぞれ、本発明の一実施
例のｉｌＸ面および断面構造を示す図である。
＋Ｉ型Ｓｉウェハー（ギヤリア濃度〜］−０”　／ｃｍ
’　）　　１１の表面領域には、ＢＮを拡散源とした■
３の選択拡散（拡散条件：　１ｏｏｏ℃、１時間、拡散
深さ１μｍ　）によってＰ壁領域１２が形成されている
。
発光ダオオード２０のｐ型層１３およびｎ型層１４によ
って形成さ１１．るｐｎ接合に、順方向の電圧を印加す
ると、Ｓｉ副マウン１〜には、逆方向のバイアスがかか
るため、Ｓ１ウエハー１１内にはほとんど電流は流れず
、全電流はほとんど発光ダイオード２０のｐ　ｎ接合を
流れ、発光に寄与する。
発光ダイオード２０に逆方向の電圧が印加されるときは
、電流は、Ｐ壁領域１２からＳｉウェハー１１へ流れ、
発光ダイオード２０には流れないので、Ｓｉ副マウン１
−は、発光ダイオード２０の保護回路として、有効に作
用する。
また、Ｓ１副マウン］〜の金電極１６，１８は、Ｓｉウ
ェハー１１」−に直接被着されているため、発光ダイオ
ード２０のｐｎ接合で発生した熱は、金電極１５．１７
を通って、Ｓｉウェハー１１へ効率よく放熱される。
すなわち、本発明は、発光ダイオードの保護と、放熱の
両件用を有しており、実用」二極めて有効である。
上記Ｓｉ副マウンＩ〜を使用して、接合直径２００７Ａ
ｍ、ドーム外径９００　μ＋１１の高出力Ｇ　ａ　Ａ　
Ｑ　Ａ　ｓ高出力発光ダイオードを使用した場合、駆動
電流６００ｍＡＤ、Ｃ，で光出力０．５Ｗ、６０ヘルツ
、３０マイクロ秒のパルスｒｌを持つ６Ａのパルス駆動
のとき、ＩＷの光出力が得られた。
上記説明では、便宜上ｎ型Ｓｉウェハーにｐ型領域を形
成した場合について説明したが、これとは逆にＰ型Ｓｉ
基板を用い、これにｒｌ型領域を形成してもよいことは
勿論である。このようにしても、発光ダイオードとの接
続を、ｐ型層１３を■１型領域、ｎ型層１４をＰ型Ｓｉ
ウェハーと、それぞれ接続するようにすれば、上記η；
ａ明と全く同じ効果か得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す図であり、（ａ）はそ
のＩＩ１面図、（ｂ）はその断面図である。 １１・　Ｓｉウェハー、１２・・■）型領域、１３１）
型Ｊ？り、Ｉ　４−　＋１型層、＋５．１６．１７．１
８−浣　　ＩＩ２１ 第１頁の続き ０発　明　者　中村均 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　倉田−宏 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ［相］発　明　者　佐野日隅 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立瞥作所中央研究 所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第１導電型を有するシリコンウェハーの表面領域の所望
    部分に、−に記第１導電型とは逆の第２導電型領域を有
    し、上記第１導電型シリコンウエハーおよび上記第２導
    電型領域の表面上に、それぞれ導電性金属からなる電極
    をそなえたシリコン副マウント。
JP59054238A 1984-03-23 1984-03-23 シリコン副マウント Pending JPS59188181A (ja)

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JP59054238A JPS59188181A (ja) 1984-03-23 1984-03-23 シリコン副マウント

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JPS59188181A true JPS59188181A (ja) 1984-10-25

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ID=12964959

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