JPH09504054A - 温度制御レーザ焼結 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 温度制御レーザ焼結システムは、集光ミラー（２６）と一セットの走査ミラー（３２，３４）によって焼結層（３８）に集束されるレーザビーム（１２）を含んでいる。焼結層（３８）から放射された熱放射（１１４）は走査ミラーとビームスプリッター（１１０）に写し出される。ビームスプリッター（１１０）は、そのような放射を反射するが、レーザビーム（１２）波長の光を通す。放射（１１８）は、ライン（１２８）上の信号をパワー制御回路（１０４）に供給する光検出器（１２６）に集光される。パワー制御回路（１０４）は変調器（１００）を制御し、変調器（１００）はレーザビーム（１１２）のパワーを制御して熱放射（１１４）（焼結位置の温度）を本質的に一定に維持する。

Description

【発明の詳細な説明】 温度制御レーザ焼結 関連出願との相互関係 同時に出願された出願中の米国特許出願（ＵＴＣドケットＮｏ．Ｒ−３７５３ 、多重ビームレーザ焼結）はここに述べることに関連することを含んでいる。 技術分野 本発明はレーザ焼結に係り、特に温度制御レーザ焼結に関する。 背景技術 製品モールドの急速な原型をとることを行うことは、ステレオグラフィの技術 分野において知られている。周知のように、ステレオグラフィックの研究は、部 品の所定の型から層から層および線から線まで原型を構築するために、単量体を 重合する（すなわち、液体プラスチックを固体化する）を選択的に走査する紫外 線を使用する。特に、レーザは、液体を重合する液体レジンの槽（浴）の一部に 、集光される。ここで、槽ではレーザの集光点が液体に接触する（又は入射する ）。この技巧は部品を急速に製造することが出来るようにするもので、そうでな ければモールド処理する長い時間を要する。 液体のレーザ焼結を選択的に行うために赤外線を用いる急速な重合を行うこと も周知である。周知のように、焼結は、粉体物質の温 度がレーザによる熱処理によって軟化点まで上昇されることであり、それによっ て粉体の微粒子が加熱された領域において共に融合される。焼結に必要な温度レ ベルは焼結される物質に依存するが、高温であればその焼結はより急速である。 例えば、鉄粉は、その粉体が充分に長い温度に残っていれば、１５００℃で融け るが１０００℃で焼結する。 焼結処理において、本質的に一定のパワーレベルのレーザビームは粉体層に入 射され、部品の横方向の層は、全ての層が走査されるまで、粉体の層を介しての 連続する線におけるレーザビームの走査を繰り返すことによって作成される。レ ーザは、粉体が焼結されるべき点でオン，オフされる。一つの層が完全である時 、焼結層は低下され、粉体の別の層は焼結層に拡散されるとともに、次の層は走 査される。この処理は部品が完成するまで繰り返される。 しかしながら、レーザ焼結の一つの問題は、一定パワーのレーザが使用される と、物質の部分が過熱状態（粉体に溝が生じる）になり、過渡に溶融し、かつ他 の領域において共に完全には融合しない。そのような不平坦な焼結により部分ひ ずみ、不精密な寸法，不均一な硬度又は強度が生じる。 従って、現在の焼結の欠陥を明らかにするとともに均一に焼結され部分を提す る焼結システムを考案することが望ましい。 発明の開示 本発明の目的は粉体を均一に焼結する焼結システムの提供を含んでいる。 本発明によれば、粉体をレーザ焼結するための装置は焼結点で粉体に入射され たレーザ光線（ビーム）と焼結位置の近くの検出点で粉体の温度を検出するため の手段を含んでいる。 さらに本発明によれば、検出手段からの温度を示す検出信号に応答し、前記レ ーザのパワーを制御するためのレーザ制御手段が設けられている。 さらに、本発明によれば、レーザ制御手段は、本質的に一定の温度に維持する ように、レーザビームのパワーを制御するための手段によって構成されている。 さらに本発明によれば、検出手段は検出点からの熱放射を検出する。 さらに本発明によれば、走査手段は粉体を介するレーザビームを走査するため に設けられており、光学手段は走査手段を介して放射された熱放射を検出手段に 向けるために設けられている。 本発明は、各レーザ位置での温度上昇が熱伝導の変化による焼結された物質の 存在によって影響されることを発見することによって、従来技術に勝る大きな改 良であることを示す。本発明は、焼結位置（すなわち、レーザが粉体層に入射さ れる）での赤外線熱放射を監視することによって焼結位置の温度制御を提供する とともに、本質的に放射を一定に維持するためにレーザパワーを連続的に調節し 、これにより本質的に一定の焼結温度を提供する。 本発明は、レーザ領域における粉体の充分な融解を得るとともに、しかも過溶 融とトレンチ（溝）の生成を起こす程そんなに熱く加熱しないようにすることに よって、各焼結位置での均一な焼結を提供する。もちろん、本発明は、移動走査 ミラー焼結システムに対して、 光学検出器に熱放射を映写する（又は像を映すために、同じ走査鏡を用い、追加 の移動ミラーと関連する必要な同期なくして温度を測定する。 前述のおよび他の本発明の目的，特徴および利点は、添付図面に示されている ような模範的な実施例の次の詳細な説明によって、より明らかになる。 図面の簡単な説明 第１図は従来技術の焼結システムの概略ブロック図である。 第２図は本発明によるレーザパワーの熱フィードバック制御を備えた焼結シス テムの概略ブロック図である。 第３図は本発明によるレーザパワーの熱制御のための制御システムの概略ブロ ック図である。 第４図は従来技術におけるオープンループ構成の時間に対するレーザパワーお よび時間に対する熱対射のグラフである。 第５図は本発明によるレーザパワーの閉ループの熱放射制御の時間に対する熱 放射および時間に対するレーザパワーのグラフである。 第６図は従来技術のオープループ構造におけるアルミニウムけい酸粉体の時間 に対するレーザパワーおよび時間に対する熱放射のグラフである。 第７図は本発明によるレーザパワーの閉ループ熱放射制御における時間に対す るレーザパワーおよび時間に対する熱放射のグラフである。 第８図は本発明による複数の異なるレーザパワーでのアルゴンカ バーガスにおける鉄粉の走査速度に対する検出信号のグラフである。 第９図は本発明による理論データと測定データの双方を示す複数の異なるカバ ーガスでの走査速度に対する光パワーのワットについての温度上昇グラフである 。 第１０図は本発明による熱放射センサを有するＸ−Ｙ座標位置決めシステムの 側面図である。 第１１図は本発明による熱放射センサを示す第１０図のＸ−Ｙ座標位置決めシ ステムの平面図である。 発明を実施するための最良な形態 第１図を参照すると、従来技術の温度制御焼結システムは、出力ビーム１２を シャッター１４に供給するレーザ１０によって構成され、シャッター１４は焼結 制御回路１７（以下に論じられている）からのライン１６上の信号によって制御 される。シャッター１４は開閉状態を提する公知の装置である。開状態において は、光１２はシャッター１４を介して通過され、光ビーム１８としてシャッター １４を出る。閉状態においては、光はシャッター１４を出ない。ライン１６上の 信号はシャッター１４の状態を制御するために開／閉信号をシャッター１４に供 給する。 光１８は集光ビーム２８を提する集光レンズ２８に入射され、集光ビーム２８ は走査ミラー３２，３４の一部に入射される。ミラー３２，３４は、集束されレ ーザ光２８を反射し、焼結粉体層３８の表面に集光される直接制御された集光ビ ーム３６を供給する。 走査ミラー３２，３４は出力光ビーム３６に、所望の位置で選択 的に焼結するための粉体層３８上のラインを介して走査される。 走査ミラー３２，３４はそれぞれ検流ダイバー４０，４２、例えばジェネラル スキャニング社によるモデルＧ３２５ＤＴ₁によって焼結制御回路１７からのラ イン４４，４６上の駆動信号に応じて駆動される。ダイバー４０，４２は、もち ろん、ライン４８，５０上の位置フィードバック信号を焼結制御回路１７に供給 する。ライン４４，４６，４８，５０は焼結制御回路１７に接続されたライン５ ２として集約的に示されている。 焼結処理は所定のガスを有するか又は真空の室６０で行われる。室６０内には 、所定の形状を生成するための位置で焼結されるべき粉体６４を収容する容器６ ２がある。容器６２は、その深さ設定するピストン６５によって構成される可動 底部を持っている。粉体の層が焼結されると、ピストン６６は下げられかつロー ラ６８は焼結用の粉体層３８を介して粉体６４を回転させる。ピストン６６は焼 結制御回路からライン７２上の電気信号によって制御されるモータ７０によって 制御される。 集光されたビーム３６は点７４で層３８上に入射される。レーザ３６からのエ ネルギーによって温度が上昇されるので（前述したように）、レーザビームから の熱は粉体微粒子６４を融解（又は焼結）させる。 焼結制御回路１７は、ライン１６に出力信号を供給してシャッター１４を駆動 し、ライン７２に出力信号を供給して、ピストン１６を駆動するモータ７０を駆 動するとともに、ライン４４，４６に出力信号を供給して走査ミラー３２，３４ を駆動する。 焼結制御回路１７は粉体層３８上の集光ビームを位置決めするとともに、粉体 層３８を介しての集光ビーム３６の走査を制御する。さらに、焼結制御回路１７ は、走査の所定部分を焼結するための適正な時間でシャッター１４を開閉する。 焼結制御回路１７は製作されるべき部分を有するディジタルコンピュータであり 、シャッター１４によってレーザビームがオン，オフされる時を決める。多くの 異なる技巧を焼結制御回路１７に使用可能であり、制御回路の形式は本発明には 何ら影響がない。焼結制御回路１７は技術分野において知られているので、ここ では更に論じることはしない。 我々は、集光ビームの領域における粉体を融解するのに必要とされるレーザ粉 体が、粉体の前の焼結経歴に依存することがわかった。特に、基礎の粉体が焼結 されていれば、その熱伝導率は未焼結のものよりも高い。結局、粉体の頂上層を 焼結用の正しい温度まで上げる必要なレーザパワーは、内在する粉体が焼結され ていない場合よりも大きい。もちろん、レーザビームが、最近に走査焼結された 領域にあるならば、温度は前の走査から上昇され、それにより適正な焼結温度に 達するためには少ないレーザパワーで済むことになる。さらにまた、レーザビー ム近くの焼結された物質はバージンパウダーからの反射よりも多いレーザビーム の一部を反射し、これによりレーザによる熱パワーに影響する。 第２図を参照すると、前述の発見に鑑みて、レーザ焦点領域からの放射された 熱放射にもとづくレーザパワーの閉ループ制御が均一な焼結を提することを、我 々は見出した。 特に、システムは、次のさらなる部分を有する第１図の従来のシ ステムに類似している。特に、レーザ１０とシャッターは第１図の如く同じ構造 である。特に、レーザは、約１０．６ミクロンの波長、約１００ワットの電力、 および約８ミリの直径を有するＣＯ₂である。他のレーザ、波長、電力、および 直径は、加熱が充分に与えられれば、焼結を生じるようなものを使用可能である 。シャッター１４からの出力光は、シャッター１４と焦点レンズ２６間に配設さ れている電気−光変調器１００に入射されるとともにパワー制御回路１０４（以 下に論じられている）からのライン１０２上の信号によって制御される。変調器 １００は入射光１８の光パワーを変調するとともに出力光１０６を供給する公知 の装置であり、出力光１０６はライン１０２上の信号の関数として変調される出 力パワーを持っている。 光１０６は、レーザ波長の光を走査ミラー３２，３４にビームスプリッタ１１ ０を通して通過する変調された焦光ビーム１０８を供給する焦光レンズ２６に、 入射される。走査ミラー３２，３４は、第１図で述べたような同じ方法で焼結粉 体層３８の表面に焦光される直接制御焦光変調されたビーム１１２を、供給する 。前述のように、走査ミラー３２，３４は焼結制御回路１７からのライン５２上 の信号によって制御される。焼結制御回路１７は、もちろん、第１図に示すのと 同じ方法において、シャッター１４とモータ７０を制御する。 焼結層３８上の点７４の粉体の加熱によって、放射状外部に放射されるべき熱 放射が生じ、その一部は点線１１４によって示されている。熱放射は、近赤外（ ＩＲ）例えば１から１．８ミクロン波長 と可視領域を含む、広い波長範囲にわたっている。焼結層３８上の点７４からの 熱放射は走査ミラー３２，３４に入射される。走査ミラー３２，３４は反射され た光ビームをビームスプリッタ１１０に供給し、ビームスプリッタ１１０は放射 の波長を分岐ビーム１１８として反射する。ビーム１１８は集光レンズ１２０に 入射され、この集光レンズは穴１２４を通して集光（放射）１２２を光学赤外線 センサ光検出器１２６に供給する。レンズ１２０は穴１２４で平面上の粉体層の 表面に映像を写す。光検出器１２６は熱放射の波長範囲例えば１から１．８ミク ロンの放射におけるパワーを測定できるものでなければならない。所望ならば、 穴１２４は省略できる。しかしながら、それは焼結層３８上の近くからの放射を 映し出すのを防げ、それにより放射がゆがんでしまう。 光検出器１２６はライン１２８上の電気信号をパワー制御回路１０４に供給す る。パワー制御回路１０４は、電気信号をライン１０２に供給し、レーザ信号の パワーと対応する集光ビーム１１２のパワーを調節する。特に、パワー制御回路 １０４は、ライン１０２に電気信号を供給し、焼結された粉体からの熱放射１１ ４の大きさを一定レベルに維持する。 第３図を参照すると、パワー制御回路１０４の制御システムのブロック図と制 御される設備が示されている。パワー制御回路１０４は加算器１５０の正入力に 供給される基準電圧Ｖ_Ref（ミリボルト）によって構成されている。フィルタさ れたフィードバック信号はライン１５１上で加算器１５０の負入力に供給される 。加算器１５０の出力は、ライン１５２上で、公知の補償１５４例えば比例ゲイ ン とバイアスに供給される。制御補償１５４は、簡単なゲインとバイアス又は簡単 な積分器であってもよく、又は所望のシステム応答を生成するようなもっと複雑 なものでも良い。 補償１５４からの出力信号は、レーザ光の光パワーを順番に調節する変調器１ ００（第１図）を駆動する。図示のためにレーザ１０と変調器１００は、制御回 路１０４からのミリボルトから、レーザビーム１１２（第１図）からの光パワー に変換する機能を示す、簡単なブロック１５６として示されている。光パワーは 、例示のためにブロック１５８（第３図）として示されている粉体層３８（第１ 図）に入射され、ブロック１５８は光学粒子から熱放射の出力までを示している 。 熱放射は、ライン１２８上のミリボルトにおけるフィードバック信号をローパ スフィルタ１６０に供給する検出器１２６によって検出され、ローパスフィルタ １６０は、パワー制御回路１０４における例えば１ＫＨｚのブレーキ周波数を持 っている。フィルタ１６０は、検出器１２６からのフィードバック信号の高周波 ノイズをろ過し、ろ過されたフィードバック信号をライン１５１に供給する。必 要ならば、他のフィルタ又はブレーキ周波数を用いることが出来る。フィルタ１ ６０の出力はライン１５０上の加算器１５０の負入力にフィードバックされる。 パワー制御回路１０４は、例えばオペレーショナルアンプ（オペアンプ）とト ランジスタのような周知の電気要素を含んでおり、第３図のブロック図に示すよ うな機能を提する。しかしながら、パワー制御１０４の全ての部分はディジタル コンピュータのソフトウェ アによっても代えることが出来る。 第４図を参照すると、開ループ構成で焼結が行われるとき、レーザパワーは曲 線２００に示すように一定に維持し、曲線２０２に示すように焼結位置からの熱 放射は、粉体層におけるバージンパウダを介しての第１の走査に対して、最初は 、全く不安定なものである。下位レベル２０３はレーザが走査の間でオフである ことを示す。 第１の走査に続いて、粉体層を通しての第２の走査に対して、曲線２０４に示 すように、熱放射は極めて低下し、かくして、レーザ集光位置７４の温度は同じ レーザパワーに対して非常に低下する。 第３の走査として、曲線２０６に示すように、熱放射は、第２の走査の悪い焼 結によって、第２の走査の熱放射からわずかに増加する。しかしながら、これは バージンパウダに行われた第１の走査よりももっと下がる。全ての走査において 、レーザパワー２００は本質的に同じであった。もちろん、これらの走査におい て、走査の全ては焼結された（すなわち、レーザがオンであった）。しかしなが ら、たいていのレーザの適用は走査の種々な点をオフにし、所望の形状が生成さ れた。走査のための時間は約９秒／走査であったが、他の走査率を必要ならば使 用できる。検出器１２６（第１図）は、光反射による信号を除くためにレーザ波 長に敏感でないように設計されるべきである。さらに、反射によるノイズとフィ ードバック信号を避けるためのレーザ波長をフィルタするために、光フィルタ（ 図示せず）を光検出器１２６の前に配設できる。 第５図を参照すると、本発明の閉ループモードにおいて、センサ１２６（第１ 図）からの３つの走査およびレーザパワー２２０，２ ２２，２２４は、第１の走査２２６から第２の走査２２８，第３の走査２３０ま で、焼結された表面の熱伝導と光反射を調節するために、一定である。結局、表 面からの熱放射は一定に保持され、焼結処理は一定温度に保たれる。低パワーレ ベル２３１は、走査間でレーザがオフ（又は低パワーで）である時を示す。 第４図と第５図において、使用した粉体はタングステン／銅混合物であった。 もちろん、３つの連続する走査は部分的に重複している。焦点７４での各走査の 直径は約０．０１２インチであり、重複は約０．００２インチであった。第４図 と第５図におけるトレースに使用した検出器のタイプはゲルマニウムであった。 第６図を参照すると、第１図の従来技術におけるような開ループ構造による焼 結用のシングルスキャンが示されている。オンレーザパワーはトレース２４０に よって示されており、対応する熱放射はトレース２４２に示されている。このグ ラフは、従来構造を使用してトレース２４０が一定である時、熱放射が一定であ ることを示す。 第７図を参照すると、本発明の閉ループにおける、走査の間のトレース２４４ で示されている熱放射が一定であり、かつトレース２４６で示されているオンレ ーザパワーは、対応する熱放射２４４を一定に保つために調節される。第６図と 第７図の実験はアルミニウムシリカゲート粉体で行われ、光検出器１２６はゲル マニウム検出器であった。 第８図を参照すると、アルゴンカバーガスにおける、種々のレーザパワーと種 々の走査速度での検出信号の大きさが記録されている。種々のカバーガスにおけ る鉄粉の焼結は、全てのレーザパワーと第 ８図に示す全ての走査速度に対してほぼ１５ミリボルトで、起こることがわかっ た。再溶解鉄（すなわち、溶解しそれから再硬化された鉄粉）の存在は、１５ミ リボルトの検出器出力電圧での温度が約１５００Ｄｅｇ．Ｃ，鉄の溶解点に対応 する、ことを示している。 第９図を参照すると、粉体は部屋のガスの小さなポケットを有するので、部屋 ６０に存在するガスに応じて、レーザパワー（△Ｔ／Ｐ）に対する温度上昇を決 める。かくして、大きな熱伝導率を与えるガスほど、所定の走査率での所定のレ ーザパワーに対する小さな温度上昇となる。もちろん、走査率が増加するにつれ て、光パワーのワットに対する温度上昇は減少する。第９図のグラフは、理論デ ータ（ダッシュおよび実線）と測定データ（四角，丸，三角）のヘリウム，アル ゴンガスおよび真空の部屋ガスに対する一連の曲線を示す。 第９図のグラフは、１５０Ｄｅｇ．Ｃに対応した１５ｍｖ検出信号として、第 ８図に示すタイプのデータから導出された。観察と実験によるデータと理論的な カーブ間の一致は、検出器が熱放射を測定し他の現象を測定していないことを示 す。放射による大きさと波長はもちろん熱放射のそれに一致している。これは種 々の物質に対して確認された。もちろん、第９図の理論カーブは、カバーガスで の粉体の熱伝導率（Ｋｔｈ）の値に対する同様な物質の公開されたデータに基づ いて導出された。 本発明は走査ミラーを通して光検出器に戻る熱放射を写すことによって走査ミ ラーを通しての熱放射を検出するように示されているけれども、焼点での粉体層 の集光ビームの焦点の温度を測定するい かなる技巧をも受け入れ可能であることは、理解されるべきである。 例えば、第１０と１１図を参照すると、種々のピッチ走査鏡の代わりに、Ｘ− Ｙプロッタータイプの装置を座標を設定しレーザビームを走査するために使用で きる。その場合、第１０と１１図において矢印３０３によって示されているよう に、Ｘ方向に移動することが出来るレール３０２に設けられた摺動可能なハウジ ング３００に、方向光学系が配置される。もちろん、レール３０２は第１１図に おいて矢印３０４によって示されているように、Ｙ方向に動くことが出来る。 レーザ源（図示せず）からの平行にされたビーム３０５は回転ミラー（又はフ ラット）３０６（第１１図）に入射され、支持レール３０２上に沿って広がる反 射されたビーム３０７を供給する。ビーム３０７は回転ミラー３１２に集光され たビーム３１０を供給する集光レンズに入射される。ミラー３１２は反射されか つ集束されたビーム３１４を焼結層上の焦点３１５に供給する。 検出器の容器３１６は、放射検出器３１７と、集光されたレーザビーム３１４ の焦点３１５に配置された集光レンズを有する可動容器３００に取り付けられて いる。検出器３１７はレンズ３１８による点３１５からの放射された熱放射３２ ０を検出する。 焼結制御回路（図示せず）は、容器３００とレール３０２の位置決めによって 焼結台３８上のビームの位置を制御するものであり、技術分野において周知であ る。もちろん、パワー制御回路（図示せず）も、第２図のものと同様に、基本的 に同じであり、かつ前述のものと同じ機能を提する。すなわち、パワー制御回路 は、検出器３ １７からのライン１２８上の検出信号を監視し、かつ集光されたレーザビーム３ １４のパワーを制御するためのパワー制御信号を供給する。検出器は第２図で論 じたものと同じである。 もちろん、移動ミラーの代わりに、焼結台自身を一つ又は複数の水平方向に動 かすことが出来る。 本発明は例えばプラスッチク，ワックス，金属，セラミックス，および他のも ののような、いかなるタイプの焼結物質をも使用できる。もちろん、２つ又はそ れ以上の物質粉体成分例えばメタルーブロンズを使用できる。さらに、焼結を行 うためのビーム３６に代して、コンバージェント（集束された）ビームを使用す る代わりに、平行にされたビームを使用できる。このビームは、パワーレベルが 充分に高く、かつビーム径は焼結を提するように充分に小さいものである。 変調器１００，シャッター１４およびレーザ１０は、第２図において、分離し た要素として示されているけれども、これらの要素のいくつか又は全てがパワー レベル制御および／若しくは速いオン／オフビーム制御を提する単一のレーザパ ッケージ内に含ませることが出来る。 もちろん、レーザの焦点で温度を正確に検出する代わりに、検出器は、焦点の 前後又は側面のいずれかにおける点での温度を測定し、所望の焼結を提するため にレーザビームの適正なパワーを予測又は決定することを助けることが出来る。 さらに、本発明は熱放射検出による検出温度として述べられているが、熱放射 検出又は追加として、温度に関連する他のパラメータ、 例えばプラズマ（エネルギーが減衰している間に放出されるカバーガスのレーザ 励起原子状態）又はプリューム（加熱又は蛍光によって発光する粉体表面から出 る蒸気化又は粒子化された物質）を検出することが出来る。 発明は模範的な実施例に関して開示されているけれども、前述のおよび種々の 他の変形，省略および追加を発明の精神と範囲から逸脱することなく行えること は当業者によって理解されるべきことである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．粉体の表面の焼結位置に入射されるレーザビームおよび、 前記焼結位置の近くの検出点での前記粉体の温度を検出する検出手段、によっ て構成したことを特徴とする粉体のレーザ焼結装置。 ２．さらに、前記検出手段からの、温度を示す検出信号に応答し、前記レーザビ ームのパワーを制御するためのレーザ制御手段によって構成したことを特徴とす る、特許請求の範囲第１項に記載の粉体のレーザ焼結装置。 ３．前記レーザ制御手段が、前記温度を本質的に一定のレベルに維持するために 、前記レーザビームのパワーを制御する手段によって構成されていることを特徴 とする、特許請求の範囲第２項に記載の粉体のレーザ焼結装置。 ４．前記検出手段が前記検出点から放射された熱放射を検出する、ことを特徴と する、特許請求の範囲第１項に記載の粉体のレーザ焼結装置。 ５．さらに、前記放射された熱放射を前記検出手段に向けるための光学手段によ って構成されている、ことを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の粉体の焼 結制御装置。 ６．さらに、前記粉体を介して前記レーザビームを走査するための手段、および 前記放射された熱放射を前記走査手段を通して前記検出手段に向けるための光 学手段、によって構成されている、ことを特徴とする特許請求の範囲第４項に記 載の粉体の焼結装置。 ７．前記レーザ制御手段が、前記検出手段に応答し、前記レーザビームの所望の パワーを示すパワー制御信号を供給するための信号処理手段によって構成されて いる、ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の粉体のレーザ焼結装置。 ８．前記レーザ制御手段が、前記パワー制御信号に応答して前記レーザビームの パワーを制御するための変調器手段によって構成されていることを特徴とする、 特許請求の範囲第７項に記載の粉体のレーザ焼結装置。 ９．さらに、前記レーザビームを前記粉体の前記表面に集光するための集光手段 によって構成されている、ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の粉体 の焼結装置。 １０．前記粉体が鉄粉体によって構成されている、ことを特徴とする、特許請求 の範囲第１項に記載の粉体の焼結装置。 １１．レーザビームを焼結されるべき粉体の表面に向けるステップ、 および 前記焼結位置の近くを追跡する動きやすい検出点での前記粉体の温度を検出す るステップ、によって構成されていることを特徴とする、レーザ焼結方法。 １２．さらに、前記温度に応答して前記レーザのパワーを調節するステップによ って構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１１項に記載のレーザ焼 結方法。 １３．前記レーザのパワーを調節するステップが、前記温度を本質的に一定レベ ルに維持するために、前記レーザビームのパワーを調節することを特徴とする、 特許請求の範囲第１２項に記載のレーザ焼結方法。 １４．温度を検出する前記ステップが前記検出点からの放射された熱放射を検出 するステップによって構成されていることを特徴とする、特許請求の範囲第１１ 項に記載のレーザ焼結方法。 １５．さらに、前記熱放射を前記検出手段に向けるステップによって構成されて いることを特徴とする特許請求の範囲第１４項に記載のレーザ焼結方法。 １６．さらに、前記粉体を介して前記レーザビームを走査するステップ、および 前記放射された熱放射を前記検出手段に向けるステップによって構成されてい ることを特徴とする特許請求の範囲第１４項に記載のレーザ焼結方法。 １７．さらに、前記レーザビームを前記粉体の前記表面に集光するステップによ って構成されていることを特徴とする、特許請求の範囲第１１項に記載のレーザ 焼結方法。