JPH1036847A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents

液晶表示素子およびその製造方法

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JPH1036847A
JPH1036847A JP19680196A JP19680196A JPH1036847A JP H1036847 A JPH1036847 A JP H1036847A JP 19680196 A JP19680196 A JP 19680196A JP 19680196 A JP19680196 A JP 19680196A JP H1036847 A JPH1036847 A JP H1036847A
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JP
Japan
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liquid crystal
polymer
crystal display
mixture
compound
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Withdrawn
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JP19680196A
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English (en)
Inventor
Hidekazu Kobayashi
英和 小林
Eiji Chino
英治 千野
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Publication of JPH1036847A publication Critical patent/JPH1036847A/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00Liquid crystal materials
    • C09K19/52Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
    • C09K19/54Additives having no specific mesophase characterised by their chemical composition
    • C09K19/542Macromolecular compounds
    • C09K2019/548Macromolecular compounds stabilizing the alignment; Polymer stabilized alignment

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高分子分散型液晶表示素子において低駆動電
圧、明るさ、コントラスト、耐焼き付き性および耐スト
レス性を同時に充足する信頼性の高い液晶表示素子およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 液晶及び高分子前駆体を特定し、重合時
における紫外線照度を限定し、そして/または重合温度
を限定した。 【効果】 スタティック駆動、デューティ駆動、または
アクティブ素子と組み合わせた場合に、駆動電圧の低
い、明るい、コントラストの良好な、表示焼き付きの無
い、機械的ストレスに強い液晶表示素子を実現できるよ
うになった。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子計算機やウォ
ッチを含む携帯型情報機器のディスプレイ、または広告
板等の表示装置に用いる表示素子の構成およびその製造
方法に関する。
【0002】さらに詳しくは前記液晶表示素子を構成す
る液晶およびモノマー組成物に関し、またその製造方法
については、前記モノマーの重合条件に関する。
【0003】
【従来の技術】近年情報機器に登載する表示装置の開発
が活発に行われており、そのひとつとして偏光板とネマ
チック液晶層を用いた液晶表示素子がある。しかし従来
の偏光板を使用したネマチック液晶層を用いた液晶表示
素子は、偏光板を用いるため明るさが十分とは言えな
い。そこで開発されつつあるものとして高分子分散型液
晶表示素子がある。米国特許第3、885、982号明
細書には液晶と高分子を互いに分散した高分子分散型液
晶表示素子が記載されている。この高分子分散型液晶表
示素子においては、電界印加で透明、電界無印加で散乱
状態をとることによって画像表示を可能としている。ま
た特開平4−227684号公報及び特開平5−119
302号公報には、液晶と高分子粒子を互いに配向分散
した高分子分散型液晶表示素子が記載されている。この
高分子分散型液晶表示素子においては電界無印加で透
明、電界印加で散乱状態をとることによって画像表示を
可能としている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般的に言って、高分
子分散型の液晶表示素子には以下の特性が求められる。
【0005】駆動電圧が低いこと 表示が明るいこと コントラスト特性が良好であること 残像および表示状態の焼き付きが起こらないこと 機械的ストレスに強いこと ところが、従来の高分子分散型液晶表示素子において
は、一般的に上記、及びを実現しようとすると
の特性が得られなくなる。また、を実現しようとす
ると、及びの特性が得られなくなる。これは以
下のように説明される。の特性を実現するには、高分
子の液晶に対するアンカリング力を弱める必要がある。
このためには高分子と液晶との界面を減らすのが効果的
である。すると電界印加時の散乱の基となる散乱界面が
減少し、散乱も減少する。すなわち表示が暗くなる。ま
た電界無印加時の液晶の配向と高分子の配向にズレが生
じ安くなり、結果としてヘイズが出やすくなり、コント
ラストの低下につながる。また隣合う高分子との連結が
少なくなり、電界印加により高分子の配向が変化し安
く、結果として残像及び表示状態の焼き付きを招くので
ある。、およびを実現しようとすると上記の逆
の説明ができる。すなわち、を実現しようとすると、
液晶や高分子の複屈折率を大きくすることのほか、液晶
と高分子の界面面積を増やすのが効果的である。すなわ
ち高分子の液晶に対するアンカリング力は増す。すると
駆動電圧は上昇するのである。
【0006】高分子と液晶組成物とを互いに配向分散し
た高分子分散型液晶表示素子においては高分子前駆体と
して2官能モノマーを用い、その高分子前駆体を重合し
て高分子を得ることが多い。その場合においては、高分
子の構造は強固なネットワーク構造となることが多く、
そのため表示状態の焼き付きは減少し機械的ストレスに
も強くなるが、先に述べたように高分子界面の面積が大
きくなるため結果的に駆動電圧が上昇することが多かっ
た。
【0007】本発明は掛かる課題を解決するものであ
り、上記、、、およびの特性を同時に充足す
る信頼性の高い液晶表示素子およびその製造方法を提供
するところにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、対向する基板内面に電極を有する一対の基板間に液
晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液晶表示素子
において、前記液晶として化合物23
【0009】
【化23】
【0010】および化合物24
【0011】
【化24】
【0012】の混合物を用い、前記高分子の前駆体とし
て化合物25
【0013】
【化25】
【0014】および化合物26
【0015】
【化26】
【0016】の混合物を用い、前記液晶の混合物と前記
高分子前駆体の混合物とからなる液晶層に紫外線を照射
し、前記高分子前駆体を重合して形成した液晶と高分子
との複合層を前記一対の基板間に挟持したことを特徴と
する。また、対向する基板内面に電極を有する一対の基
板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液晶
表示素子において、前記液晶として化合物27
【0017】
【化27】
【0018】化合物28
【0019】
【化28】
【0020】および化合物29
【0021】
【化29】
【0022】の混合物を用い、前記高分子の前駆体とし
て化合物30
【0023】
【化30】
【0024】を用い、前記液晶の混合物と前記高分子前
駆体の混合物とからなる液晶層に紫外線を照射し、前記
高分子前駆体を重合して形成した液晶と高分子との複合
層を前記一対の基板間に挟持したことを特徴とする。ま
た、対向する基板内面に電極を有する一対の基板間に液
晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液晶表示素子
において、前記液晶として化合物31
【0025】
【化31】
【0026】および化合物32
【0027】
【化32】
【0028】の混合物を用い、前記高分子の前駆体とし
て化合物33
【0029】
【化33】
【0030】を用い、前記液晶の混合物と前記高分子前
駆体の混合物とからなる液晶層に紫外線を照射し、前記
高分子前駆体を重合して形成した液晶と高分子との複合
層を前記一対の基板間に挟持したことを特徴とする。こ
の構成により、スタティックまたはデューティ駆動した
場合に、駆動電圧の低い、明るい、コントラストの良好
な、表示焼き付きの無い、機械的ストレスに強い液晶表
示素子を実現できるのである。
【0031】また、本発明の液晶表示素子の製造方法
は、対向する基板内面に電極を有する一対の基板間に液
晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液晶表示素子
の製造方法において、前記液晶として化合物34
【0032】
【化34】
【0033】および化合物35
【0034】
【化35】
【0035】の混合物を用い、前記高分子の前駆体とし
て化合物36
【0036】
【化36】
【0037】および化合物37
【0038】
【化37】
【0039】の混合物を用い、前記液晶の混合物と前記
高分子の前駆体の混合物を前記一対の基板間に封入し、
300nm乃至400nmの波長領域で、ほぼ350n
mにおける強度が4mW/cm2以下の紫外線を前記高
分子前駆体に照射し前記高分子を重合したことを特徴と
する。また、対向する基板内面に電極を有する一対の基
板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液晶
表示素子の製造方法において、前記液晶として化合物3
【0040】
【化38】
【0041】化合物39
【0042】
【化39】
【0043】および化合物40
【0044】
【化40】
【0045】の混合物を用い、前記高分子の前駆体とし
て化合物41
【0046】
【化41】
【0047】を用い、前記液晶の混合物と前記高分子の
前駆体の混合物を前記一対の基板間に封入し、300n
m乃至400nmの波長領域で、ほぼ350nmにおけ
る強度が4mW/cm2以下の紫外線を前記高分子前駆
体に照射し前記高分子を重合したことを特徴とする。ま
た、対向する基板内面に電極を有する一対の基板間に液
晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液晶表示素子
の製造方法において、前記液晶として化合物42
【0048】
【化42】
【0049】および化合物43
【0050】
【化43】
【0051】の混合物を用い、前記高分子の前駆体とし
て化合物44
【0052】
【化44】
【0053】を用い、前記液晶の混合物と前記高分子の
前駆体の混合物を前記一対の基板間に封入し、300n
m乃至400nmの波長領域で、ほぼ350nmにおけ
る強度が4mW/cm2以下の紫外線を前記高分子前駆
体に照射し前記高分子を重合したことを特徴とする。こ
の構成によっても先のアクティブ素子向け組成と同等の
効果が得られる。
【0054】これにより、表示の明るさを損なうこと無
く、駆動電圧を低減することができ、また機械的ストレ
ス耐性を向上することができる。望ましくは、前記35
0nmにおける強度が0.1mW/cm2以上1mW/
cm2以下である。この条件で重合することにより表示
の明るさを保ったまま駆動電圧を低減できる。また0.
1mW/cm2以下で重合することにより、機械的スト
レス耐性を向上することができる。また前記光重合を行
う際に、前記液晶及び前記高分子の前駆体の混合物を封
入した層を20℃乃至70℃に加温することを特徴とす
る。加温する事により、重合速度を早めることができ
る。また前記加温時の温度が50℃乃至60℃であるこ
とを特徴とする。この温度範囲に加温する事により、表
示の明るさを保ちつつ、駆動電圧を低減し、機械的スト
レス耐性を高めることができるのである。ここに示した
液晶表示素子の製造方法は前記液晶渡航分子前駆体組成
物以外を用いる場合にも同様に応用できる。
【0055】
【発明の実施の形態】
(実施例1)本実施例では、2枚の電極付き基板間に液
晶と高分子を互いに配向し分散した液晶表示素子におい
て、前記液晶としてシアノフェニル系化合物群1および
ピリミジン系化合物群2の混合物を用い、前記高分子の
前駆体として化合物群3および化合物群4の混合物を用
い、かつ前記液晶および前記高分子の前駆体の混合物を
2枚の電極付き基板間に封入して、基板温度を50℃と
して、ブラックライトを用いて350nmにおける強度
が4mW/cm2以下に調整して、しかも300nm乃
至400nmの波長域の紫外線を用いて光重合したこ
と、または300nm乃至400nmにおける紫外線の
積分強度が前記ブラックライトを用いた場合と同等であ
る光源を用いて光重合する場合について説明する。
【0056】まず用いた液晶及び高分子前駆体を説明す
る。表1と表2に組成物の内容を示した。
【0057】
【表1】
【0058】
【表2】
【0059】この液晶94.7重量%にカイラル成分と
してR1011(メルク社製)を0.3重量%、モノマ
ーとして化合物群3を1.7重量%、化合物群4を3.
33重量%添加した。この混合物を以下に示す空パネル
に封入した。化合物群3はY=CH3、X=Fで、化合
物群4はY=CH3、X=Hである。
【0060】まず、ITO透明電極付きガラス基板に配
向膜を製膜し、配向処理を施した。しかし1軸配向処理
を施さなくても良い。その後配向処理方向を合わせて電
極面を向き合わせて5μmの間隙を保ってパネル周囲を
固定、モールドした。液晶層となる間隙は5μmに限ら
ず、目的に応じて決めれば良い。間隙を薄くすれば、駆
動電圧は低下するが電界を印加した場合の散乱は弱くな
る。間隙を厚くすれば、電界を印加した場合の散乱は強
くなるが駆動電圧は上昇する。実用的な間隙は3〜10
μm程度である。この間隙に先に調製した混合物を封入
し、さらに封入口を封止した後、50℃にて紫外線35
0nmでの強度3.3mW/cm2のブラックライトを
10分照射してモノマーを高分子化した。紫外線350
nmでの強度10mW/cm2程度のキセノンランプま
たは無電極紫外線ランプなどでも同様の重合効果が得ら
れる。
【0061】こうして作製した表示素子の簡単な断面図
を図1に示した。この表示素子の電気光学特性を測定し
た。測定方法は図2に示した測定系で、背景にクロム反
射板を配置して素子への印加電圧を徐々に増加しながら
表示素子表面より70度の方向から光を入射して表示素
子法線方向で表示の明るさを観察し、比較として硫酸バ
リウムの標準白色板の明るさに対して100分率で表示
の明るさを表した。これによりしきい電圧、飽和電圧、
飽和電圧印加時の明るさ、電界無印加時の明るさに対す
るコントラストを求めた。具体的な特性については実施
例2以降に示した。
【0062】重合条件はここに示した条件に限らない。
ただし液晶相にて重合することが重要であるので、重合
温度は液晶/モノマー混合物のNI点以下の温度とする
のが望ましい。また重合照度については、あまり強い光
では生成する高分子の形状が変化して散乱度が低下し、
駆動電圧が高くなり、液晶の分解が加速されるため好ま
しくない。望ましくは300〜400nmの波長領域の
発光を持ち、ブラックライトの場合350nmで4mW
/cm2以下の強度がよい。紫外線照射時間では照射強
度とのかけ算で33mW・分/cm2程度が最適であ
る。
【0063】カイラル成分はここに示した量でなくても
良く、全く加えなくても良い。全く加えないと駆動電圧
は低くなるが、散乱度は低くなる。あまり加えるとコレ
ステリック液晶特有の可視光領域での反射が生じ、駆動
時にヒステリシスが生じ、駆動電圧も上昇する。カイラ
ル成分量を変える場合は、ツイスト角が変わるので配向
処理方向も変える必要がある。
【0064】用いるモノマーとしては化合物群3の替わ
りにフッ素置換されていないもの、あるいは他の置換基
で置換されたものも同様に用いることができる。化合物
群4においてもベンゼン環に置換基を導入したものを用
いることができる。なお化合物群3、化合物群4は極め
て重合性がよい為に、100℃程度の加熱により容易に
熱重合するため、この熱重合を防ぐ目的で重合禁止剤と
してヒドロキノンを液晶に対して0.001〜0.01
重量%添加して用いた。他にターシャリーブチルカテコ
ール、ジターシャリーブチルヒドロキノンなど、通常モ
ノマーの熱重合を禁止するために用いられる化合物であ
れば同様に用いることができる。また低温で混合封入す
れば重合禁止剤を用いなくても良い。
【0065】用いる液晶としては、各化合物群の混合比
率はもちろんここに示した比率に限らない。化合物群1
を増やせば信頼性が増し、化合物群2を増やせば駆動電
圧を低減することができる。また、ここに示した化合物
群の他、減粘剤、NI点調整剤、凝固点調整剤などを添
加することができる。例えば、
【0066】
【化45】
【0067】
【化46】
【0068】
【化47】
【0069】(Rはアルキル基またはアルコキシ基を示
し、XはH,CH3,ハロゲン,CN,フェニル基など
を示し、nは正数を示す)などである。これらの化合物
群を液晶全体量に対して20重量%以下程度用いるので
あれば電気光学特性はほとんど変化しない。この他の通
常使われている液晶エレメントも添加することができ
る。
【0070】(実施例2)本実施例では重合照度を4m
W/cm2以下として、化合物群3と化合物群4の混合
比率を変化した場合の電気光学特性及び耐焼き付き耐ス
トレス性を調べた。
【0071】用いた材料及び製造条件、測定条件は実施
例1と同様である。重合照度3.3mW/cm2で重合
した場合の特性を表3にまとめた。
【0072】
【表3】
【0073】従来例は日本特許公開公報5−11930
2に基づいて、液晶はロディック社製PN001、モノ
マーとしてビフェニルメタクリレートを用いてパネルを
作製し、実施例1に示した測定装置で測定したものであ
る。
【0074】次に重合照度0.4mW/cm2で重合し
た場合の特性を表4にまとめた。
【0075】
【表4】
【0076】紫外線ランプについてはブラックライトの
他、紫外線350nmでの強度1.2mW/cm2程度
のキセノンランプまたは無電極紫外線ランプなどでも同
様の重合効果が得られる。
【0077】次に重合照度0.07mW/cm2で重合
した場合の特性を表5にまとめた。
【0078】
【表5】
【0079】紫外線ランプについてはブラックライトの
他、紫外線350nmでの強度0.2mW/cm2程度
のキセノンランプまたは無電極紫外線ランプなどでも同
様の重合効果が得られる。
【0080】もちろん化合物群3と化合物群4の混合比
率はここに示した以外でもよく、その場合上記表より内
挿した特性を示すことになる。
【0081】また重合照度をここに示した以外の照度に
した場合は、上記表より内挿または外挿することによ
り、特性を予測できる。
【0082】(実施例3)本実施例では、光重合を行う
際に、液晶及び高分子の前駆体の混合物を封入した層を
60℃および70℃に加温する例を示した。用いた材料
及び製造条件は実施例1と同様である。
【0083】表6に本実施例での60℃で光重合した液
晶表示素子の電気光学特性及び耐焼き付き耐ストレス性
を示した。
【0084】
【表6】
【0085】表7に本実施例での70℃で光重合した液
晶表示素子の電気光学特性及び耐焼き付き耐ストレス性
を示した。
【0086】
【表7】
【0087】加温する度合いにより耐ストレス性が改善
していることがわかる。ただしコントラスト、明るさ、
駆動電圧も影響を受けるので用途に応じて最適な条件を
選ぶと良い。中でも50℃〜60℃で加温し、化合物群
3と4の比率を最適化すると駆動電圧が低く、明るさも
あり、コントラスト、耐ストレス性の良好な条件が存在
する。
【0088】もちろん化合物群3と化合物群4の混合比
率はここに示した以外でもよく、その場合上記表より内
挿した特性を示すことになる。また、重合温度について
も同様であり、20℃〜70℃までであれば実施例2の
表及び上記表より内挿あるいは外挿して特性を求められ
る。
【0089】(実施例4)本実施例では、アクティブ素
子と組み合わせることのできる高信頼性組成を提供する
ものであり、用いる液晶として化合物群1、化合物群
5、および化合物群6の混合物を用い、前記高分子の前
駆体として化合物群7を用い、かつ前記液晶および前記
高分子の前駆体の混合物を2枚の電極付き基板間に封入
して、ブラックライトを用いて350nmにおける強度
が4mW/cm2以下に調整して、しかも300nm乃
至400nmの波長域の紫外線を用いて光重合したこ
と、または300nm乃至400nmにおける紫外線の
積分強度が前記ブラックライトを用いた場合と同等であ
る光源を用いて光重合した例を示す。
【0090】まず用いた液晶/高分子前駆体組成につい
ては表1と表8に示した。
【0091】
【表8】
【0092】この液晶94.7重量%にカイラル成分と
してR1011(メルク社製)を0.3重量%、モノマ
ーとして化合物群7を5重量%添加した。化合物群7は
Y=CH3、X=CH3である。この混合物を実施例1
に示した空パネルに封入した。さらに封入口を封止した
後、50℃にて紫外線350nmでの強度3.3、1.
2、0.84、0.55、0.4、0.07mW/cm
2、以上6水準の強度のブラックライトを照射してモノ
マーを高分子化した。紫外線350nmでの強度10、
3.6、2.5、1.7、1.2、0.2mW/cm2
程度のキセノンランプまたは無電極紫外線ランプなどで
も同様の重合効果が得られる。
【0093】こうして作製した液晶表示素子の特性を実
施例1の方法に従って測定し、この結果を表9に示し
た。
【0094】
【表9】
【0095】次に、上記組成を、アクティブ素子付きパ
ネルに封入して、動画表示を行った。図3にMIM素子
を用いた本実施例の液晶表示素子の簡単な断面図を示し
た。まずITO透明電極付きガラス基板とアクティブ素
子としてMIM(メタル−インスレーター−メタル)素
子およびアルミニウム反射電極を形成した基板の電極表
面に配向膜を製膜し、配向処理を施した。その後電極面
を向き合わせて5μmの間隙を保ってパネル周囲を固
定、モールドした。このパネルに上記組成物を封入し
て、上記の方法で重合して液晶表示パネルを作製した。
このパネルに駆動用ドライバーとコントローラ回路を実
装して、電源を接続してコンピュータ画像のデータを入
力したところ、極めて明るい表示を行うことができた。
これは低照度重合により駆動電圧が著しく低下したため
である。
【0096】用いるアクティブ素子としてはMIM素子
に限らず、同様の2端子素子や、TFT素子などの3端
子素子も用いることができる。
【0097】またカラーフィルターを基板に形成してお
けば、カラー表示を行うことができる。ノングレア処理
や減反射処理を施すことにより、視認性を向上すること
ができる。このような構成を取り入れた液晶表示素子の
断面図を図4に示した。
【0098】重合照度についてはここに示した照度以外
の照度の場合は、上記表より内挿または外挿して特性を
予測できる。
【0099】また重合温度については50℃としたが、
実施例5の結果と合わせると容易に20℃〜80℃まで
で重合照度を変化した場合の特性を予測できる。
【0100】(実施例5)本実施例では実施例4の構成
において、重合照度の替わりに重合温度を変化した場合
の例を示す。重合照度を0.07mW/cm2に固定し
て重合温度を20〜80℃まで変化した。この条件で作
製した液晶表示素子の特性を表10に示した
【0101】
【表10】
【0102】重合温度は駆動電圧と耐ストレス性に影響
を及ぼすことがわかる。
【0103】本実施例の重合方法を用いて、実施例4と
同様にアクティブ素子と組み合わせて画像表示を行うこ
とが可能であった。重合温度についてはここに示した温
度以外の温度の場合は、上記表より内挿または外挿する
ことにより特性を予測することができる。
【0104】また重合照度については0.07mW/c
2としたが、実施例4の結果と合わせると容易に0.
07〜3.3mW/cm2までで重合照度を変化した場
合の特性を予測できる。
【0105】(実施例6)本実施例では、アクティブ素
子と組み合わせることのできる高信頼性組成を提供する
ものであり、用いる液晶として化合物群5、および化合
物群8の混合物を用い、前記高分子の前駆体として化合
物群7を用い、かつ前記液晶および前記高分子の前駆体
の混合物を2枚の電極付き基板間に封入して、ブラック
ライトを用いて350nmにおける強度が4mW/cm
2以下に調整して、しかも300nm乃至400nmの
波長域の紫外線を用いて光重合したこと、または300
nm乃至400nmにおける紫外線の積分強度が前記ブ
ラックライトを用いた場合と同等である光源を用いて光
重合した例を示す。
【0106】まず用いた液晶/高分子前駆体組成につい
ては表1と表11に示した。
【0107】
【表11】
【0108】この液晶94.7重量%にカイラル成分と
してR1011(メルク社製)を0.3重量%、モノマ
ーとして化合物群7を5重量%添加した。化合物群7は
Y=CH3、X=CH3である。この混合物を実施例1
に示した空パネルに封入した。さらに封入口を封止した
後、50℃にて紫外線350nmでの強度3.3、1.
2、0.84、0.55、0.4、0.07mW/cm
2、以上6水準の強度のブラックライトを照射してモノ
マーを高分子化した。紫外線350nmでの強度10、
3.6、2.5、1.7、1.2、0.2mW/cm2
程度のキセノンランプまたは無電極紫外線ランプなどで
も同様の重合効果が得られる。
【0109】こうして作製した液晶表示素子の特性を実
施例1の方法に従って測定し、この結果を表12に示し
た。
【0110】
【表12】
【0111】次に、上記組成を、アクティブ素子付きパ
ネルに封入して、動画表示を行った。図5にTFT素子
を用いた本実施例の液晶表示素子の簡単な断面図を示し
た。まずITO透明電極付きガラス基板とアクティブ素
子としてTFT素子およびアルミニウム反射電極を形成
した基板の電極表面に配向膜を製膜し、配向処理を施し
た。その後電極面を向き合わせて5μmの間隙を保って
パネル周囲を固定、モールドした。このパネルに上記組
成物を封入して、上記の方法で重合して液晶表示パネル
を作製した。このパネルに駆動用ドライバーとコントロ
ーラ回路を実装して、電源を接続してコンピュータ画像
のデータを入力したところ、極めて明るい表示を行うこ
とができた。これは低照度重合により駆動電圧が著しく
低下したためである。
【0112】用いるアクティブ素子としてはTFT素子
に限らず、同様の3端子素子や、MIM素子などの2端
子素子も用いることができる。
【0113】またカラーフィルターを基板に形成してお
けば、カラー表示を行うことができる。ノングレア処理
や減反射処理を施すことにより、視認性を向上すること
ができる。このような構成を取り入れた液晶表示素子の
断面図を図6に示した。
【0114】重合照度についてはここに示した照度以外
の照度の場合は、上記表より内挿または外挿して特性を
予測できる。
【0115】また重合温度については50℃としたが、
実施例7の結果と合わせると容易に20℃〜80℃まで
で重合照度を変化した場合の特性を予測できる。
【0116】(実施例7)本実施例では実施例6の構成
において、重合照度の替わりに重合温度を変化した場合
の例を示す。重合照度を0.07mW/cm2に固定し
て重合温度を20〜80℃まで変化した。この条件で作
製した液晶表示素子の特性を表13に示した。
【0117】
【表13】
【0118】重合温度は駆動電圧と耐ストレス性に影響
を及ぼすことがわかる。
【0119】本実施例の重合方法を用いて、実施例6と
同様にアクティブ素子と組み合わせて画像表示を行うこ
とが可能であった。重合温度についてはここに示した温
度以外の温度の場合は、上記表より内挿することにより
特性を予測することができる。
【0120】また重合照度については0.07mW/c
m2としたが、実施例6の結果と合わせると容易に0.
07〜3.3mW/cm2までで重合照度を変化した場
合の特性を予測できる。
【0121】以上実施例を述べてきたが、コントラスト
を向上するために2色性色素を液晶中に混合することが
できる。その場合、重合するために用いる紫外線が2色
性色素にも1部吸収されるため、色素濃度に合わせて重
合照度を最適化する必要がある。
【0122】以上実施例に挙げた製造方法においては、
液晶として頻繁に用いられる構造の組成物を用い、また
用いる高分子前駆体としても異なる構造のものを用い
て、表示素子として同様の特性の傾向を示したことか
ら、本発明に示した構造以外の液晶及び高分子前駆体を
用いても同様の効果が得られることが期待される。
【0123】
【発明の効果】以上本発明に因れば、液晶及び高分子前
駆体を特定し、重合時における紫外線照度を限定し、そ
して/または重合温度を限定することにより、スタティ
ック駆動、デューティ駆動、またはアクティブ素子と組
み合わせた場合に、駆動電圧の低い、明るい、コントラ
ストの良好な、表示焼き付きの無い、機械的ストレスに
強い液晶表示素子を実現できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1における液晶表示素子の簡単
な断面図である。
【図2】本発明の実施例で用いた液晶表示素子の電気光
学特性を測定する光学系を示す図である。
【図3】本発明の実施例4における液晶表示素子の簡単
な断面図である。
【図4】本発明の実施例4における液晶表示素子の簡単
な断面図である。
【図5】本発明の実施例6における液晶表示素子の簡単
な断面図である。
【図6】本発明の実施例6における液晶表示素子の簡単
な断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 電極 3 配向層 4 液晶 5 高分子 6 配向層 7 電極 8 基板 10 カラーフィルター 11 ノングレア/減反射層 12 絶縁層 13 信号電極 14 ソース電極 15 ゲート電極 16 半導体層 17 ドレイン電極 18 ゲート絶縁層 19 光電子増倍管 20 レンズ 21 平行光光源 22 表示素子 23 反射板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/13 500 G02F 1/13 500 1/1333 1/1333

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対向する基板内面に電極を有する一対の
    基板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液
    晶表示素子において、前記液晶として化合物1 【化1】 および化合物2 【化2】 の混合物を用い、前記高分子の前駆体として化合物3 【化3】 および化合物4 【化4】 の混合物を用い、前記液晶の混合物と前記高分子前駆体
    の混合物とからなる液晶層に紫外線を照射し、前記高分
    子前駆体を重合して形成した液晶と高分子との複合層を
    前記一対の基板間に挟持したことを特徴とする液晶表示
    素子。
  2. 【請求項2】 対向する基板内面に電極を有する一対の
    基板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液
    晶表示素子の製造方法において、前記液晶として化合物
    5 【化5】 および化合物6 【化6】 の混合物を用い、前記高分子の前駆体として化合物7 【化7】 および化合物8 【化8】 の混合物を用い、前記液晶の混合物と前記高分子の前駆
    体の混合物を前記一対の基板間に封入し、300nm乃
    至400nmの波長領域で、ほぼ350nmにおける強
    度が4mW/cm2以下の紫外線を前記高分子前駆体に
    照射し前記高分子を重合したことを特徴とする液晶表示
    素子の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の液晶表示素子におい
    て、ブラックライトを用いて前記高分子前駆体の光重合
    を行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の液晶表示素子の製造方法
    であって、前記350nmにおける強度が0.1mW以
    上1mW/cm2以下であることを特徴とする液晶表示
    素子の製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項2記載の液晶表示素子の製造方法
    であって、前記350nmにおける強度が0.1mW/
    cm2以下であることを特徴とする液晶表示素子の製造
    方法。
  6. 【請求項6】 請求項2記載の液晶表示素子の製造方法
    であって、前記光重合を行う際に、前記液晶及び前記高
    分子の前駆体の混合物を封入した層を20℃乃至70℃
    に加温することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の液晶表示素子の製造方法
    であって、前記加温時の温度が50℃乃至60℃である
    ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  8. 【請求項8】 対向する基板内面に電極を有する一対の
    基板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液
    晶表示素子において、前記液晶として化合物9 【化9】 化合物10 【化10】 および化合物11 【化11】 の混合物を用い、前記高分子の前駆体として化合物12 【化12】 を用い、前記液晶の混合物と前記高分子前駆体の混合物
    とからなる液晶層に紫外線を照射し、前記高分子前駆体
    を重合して形成した液晶と高分子との複合層を前記一対
    の基板間に挟持したことを特徴とする液晶表示素子。
  9. 【請求項9】 対向する基板内面に電極を有する一対の
    基板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した液
    晶表示素子の製造方法において、前記液晶として化合物
    13 【化13】 化合物14 【化14】 および化合物15 【化15】 の混合物を用い、前記高分子の前駆体として化合物16 【化16】 を用い、前記液晶の混合物と前記高分子の前駆体の混合
    物を前記一対の基板間に封入し、300nm乃至400
    nmの波長領域で、ほぼ350nmにおける強度が4m
    W/cm2以下の紫外線を前記高分子前駆体に照射し前
    記高分子を重合したことを特徴とする液晶表示素子の製
    造方法。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載の液晶表示素子におい
    て、ブラックライトを用いて前記高分子前駆体の光重合
    を行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  11. 【請求項11】 請求項9記載の液晶表示素子の製造方
    法であって、前記350nmにおける強度が0.1mW
    以上1mW/cm2以下であることを特徴とする液晶表
    示素子の製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項9記載の液晶表示素子の製造方
    法であって、前記350nmにおける強度が0.1mW
    /cm2以下であることを特徴とする液晶表示素子の製
    造方法。
  13. 【請求項13】 請求項9記載の液晶表示素子の製造方
    法であって、前記光重合を行う際に、前記液晶及び前記
    高分子の前駆体の混合物を封入した層を20℃乃至70
    ℃に加温することを特徴とする液晶表示素子の製造方
    法。
  14. 【請求項14】 請求項13記載の液晶表示素子の製造
    方法であって、前記加温時の温度が50℃乃至60℃で
    あることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  15. 【請求項15】 対向する基板内面に電極を有する一対
    の基板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した
    液晶表示素子において、前記液晶として化合物17 【化17】 および化合物18 【化18】 の混合物を用い、前記高分子の前駆体として化合物19 【化19】 を用い、前記液晶の混合物と前記高分子前駆体の混合物
    とからなる液晶層に紫外線を照射し、前記高分子前駆体
    を重合して形成した液晶と高分子との複合層を前記一対
    の基板間に挟持したことを特徴とする液晶表示素子。
  16. 【請求項16】 対向する基板内面に電極を有する一対
    の基板間に液晶分子と高分子とを互いに配向し分散した
    液晶表示素子の製造方法において、前記液晶として化合
    物20 【化20】 および化合物21 【化21】 の混合物を用い、前記高分子の前駆体として化合物22 【化22】 を用い、前記液晶の混合物と前記高分子の前駆体の混合
    物を前記一対の基板間に封入し、300nm乃至400
    nmの波長領域で、ほぼ350nmにおける強度が4m
    W/cm2以下の紫外線を前記高分子前駆体に照射し前
    記高分子を重合したことを特徴とする液晶表示素子の製
    造方法。
  17. 【請求項17】 請求項16に記載の液晶表示素子にお
    いて、ブラックライトを用いて前記高分子前駆体の光重
    合を行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  18. 【請求項18】 請求項16記載の液晶表示素子の製造
    方法であって、前記350nmにおける強度が0.1m
    W以上1mW/cm2以下であることを特徴とする液晶
    表示素子の製造方法。
  19. 【請求項19】 請求項16記載の液晶表示素子の製造
    方法であって、前記350nmにおける強度が0.1m
    W/cm2以下であることを特徴とする液晶表示素子の
    製造方法。
  20. 【請求項20】 請求項16記載の液晶表示素子の製造
    方法であって、前記光重合を行う際に、前記液晶及び前
    記高分子の前駆体の混合物を封入した層を20℃乃至7
    0℃に加温することを特徴とする液晶表示素子の製造方
    法。
  21. 【請求項21】 請求項20記載の液晶表示素子の製造
    方法であって、前記加温時の温度が50℃乃至60℃で
    あることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
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