JPH0936168A - 半導体装置、半導体装置用インターポーザ及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置、半導体装置用インターポーザ及びその製造方法

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JPH0936168A
JPH0936168A JP18137695A JP18137695A JPH0936168A JP H0936168 A JPH0936168 A JP H0936168A JP 18137695 A JP18137695 A JP 18137695A JP 18137695 A JP18137695 A JP 18137695A JP H0936168 A JPH0936168 A JP H0936168A
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Mamoru Onda
護 御田
Toyohiko Kumakura
豊彦 熊倉
Norio Okabe
則夫 岡部
Katsuji Komatsu
勝司 小松
Masaharu Niizawa
正治 新沢
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 配線長の短縮化、接続点数の低減及び特性向
上を図ることのできる半導体装置、半導体装置用インタ
ーポーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 基板１２上に半導体チップ１３が搭載され、
この半導体チップ１３上の電極と基板上のボンディング
パッドとをワイヤボンディング１８で接続し、外部との
接続を半導体チップ１３の周辺に配設された入出力端子
によって行う半導体装置にあって、前記入出力端子とし
て、基板１２の上面及び下面より露出する微細な柱状の
電気導体１４を用いる。そして、この電気導体１４の上
端をボンディングパッドとして用い、下端面をランドと
して用い、入出力用の経路を最短にすると共に経路を簡
略化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを内
蔵した半導体装置、この半導体装置を搭載するための基
板又はリードフレームとして機能するインターポーザ及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０はＢＧＡ（ Ball Grid Array：ボ
ール グリッド アレイ）による従来の半導体装置の概
略構成を示す正面図である。また、図１１は図１０の平
面図であり、図１２は図１０の主要部の構成を示す断面
図である。
【０００３】基板１の片面には半導体チップ２が搭載さ
れ、その周辺には配線パターンが形成されている。この
配線パターンの内、他の実装用基板との接続に用いられ
る配線パターン３（入出力用）については、基板１の厚
み方向にスルーホール４が形成されている。このスルー
ホール４に接続可能にして基板１の下面には配線パター
ン５が形成されており、この配線パターン５と配線パタ
ーン３のランド３ａとはスルーホール４内の導電メッキ
５を通して電気的に接続されている。また、半導体チッ
プ２のパッド（不図示）と配線パターン３とは、ボンデ
ィングワイヤ７によって接続されている。更に、搭載さ
れた部品全体を覆うようにして基板上面を樹脂材１１で
モールドしてパッケージングを行うことにより、１つの
半導体装置が完成する。
【０００４】次に、以上の様な構成の半導体装置を更に
別の基板８上に実装する場合について説明する。基板８
には入出力用配線パターン９が形成され、この配線パタ
ーン９と基板１側の配線パターン５との接続は、半田ボ
ール１０を介して行われる。半田ボール１０と各配線パ
ターンとの電気的及び機械的な接続は、リフロー炉等で
溶融した半田１０ａ，１０ｂによって行われる。
【０００５】なお、この種の技術に関しては、例えば、
特開平３−９４４５９号公報（金属ベース上に金メッキ
層等の非エッチング金属層によってダイボンディング部
及びボンディング部を形成した半導体チップモジュール
及びその製造方法）がある。この他、実開昭６３−３１
６０号公報（樹脂パッケージの裏面からリードフレーム
を外部端子として突出させると共にパッケージ裏面に耐
熱性絶縁テープを配設した集積回路装置）、特開平５−
６３１０９号公報（樹脂内にインナーリードからパッケ
ージの上面又は裏面に通じるコンタクトホールを設け、
この内部に導電材料を充填して外部接続用コンタクト部
にしたモールド型ＩＣパッケージ）、特開平５−２８３
４６０号公報（リードパターンが形成された絶縁性のベ
ースフィルム上に半導体チップを搭載し、リードパター
ンに接続されたバンプをベースフィルムより露出させた
半導体装置）、特開平６−１１２３５４号公報（導電層
が形成された基板上に半導体ダイを搭載し、導電層に接
続された半田ボールを基板より露出させた薄型オーバー
モールデッド半導体デバイス及びその製造方法）、及び
特開平６−２１６２７６号公報（半導体チップの搭載面
に対して配線パターンの形成面を高くし、配線パターン
の内側と半導体チップをボンディングワイヤで接続し、
配線パターンの外側にはスルーホールを接続し、このス
ルーホールの露出部にソルダーバンプを接続させた半導
体装置）、特開平５−１４４９９５号公報（導体回路に
実装されるパッケージ基板にスルーホールを設け、この
スルーホールの下端と導体回路上のパターンとの間に金
属ボールを介在させる半導体パッケージ）、特開平５−
２１１２０２号公報（表面と裏面に複数の経路が設けら
れ、且つ表面の複数の経路を電気的に結合する導電トレ
ースを有するインターポーザに対し、フリップ・チップ
型の半導体装置を金属ボールを介して接続する複合フリ
ップ・チップ半導体装置とその製造方法及びバーンイン
の方法）、特開平３−２６９９６２号公報（樹脂材によ
る保持体の相互間にその厚み方向に膨出する様にして導
電部材を保持させ、この導電部材の表面を半田被覆した
電気的接続部材）等がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
技術にあっては、以下に列挙するような問題を含んでい
る。 （ａ）特開平３−９４４５９号公報に示される様に、パ
ッケージ内の部品構成数が多いため、パッケージの組立
て費用及び部材費用が高くなる。 （ｂ）パッケージ内の配線長が長くなるため、実効イン
ダクタンスが大きくなり、信号伝送を行う場合にはクロ
ストークノイズが増え、高速伝送性が劣る。 （ｃ）配線の接続点が多いため、温度サイクルでの熱応
力による疲労破断を生じ易い。 （ｄ）スルーホール及び半田ボールは、それ自身が疲労
破断し易いため、信頼性が劣る。
【０００７】そこで、本発明は、構造の簡略化、配線長
の短縮化、接続点数の低減、量産性の向上等を図ること
のできるリードフレーム及びこれを用いた半導体装置を
提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上に半導体チップを搭載し、該半
導体チップ上の電極と前記基板上のパッドとをワイヤボ
ンディングで接続し、外部との接続を前記半導体チップ
の周辺に配設された入出力端子によって行う構造を含む
半導体装置において、前記入出力端子は、前記基板の上
下面より露出する微細な柱状の電気導体であり、その一
端がボンディングパッドを兼ね、他端がランドを兼ねる
ようにしている。前記電気導体の一端は、ボンディング
性に優れた素材によるメッキを施すことができる。前記
電気導体は、複数の細い金属線を樹脂材で固定したもの
を用いることができる。更に、前記電気導体は、微細径
の１本の金属線の一端を釘状に膨出加工したものを用い
ることができる。
【０００９】また、上記の目的は、半導体チップが搭載
される領域を備え、該領域の周囲に入出力端子が配設さ
れた半導体装置用インターポーザにおいて、前記入出力
端子は、前記基板の上下面より露出する微細な柱状の電
気導体であり、その一端がボンディングパッドを兼ね、
他端がランドを兼ねる構成によっても達成される。この
場合、前記電気導体の一端は、ボンディング性に優れた
素材によるメッキを施すことが望ましい。また、前記電
気導体は、複数の細い金属線を樹脂材で固定したものを
用いることができる。更に、前記電気導体は、微細径の
１本の金属線の一端を釘状に膨出加工したものを用いる
ことができる。
【００１０】また、上記の目的は、半導体チップが搭載
される領域を備え、該領域の周囲に入出力端子が配設さ
れた半導体装置用インターポーザにおいて、微細な柱状
の電気導体を前記入出力端子とし、この電気導体を治具
に位置決めして装着し、前記治具に液状の樹脂材を流し
込んで基板を作成する方法によっても達成される。この
場合、前記電気導体は、複数の細い金属線を樹脂材で固
定した構成にすることができる。更に、前記方法におけ
る電気導体は、微細径の１本の金属線の一端を釘状に膨
出加工したものを用いることができる。
【００１１】
【作用】上記した手段によれば、半導体チップ（ＬＳＩ
チップ）を搭載する基板にあって、半導体チップの周囲
に外部との接続のために配設された入出力端子が、従来
のスルーホール内導体及びボンディングパッドの機能を
併せ持ち、ボンディングワイヤに接続される配線パター
ンが不要になり、また、入出力用の裏面パターンも不要
になる。したがって、配線長を短縮でき、インダクタン
スの低減、ノイズの低減が図れ、高速動作が可能にな
る。
【００１２】電気導体の一端（ワイヤボンディング側）
の端面にボンディング性に優れる金や銀でメッキを施す
ことにより、ボンディングワイヤとの接続が確実に行え
るようになり、信頼性が向上する。
【００１３】半導体装置用インターポーザにあって、そ
の入出力端子に基板の上、下面の各々より露出する微細
な柱状の電気導体を用いることにより、この電気導体は
ボンディング用のパッドと基板実装用のランドの各機能
及び導体としての機能を併せ持ち、配線パターンの省略
及び配線長の短縮が図られ、インダクタンスの低減及び
ノイズの低減が図られる。また、インターポーザの小型
化が可能になり、多ピン化を図ることも可能になる。
【００１４】このインターポーザにおいて、電気導体の
一端にボンディング性に優れる金や銀でメッキを施すこ
とにより、ボンディングワイヤとの接続が確実に行える
ようになり、信頼性が向上する。
【００１５】また、半導体装置用インターポーザにあっ
て、半導体チップが搭載される領域の周囲に設けられた
入出力端子を微細な柱状の電気導体にすることで、これ
を治具で位置決めしながら、電気導体の上下を露出させ
た状態で液状の樹脂材を流し込むことにより、電気導体
すなわち入出力端子を後工程で挿入することなく基板の
作成と共に入出力端子を埋め込むことができる。したが
って、電気導体の挿入を行うことなく基板と同時にイン
ターポーザを製作することができ、基板の機械加工、モ
ールド成形加工が不要になり、量産性を向上させること
ができる。
【００１６】上記各手段にあっては、複数の細い金属線
を樹脂材で固定して作成した電気導体は、線材相互及び
表面に樹脂が介在し、樹脂製の基板に挿入または溶融に
より一体化したときに、基板との接合又は融合が確実に
行われ、電気導体の移動や抜け落ちを防止することがで
きる。
【００１７】更に、上記各手段にあっては、電気導体は
１本の金属線を用いることもできるが、この場合、全長
が同一径では、挿入時や挿入後に長さ方向の位置ずれを
生じやすい。また、ボンディングワイヤの接続もし難
い。そこで、１本の金属線の一端を釘状に膨出加工した
ものを用いることができる。これにより、電気導体を定
位置に位置決めでき、またボンディング作業を容易にす
ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 （実施例１）図１は本発明による半導体装置の一実施例
の概略構成を示す正面図である。また、図２は図１の半
導体装置の外観を示す斜視図である。
【００１９】図１に示す様に、絶縁材を用いて板状に加
工した基板（レジン）１２の片面の中央部には半導体チ
ップ１３を搭載する領域が確保され、この半導体チップ
１３の周辺には柱状の電気導体１４（その本数は半導体
チップ１３の電極数に等しい）が所定の配列で埋め込ま
れている。電気導体１４の各々の表面（モールド側の端
面）にはボンディングパッド１５（銀メッキ）が形成さ
れ、反対側の面にはランド１６（基板実装時の半田接続
用の端子として用いられる）が形成されている。なお、
図１では電気導体１４のランド１６は、基板１２に略同
一平面になる長さに設定しているが、ランド１６側を更
に長くすることもでき、これによって図３に示す様に、
実装基板８の入出力用配線パターン９との接続が容易に
なる。本実施例においては、基板１２と電気導体１４を
含む部材をインターポーザ１７と称している。
【００２０】半導体装置の製作に際しては、まず、イン
ターポーザ１７上に半導体チップ１３を搭載し、ボンデ
ィングパッド１５と半導体チップ１３上のボンディング
パッド（不図示）との間をボンディングワイヤ１８でボ
ンディングする。この後、半導体チップ１３を含むイン
ターポーザ１７の表面を樹脂材１９でモールドすること
により、図２に示すように半導体装置２０が完成する。
【００２１】図３は図１及び図２に示す半導体装置を基
板に実装した様子を示す正面断面図である（なお、図３
においては樹脂モールドの図示を省略している）。図３
の構造と従来構造の図１２とを比較して明らかなよう
に、図３の構成によれば、２ヶ所（配線パターン３と配
線パターン５）で無駄な配線が省略されていることがわ
かる。更に、図１２の構成では、スルーホールを中心に
して接続点が３箇所多くなっていることがわかる。
【００２２】このように、本発明によれば、最短長さで
外部との接続が行え、高い周波数での使用も可能にな
る。また、部品点数の低減が可能になり、低価格化、量
産性及び信頼性の向上を図ることができる。更に、電気
導体が熱伝導体として機能するため、放熱性も向上す
る。また、配線パターンが省略できることからパッケー
ジの小型化が図れ、半導体装置の多ピン化を図ることも
可能になる。
【００２３】従来、表面配線パターンは、ワイヤボンデ
ィングパッドをＬＳＩの極近傍まで引き出すために設け
られていたのであるが、最近のワイヤボンディング技術
の進歩により、１５ｍｍ程度の長さまでのロングワイヤ
ボンディングが可能になっている。このため、微細加工
の困難な表面配線パターンを省略し、本発明のように簡
略化を図っても問題はない。
【００２４】図４は本発明による電気導体の製造方法を
示す説明図である。ここでは、０．３ｍｍφの無酸素銅
線（ＯＦＣ：Oxygen Free Copper) を電気導体１４の材
料に用いている。この線材２１の複数本を押出成形機２
２に挿入して取り出す過程で押し出し成形が行われ、電
気導体１４を含むインターポーザ母材を作成する。押出
成形機２２は、成形絶縁材料２３を成形部に供給するた
めのホッパ２４、及び成形絶縁材料２３を加熱して溶融
するための加熱ヘッド（不図示）を備えている。成形絶
縁材料２３は、熱可塑性のフッ素樹脂のペレットを用い
ている。
【００２５】押出成形機２２に挿入された複数本の線材
２１に対し、成形絶縁材料２３を加熱して得られた溶融
樹脂は複数本の線材２１の相互間を埋め込みながら押出
成形機２２により押し出し成形が行われることにより、
電気導体１４を含むインターポーザ母材が製造される。
この成形には成形ダイス（不図示）が用いられる。この
成形ダイスは、線材２１の位置と成形体の外形を決定す
る機能を有し、品種（或いは仕様）毎に適当なものに交
換する。このあと、インターポーザ母材を適当な厚さ、
例えば、１ｍｍ程度にスライスすることによって、イン
ターポーザ１７の基本構造を製造する。
【００２６】図５及び図６（実施例１の欄）に示す様
に、インターポーザ１７の各部の寸法（ダイパッドサイ
ズＢ１，Ｂ２、インターポーザサイズＣ１，Ｃ２）、及
び電気導体１４の径（ｄ）及びピッチ（幅方向Ｐ１、奥
行方向Ｐ２）を設定した。なお、半導体チップ１３が搭
載されるダイパッド部は５．５ｍｍ角の面積にし、電気
導体１４をダイパッドの全周に配設している。上記の径
ｄ及びピッチＰ１，Ｐ２を得る円筒状の電気導体を図４
に示した方法により連続的に製作した。即ち、押し出し
成形により得られたインターポーザに対し、スライス切
断装置（不図示）で一定の長さに切断処理することによ
り電気導体１４を含むインターポーザ１７の基本構造を
得ることができる。なお、この構造で、切断された面に
は機械研磨が施される。更に、ボンディングパッド１５
を形成すべく、電気導体１４の一端に無電解ニッケルメ
ッキ（例えば、平均１．０μｍ厚）が施される。また、
無電解ニッケルメッキは電気導体１４の他端にも設けら
れ（その厚みは、例えば、平均０．５μｍ厚）、これが
ランド１６になる。
【００２７】このようにして得られたインターポーザ１
７において、そのダイパッド部には５．０ｍｍ角の半導
体チップ１３を銀ペーストを用いて搭載し、半導体チッ
プ１３のパッドとボンディングパッド１５との間をボン
ディングワイヤ１８（例えば、２５μｍφの金線）を用
いてボンディングする。この後、図１に示すように、エ
ポキシ樹脂等の樹脂材１９でモールドしてパッケージン
グする。このモールドに際しては、ワイヤボンディング
の後、液状のエポキシ系のポッティングレジンを用いて
行った。具体的には、１．０ｍｍ厚のメタルマスクを用
い、印刷法により実施した。
【００２８】以上のようにして製作した本発明による半
導体装置と、図１０に示した半導体装置を比較した場
合、本発明による半導体装置の搭載面積は従来構造の１
／４にすることができた。これは従来の半導体装置がガ
ラスエポキシ基板を用いているため、ガラス繊維間を通
しての高温高湿におけるエレクトロマイグレーションが
問題になり、導体ピッチが１．０ｍｍ程度で限界になる
ためである。
【００２９】（実施例２）図６の実施例２の欄に記載の
寸法によりインターポーザ及び電気導体を製作し、これ
による半導体装置と従来の半導体装置の搭載面積を比較
した。この結果、実施例１と同様に本発明による半導体
装置の搭載面積は従来構造の１／４にすることができ
た。この理由は、上記実施例１で説明した通りである。
【００３０】（実施例３）図７は本発明の実施例３を示
す斜視図及び寸法図を示している。この実施例では、表
面に３〜５μｍ厚の銀メッキが施された０．３ｍｍφの
無酸素銅線（ＯＦＣ) を電気導体１４の材料に用いてい
る。この線材をヘッダ加工機（不図示）によって予め図
７及び図８に示す寸法及び構造に加工する。なお、図８
におけるダイパッドサイズ及び導体ピッチは図６と同一
である。
【００３１】図７に示すように、本実施例における電気
導体２５はビス形を成し、筒状の本体２５ａ（直径ｉ、
高さｈ）の一端（上端）にはボンディングパッド２５ｂ
（直径ｄ、厚みｔ）がヘッダ加工機を用い、図８の実施
例３の欄の寸法に従って作られる。なお、表面に施され
た銀メッキは伸展性に富むため、ボンディングパッド２
５ｂにも銀メッキは残される。
【００３２】このようにして作られた電気導体２５は、
図９の（Ａ），（Ｂ）に示すように、エポキシ樹脂製の
厚さ（ｋ）１ｍｍのインターポーザ１７（そのダイパッ
ド部２７は５．５ｍｍ角のサイズ）に予め形成されてい
る多数（ここでは、ｎ＝４５０本）の貫通孔２６に挿入
される。この貫通孔２６は、ＮＣ（数値制御）旋盤を用
いて加工される。なお、インターポーザ１７は、インジ
ェクション成形金型により作ることができる。
【００３３】このようにして得られた電気導体２５は、
インターポーザ１７に設けられた貫通孔２６に埋め込ま
れる。ダイパッド部２７には５．０ｍｍ角の半導体チッ
プ（不図示）を銀ペーストを用いて搭載し、半導体チッ
プのパッドとボンディングパッドとの間をボンディング
ワイヤ（例えば、２５μｍφの金線）を用いてボンディ
ングする。この後、図１に示すように、エポキシ樹脂で
モールドしてパッケージングする。
【００３４】以上のようにして製作した本発明による半
導体装置と、図１０に示した半導体装置を比較した場
合、本発明による半導体装置の搭載面積は従来構造の１
／４にすることができた。これは従来の半導体装置がガ
ラスエポキシ基板を用いているため、ガラス繊維間を通
しての高温高湿におけるエレクトロマイグレーションが
問題になり、導体ピッチが１．０ｍｍ程度で限界になる
ためである。
【００３５】（実施例４）図８の実施例４の欄に記載の
寸法によりインターポーザ及び電気導体を製作し、これ
による半導体装置と従来の半導体装置の搭載面積を比較
した。この結果、実施例１と同様に本発明による半導体
装置の搭載面積は従来構造の１／４にすることができ
た。この理由は、上記実施例３で説明した通りである。
【００３６】以上の様に、本発明によれば、配線長の短
縮が可能になり、また、配線数の低減も可能になる。こ
の結果、パッケージの小型化及び多ピン化が可能にな
る。配線長が短縮されることによってインダクタンスも
低減され、これに伴って発生ノイズも低減される。した
がって、高いクロック周波数による高速演算が可能にな
る。更には、釘状の電気導体が埋め込まれているため、
放熱性を向上させることができる。また、その製造に際
しては、全て従来技術で可能であるため、量産性に優
れ、低価格化も可能になる。
【００３７】また、ランド１６にあっては、０．５ｍｍ
φの半田ボールを取り付け、実装時の接続が確実かつ容
易に行われるようにしている。そして、半田ボールの形
成に際しては、６３％Ｓｎ−Ｐｂ半田ペーストの印刷リ
フローにより行った。
【００３８】また、上記の実施例においては、電気導体
２５をインターポーザ１７の貫通孔２６に挿入する方法
にしたが、他の方法の採用も可能である。例えば、電気
導体２５を位置合わせ治具に配置し、その後、治具に液
状のエポキシ樹脂を流し込んで基板を作成すれば、電気
導体の挿入を行うことなく基板と同時にインターポーザ
を製作することができる。したがって、基板の機械加
工、モールド成形加工が不要になり、量産性を向上させ
ることができる。
【００３９】以上説明した各実施例によれば、配線パタ
ーン及び接続点の低減によって低価格化、量産性及び信
頼性の向上を図ることができる。更に、電気導体が熱伝
導体として機能するため、放熱性も向上する。また、配
線パターンが省略できることからインターポーザの小型
化が図れ、半導体装置の多ピン化を図ることも可能にな
る。
【００４０】
【発明の効果】以上より明らかな如く、本発明によれ
ば、入出力端子を基板の上下面より露出する微細な柱状
の電気導体にし、その一端をボンディングパッドとして
用い、他端をランドとして用いる構成にしたので、配線
長を短縮でき、インダクタンスの低減、ノイズ低減が図
れ、高速動作が可能になる。また、低価格化、小型化、
多ピン化等が図れ、更に、量産性及び信頼性の向上を図
ることができる。また、電気導体が熱伝導体として機能
するため、放熱性も向上する。
【００４１】入出力端子を基板の上下面より露出する微
細な柱状の電気導体にし、その一端がボンディングパッ
ドを兼ね、他端がランドを兼ねる構成のインターポーザ
にしたので、配線パターンの省略及び配線長の短縮が図
られ、インダクタンスの低減及びノイズの低減が図られ
る。また、インターポーザの小型化が可能になり、多ピ
ン化を図ることも可能になる。
【００４２】更に、微細な柱状の電気導体を前記入出力
端子とし、この電気導体を治具に位置決めして装着し、
前記治具に液状の樹脂材を流し込んで基板を作成する方
法にしたので、電気導体の挿入を行うことなく基板と同
時にインターポーザを製作することができ、基板の機械
加工、モールド成形加工が不要になり、量産性を向上さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の一実施例の概略構成
を示す正面図である。
【図２】図１の半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図３】図１及び図２の半導体装置を基板に実装した様
子を示す正面断面図である。
【図４】本発明に係る電気導体の製造方法を示す説明図
である。
【図５】本発明に係るインターポーザと電気導体の各部
の寸法を示す説明図である。
【図６】本発明における実施例１の各部の寸法を示す説
明図である。
【図７】本発明の実施例３を示す斜視図及び寸法図を示
している。
【図８】本発明における実施例３の各部の寸法を示す説
明図である。
【図９】図７の電気導体のインターポーザへの実装方法
を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は正面断面図である。
【図１０】ＢＧＡによる従来の半導体装置の概略構成を
示す正面図である。
【図１１】図１０の半導体装置の平面図である。
【図１２】図１０の主要部の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１３ 半導体チップ １４，２５ 電気導体 １５，２５ｂ ボンディングパッド １６ ランド １７ インターポーザ １８ ボンディングワイヤ ２１ 線材 ２２ 押出成形機 ２３ 成形絶縁材料 ２７ ダイパッド部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡部 則夫 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 小松 勝司 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 新沢 正治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に半導体チップを搭載し、該半導
    体チップ上の電極と前記基板上のパッドとをワイヤボン
    ディングで接続し、外部との接続を前記半導体チップの
    周辺に配設された入出力端子によって行う構造を含む半
    導体装置において、 前記入出力端子は、前記基板の上下面より露出する微細
    な柱状の電気導体であり、その一端がボンディングパッ
    ドを兼ね、他端がランドを兼ねることを特徴とする半導
    体装置。
  2. 【請求項２】 前記電気導体の一端は、ボンディング特
    性に優れた素材によるメッキが施されることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記電気導体は、複数の細い金属線を樹
    脂材で固定したものであることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記電気導体は、微細径の１本の金属線
    の一端を釘状に膨出加工したものであることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体装置用インターポーザ。
  5. 【請求項５】 半導体チップが搭載される領域を備え、
    該領域の周囲に入出力端子が配設された半導体装置用イ
    ンターポーザにおいて、 前記入出力端子は、前記基板の上下面より露出する微細
    な柱状の電気導体であり、その一端がボンディングパッ
    ドパッドを兼ね、他端がランドを兼ねることを特徴とす
    る半導体装置用インターポーザ。
  6. 【請求項６】 前記電気導体の一端は、ボンディング特
    性に優れた素材によるメッキが施されることを特徴とす
    る請求項５記載の半導体装置用インターポーザ。
  7. 【請求項７】 前記電気導体は、複数の細い金属線を樹
    脂材で固定したものであることを特徴とする請求項５記
    載の半導体装置用インターポーザ。
  8. 【請求項８】 前記電気導体は、微細径の１本の金属線
    の一端を釘状に膨出加工したものであることを特徴とす
    る請求項５記載の半導体装置用インターポーザ。
  9. 【請求項９】 半導体チップが搭載される領域を備え、
    該領域の周囲に入出力端子が配設された半導体装置用イ
    ンターポーザにおいて、 微細な柱状の電気導体を前記入出力端子にし、 この電気導体を治具に位置決めして装着し、 前記治具に液状の樹脂材を流し込んで基板を作成するこ
    とを特徴とする半導体装置用インターポーザの製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記電気導体は、複数の細い金属線を
    樹脂材で固定したものであることを特徴とする請求項９
    記載の半導体装置用インターポーザの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記電気導体は、微細径の１本の金属
    線の一端を釘状に膨出加工したものであることを特徴と
    する請求項９記載の半導体装置用インターポーザの製造
    方法。
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