JPH07238285A - 液晶組成物及びそれを用いた表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高分子配向分散型液晶表示素子の駆動電圧を
下げ、かつ電圧無印加時のヘイズを減少できる液晶組成
物を提供する。 【構成】 シアノフッ素ビフェニル化合物を３重量％か
ら５０重量％ホスト液晶に混合して用いる。また高分子
前駆体としてビフェニルメタクリレートまたはトランメ
タクリレートを用いる。 【効果】 高分子分散型液晶表示素子において、駆動電
圧の低いコントラストの良好な鮮明な表示を行うことが
可能となった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は情報機器端末、テレビ、
または広告板などに使用される液晶表示装置に用いる液
晶組成物に関する。また、一対の基板間に該液晶組成物
が封入されている表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年情報機器の小型携帯化が進行し、そ
れに搭載する表示素子も省電力化が求められている。そ
こで最近、偏光板を用いない、明るい反射型液晶表示装
置が開発されつつある。特開昭５８−５０１６３１号公
報に開示されているように、これらの反射型液晶表示装
置は、高分子中に、高分子の屈折率とほぼ等しい常光屈
折率を有する液晶が分散もしくは配向分散している（も
しくは液晶中に高分子が分散もしくは配向分散してい
る）液晶／高分子層を有している。電圧無印加時には、
液晶／高分子層での液晶はランダムに配向しているた
め、高分子と液晶との界面において、もしくは液晶のミ
クロな配向欠陥により、液晶表示装置に入射した光は散
乱する。一方、電圧印加時においては、液晶が電圧印加
方向に配向する。このため、電圧印加方向においては液
晶の屈折率と液晶周囲の高分子の屈折率とがほぼ等しく
なので、液晶表示装置に入射した光は透過し透明表示と
なる。つまり、電圧により散乱状態と透明状態とを切り
換えることにより画像表示を可能としている。

【０００３】また、特開平４−２２７６８４号公報や、
特開平５−１１９３０２号公報には、液晶と高分子とが
互いに配向分散されてなる液晶／高分子層を有する液晶
表示装置が開示されている。これらの液晶表示装置にお
いては、電圧無印加時に液晶の配向方向と高分子の配向
方向とが一致し、電圧印加時においては、液晶の配向方
向と高分子の配向方向とが直交する。したがって、電圧
印加で散乱状態、電圧無印加で透明（もしくは光吸収）
状態となり、表示可能となる。上記したような液晶表示
装置を大容量表示とするためには、アクティブ素子を用
いることが不可欠となる。

【０００４】そこで、低電圧での駆動を可能とするため
にシアノエステル系液晶や、ベンゼン環に窒素を置換し
た骨格（ピリジン骨格、ピリミジン骨格等）をもつ液晶
組成物を用いた液晶表示装置が開発され、特開平２−２
０２９８４号公報や特開平２−２０２９８６号公報等に
開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したような、透明
状態と散乱状態とを切り換えることにより表示画像を形
成する高分子分散型の液晶表示装置においては、透明状
態での透過率が画像のコントラストに多大な影響を及ぼ
すこととなる。しかしながら、従来の液晶組成物を用い
た高分子分散型の液晶表示装置においてはヘイズが大き
く、透明状態での透過率が十分でないため、コントラス
トが低くなってしまい反射型の表示装置としては、不適
切なものであった。

【０００６】さらには、従来の高分子分散型の液晶表示
装置は、その駆動電圧が高く、アクティブ素子を用いて
大容量表示を行うには適切なものではなかった。

【０００７】また、上述したような高分子分散型の液晶
表示素子はその製造過程において強い紫外線を用いて液
晶と高分子前駆体との混合物中の高分子前駆体を重合
し、液晶／高分子層を形成するのが一般的である。

【０００８】しかしながら、従来の液晶組成物を用いた
表示素子では紫外線により液晶が分解されそれに伴い液
晶の比抵抗が低下するので、アクティブ素子での駆動が
できなくなってしまうという欠点があった。

【０００９】さらには、製造過程で紫外線を用いない場
合であっても、表示素子を日のあたる場所に保管してお
くと照射光により液晶が分解され液晶の比抵抗が低下す
るのでアクティブ素子での駆動ができなくなってしまう
という欠点があった。

【００１０】このように液晶の劣化が起こると、液晶の
比抵抗が低下しアクティブ素子での駆動ができなくなっ
てしまうため大容量表示が困難になってしまう。シアノ
エステル系液晶や、ベンゼン環に窒素を置換した骨格
（ピリジン骨格、ピリミジン骨格等）をもつ液晶組成物
は耐光性が悪く、特にこの傾向が顕著であるため、大容
量表示する際に大きな問題となっていた。

【００１１】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、（イ）ヘ
イズがすくなくコントラストが良好である液晶組成物及
び表示素子を提供する。（ロ）低電圧での駆動が可能な
液晶組成物及び表示素子を提供する。（ハ）耐光性が良
好な液晶組成物及び表示素子を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶組成物は、 化合物群Ｉ

【００１３】

【化３３】

【００１４】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ
基、Ａｒはフェニルまたはシクロヘキサン環を示す） もしくは化合物群ＩＩ

【００１５】

【化３４】

【００１６】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基
を示す）で示される化合物を含有することを特徴とす
る。

【００１７】また、化合物群ＩＩＩ

【００１８】

【化３５】

【００１９】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ
基） 化合物群ＩＶ

【００２０】

【化３６】

【００２１】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ
基、Ｒ１はフッ素または水素、Ｒ２はフッ素またはアル
キル基を示す） 化合物群Ｖ

【００２２】

【化３７】

【００２３】（式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコ
キシ基を示す） 化合物群ＶＩ

【００２４】

【化３８】

【００２５】（式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコ
キシ基を示す） 化合物群ＶＩＩ

【００２６】

【化３９】

【００２７】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ
基、Ａｒはフェニル、ビフェニル、ピリジン、ピリミジ
ンまたはこれらの組みあわせを示す） 化合物群ＶＩＩＩ

【００２８】

【化４０】

【００２９】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基
を示す）で示される化合物のうち少なくとも一種の化合
物を含有することを特徴とする。

【００３０】また、化合物群Ｉ

【００３１】

【化４１】

【００３２】もしくは化合物群ＩＩ

【００３３】

【化４２】

【００３４】で示される化合物を３重量％〜５０重量％
含有することを特徴とする。

【００３５】また、２色性色素を含有することを特徴と
する。

【００３６】本発明の液晶表示素子は、相対向して配置
された一対の基板間に、液晶と高分子粒子が互いに分散
してなる液晶／高分子層を有する表示素子において、前
記液晶は、 化合物群Ｉ

【００３７】

【化４３】

【００３８】もしくは化合物群ＩＩ

【００３９】

【化４４】

【００４０】で表される化合物を含有することを特徴と
する。

【００４１】また、前記液晶は化合物群ＩＩＩ

【００４２】

【化４５】

【００４３】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ
基） 化合物群ＩＶ

【００４４】

【化４６】

【００４５】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ
基、Ｒ１はフッ素または水素、Ｒ２はフッ素またはアル
キル基を示す） 化合物群Ｖ

【００４６】

【化４７】

【００４７】（式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコ
キシ基を示す） 化合物群ＶＩ

【００４８】

【化４８】

【００４９】（式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコ
キシ基を示す） 化合物群ＶＩＩ

【００５０】

【化４９】

【００５１】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ
基、Ａｒはフェニル、ビフェニル、ピリジン、ピリミジ
ンまたはこれらの組みあわせを示す） 化合物群ＶＩＩＩ

【００５２】

【化５０】

【００５３】（式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基
を示す）で示される化合物のうち少なくとも一種の化合
物を含有することを特徴とする。

【００５４】また、化合物群Ｉ

【００５５】

【化５１】

【００５６】もしくは化合物群ＩＩ

【００５７】

【化５２】

【００５８】で示される化合物を３重量％〜５０重量％
含有する液晶組成物を用いたことを特徴とする。

【００５９】また、前記液晶は２色性色素を含有するこ
とを特徴とする。

【００６０】また、前記高分子粒子は、ビフェニル骨格
またはトラン骨格を含むアクリレート、メタクリレート
またはエポキシ化合物からなる高分子前駆体により形成
されることを特徴とする。

【００６１】本発明の液晶組成物において、化合物群Ｉ
としては、４−プロピル３’−フロロ４’−シアノビフ
ェニル、３−フロロ４−シアノフェニルブチルシクロヘ
キサン等を用いることができる。また化合物群ＩＩとし
ては、メトキシフロロターフェニルカルボニトリル、プ
ロピルフロロターフェニルカルボニトリル等を用いるこ
とができる。化合物群Ｉもしくは化合物群ＩＩの液晶組
成中における含有量は、３重量％〜５０重量％が好まし
く、さらに好ましくは５重量％〜２０重量％用いるのが
よい。化合物群ＩＩＩのＲとしては、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基等を用いることができる。化合物群ＩＶ
のＲとしては、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等を
用い、Ｒ１とＲ２としてはフッ素等を用いることができ
る。化合物群ＶのＲとしては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基等を用いることがで
き、Ｒ’としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基〜ウンデシル基等のアルキル基を用
いることができる。化合物群ＶＩのＲとしては、プロピ
ル基、ブチル基等を用い、Ｒ’としてはエチル基等を用
いることができる。化合物群ＶＩＩのＲとしてはペンチ
ル基、へプチル基、オクチロキシ基等を用い、Ａｒとし
ては、フェニル基、ビフェニル基等を用いることができ
る。化合物群Ｉ〜化合物群ＶＩＩＩの液晶組成物中にお
ける混合割合の合計は５重量％〜９５重量％が好まし
い。

【００６２】

【実施例】

（実施例１）本発明の液晶組成物の組成の一例を表１に
示す。

【００６３】

【表１】

【００６４】それぞれの化合物群でのＲはここに示した
ものに限らず用途に応じて最適な液晶温度範囲をとるよ
うなものを選べばよい。液晶相の温度領域を広くしたい
場合にはアルキル基の長さを長くする。しかしアルキル
基が長すぎるとスメクチック相がでるので、場合に応じ
てアルキル基の長さを最適化する。

【００６５】表１において示した組成物の等方相−液晶
相転移温度は８０℃であった。化合物群Ｉ、ＩＩＩ、Ｉ
ＶのＲとしてはメチル、メトキシ、エチル、エトキシ、
プロピル、プロポキシ、ブチル、ブトキシ、ペンチル、
ペントキシ、ヘキシル、ヘキシロキシ、オクチル、オク
チロキシ、ノニル、ノニロキシ、デカニル、デカニロキ
シ、ウンデシル、ウンデシロキシ基等の置換基またはこ
れらの異性体である置換基等を用いることができる。

【００６６】それぞれの化合物群の混合比はここに示し
た値に限らずＲの種類及び長さ、用途から要求される動
作温度範囲および電気光学特性を考慮して決められる。
化合物群Ｉの液晶組成物全体に対する混合比と駆動電圧
との関係を図１に、化合物群Ｉの液晶組成物全体に対す
る混合比と等方相−液晶相転移温度との関係を図２に示
す。本実施例においては、化合物群Ｉを２０重量％用い
たが、化合物群〓の混合割合が３重量％〜５０重量％
（さらに好ましくは５重量％〜２０重量％）の間であれ
ば、駆動電圧を低減させつつ実用的な動作温度範囲を有
する液晶組成物を得ることができる。

【００６７】また、本実施例においては、化合物群Ｉの
Ａｒとしてフェニルを用いたが、Ａｒとしてシクロヘキ
サンや、ピリジンもしくはピリミジン骨格をもつ化合物
を用いてもよい。Ａｒとして、シクロヘキサンを用いる
と、複屈折性が若干低下するが液晶組成物の粘度が低下
するため駆動電圧はより低減される。Ａｒとしてピリジ
ンもしくは、ピリミジン骨格を持つ化合物を用いると、
耐光性が低下するが、液晶の複屈折性を大きくとりつつ
駆動電圧を低減することができる。

【００６８】また、化合物群ＩＩは、液晶の複屈折性を
大きくし且つ低電圧での駆動を可能とするために加える
が、大量に加えるとヘイズが大きくなるといった問題を
生じるため実用化に際しては適切な含有量を選定するこ
とが必要となる。本実施例においては１０重量％用いた
が、５重量％〜２０重量％の間の任意の割合で用いて
も、ヘイズをおさえ且つ複屈折率を大きくとり低電圧駆
動を可能とする液晶組成物を得ることができる。図３に
化合物群ＩＩの混合割合と液晶の複屈折率との関係を示
し、図４に化合物群ＩＩの混合割合と液晶の転移点との
関係を示す。

【００６９】（比較例）本実施例の液晶組成物と従来の
液晶組成物とを比較するために、従来の高分子分散型の
液晶組成物を作製した。表２はその組成例である。本比
較例においては、実施例１の化合物群Ｉのかわりにシア
ノビフェニル化合物を用いている。

【００７０】

【表２】

【００７１】実施例１で作製した液晶組成物を表示素子
に用いた例を実施例２〜実施５として以下に示し、各実
施例における表示素子の特性と、比較例の液晶組成物を
用いた表示素子の特性とを比較した。

【００７２】（実施例２）本実施例では、実施例１で作
製した液晶組成物を用いて２色性色素を含む高分子粒子
配向型表示素子を作製した例を示す。

【００７３】実施例１の液晶組成物を９５．７重量％、
カイラル成分としてＲ１０１１（メルク社製）０．８重
量％、２色性色素（Ｍ３６１：ＳＩ５１２：Ｍ１３７＝
１．４重量％：１．７重量％：０．４重量％の割合で混
合したもの。いずれも三井東圧染料社製）３．５重量％
を混合して１００重量％とした混合物を９３重量％と、
高分子前駆体としてビフェニルメタクリレート７重量％
とを、配向処理をした２枚の電極付き基板間に封入し
た。２枚の基板のうち一方の基板にはＭＩＭ素子が形成
されている。また、裏側基板の電極には反射性の電極を
用いた。ここでは基板間の厚み（液晶／高分子前駆体層
の厚み）は５μｍとした。このようにして形成された液
晶／高分子前駆体混合層に、液晶相にて波長３００ｎｍ
〜４００ｎｍ、強度３．５ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を照射
することにより高分子前駆体を重合し液晶中に高分子粒
子を析出させた。その後、表示素子の表面に、ノングレ
ア処理または減反射処理を施した。このようにして作製
した反射型の液晶表示素子の例を図５に示す。

【００７４】この表示素子の液晶／高分子層に電圧を印
化した場合の電圧−反射率特性を図６に実線として示し
た。図６に示された電圧−反射率特性は、表示素子表面
の法線から２０度傾いた方向から光を入射させ、法線方
向に反射してきた光の強度を印加電圧を変化させながら
測定したものである（本測定においては、標準白色板の
明るさを１００とした）。尚、図６中の破線は比較例に
示した液晶組成物を用い、高分子前駆体としてターフェ
ニルメタクリレートを用いて本実施例と同様の方法によ
り作製した従来の反射型の表示素子に対して、本実施例
と同様の測定を行った結果である。

【００７５】図６からわかるように、本実施例の表示素
子の駆動電圧は従来の表示素子の駆動電圧より約１Ｖ低
下している。

【００７６】本実施例の表示素子に駆動電圧５Ｖを印加
した状態での表示は、白い紙とほぼ同等の明るさであっ
た。また、駆動電圧を０Ｖとして黒表示状態における反
射率を測定すると、約３％であった。比較例の液晶表示
素子を用いて作製した従来の表示素子においては、最大
反射率はさほど本実施例の液晶表示素子と変わらなかっ
たが、電圧無印加時の反射率は約５％であった。つま
り、本実施例の表示素子はその黒表示状態において、従
来例に比べ半分の反射率であった。言い換えれば本実施
例の表示素子のコントラストは従来例の表示素子の約２
倍近くあることになる。この差は、液晶によるヘイズ低
減効果に起因する。また、本実施例では２色性色素を液
晶に添加しているので、黒表示状態において２色性色素
による光吸収効果があり、上述した液晶によるヘイズ低
減効果とあわせてよりコントラストの高い、視認性の良
好な表示が可能となる。

【００７７】また、キセノンランプにて白色光を７２０
時間（積算光量２００００Ｌａ）照射し、耐光性試験を
行ったところ、保持率が７０％に低下した。保持率と
は、初期電圧を６０μ秒間液晶／高分子層に印加し、そ
の後素子の端子を開放して電圧を０にして、５０ミリ秒
後に液晶／高分子層に保持されている電圧の初期電圧に
対する比率である。保持特性は、アクティブ素子を用い
て大容量表示を行う際には欠くことのできない特性であ
る。なぜならば、実際の駆動電圧に保持率を乗じた電圧
での反射率が現実の表示の明るさになるからである。本
実施例における保持率７０％という値は駆動電圧等で十
分補正できる値であり実用に際しまったく問題のないも
のである。

【００７８】本実施例においてはアクティブ素子として
ＭＩＭ素子を形成したが、本実施例における効果はＭＩ
Ｍ素子以外の素子を用いても得られることはいうまでも
ない。例えば、ラテラルＭＩＭ素子、バックツーバック
ＭＩＭ素子、ダイオード素子、バリスタ素子、強誘電体
素子、ポリシリコンＴＦＴ素子、アモルファスシリコン
ＴＦＴ素子などを形成しても、ヘイズ低減効果、駆動電
圧低減効果が得られる。いずれのアクティブ素子を用い
ても、本実施例における表示素子は、６４０＊４８０の
表示が可能である。また、アクティブ素子を用いず単純
時分割駆動用電極を用いる場合においても、ヘイズ低減
効果、駆動電圧低減効果が得られる。

【００７９】また、本実施例においては裏側基板の電極
に反射性電極を設けた構成としたが、表示素子の裏側に
反射板を設けた構成とし、電極は透明電極としてもよ
い。

【００８０】また、本実施例では、基板間の厚みは５μ
ｍとしたが、３μｍ〜１０μｍの間の任意の値を使用目
的によって選択すればよい。

【００８１】また、本実施例においては、表示素子の表
面にノングレア処理もしくは減反射処理を施したが、こ
れらの処理を施さなくても従来例に比べて格段の効果を
得ることができる。

【００８２】また、本実施例においては高分子前駆体と
して、ビフェニルメタクリレートを用いたが、他に、ア
ルキルビフェニルメタクリレート、ビフェニルアクリレ
ート、アルキルビフェニルアクリレート、トランメタク
リレート、アルキルトランメタクリレート等を用いるこ
とができる。これらの高分子前駆体を用いると，ヘイズ
を減少させることができる。添加量は用途に応じて適宜
選択すればよい。

【００８３】（実施例３）本実施例では、実施例１で作
製した液晶組成物を用いて高分子粒子配向型表示素子を
作製した例を示す（本実施例においては、２色性色素は
用いない。）。

【００８４】実施例１の液晶組成物を９９重量％、カイ
ラル成分としてＲ１０１１（メルク社製）１重量％を混
合して１００重量％とした混合物を９５重量％と、高分
子前駆体としてブチルフェニルトランメタクリレート
３．３重量％とビフェニルジメタクリレート１．７重量
％を、配向処理をした２枚の透明電極付き基板間に封入
した。ここでは基板間の厚み（液晶／高分子前駆体層の
厚み）は５μｍとした。このようにして形成された液晶
／高分子前駆体混合層に、液晶相にて波長３００ｎｍ〜
４００ｎｍ、強度３．５ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を照射す
ることにより高分子前駆体を重合させ液晶中に高分子粒
子を析出させた。その後、表示素子の表面に、ノングレ
ア処理または減反射処理を施した。このようにして作製
した反射型の液晶表示素子の例を図７及び図８に示す。
図７は単純時分割駆動電極を形成した表示素子であり、
透明基板１、８と透明電極７を用いている。また、図８
における表示素子は、表示面側の透明基板１にカラーフ
ィルター１０及び透明電極２を有し、裏側の基板には、
アクティブ素子及び反射電極７を有している。

【００８５】この表示素子の液晶／高分子層に電圧を印
加した場合の電圧−反射率特性を図９に実線として示し
た。図９に示された電圧−反射率特性の測定方法は実施
例２における測定方法と同様にして行った。尚、図９中
の破線は比較例に示した液晶組成物を用い、高分子前駆
体としてターフェニルメタクリレートを用いて本実施例
と同様の方法により作製した従来の反射型の表示素子に
対して、本実施例と同様の測定を行った結果である。

【００８６】図９からわかるように、本実施例の表示素
子の駆動電圧は従来の表示素子の駆動電圧より約１Ｖ低
下している。

【００８７】本実施例の表示素子の駆動電圧を０Ｖとし
て黒表示状態における反射率を測定すると、約１０％で
あった。比較例の液晶表示素子を用いて作製した従来の
表示素子においては、最大反射率はさほど本実施例の液
晶表示素子と変わらなかったが、電圧無印加時の反射率
は約１６％であった。つまり、本実施例の表示素子はそ
の黒表示状態において、従来例に比べ半分の反射率であ
った。言い換えれば本実施例の表示素子のコントラスト
は従来例の表示素子の約２倍あることになる。

【００８８】また、キセノンランプにて白色光を７２０
時間（積算光量２００００Ｌａ）照射し、耐光性試験を
行ったところ、保持率は９０％に低下した。本実施例に
おける保持率は、実施例２の表示素子にくらべても極め
てすぐれていることがわかる。これは、液晶中に２色性
色素を含有しないことに起因する。

【００８９】本実施例においてはアクティブ素子として
ＭＩＭ素子を形成したが、本実施例における効果はＭＩ
Ｍ素子以外の素子を用いても得られることはいうまでも
ない。例えば、ラテラルＭＩＭ素子、バックツーバック
ＭＩＭ素子、ダイオード素子、バリスタ素子、強誘電体
素子、ポリシリコンＴＦＴ素子、アモルファスシリコン
ＴＦＴ素子などを形成しても、ヘイズ低減効果、駆動電
圧低減効果が得られる。

【００９０】また、図８においてはアクティブ素子は裏
側基板８に配置されているが、表側の基板１に配置して
も何等問題はない。図８におけるの反射電極７を設ける
かわりに裏側基板８の裏に反射板もしくは光吸収板を設
け、電極７を透明電極としてもよい。また、本実施例で
は、基板間の厚みは５μｍとしたが、３μｍ〜１０μｍ
の間の任意の値を使用目的によって選択すればよい。

【００９１】また、本実施例においては、表示素子の表
面にノングレア処理もしくは減反射処理を施したが、こ
れらの処理を施さなくても従来例に比べて格段の効果を
得ることができる。

【００９２】また、本実施例においては、高分子前駆体
として、ビフェニルメタクリレート、アルキルビフェニ
ルメタクリレート、ビフェニルアクリレート、アルキル
ビフェニルアクリレート、トランメタクリレート、アル
キルトランメタクリレート、アルキルフェニルトランメ
タクリレート等を用いることができる。これらの高分子
前駆体を用いると，ヘイズを減少させることができる。
添加量は、用途に応じて適宜選択すればよい。

【００９３】（実施例４）本実施例では、実施例１で作
製した液晶組成物を用いて２色性色素を含む高分子ゲル
ネットワーク配向型液晶表示素子を作製した例を示す。

【００９４】実施例１の液晶組成物を９６重量％、カイ
ラル成分としてＲ１０１１（メルク社製）０．５重量
％、２色性色素（Ｍ３６１：ＳＩ５１２：Ｍ１３７＝
１．４重量％：１．７重量％：０．４重量％の割合で混
合したもの。いずれも三井東圧染料社製）３．５重量％
を混合して１００重量％とした混合物を９６重量％と、
高分子前駆体としてモノマーＡ

【００９５】

【化５３】

【００９６】３重量％と、光重合開始剤としてイルカギ
ュア６５１（チバガイギー社製）１重量％とを混合した
ものを、配向処理をした２枚の電極付き基板間に封入し
た。２枚の基板のうち一方の基板にはＴＦＴ素子が形成
されている。また、裏側基板の電極には反射性の電極を
用いた。ここでは基板間の厚み（液晶／高分子前駆体層
の厚み）は５μｍとした。このようにして形成された液
晶／高分子前駆体混合層に、液晶相にて波長３００ｎｍ
〜４００ｎｍ、強度３．５ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を照射
することにより高分子前駆体を重合し液晶中に高分子ゲ
ルネットワークを形成した。その後、表示素子の表面
に、ノングレア処理または減反射処理を施した。このよ
うにして作製した反射型の液晶表示素子の例を図１０に
示す。

【００９７】この表示素子の液晶／高分子層に電圧を印
加した場合の電圧−反射率特性を図１１に実線として示
した。図１１に示された電圧−反射率特性は、表示素子
表面の法線から２０度傾いた方向から光を入射させ、法
線方向に反射してきた光の強度を印加電圧を変化させな
がら測定したものである。尚、図１１中の破線は比較例
に示した液晶組成物を用い、高分子前駆体としてターフ
ェニルメタクリレートを用いて本実施例と同様の方法に
より作製した従来の反射型の表示素子に対して、本実施
例と同様の測定を行った結果である。

【００９８】図１１からわかるように、本実施例の表示
素子の駆動電圧は従来の表示素子の駆動電圧に比べて格
段に低い。

【００９９】本実施例の表示素子の駆動電圧を０Ｖとし
て黒表示状態における反射率を測定すると、約３％であ
った。比較例の液晶表示素子を用いて作製した従来の表
示素子においては、電圧無印加時の反射率は約４％であ
り本実施例の表示素子に比べてコントラスト特性の劣る
ものであった。これは、液晶によるヘイズ低減効果に起
因する。

【０１００】また、本実施例では２色性色素を液晶に添
加しているので、黒表示状態において２色性色素による
光吸収効果があり、上述した液晶によるヘイズ低減効果
とあわせてよりコントラストの高い、視認性の良好な表
示が可能となる。

【０１０１】また、保持率は耐光試験後、約５０％に低
下した。

【０１０２】本実施例においてはアクティブ素子として
ＭＩＭ素子を形成したが、本実施例における効果はＭＩ
Ｍ素子以外の素子を用いても得られることはいうまでも
ない。例えば、ラテラルＭＩＭ素子、バックツーバック
ＭＩＭ素子、ダイオード素子、バリスタ素子、強誘電体
素子、ポリシリコンＴＦＴ素子、アモルファスシリコン
ＴＦＴ素子などを形成しても、ヘイズ低減効果、駆動電
圧低減効果が得られる。いずれのアクティブ素子を用い
ても、本実施例における表示素子は、６４０＊４８０の
表示が可能である。また、アクティブ素子を用いず単純
時分割駆動用電極を用いる場合においても、ヘイズ低減
効果、駆動電圧低減効果が得られる。

【０１０３】また、本実施例においては裏側基板の電極
に反射性電極を設けた構成としたが、表示素子の裏側に
反射板を設けた構成とし、電極は透明電極としてもよ
い。

【０１０４】また、本実施例では、基板間の厚みは５μ
ｍとしたが、３μｍ〜１０μｍの間の任意の値を使用目
的によって選択すればよい。

【０１０５】また、本実施例においては、表示素子の表
面にノングレア処理もしくは減反射処理を施したが、こ
れらの処理を施さなくても従来例に比べて格段の効果を
得ることができる。

【０１０６】また、高分子前駆体としては、メタクリル
酸、アクリル酸、エポキシなどの重合基および、アルキ
ル、フェニル、イフェニル等を側鎖、あるいは主鎖中に
含むことができる。たとえば、東亜合成鎖社製のアロニ
ックスおよびレゼダマクロモノマー、日本化薬社製のＫ
ＡＹＡＲＡＤおよびＫＡＹＡＭＥＲ、サンノプコ社製の
ノプコマー、ＳＩＣＯＭＥＴおよびフォトマー、東都化
成社製のエポトート、ネオトート、トープレンおよびダ
ップトート、油化シェル社製のエピコート、旭電化社製
のアデカレジン、アデカオプトマーおよびアデカオプト
ン、スリーボンド社製の２２００シリーズ、昭和高分子
社製のリポキシおよびスピラック、日本ポリウレタンの
製品などを用いることができる。

【０１０７】（実施例５）本実施例では、実施例１で作
製した液晶組成物を用いて高分子ゲルネットワーク配向
型液晶表示素子を作製した例を示す（本実施例において
は、２性色素は用いない。）。

【０１０８】実施例１の液晶組成物を９９．５重量％、
カイラル成分としてＲ１０１１（メルク社製）０．５重
量％を混合して１００重量％とした混合物を９７重量％
と、高分子前駆体として実施例４で示したモノマーＡを
３重量％および光重合開始剤としてイルカギュア６５１
（チバガイギー社製）とを混合したものを、配向処理を
した２枚の電極付き基板間に封入した。２枚の基板のう
ち一方の基板にはＭＩＭ素子が形成されている。また、
裏側基板の電極には反射性の電極を用いた。ここでは基
板間の厚み（液晶／高分子前駆体層の厚み）は５μｍと
した。このようにして形成された液晶／高分子前駆体混
合層に、液晶相にて波長３００ｎｍ〜４００ｎｍ、強度
３．５ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を照射することにより高分
子前駆体を重合し液晶中に高分子ゲルネットワークを形
成した。その後、表示素子の表面に、ノングレア処理ま
たは減反射処理を施した。このようにして作製した反射
型の液晶表示素子の例を図８に示す。

【０１０９】この表示素子の液晶／高分子層に電圧を印
化した場合の電圧−反射率特性を図１２に実線として示
した。図１２に示された電圧−反射率特性は、表示素子
表面の法線から２０度傾いた方向から光を入射させ、法
線方向に反射してきた光の強度を印加電圧を変化させな
がら測定したものである。尚、図１２中の破線は比較例
に示した液晶組成物を用い、高分子前駆体としてターフ
ェニルメタクリレートを用いて本実施例と同様の方法に
より作製した従来の反射型の表示素子に対して、本実施
例と同様の測定を行った結果である。

【０１１０】図１１からわかるように、本実施例の表示
素子の駆動電圧は従来の表示素子の駆動電圧に比べて格
段に低い。

【０１１１】本実施例の表示素子の駆動電圧を０Ｖとし
て黒表示状態における反射率を測定すると、約５％であ
った。比較例の液晶表示素子を用いて作製した従来の表
示素子においては、電圧無印加時の反射率は約７％であ
り本実施例の表示素子に比べてコントラスト特性の劣る
ものであった。これは、液晶によるヘイズ低減効果に起
因する。

【０１１２】また、キセノンランプにて白色光を７２０
時間（積算光量２００００Ｌａ）照射し、耐光性試験を
行ったところ、保持率は７０％に低下した。本実施例に
おける保持率は、実施例４の表示素子にくらべても極め
てすぐれていることがわかる。これは、液晶中に２色性
色素を含有しないことに起因する。実施例３の保持率と
くらべて本実施例の保持率が低いのは本実施例で光重合
開始剤を用いていることに起因する。

【０１１３】本実施例においてはアクティブ素子として
ＭＩＭ素子を形成したが、本実施例における効果はＭＩ
Ｍ素子以外の素子を用いても得られることはいうまでも
ない。例えば、ラテラルＭＩＭ素子、バックツーバック
ＭＩＭ素子、ダイオード素子、バリスタ素子、強誘電体
素子、ポリシリコンＴＦＴ素子、アモルファスシリコン
ＴＦＴ素子などを形成しても、ヘイズ低減効果、駆動電
圧低減効果が得られる。いずれのアクティブ素子を用い
ても、本実施例における表示素子は、６４０＊４８０の
表示が可能である。また、アクティブ素子を用いず単純
時分割駆動用電極を用いる場合においても、ヘイズ低減
効果、駆動電圧低減効果が得られる。

【０１１４】また、本実施例においては裏側基板の電極
に反射性電極を設けた構成としたが、表示素子の裏側に
反射板もしくは光吸収板を設けた構成とし、電極は透明
電極としてもよい。

【０１１５】また、本実施例では、基板間の厚みは５μ
ｍとしたが、３μｍ〜１０μｍの間の任意の値を使用目
的によって選択すればよい。

【０１１６】また、本実施例においては、表示素子の表
面にノングレア処理もしくは減反射処理を施したが、こ
れらの処理を施さなくても従来例に比べて格段の効果を
得ることができる。

【０１１７】（実施例６）本実施例では、液晶組成物の
ベースとしてトラン系液晶を用いた液晶表示素子の例を
示す。表３はその組成例の一例である。

【０１１８】

【表３】

【０１１９】この液晶組成物を用いて、実施例２と同じ
方法で表示素子を作製した。そして実施例２と同様の特
性測定を行ったところ、図１３に示すような電気光学特
性が得られた。電圧印加時の反射率は、９０％、電圧無
印加時の反射率は３％であった。

【０１２０】本実施例においては、実施例２の応用を示
したが、これに限らず実施例３〜実施例５のいずれの構
成に応用した場合においても従来に比べ、格段の効果を
得ることができるのは言うまでもない。

【０１２１】化合物群Ｉについては実施例１で用いた化
合物をそのまま用いることができる。化合物群Ｖと化合
物群ＶＩについてはアルキル違いの化合物でも同様に用
いることができ、アルコキシ基も用いることができる。
ただし、用途に応じて使用温度に応じて液晶相を有する
ようにすることが望ましい。本実施例においては、等方
相−液晶転移温度は７０℃であった。

【０１２２】（実施例７）本実施例では、実施例６にお
ける化合物群Ｉの一部を化合物群ＩＩにおきかえた液晶
組成物を用いた液晶表示素子の例を示す。表４はその組
成例の一例である。

【０１２３】

【表４】

【０１２４】この液晶組成物を用いて、実施例２と同じ
方法で表示素子を作製した。そして実施例２と同様の電
気光学特性測定を行ったところ、電圧印加時の反射率
は、１２０％、電圧無印加時の反射率は５％であった。

【０１２５】本実施例においては、実施例２の応用を示
したが、これに限らず実施例３〜実施例５のいずれの構
成に応用した場合においても従来に比べ、格段の効果を
得ることができるのは言うまでもない。

【０１２６】本実施例においては、等方相−液晶転移温
度は８０℃であった。

【０１２７】（実施例８）本実施例では、液晶のベース
としてシアノビフェニル系液晶を用いた例を示す。液晶
の組成例を表５に示す。

【０１２８】

【表５】

【０１２９】この液晶組成物を用いて表示素子を作製し
た。本実施例における液晶組成物は、屈折率異方性か大
きく、駆動電圧が低いという利点があるが、比抵抗が低
いため、アクティブ素子と組みあわせて用いるよりも単
純時分割駆動で用いたほうが適している。したがって、
本実施例においてはアクティブ素子を形成せず画素電極
群のみを形成した基板を用いて実施例２と同様にして表
示素子を作製した。図１５に本実施例の表示素子の電気
光学特性を示す。図１５によれば、電圧印加時の反射率
は１５０％であり、電圧無印加時の反射率は５％である
ことがわかる。

【０１３０】化合物群ＩとＩＩについては、先の実施例
で示した条件のものを用いることができる。また、化合
物群ＶＩＩについてはここに示したもの以外のアルキル
基、アルコキシ基も用いることができる。

【０１３１】本実施例においては、実施例２の応用を示
したが、これに限らず実施例３〜実施例５のいずれの構
成に応用した場合においても従来に比べ、格段の効果を
得ることができるのは言うまでもない。

【０１３２】（実施例９）本実施例では、液晶のベース
としてピリジン系液晶を用いた例を示す。液晶の組成例
を表６に示す。

【０１３３】

【表６】

【０１３４】この液晶組成物を用いて表示素子を作製し
た。本実施例における液晶組成物は、屈折率異方性か大
きく、駆動電圧が低いという利点があるが、比抵抗が低
いため、アクティブ素子と組みあわせて用いるよりも単
純時分割駆動で用いたほうが適している。したがって、
本実施例においてはアクティブ素子を形成せず画素電極
群のみを形成した基板を用いて実施例３と同様にして表
示素子を作製した。図１６に本実施例の表示素子の電気
光学特性を示す。図１６によれば、電圧印加時の反射率
は１５０％であり、電圧無印加時の反射率は６％である
ことがわかる。

【０１３５】化合物群ＩとＩＩについては、先の実施例
で示した条件のものを用いることができる。また、化合
物群ＶＩＩについてはここに示したもの以外のアルキル
基、アルコキシ基も用いることができる。

【０１３６】本実施例においては、実施例３の応用を示
したが、これに限らず実施例２〜実施例５のいずれの構
成に応用した場合においても従来に比べ、格段の効果を
得ることができるのは言うまでもない。

【０１３７】（実施例１０）本実施例では、液晶のベー
スとしてフェニルシクロヘキサン系液晶化合物群〓を用
いた例を示す。液晶の組成例を表７に示す。

【０１３８】

【表７】

【０１３９】この液晶組成物を用いて表示素子を作製し
た。本実施例における液晶組成物は、屈折率異方性か大
きく、駆動電圧が低いという利点があるが、比抵抗が低
いため、アクティブ素子と組みあわせて用いるよりも単
純時分割駆動で用いたほうが適している。したがって、
本実施例においてはアクティブ素子を形成せず画素電極
群のみを形成した基板を用いて実施例３と同様にして表
示素子を作製した。図１７に本実施例の表示素子の電気
光学特性を示す。図１７によれば、電圧印加時の反射率
は１２０％であり、電圧無印加時の反射率は７％である
ことがわかる。

【０１４０】化合物群ＩとＩＩについては、先の実施例
で示した条件のものを用いることができる。また、化合
物群ＶＩＩＩについてはここに示したもの以外のアルキ
ル基、アルコキシ基も用いることができる。

【０１４１】本実施例においては、実施例３の応用を示
したが、これに限らず実施例２〜実施例５のいずれの構
成に応用した場合においても従来に比べ、格段の効果を
得ることができるのは言うまでもない。

【０１４２】（実施例１１）本実施例では、液晶のベー
スとして化合物群Ｖ、化合物群ＶＩ、化合物群ＶＩＩ、
および化合物群ＶＩＩＩを用いた例を示す。液晶の組成
例を表８に示す。

【０１４３】

【表８】

【０１４４】この液晶組成物を用いて、表示素子を作製
した。本実施例における液晶組成物は、屈折率異方性が
大きく、駆動電圧が低く、さらには比抵抗も高いためア
クティブ素子と組みあわせると良好な表示を得ることが
できる。そこでここでは、この液晶組成物を使い、実施
例２と同様の方法で表示素子を作製した。図１８に本実
施例の表示素子の電気光学特性を示す。図１８によれ
ば、電圧印加時の反射率は１３０％であり、電圧無印加
時の反射率は６％であることがわかる。

【０１４５】本実施例においては、実施例３の応用を示
したが、これに限らず実施例２〜実施例５のいずれの構
成に応用した場合においても従来に比べ、格段の効果を
得ることができるのは言うまでもない。

【０１４６】

【発明の効果】以上、本発明によれば、液晶と高分子粒
子が互いに配向もしくは配向分散している液晶表示素子
に液晶組成物として、化合物群Ｉまたは化合物群ＩＩを
用いることにより、ヘイズが少なくコントラスト特性の
良好な表示素子を実現できる。さらには、表示素子の駆
動電圧を大幅に低減てきる。そしてこれら化合物群の含
有量を組成全体の３重量％〜５０重量％に調整すること
によりこの効果はより顕著なものとすることができる。

【０１４７】また、化合物群ＩＩＩ〜化合物群ＶＩＩＩ
を用いることにより、特にこれら化合物群を５重量％〜
９５重量％用いることにより、耐光性を液晶に付与する
ことができる。

【０１４８】また、液晶と高分子粒子が互いに配向もし
くは配向分散している液晶表示素子に液晶組成物とし
て、化合物群Ｉ〜化合物群ＶＩＩＩの他に、２色性の色
素を含有させることにより表示素子のコントラスト特性
をより向上させることができる。

【０１４９】また、液晶と高分子粒子が互いに配向もし
くは配向分散している液晶表示素子においては、液晶の
骨格の違いにより、液晶の周り高分子との配向性にミス
マッチが生じ、透明状態でのヘイズの原因となってい
た。本発明においては、このようなヘイズが起こらない
ような液晶材料を用いているので、透明状態状態におけ
るヘイズを低減することができる。また、同時に液晶材
料骨格に誘電率を高める部位を挿入することにより駆動
電圧を低減することができる。

【０１５０】さらには、高分子前駆体としてビフェニル
またはトラン骨格をもつ高分子前駆体を用いることによ
り、透明状態におけるヘイズをより低減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１における化合物群Ｉの添加量と駆動電
圧の関係を示す図である。

【図２】実施例１における化合物群Ｉの添加量と液晶等
方相転移温度の関係を示す図である。

【図３】実施例１における化合物群ＩＩの添加量と複屈
折率の関係を示す図である。

【図４】実施例１における化合物群ＩＩの添加量と液晶
等方相転移温度の関係を示す図である。

【図５】実施例２における反射型の液晶表示素子の簡単
な断面を示す図である。

【図６】実施例２における反射型の液晶表示素子の電気
光学特性を示す図である。

【図７】実施例３における非アクティブ型の反射型の液
晶表示素子の簡単な断面を示す図である。

【図８】実施例３におけるアクティブ型の反射型の液晶
表示素子の簡単な断面を示す図である。

【図９】実施例３における反射型の液晶表示素子の電気
光学特性を示す図である。

【図１０】実施例４における反射型の液晶表示素子の簡
単な断面を示す図である。

【図１１】実施例４における反射型の液晶表示素子の電
気光学特性を示す図である。

【図１２】実施例５における反射型の液晶表示素子の電
気光学特性を示す図である。

【図１３】実施例６における反射型の液晶表示素子の電
気光学特性を示す図である。

【図１４】実施例７における反射型の液晶表示素子の電
気光学特性を示す図である。

【図１５】実施例８における反射型の液晶表示素子の電
気光学特性を示す図である。

【図１６】実施例９における反射型の液晶表示素子の電
気光学特性を示す図である。

【図１７】実施例１０における反射型の液晶表示素子の
電気光学特性を示す図である。

【図１８】実施例１１における反射型の液晶表示素子の
電気光学特性を示す図である。

【０１１２】

【符号の説明】

１ 基板 ２ 電極 ３ 液晶／高分子層 ７ 電極 ８ 基板 １０ カラーフィルター １１ ノングレア／減反射層 １２ 絶縁層 １３ 信号電極 １４ ソース電極 １５ ゲート電極 １６ 半導体層 １７ ドレイン電極 １８ ゲート絶縁層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/38 9279−4Ｈ 19/54 Ｚ 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ 1/1333 1/137 ５００ (72)発明者 飯坂 英仁 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 【化１】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ａｒはフェ
   ニルまたはシクロヘキサン環を示す）で示される化合物
   を含有することを特徴とする液晶組成物。
2. 【請求項２】請求項１記載の液晶組成物において、 【化２】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基） 【化３】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ１はフッ
   素または水素、Ｒ２はフッ素またはアルキル基を示す） 【化４】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
   す） 【化５】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
   す） 【化６】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ａｒはフェ
   ニル、ビフェニル、ピリジン、ピリミジンまたはこれら
   の組みあわせを示す） 【化７】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基を示す）で示
   される化合物のうち少なくとも一種の化合物を含有する
   ことを特徴とする液晶組成物。
3. 【請求項３】請求項１記載の液晶組成物において、 一般式 【化８】 で示される化合物を３重量％〜５０重量％含有すること
   を特徴とする請求項１記載の液晶組成物。
4. 【請求項４】請求項１記載の液晶組成物において、２色
   性色素を含有することを特徴とする液晶組成物。
5. 【請求項５】一般式 【化９】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基を示す）で示
   される化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
6. 【請求項６】請求項５記載の液晶組成物において、 【化１０】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基） 【化１１】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ１はフッ
   素または水素、Ｒ２はフッ素またはアルキル基を示す） 【化１２】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
   す） 【化１３】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
   す） 【化１４】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ａｒはフェ
   ニル、ビフェニル、ピリジン、ピリミジンまたはこれら
   の組みあわせを示す） 【化１５】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基を示す）で示
   される化合物のうち少なくとも一種の化合物を含有する
   ことを特徴とする液晶組成物。
7. 【請求項７】請求項５記載の液晶組成物において、 一般式 【化１６】 で示される化合物を３重量％〜５０重量％含有すること
   を特徴とする請求項１記載の液晶組成物。
8. 【請求項８】請求項５記載の液晶組成物において、２色
   性色素を含有することを特徴とする液晶組成物。
9. 【請求項９】相対向して配置された一対の基板間に、液
   晶と高分子粒子が互いに分散してなる液晶／高分子層を
   有する表示素子において、前記液晶は、 一般式 【化１７】 で表される化合物を含有することを特徴とする表示素
   子。
10. 【請求項１０】請求項９記載の表示素子において、前記
    液晶は、 【化１８】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基） 【化１９】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ１はフッ
    素または水素、Ｒ２はフッ素またはアルキル基を示す） 【化２０】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
    す） 【化２１】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
    す） 【化２２】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ａｒはフェ
    ニル、ビフェニル、ピリジン、ピリミジンまたはこれら
    の組みあわせを示す） 【化２３】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基を示す）で示
    される化合物のうち少なくとも一種の化合物を含有する
    ことを特徴とする表示素子。
11. 【請求項１１】請求項９記載の表示素子において、 一般式 【化２４】 で示される化合物を３重量％〜５０重量％含有する液晶
    組成物を用いたことを特徴とする表示素子。
12. 【請求項１２】請求項９記載の表示素子において、前記
    液晶は２色性色素を含有することを特徴とする表示素
    子。
13. 【請求項１３】請求項９記載の表示素子において、前記
    高分子粒子は、ビフェニル骨格またはトラン骨格を含む
    アクリレート、メタクリレートまたはエポキシ化合物か
    らなる高分子前駆体により形成されることを特徴とする
    表示素子。
14. 【請求項１４】相対向して配置された一対の基板間に、
    液晶と高分子粒子が互いに分散してなる液晶／高分子層
    を有する表示素子において、前記液晶は、 一般式 【化２５】 で表される化合物を含有することを特徴とする表示素
    子。
15. 【請求項１５】請求項１４記載の表示素子において、前
    記液晶は、 【化２６】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基） 【化２７】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ｒ１はフッ
    素または水素、Ｒ２はフッ素またはアルキル基を示す） 【化２８】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
    す） 【化２９】 （式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基を示
    す） 【化３０】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基、Ａｒはフェ
    ニル、ビフェニル、ピリジン、ピリミジンまたはこれら
    の組みあわせを示す） 【化３１】 （式中Ｒはアルキル基またはアルコキシ基を示す）で示
    される化合物のうち少なくとも一種の化合物を含有する
    ことを特徴とする表示素子。
16. 【請求項１６】請求項１４記載の表示素子において、 一般式 【化３２】 で示される化合物を３重量％〜５０重量％含有する液晶
    組成物を用いたことを特徴とする表示素子。
17. 【請求項１７】請求項１４記載の表示素子において、前
    記液晶は２色性色素を含有することを特徴とする表示素
    子。
18. 【請求項１８】請求項１４記載の表示素子において、前
    記高分子粒子は、ビフェニル骨格またはトラン骨格を含
    むアクリレート、メタクリレートまたはエポキシ化合物
    からなる高分子前駆体により形成されることを特徴とす
    る表示素子。