JPH09312262A - マルチチャンバースパッタリング装置 - Google Patents
マルチチャンバースパッタリング装置Info
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- JPH09312262A JPH09312262A JP8150043A JP15004396A JPH09312262A JP H09312262 A JPH09312262 A JP H09312262A JP 8150043 A JP8150043 A JP 8150043A JP 15004396 A JP15004396 A JP 15004396A JP H09312262 A JPH09312262 A JP H09312262A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デガス温度を高くしつつも全体の生産性を低
下させることがようにする。 【解決手段】 中央の搬送チャンバー４の周りにスパッ
タチャンバー１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄとデガスチャンバ
ー５が気密に接続されてスパッタリングを含む処理を真
空中で連続して行われる。デガスチャンバー５には複数
のヒートステージ５１が設けられて複数の基板１０を同
時に加熱することが可能となっている。ヒートステージ
５１には、基板１０の裏面に接触するようにして加熱用
ガスを導入する加熱用ガス導入手段５１３や基板１０と
の面接触を強化するための押し付け機構５１４、さらに
は静電吸着機構等が必要に応じて設けられる。
下させることがようにする。 【解決手段】 中央の搬送チャンバー４の周りにスパッ
タチャンバー１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄとデガスチャンバ
ー５が気密に接続されてスパッタリングを含む処理を真
空中で連続して行われる。デガスチャンバー５には複数
のヒートステージ５１が設けられて複数の基板１０を同
時に加熱することが可能となっている。ヒートステージ
５１には、基板１０の裏面に接触するようにして加熱用
ガスを導入する加熱用ガス導入手段５１３や基板１０と
の面接触を強化するための押し付け機構５１４、さらに
は静電吸着機構等が必要に応じて設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、半導体デバイ
ス等の製造に用いられるマルチチャンバースパッタリン
グ装置の生産性向上に関するものである。
ス等の製造に用いられるマルチチャンバースパッタリン
グ装置の生産性向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】成膜技術には、真空蒸着、スパッタリン
グ、ＣＶＤ（化学的気層成長）などがあるが、半導体デ
バイス等の製造では、配線材料の成膜等でスパッタリン
グが頻繁に用いられている。メモリやロジック等の半導
体デバイスでは、デバイスの集積度が増加し、性能が向
上するのに伴い、デバイスの信頼性が格段に高く要求さ
れ、それを達成するため、スパッタリングなどの配線プ
ロセスは、著しい進歩を遂げてきた。具体的には、配線
材料として用いられてきたＡｌＳｉは、エレクトロマイ
グレーション耐性を強化するために、Ｃｕを含有するＡ
ｌＳｉＣｕ材に置き換えられようになった。また、下地
層と配線層との拡散防止膜（バリア膜）として、Ｔｉ／
ＴｉＮ積層膜を下地ＳｉとＡｌＳｉＣｕ配線との間に形
成することが要求されるようになった。このようなバリ
ア膜の上にＡｌ系配線材料を積層するプロセスは、異な
る成膜プロセスを真空中で一貫して行うことが可能なマ
ルチチャンバー方式のスパッタリング装置によって可能
となった。
グ、ＣＶＤ（化学的気層成長）などがあるが、半導体デ
バイス等の製造では、配線材料の成膜等でスパッタリン
グが頻繁に用いられている。メモリやロジック等の半導
体デバイスでは、デバイスの集積度が増加し、性能が向
上するのに伴い、デバイスの信頼性が格段に高く要求さ
れ、それを達成するため、スパッタリングなどの配線プ
ロセスは、著しい進歩を遂げてきた。具体的には、配線
材料として用いられてきたＡｌＳｉは、エレクトロマイ
グレーション耐性を強化するために、Ｃｕを含有するＡ
ｌＳｉＣｕ材に置き換えられようになった。また、下地
層と配線層との拡散防止膜（バリア膜）として、Ｔｉ／
ＴｉＮ積層膜を下地ＳｉとＡｌＳｉＣｕ配線との間に形
成することが要求されるようになった。このようなバリ
ア膜の上にＡｌ系配線材料を積層するプロセスは、異な
る成膜プロセスを真空中で一貫して行うことが可能なマ
ルチチャンバー方式のスパッタリング装置によって可能
となった。
【０００３】一方、デバイスの高密度化が進み、配線幅
が微細化し、かつ多層化するなかで、微小なホールの内
部にバリア膜及び配線材料の成膜を行うには、旧来のス
パッタでは限界に達している。このためスパッタ方法に
も改善が試みられ、Ａｌ系配線用のスパッタでは、高温
スパッタ法が考案されている。この方法は、Ａｌ系材料
の融点に近い基板温度でスパッタを行うことで、微小ホ
ールにＡｌ系材料を流動させて埋め込みを実現させるの
である。この方法によれば、６４Ｍビット〜２５６Ｍビ
ット。更には配線幅０．２５ミクロンの１Ｇビットクラ
スのメモリデバイスの製造にもスパッタリングが用いら
れることが可能であると期待されている。
が微細化し、かつ多層化するなかで、微小なホールの内
部にバリア膜及び配線材料の成膜を行うには、旧来のス
パッタでは限界に達している。このためスパッタ方法に
も改善が試みられ、Ａｌ系配線用のスパッタでは、高温
スパッタ法が考案されている。この方法は、Ａｌ系材料
の融点に近い基板温度でスパッタを行うことで、微小ホ
ールにＡｌ系材料を流動させて埋め込みを実現させるの
である。この方法によれば、６４Ｍビット〜２５６Ｍビ
ット。更には配線幅０．２５ミクロンの１Ｇビットクラ
スのメモリデバイスの製造にもスパッタリングが用いら
れることが可能であると期待されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、高温プロ
セスを用いたスパッタリング方法により、デバイスの高
密度化に対応する成膜に技術的な目処がたってきたが、
生産性の面でまた問題が残っている。即ち、高温成膜前
の基板のデガス（脱ガス）の処理時間の短縮の問題であ
る。前述したように、Ａｌの高温プロセス（４００〜５
００℃）では、Ａｌの流動性を利用するわけであるが、
スパッタ中に水分子や酸素分子などの不純物が基板上の
Ａｌ表面に付着したり析出したりすると、この流動性は
極端に疎外されることが分かっており、Ａｌスパッタ中
の不純物の低減が非常に重要な技術となっている。この
ためには、Ａｌの高温成膜前に基板を加熱することによ
り、スパッタ中に基板から脱離する可能性のある水分子
や酸素分子を予め除去する必要があり、デガスとよばれ
る処理プロセスが必要不可欠となるのである。
セスを用いたスパッタリング方法により、デバイスの高
密度化に対応する成膜に技術的な目処がたってきたが、
生産性の面でまた問題が残っている。即ち、高温成膜前
の基板のデガス（脱ガス）の処理時間の短縮の問題であ
る。前述したように、Ａｌの高温プロセス（４００〜５
００℃）では、Ａｌの流動性を利用するわけであるが、
スパッタ中に水分子や酸素分子などの不純物が基板上の
Ａｌ表面に付着したり析出したりすると、この流動性は
極端に疎外されることが分かっており、Ａｌスパッタ中
の不純物の低減が非常に重要な技術となっている。この
ためには、Ａｌの高温成膜前に基板を加熱することによ
り、スパッタ中に基板から脱離する可能性のある水分子
や酸素分子を予め除去する必要があり、デガスとよばれ
る処理プロセスが必要不可欠となるのである。
【０００５】このデガスの際の基板の温度は、Ａｌの高
温成膜時の温度より高くする必要がある。何故ならば、
デガス温度がＡｌの高温成膜時の温度より低い場合に
は、Ａｌ成膜中に基板から前記不純物が放出され、Ａｌ
の流動性が著しく疎外されて埋め込みが達成されないか
らである。こうした理由から、デガス温度は一般的に４
５０〜６００℃と十分に高く設定される。しかしなが
ら、デガス温度を高くすることは、生産性からすれば非
常に効率の悪いものであった。その理由は、基板を前述
した高温度まで昇温させかつその高温度に維持し十分な
ガス出しを行うのには、時間が長くかかり、その結果、
全体的な生産性が低下してしまうからである。
温成膜時の温度より高くする必要がある。何故ならば、
デガス温度がＡｌの高温成膜時の温度より低い場合に
は、Ａｌ成膜中に基板から前記不純物が放出され、Ａｌ
の流動性が著しく疎外されて埋め込みが達成されないか
らである。こうした理由から、デガス温度は一般的に４
５０〜６００℃と十分に高く設定される。しかしなが
ら、デガス温度を高くすることは、生産性からすれば非
常に効率の悪いものであった。その理由は、基板を前述
した高温度まで昇温させかつその高温度に維持し十分な
ガス出しを行うのには、時間が長くかかり、その結果、
全体的な生産性が低下してしまうからである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明は、スパッタチャンバー
を含む複数のプロセスチャンバーを気密に接続してスパ
ッタリングを含む処理を真空中で連続して行うマルチチ
ャンバースパッタリング装置において、複数のプロセス
チャンバーのうちの一つは、基板のデガスを行うデガス
チャンバーであり、このデガスチャンバーには、複数の
ヒートステージが設けられて複数の基板を同時に加熱す
ることが可能となっているという構成を有する。同様に
上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、上記
請求項１の構成において、前記ヒートステージは、基板
の裏面に接触するようにして加熱用ガスを導入する加熱
用ガス導入手段を備えているという構成を有する。同様
に上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、上
記請求項１又は２の構成において、前記ヒートステージ
は、当該ヒートステージの表面に基板を機械的に押し付
ける押し付け機構を備えているという構成を有する。同
様に上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、
上記請求項１、２又は３の構成において、前記ヒートス
テージは、静電吸着によって基板を当該ヒートステージ
の表面に吸着する静電吸着機構を備えているという構成
を有する。同様に上記課題を解決するため、請求項５記
載の発明は、上記請求項１、２、３又は４の構成におい
て、前記プロセスチャンバーのうちの一つは、アルミニ
ウム系のターゲットを用いたスパッタチャンバーであ
り、当該スパッタチャンバーは、当該アルミニウム系の
材料の融点に近い温度まで基板を加熱して基板に到達し
たアルミニウム系材料の流動化させる加熱手段を備えて
いるという構成を有する。
め、本願の請求項１記載の発明は、スパッタチャンバー
を含む複数のプロセスチャンバーを気密に接続してスパ
ッタリングを含む処理を真空中で連続して行うマルチチ
ャンバースパッタリング装置において、複数のプロセス
チャンバーのうちの一つは、基板のデガスを行うデガス
チャンバーであり、このデガスチャンバーには、複数の
ヒートステージが設けられて複数の基板を同時に加熱す
ることが可能となっているという構成を有する。同様に
上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、上記
請求項１の構成において、前記ヒートステージは、基板
の裏面に接触するようにして加熱用ガスを導入する加熱
用ガス導入手段を備えているという構成を有する。同様
に上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、上
記請求項１又は２の構成において、前記ヒートステージ
は、当該ヒートステージの表面に基板を機械的に押し付
ける押し付け機構を備えているという構成を有する。同
様に上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、
上記請求項１、２又は３の構成において、前記ヒートス
テージは、静電吸着によって基板を当該ヒートステージ
の表面に吸着する静電吸着機構を備えているという構成
を有する。同様に上記課題を解決するため、請求項５記
載の発明は、上記請求項１、２、３又は４の構成におい
て、前記プロセスチャンバーのうちの一つは、アルミニ
ウム系のターゲットを用いたスパッタチャンバーであ
り、当該スパッタチャンバーは、当該アルミニウム系の
材料の融点に近い温度まで基板を加熱して基板に到達し
たアルミニウム系材料の流動化させる加熱手段を備えて
いるという構成を有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。図１は、本願発明の第一の実施形態に係
るマルチチャンバースパッタリング装置の構成を説明す
る平面概略図である。図１に示すように、本実施形態の
スパッタリング装置は、中央に配置された搬送チャンバ
ー４と搬送チャンバー４の周囲に配設された複数のチャ
ンバーからなるマルチチャンバータイプのシステムにな
っている。周囲のチャンバーは、不図示のゲートバルブ
を介して中央の搬送チャンバー４に気密に接続されてい
る。各々のチャンバーには、専用又は兼用の排気系（図
１中不図示）が備えられ、所定の圧力まで排気可能とな
っている。
いて説明する。図１は、本願発明の第一の実施形態に係
るマルチチャンバースパッタリング装置の構成を説明す
る平面概略図である。図１に示すように、本実施形態の
スパッタリング装置は、中央に配置された搬送チャンバ
ー４と搬送チャンバー４の周囲に配設された複数のチャ
ンバーからなるマルチチャンバータイプのシステムにな
っている。周囲のチャンバーは、不図示のゲートバルブ
を介して中央の搬送チャンバー４に気密に接続されてい
る。各々のチャンバーには、専用又は兼用の排気系（図
１中不図示）が備えられ、所定の圧力まで排気可能とな
っている。
【０００８】搬送チャンバー４内には、搬送機構とし
て、真空中で基板１０を自動搬送できる搬送ロボット４
１（図２に示す）が設けられている。また、周囲のチャ
ンバーのうちの隣り合って配置された二つのチャンバー
は、ロードロックチャンバー２及びアンロードロックチ
ャンバー３になっている。そして、他の周囲のチャンバ
ー（プロセスチャンバー）のうち、一つのチャンバーが
デガスチャンバー５であり、他の一つがエッチングチャ
ンバー６であり、残りの四つのチャンバーがスパッタチ
ャンバー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄになっている。上述の
ようなシステムである本実施形態の装置では、成膜処理
される基板１０は、基板カセット２１に所定数（２５枚
程度）収容され、ロードロックチャンバー２内に配置さ
れる。そして、搬送ロボット４１が、ロードロックチャ
ンバー２内の基板カセット２１から基板１０を一枚ずつ
取り出して各プロセスチャンバーに順次搬送し、成膜処
理を含む各種処理を行った後、アンロードロックチャン
バー３に戻すようになっている。アンロードロックチャ
ンバー３には、同様に基板カセット３１が配置されてお
り、処理が終わった基板１０を所定数まで収容可能とな
っている。
て、真空中で基板１０を自動搬送できる搬送ロボット４
１（図２に示す）が設けられている。また、周囲のチャ
ンバーのうちの隣り合って配置された二つのチャンバー
は、ロードロックチャンバー２及びアンロードロックチ
ャンバー３になっている。そして、他の周囲のチャンバ
ー（プロセスチャンバー）のうち、一つのチャンバーが
デガスチャンバー５であり、他の一つがエッチングチャ
ンバー６であり、残りの四つのチャンバーがスパッタチ
ャンバー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄになっている。上述の
ようなシステムである本実施形態の装置では、成膜処理
される基板１０は、基板カセット２１に所定数（２５枚
程度）収容され、ロードロックチャンバー２内に配置さ
れる。そして、搬送ロボット４１が、ロードロックチャ
ンバー２内の基板カセット２１から基板１０を一枚ずつ
取り出して各プロセスチャンバーに順次搬送し、成膜処
理を含む各種処理を行った後、アンロードロックチャン
バー３に戻すようになっている。アンロードロックチャ
ンバー３には、同様に基板カセット３１が配置されてお
り、処理が終わった基板１０を所定数まで収容可能とな
っている。
【０００９】本実施形態の装置は、デガスチャンバー５
の部分に大きな特徴点があるので、以下、デガスチャン
バー５に重点を置いて説明する。図２は、図１の装置の
Ｘ−Ｘにおける断面概略図であり、図３は、図１の装置
のＹ−Ｙにおける断面概略図である。デガスチャンバー
５は、排気系５０１を有する真空容器であり、ゲートバ
ルブ５０２を介して搬送チャンバー４に気密に接続され
ている。このデガスチャンバー５内には、ヒートステー
ジ５１が二つ設けられている。各々のヒートステージ５
１は、同じ大きさの高さの低い略円柱状の形状である。
そして、各々の上面に基板１０を載置して当該基板１０
を加熱するようになっている。各ヒートステージ内５１
には、加熱手段５１１が設けられている。加熱手段５１
１としては、例えば加熱用ランプやセラミックヒータ等
の輻射加熱によるものが使用できる。加熱手段から出た
輻射線はヒートステージ５１を加熱し、上面に載置され
た基板１０を上面を通しての熱伝導により加熱するよう
になっている。
の部分に大きな特徴点があるので、以下、デガスチャン
バー５に重点を置いて説明する。図２は、図１の装置の
Ｘ−Ｘにおける断面概略図であり、図３は、図１の装置
のＹ−Ｙにおける断面概略図である。デガスチャンバー
５は、排気系５０１を有する真空容器であり、ゲートバ
ルブ５０２を介して搬送チャンバー４に気密に接続され
ている。このデガスチャンバー５内には、ヒートステー
ジ５１が二つ設けられている。各々のヒートステージ５
１は、同じ大きさの高さの低い略円柱状の形状である。
そして、各々の上面に基板１０を載置して当該基板１０
を加熱するようになっている。各ヒートステージ内５１
には、加熱手段５１１が設けられている。加熱手段５１
１としては、例えば加熱用ランプやセラミックヒータ等
の輻射加熱によるものが使用できる。加熱手段から出た
輻射線はヒートステージ５１を加熱し、上面に載置され
た基板１０を上面を通しての熱伝導により加熱するよう
になっている。
【００１０】また、デガスチャンバー５内には、搬送ロ
ボット４１のアーム４１１と各ヒートステージ５１との
間で基板１０の受け渡しを行うための受け渡し機構５２
が設けられている。受け渡し機構５２は、基板１０の直
径に相当する距離で対向した一対の支持具５２１と、支
持具５２１を上下動させて基板１０のヒートステージ５
１への載置とヒートステージ５１からの取り去りを行う
駆動機構５２２とから構成されている。一方、各ヒート
ステージ５１の上面の周縁には、二つの退避用凹部５１
２が形成されている。退避用凹部５１２は直径方向に対
向して設けられており、上面から所定の深さで形成され
ている。図３に示すようにアーム４１が基板１０を搬送
してきてヒートステージ５１の上方に達すると、支持具
５２１が上昇して基板１０の周縁を支持する。そして、
この状態で支持具５２１が下降し、これによって基板１
０がヒートステージ５１に載置されるようになってい
る。この際、下降してきた支持具５２１は、図３に示す
ように退避用凹部５１２の内部に退避するようになって
いる。
ボット４１のアーム４１１と各ヒートステージ５１との
間で基板１０の受け渡しを行うための受け渡し機構５２
が設けられている。受け渡し機構５２は、基板１０の直
径に相当する距離で対向した一対の支持具５２１と、支
持具５２１を上下動させて基板１０のヒートステージ５
１への載置とヒートステージ５１からの取り去りを行う
駆動機構５２２とから構成されている。一方、各ヒート
ステージ５１の上面の周縁には、二つの退避用凹部５１
２が形成されている。退避用凹部５１２は直径方向に対
向して設けられており、上面から所定の深さで形成され
ている。図３に示すようにアーム４１が基板１０を搬送
してきてヒートステージ５１の上方に達すると、支持具
５２１が上昇して基板１０の周縁を支持する。そして、
この状態で支持具５２１が下降し、これによって基板１
０がヒートステージ５１に載置されるようになってい
る。この際、下降してきた支持具５２１は、図３に示す
ように退避用凹部５１２の内部に退避するようになって
いる。
【００１１】次に、図１及び図２を使用して、本実施形
態のスパッタリング装置の他の構成について簡単に説明
する。まず、各スパッタチャンバー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、
１Ｄは、排気系１１を備えた真空容器であり、ゲートバ
ルブ１０１を介して搬送チャンバー４に気密に接続され
ている。スパッタチャンバー１内には、カソード１２と
基板ホルダ１３とが対向して配置されており、カソード
１２に所定の電圧（負の直流電圧又は高周波電圧）を与
えるスパッタ電源１５や、スパッタリングのための所定
のガスを導入するガス導入系１４などが具備されいる。
尚、カソード１２に具備されたターゲット１２１は、成
膜する材料に応じた所定の材料のものが使用される。ま
た、基板ホルダ１３には加熱手段１３１が内蔵され、成
膜中に基板１０を１００〜５００℃程度に加熱するよう
になっている。加熱手段１３１としては、デガスチャン
バー５の加熱手段５１１と同様に輻射加熱によるものを
使用してもよいし、タングステンヒータ等の抵抗加熱に
よるものを埋設して使用してもよい。
態のスパッタリング装置の他の構成について簡単に説明
する。まず、各スパッタチャンバー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、
１Ｄは、排気系１１を備えた真空容器であり、ゲートバ
ルブ１０１を介して搬送チャンバー４に気密に接続され
ている。スパッタチャンバー１内には、カソード１２と
基板ホルダ１３とが対向して配置されており、カソード
１２に所定の電圧（負の直流電圧又は高周波電圧）を与
えるスパッタ電源１５や、スパッタリングのための所定
のガスを導入するガス導入系１４などが具備されいる。
尚、カソード１２に具備されたターゲット１２１は、成
膜する材料に応じた所定の材料のものが使用される。ま
た、基板ホルダ１３には加熱手段１３１が内蔵され、成
膜中に基板１０を１００〜５００℃程度に加熱するよう
になっている。加熱手段１３１としては、デガスチャン
バー５の加熱手段５１１と同様に輻射加熱によるものを
使用してもよいし、タングステンヒータ等の抵抗加熱に
よるものを埋設して使用してもよい。
【００１２】搬送チャンバー４内に配置された搬送機構
としての搬送ロボット４１は、アーム４１１の上面で基
板１０を支持して搬送するよう構成されている。搬送ロ
ボット４１のアーム４１１は、静電吸着によって基板１
０を吸着支持しながら、水平方向の直線運動、上下運
動、及び、垂直な軸の周りの回転運動が可能に構成され
ている。図１に示すエッチングチャンバー６は、スパッ
タリングに先だって基板１０の表面の酸化膜等をエッチ
ングして除去するプロセスチャンバーである。エッチン
グを行うための構成は色々あるが、例えば、アルゴン等
のガスを高周波放電などによりプラズマ化し、基板１０
に対して所定のバイアス電圧を与えることで基板１０の
表面をスパッタエッチングする構成が採用される。
としての搬送ロボット４１は、アーム４１１の上面で基
板１０を支持して搬送するよう構成されている。搬送ロ
ボット４１のアーム４１１は、静電吸着によって基板１
０を吸着支持しながら、水平方向の直線運動、上下運
動、及び、垂直な軸の周りの回転運動が可能に構成され
ている。図１に示すエッチングチャンバー６は、スパッ
タリングに先だって基板１０の表面の酸化膜等をエッチ
ングして除去するプロセスチャンバーである。エッチン
グを行うための構成は色々あるが、例えば、アルゴン等
のガスを高周波放電などによりプラズマ化し、基板１０
に対して所定のバイアス電圧を与えることで基板１０の
表面をスパッタエッチングする構成が採用される。
【００１３】また、隣接して配置されたロードロックチ
ャンバー２とアンロードロックチャンバー３の外側に
は、不図示のオートローディング機構及びオートアンロ
ーディング機構がそれぞれ配設されている。オートロー
ディング機構はロードロックチャンバー２内の基板カセ
ット２１に不図示のキャリアカセットから基板１０を自
動的に装着し、オートアンローディング機構はアンロー
ドロックチャンバー３内の基板カセット３１から不図示
のキャリアカセットに基板１０を自動的に回収するよう
になっている。次に、上記構成に係る本実施形態のマル
チチャンバースパッタリング装置の動作を説明する。以
下の説明では、一例としてＭＯＳ−ＦＥＴ回路における
チャンネル配線の形成などのためのスパッタリングプロ
セスを想定して説明を行う。
ャンバー２とアンロードロックチャンバー３の外側に
は、不図示のオートローディング機構及びオートアンロ
ーディング機構がそれぞれ配設されている。オートロー
ディング機構はロードロックチャンバー２内の基板カセ
ット２１に不図示のキャリアカセットから基板１０を自
動的に装着し、オートアンローディング機構はアンロー
ドロックチャンバー３内の基板カセット３１から不図示
のキャリアカセットに基板１０を自動的に回収するよう
になっている。次に、上記構成に係る本実施形態のマル
チチャンバースパッタリング装置の動作を説明する。以
下の説明では、一例としてＭＯＳ−ＦＥＴ回路における
チャンネル配線の形成などのためのスパッタリングプロ
セスを想定して説明を行う。
【００１４】まず、オートローディング機構がロードロ
ックチャンバー２内の基板カセット２１に所定数の基板
１０を装着し、入り口側のゲートバルブを閉じて所定の
圧力までロードロックチャンバー２を排気する。次に、
搬送チャンバー４側のゲートバルブが開き、搬送ロボッ
ト４１が一枚めの基板１０を基板カセット２１から取り
出してデガスチャンバー５に搬送し、前述のような動作
で基板１０を一方のヒートステージ５１に載置する。そ
して、引き続いて搬送ロボット４１が二枚めの基板１０
を基板カセット２１から取り出してデガスチャンバー５
に搬送し、同様の動作で基板１０を他方のヒートステー
ジ５１に載置する。二枚の基板１０は、二つのヒートス
テージ５１上で同時に加熱され、基板１０に含まれる水
や酸素等の不純物が基板１０から脱離する。加熱温度
は、例えば２００〜２５０℃程度であり、加熱時間は６
０〜１２０秒程度である。
ックチャンバー２内の基板カセット２１に所定数の基板
１０を装着し、入り口側のゲートバルブを閉じて所定の
圧力までロードロックチャンバー２を排気する。次に、
搬送チャンバー４側のゲートバルブが開き、搬送ロボッ
ト４１が一枚めの基板１０を基板カセット２１から取り
出してデガスチャンバー５に搬送し、前述のような動作
で基板１０を一方のヒートステージ５１に載置する。そ
して、引き続いて搬送ロボット４１が二枚めの基板１０
を基板カセット２１から取り出してデガスチャンバー５
に搬送し、同様の動作で基板１０を他方のヒートステー
ジ５１に載置する。二枚の基板１０は、二つのヒートス
テージ５１上で同時に加熱され、基板１０に含まれる水
や酸素等の不純物が基板１０から脱離する。加熱温度
は、例えば２００〜２５０℃程度であり、加熱時間は６
０〜１２０秒程度である。
【００１５】所定時間の加熱が終了すると、搬送ロボッ
ト４１は基板１０を一枚ずつデガスチャンバー５から取
り出し、エッチングチャンバー６に搬送する。そして、
基板１０は、エッチングチャンバー６でエッチングされ
て表面の酸化膜などが除去された後、スパッタチャンバ
ー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄに搬送され、所定のスパッタ
リングが行われる。この際、エッチングチャンバー６に
は、二枚の基板１０を同時に保持できる基板ホルダを配
置して二枚の基板１０を同時にエッチング処理してもよ
いし、一方の基板１０のエッチング処理中には他方の基
板１０を搬送チャンバー４又はデガスチャンバー５内に
待機させて、一枚ずつエッチング処理を行ってもよい。
また、スパッタ処理も同様であり、四つのスパッタチャ
ンバー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄに一枚の順次搬送してス
パッタリングを行ってもよいし、四つのスパッタチャン
バー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄのうち二つずつを同様なス
パッタ処理を行うスパッタチャンバーとし、二枚の基板
１０について同じスパッタ処理を並行して行うようにし
てもよい。
ト４１は基板１０を一枚ずつデガスチャンバー５から取
り出し、エッチングチャンバー６に搬送する。そして、
基板１０は、エッチングチャンバー６でエッチングされ
て表面の酸化膜などが除去された後、スパッタチャンバ
ー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄに搬送され、所定のスパッタ
リングが行われる。この際、エッチングチャンバー６に
は、二枚の基板１０を同時に保持できる基板ホルダを配
置して二枚の基板１０を同時にエッチング処理してもよ
いし、一方の基板１０のエッチング処理中には他方の基
板１０を搬送チャンバー４又はデガスチャンバー５内に
待機させて、一枚ずつエッチング処理を行ってもよい。
また、スパッタ処理も同様であり、四つのスパッタチャ
ンバー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄに一枚の順次搬送してス
パッタリングを行ってもよいし、四つのスパッタチャン
バー１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄのうち二つずつを同様なス
パッタ処理を行うスパッタチャンバーとし、二枚の基板
１０について同じスパッタ処理を並行して行うようにし
てもよい。
【００１６】このようにしてスパッタチャンバー１Ａ、
１Ｂ、１Ｃ、１Ｄで所定の薄膜を作成した後、基板１０
はアンロードロックチャンバー３に搬送され、基板カセ
ット３１に収容される。このようにしてロードロックチ
ャンバー２から基板１０を一枚ずつ取り出し、各プロセ
スチャンバーに順次搬送してスパッタリングを行い、ア
ンロードロックチャンバー３に回収する。そして、ロー
ドロックチャンバー２内の基板カセット２１に収容され
ていたすべての基板１０がアンロードロックチャンバー
３内の基板カセット２１に回収されると、アンロードロ
ックチャンバー３のベントガス導入系３５が動作し、ア
ンロードロックチャンバー３内を大気圧に戻す。そし
て、ゲートバルブ３６が開き、オートアンローディング
機構が基板１０をキャリアカセットに回収する。
１Ｂ、１Ｃ、１Ｄで所定の薄膜を作成した後、基板１０
はアンロードロックチャンバー３に搬送され、基板カセ
ット３１に収容される。このようにしてロードロックチ
ャンバー２から基板１０を一枚ずつ取り出し、各プロセ
スチャンバーに順次搬送してスパッタリングを行い、ア
ンロードロックチャンバー３に回収する。そして、ロー
ドロックチャンバー２内の基板カセット２１に収容され
ていたすべての基板１０がアンロードロックチャンバー
３内の基板カセット２１に回収されると、アンロードロ
ックチャンバー３のベントガス導入系３５が動作し、ア
ンロードロックチャンバー３内を大気圧に戻す。そし
て、ゲートバルブ３６が開き、オートアンローディング
機構が基板１０をキャリアカセットに回収する。
【００１７】上記構成及び動作に係る本実施形態のマル
チチャンバースパッタリング装置によれば、デガスチャ
ンバー５が二つのヒートステージ５１を備えているの
で、とかく時間がかかり易いデガスプロセスの生産性が
倍増し、スパッタリングプロセス全体の生産性の大幅な
向上に寄与することができる。尚、デガスチャンバー５
を１基追加することによっても同様な効果が得られる
が、デガスチャンバー５を追加するには、搬送チャンバ
ー４のサイズを大きくする必要があり、装置を設置する
為の床面積が大きくなり設備投資の上では不利となる問
題がある。従って、本実施形態の構成は、省スペース化
が図られ、設備投資の上からも大きな副次効果が期待で
きる。次に、本願発明の他の実施形態について説明す
る。以下に説明する実施形態の装置は、ヒートステージ
５１の部分の構成が異なっているのみであり、他の部分
の構成は上述の実施形態と同様である。
チチャンバースパッタリング装置によれば、デガスチャ
ンバー５が二つのヒートステージ５１を備えているの
で、とかく時間がかかり易いデガスプロセスの生産性が
倍増し、スパッタリングプロセス全体の生産性の大幅な
向上に寄与することができる。尚、デガスチャンバー５
を１基追加することによっても同様な効果が得られる
が、デガスチャンバー５を追加するには、搬送チャンバ
ー４のサイズを大きくする必要があり、装置を設置する
為の床面積が大きくなり設備投資の上では不利となる問
題がある。従って、本実施形態の構成は、省スペース化
が図られ、設備投資の上からも大きな副次効果が期待で
きる。次に、本願発明の他の実施形態について説明す
る。以下に説明する実施形態の装置は、ヒートステージ
５１の部分の構成が異なっているのみであり、他の部分
の構成は上述の実施形態と同様である。
【００１８】図４は、本願発明の第二の実施形態のスパ
ッタリング装置におけるヒートステージの構成を説明す
る斜視概略図である。この実施形態におけるヒートステ
ージ５１は、基板１０の裏面に接触するようにして加熱
用ガスを導入する加熱用ガス導入手段５１３を備えてい
る。ヒートステージ３３の上面には、加熱用ガスを導入
するための溝又は凹部５１３１が形成されており、ヒー
トステージ５１の内部にはこの溝又は凹部５１３１に連
通した連通孔５１３２が貫通して設けられている。連通
孔５１３２には、加熱用ガスの供給管５１３３が接続さ
れている。また、ヒートステージ５１の上面の溝又は凹
部５１３１は、基板１０が載置された際に基板１０によ
って塞がれた状態となるよう形成されている。
ッタリング装置におけるヒートステージの構成を説明す
る斜視概略図である。この実施形態におけるヒートステ
ージ５１は、基板１０の裏面に接触するようにして加熱
用ガスを導入する加熱用ガス導入手段５１３を備えてい
る。ヒートステージ３３の上面には、加熱用ガスを導入
するための溝又は凹部５１３１が形成されており、ヒー
トステージ５１の内部にはこの溝又は凹部５１３１に連
通した連通孔５１３２が貫通して設けられている。連通
孔５１３２には、加熱用ガスの供給管５１３３が接続さ
れている。また、ヒートステージ５１の上面の溝又は凹
部５１３１は、基板１０が載置された際に基板１０によ
って塞がれた状態となるよう形成されている。
【００１９】連通孔５１３２を通して溝又は凹部５１３
１に導入された加熱用ガスは、基板１０の裏面に接触し
て熱交換を行い、ヒートステージ５１に対して良好に熱
を伝える。この結果、ヒートステージ５１による基板１
０の加熱効率が向上し、加熱に要する時間を短縮するこ
とができる。即ち、基板１０の裏面とヒートステージ５
１の上面との面接触が完全ではなく僅かな隙間が形成さ
れる場合、その隙間の部分については真空中であるため
熱の伝導伝達ができず、専ら放射によるのみとなる。し
かし、本実施形態のように加熱用ガスを導入すると、対
流作用等を生じて加熱用ガスがヒートステージ５１の熱
を基板１０に伝えるため、加熱効率が向上する。
１に導入された加熱用ガスは、基板１０の裏面に接触し
て熱交換を行い、ヒートステージ５１に対して良好に熱
を伝える。この結果、ヒートステージ５１による基板１
０の加熱効率が向上し、加熱に要する時間を短縮するこ
とができる。即ち、基板１０の裏面とヒートステージ５
１の上面との面接触が完全ではなく僅かな隙間が形成さ
れる場合、その隙間の部分については真空中であるため
熱の伝導伝達ができず、専ら放射によるのみとなる。し
かし、本実施形態のように加熱用ガスを導入すると、対
流作用等を生じて加熱用ガスがヒートステージ５１の熱
を基板１０に伝えるため、加熱効率が向上する。
【００２０】加熱用ガスとしては、アルゴン、窒素、ヘ
リウム等の希ガス又は不活性ガスが好適に使用される。
また、上記溝又は凹部５１３１内に導入された状態での
加熱用ガスの圧力は、例えば５〜１０Ｔｏｒｒ程度でよ
い。尚、加熱用ガスの温度は室温でも効果があるが、室
温以上の温度に加熱したものを用いるとさらに効果的で
ある。図５は、本願発明の第三の実施形態のスパッタリ
ング装置における加熱ステージの構成を説明する断面概
略図である。この第三の実施形態では、ヒートステージ
５１に基板１０を押し付けて面接触を強化する押し付け
機構５１４が設けられている。押し付け機構５１４は、
基板１０の外径に相当する大きさのリング状の押し付け
体５１４１と、押し付け体５１４１を駆動する駆動機構
５１４２とから構成されている。駆動機構５１４２は、
ヒートステージ５１に対して弾性力を作用させるバネ材
とバネ材の力に抗して押し付け体５１４１を上昇させる
押し上げ棒等から構成されている。
リウム等の希ガス又は不活性ガスが好適に使用される。
また、上記溝又は凹部５１３１内に導入された状態での
加熱用ガスの圧力は、例えば５〜１０Ｔｏｒｒ程度でよ
い。尚、加熱用ガスの温度は室温でも効果があるが、室
温以上の温度に加熱したものを用いるとさらに効果的で
ある。図５は、本願発明の第三の実施形態のスパッタリ
ング装置における加熱ステージの構成を説明する断面概
略図である。この第三の実施形態では、ヒートステージ
５１に基板１０を押し付けて面接触を強化する押し付け
機構５１４が設けられている。押し付け機構５１４は、
基板１０の外径に相当する大きさのリング状の押し付け
体５１４１と、押し付け体５１４１を駆動する駆動機構
５１４２とから構成されている。駆動機構５１４２は、
ヒートステージ５１に対して弾性力を作用させるバネ材
とバネ材の力に抗して押し付け体５１４１を上昇させる
押し上げ棒等から構成されている。
【００２１】搬送ロボット４１のアーム４１１が基板１
０をヒートステージ５１に載置すると、駆動機構５１４
２が押し付け体５１４１を下方に移動させ、基板１０の
周縁の上に載せる。これによって基板１０のヒートステ
ージ５１に対する面接触が強化され、加熱効率が向上す
る。尚、押し付け体５１４１は、基板１０の周縁の素子
が形成されていないマージンの部分を押し付けるよう構
成される。図６は本願発明の第四の実施形態のスパッタ
リング装置におけるヒートステージの構成を説明する断
面概略図である。この第四の実施形態では、ヒートステ
ージ５１に対する基板１０の面接触を強化するため、静
電吸着機構が設けられている。即ち、ヒートステージ５
１の基板載置面側には誘電体ブロック５１５３が熱伝導
性良く接続されており、誘電体ブロック５１５３内に一
対の吸着電極５１５１が埋設されている。そして、吸着
電極５１５１には所定の電圧を印加する吸着用電源５１
５２が接続されている。また、誘電体ブロック５１５３
の上面には、表面保護や誘電率調整等の目的で窒化アル
ミニウム等の不図示の誘電体膜が５〜１０μｍ程度の厚
さで形成されている。尚、誘電体ブロック５１５３や誘
電体膜の厚さは、熱伝導性をあまり低下させないよう、
必要な吸着効果が得られる範囲内でなるべく薄い厚さと
しておくことが好ましい。この第四の実施形態によれ
ば、ヒートステージ５１に対する基板１０の面接触が強
化されるので、加熱効率が向上し、加熱のための時間を
短縮することができる。
０をヒートステージ５１に載置すると、駆動機構５１４
２が押し付け体５１４１を下方に移動させ、基板１０の
周縁の上に載せる。これによって基板１０のヒートステ
ージ５１に対する面接触が強化され、加熱効率が向上す
る。尚、押し付け体５１４１は、基板１０の周縁の素子
が形成されていないマージンの部分を押し付けるよう構
成される。図６は本願発明の第四の実施形態のスパッタ
リング装置におけるヒートステージの構成を説明する断
面概略図である。この第四の実施形態では、ヒートステ
ージ５１に対する基板１０の面接触を強化するため、静
電吸着機構が設けられている。即ち、ヒートステージ５
１の基板載置面側には誘電体ブロック５１５３が熱伝導
性良く接続されており、誘電体ブロック５１５３内に一
対の吸着電極５１５１が埋設されている。そして、吸着
電極５１５１には所定の電圧を印加する吸着用電源５１
５２が接続されている。また、誘電体ブロック５１５３
の上面には、表面保護や誘電率調整等の目的で窒化アル
ミニウム等の不図示の誘電体膜が５〜１０μｍ程度の厚
さで形成されている。尚、誘電体ブロック５１５３や誘
電体膜の厚さは、熱伝導性をあまり低下させないよう、
必要な吸着効果が得られる範囲内でなるべく薄い厚さと
しておくことが好ましい。この第四の実施形態によれ
ば、ヒートステージ５１に対する基板１０の面接触が強
化されるので、加熱効率が向上し、加熱のための時間を
短縮することができる。
【００２２】
【実施例】次に、具体的なスパッタプロセスに即して、
本願発明の実施例を説明する。図７は、上記実施形態の
装置を用いたスパッタプロセスについて説明する図であ
り、ＤＲＡＭ等の集積回路で用いられている多層配線構
造を示した断面概略図である。図７に示す多層配線構造
では、不図示の素子部分の上層に形成された第一層配線
７１の上に第二層配線７２が形成されている。そして、
例えば第二層配線の部分７２を上記スパッタリング装置
を用いて形成する。尚、第二層配線７２は、第一層と第
二層とを絶縁する層間絶縁膜７３に設けたスルーホール
を埋めるようにして形成した層間配線部７２１と、層間
絶縁層の上面に形成した主配線部７２２とからなる。
本願発明の実施例を説明する。図７は、上記実施形態の
装置を用いたスパッタプロセスについて説明する図であ
り、ＤＲＡＭ等の集積回路で用いられている多層配線構
造を示した断面概略図である。図７に示す多層配線構造
では、不図示の素子部分の上層に形成された第一層配線
７１の上に第二層配線７２が形成されている。そして、
例えば第二層配線の部分７２を上記スパッタリング装置
を用いて形成する。尚、第二層配線７２は、第一層と第
二層とを絶縁する層間絶縁膜７３に設けたスルーホール
を埋めるようにして形成した層間配線部７２１と、層間
絶縁層の上面に形成した主配線部７２２とからなる。
【００２３】上述のような第二層配線７２を形成する場
合、第一層配線７１が形成された基板１０について前述
のようにデガスとエッチングを行い、その基板１０をス
パッタチャンバー１Ａに搬送する。スパッタチャンバー
１Ａでは、まず下地膜としてＴｉ膜７２３の成膜を行
う。膜厚は、例えば１０００Å程度である。次に、当該
基板１０をスパッタチャンバー１Ｂに搬送し、Ａｌ高温
スパッタを行う。即ち、基板１０を４００℃程度に加熱
しながら、アルミニウムのターゲットをスパッタし、Ａ
ｌ配線膜７２４を作成する。この際、基板１０の熱によ
って基板１０上のアルミニウムは流動性を増し、スルー
ホールの内部に充分溜まってスルーホールを埋める。
合、第一層配線７１が形成された基板１０について前述
のようにデガスとエッチングを行い、その基板１０をス
パッタチャンバー１Ａに搬送する。スパッタチャンバー
１Ａでは、まず下地膜としてＴｉ膜７２３の成膜を行
う。膜厚は、例えば１０００Å程度である。次に、当該
基板１０をスパッタチャンバー１Ｂに搬送し、Ａｌ高温
スパッタを行う。即ち、基板１０を４００℃程度に加熱
しながら、アルミニウムのターゲットをスパッタし、Ａ
ｌ配線膜７２４を作成する。この際、基板１０の熱によ
って基板１０上のアルミニウムは流動性を増し、スルー
ホールの内部に充分溜まってスルーホールを埋める。
【００２４】Ａｌ配線膜７２４の厚さ（主配線部の厚
さ）が例えば８０００〜１００００Å程度になるまでス
パッタチャンバー１Ｂでスパッタリングを行った後、基
板１０をスパッタチャンバー１Ｄに搬送する。スパッタ
チャンバー１Ｄでは、基板１０を所定温度まで冷却した
後、ＴｉＮ膜７２５の成膜を行う。このＴｉＮ膜７２５
の成膜は、さらに上層の膜との相互拡散を防止するため
であり、例えば４００〜５００Å程度の厚さで形成され
る。尚、基板１０の冷却は、スパッタチャンバー１Ｄ内
での自然冷却でもよいし、スパッタチャンバー１Ｄ内に
設けた冷却ステージに基板１０を載置したり、基板１０
に冷却用ガスを吹き付けたりすることで冷却するように
してもよい。このようにして、Ａｌ配線膜７２４の上に
Ｔｉ下地膜７２３及び下にＴｉＮバリア膜７２５を薄く
設けたサンドイッチ構造により、第二層配線７２は形成
される。尚、第一層配線７１についても同様なプロセス
で形成されることがあるのは勿論である。また、上例で
はスパッタチャンバー１Ｃは使用しなかったが、Ａｌ配
線膜の膜厚等のファクターによっては、スパッタチャン
バー１Ｂで半分の厚さのＡｌ配線膜の成膜を行い、スパ
ッタチャンバー１Ｃで残りの半分の厚さの成膜を行うよ
うにする場合がある。
さ）が例えば８０００〜１００００Å程度になるまでス
パッタチャンバー１Ｂでスパッタリングを行った後、基
板１０をスパッタチャンバー１Ｄに搬送する。スパッタ
チャンバー１Ｄでは、基板１０を所定温度まで冷却した
後、ＴｉＮ膜７２５の成膜を行う。このＴｉＮ膜７２５
の成膜は、さらに上層の膜との相互拡散を防止するため
であり、例えば４００〜５００Å程度の厚さで形成され
る。尚、基板１０の冷却は、スパッタチャンバー１Ｄ内
での自然冷却でもよいし、スパッタチャンバー１Ｄ内に
設けた冷却ステージに基板１０を載置したり、基板１０
に冷却用ガスを吹き付けたりすることで冷却するように
してもよい。このようにして、Ａｌ配線膜７２４の上に
Ｔｉ下地膜７２３及び下にＴｉＮバリア膜７２５を薄く
設けたサンドイッチ構造により、第二層配線７２は形成
される。尚、第一層配線７１についても同様なプロセス
で形成されることがあるのは勿論である。また、上例で
はスパッタチャンバー１Ｃは使用しなかったが、Ａｌ配
線膜の膜厚等のファクターによっては、スパッタチャン
バー１Ｂで半分の厚さのＡｌ配線膜の成膜を行い、スパ
ッタチャンバー１Ｃで残りの半分の厚さの成膜を行うよ
うにする場合がある。
【００２５】次に、上例に即して、生産性改善の具体的
数値について説明する。上例のＡｌ配線プロセスを行う
場合、通常次のような処理時間で処理される。 デガス（デガスチャンバー５）：１２０秒 エッチング（エッチングチャンバー６）：６０秒 ＴｉＮスパッタ（スパッタチャンバー１Ａ）：６０秒 高温Ａｌスパッタ（スパッタチャンバー１Ｂ，１
Ｃ）：１２０秒 冷却及びＴｉＮスパッタ（スパッタチャンバー１
Ｄ）：６０秒 尚、の高温Ａｌスパッタは、スパッタチャンバー１Ｂ
で最初６０秒行い、スパチャンバー１Ｃで残りの６０秒
を行うか、二つのスパッタチャンバー１Ｂ，１Ｃで二枚
の基板を並行処理する。
数値について説明する。上例のＡｌ配線プロセスを行う
場合、通常次のような処理時間で処理される。 デガス（デガスチャンバー５）：１２０秒 エッチング（エッチングチャンバー６）：６０秒 ＴｉＮスパッタ（スパッタチャンバー１Ａ）：６０秒 高温Ａｌスパッタ（スパッタチャンバー１Ｂ，１
Ｃ）：１２０秒 冷却及びＴｉＮスパッタ（スパッタチャンバー１
Ｄ）：６０秒 尚、の高温Ａｌスパッタは、スパッタチャンバー１Ｂ
で最初６０秒行い、スパチャンバー１Ｃで残りの６０秒
を行うか、二つのスパッタチャンバー１Ｂ，１Ｃで二枚
の基板を並行処理する。
【００２６】さて、上記処理をデガスチャンバー５内の
ヒートステージ５１が一つであるマルチチャンバースパ
ッタリング装置を用いて行う場合、スループット（毎時
間当たりのウエハー処理枚数）で表すと、１時間当たり
約２６枚程度となる。このスループットは、高温プロセ
スを用いない標準的なプロセスと比較すると、約５０％
の処理量となってしまい、生産性の点で大きな欠点とな
る。一方、上記実施形態の装置のように、デガスチャン
バー５内に二つのヒートステージ５１を設けると、スル
ープットは飛躍的に向上し、１時間当たり約４０枚とな
る。具体的には、一枚めの基板１０を一方のヒートステ
ージ５１に載置し、６０秒経過後に二枚めの基板１０を
他方のヒートステージ５１に載置する。そして、もう６
０秒経過後に一方のヒートステージ５１から一枚目の基
板１０を取り去ってエッチングチャンバー６に送り、さ
らに６０秒経過後に二枚めの基板１０をエッチングチャ
ンバー６に送るようにする。
ヒートステージ５１が一つであるマルチチャンバースパ
ッタリング装置を用いて行う場合、スループット（毎時
間当たりのウエハー処理枚数）で表すと、１時間当たり
約２６枚程度となる。このスループットは、高温プロセ
スを用いない標準的なプロセスと比較すると、約５０％
の処理量となってしまい、生産性の点で大きな欠点とな
る。一方、上記実施形態の装置のように、デガスチャン
バー５内に二つのヒートステージ５１を設けると、スル
ープットは飛躍的に向上し、１時間当たり約４０枚とな
る。具体的には、一枚めの基板１０を一方のヒートステ
ージ５１に載置し、６０秒経過後に二枚めの基板１０を
他方のヒートステージ５１に載置する。そして、もう６
０秒経過後に一方のヒートステージ５１から一枚目の基
板１０を取り去ってエッチングチャンバー６に送り、さ
らに６０秒経過後に二枚めの基板１０をエッチングチャ
ンバー６に送るようにする。
【００２７】このように動作させると、デガスチャンバ
ー５の処理時間は、見かけ上、一枚当たり６０秒とな
り、デガスプロセスの生産性は倍増する。尚、二つのヒ
ートステージ５１に二枚の基板１０を同時載置し、１２
０秒後に二枚の基板１０を取り去るようにしてもよいこ
とは勿論である。上記説明において、ヒートステージの
数は二つであったが、三つ、四つ、もしくはそれ以上の
ヒートステージを一つのデガスチャンバー５内に配置す
るようにしてもよい。ヒートステージの数を多くするこ
とで、デガスプロセスの生産性はさらに向上する。ま
た、デガスの目的としては、高温スパッタ時の配線材料
の流動性確保の目的の他、作成する膜と下地との密着性
を向上させたり、膜の比抵抗等の特性を安定化させたり
するため、基板を予め加熱してデガスすることがある。
さらに、配線材料の例としてアルミニウムを採り上げた
が、タングステン等を使用する場合もあり、その場合に
はタングステンよりなるターゲットを使用してスパッタ
リングを行う。
ー５の処理時間は、見かけ上、一枚当たり６０秒とな
り、デガスプロセスの生産性は倍増する。尚、二つのヒ
ートステージ５１に二枚の基板１０を同時載置し、１２
０秒後に二枚の基板１０を取り去るようにしてもよいこ
とは勿論である。上記説明において、ヒートステージの
数は二つであったが、三つ、四つ、もしくはそれ以上の
ヒートステージを一つのデガスチャンバー５内に配置す
るようにしてもよい。ヒートステージの数を多くするこ
とで、デガスプロセスの生産性はさらに向上する。ま
た、デガスの目的としては、高温スパッタ時の配線材料
の流動性確保の目的の他、作成する膜と下地との密着性
を向上させたり、膜の比抵抗等の特性を安定化させたり
するため、基板を予め加熱してデガスすることがある。
さらに、配線材料の例としてアルミニウムを採り上げた
が、タングステン等を使用する場合もあり、その場合に
はタングステンよりなるターゲットを使用してスパッタ
リングを行う。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した通り、本願発明によれば、
デガスチャンバーが複数のヒートステージを備えている
ので、とかく時間がかかり易いデガスプロセスの生産性
が飛躍的に改善され、スパッタリングプロセス全体の生
産性の大幅な向上に寄与することができる。また、デガ
スチャンバー自体の数を多くする場合に比べ、装置の占
有面積が小さくでき、設備投資の上からも大きな副次効
果が期待できる。また、請求項２の発明によれば、上記
効果に加え、ヒートステージが、基板の裏面に接触する
ようにして加熱用ガスを導入する加熱用ガス導入手段を
備えているので、加熱効率が向上し、加熱に要する時間
を短縮させることができ、さらなる生産性の向上が期待
できる。また、請求項３又は４の発明によれば、上記効
果に加え、基板と加熱ステージとの面接触が強化される
ので、加熱効率の向上によってさらなる生産性の向上が
期待できる。また、請求項５の発明によれば、上記各効
果を得ながら、微小ホールに対する被覆性に優れた高温
Ａｌスパッタを行うことができ、集積度の高いデバイス
の配線用として好適なプロセスを行うことが可能とな
る。
デガスチャンバーが複数のヒートステージを備えている
ので、とかく時間がかかり易いデガスプロセスの生産性
が飛躍的に改善され、スパッタリングプロセス全体の生
産性の大幅な向上に寄与することができる。また、デガ
スチャンバー自体の数を多くする場合に比べ、装置の占
有面積が小さくでき、設備投資の上からも大きな副次効
果が期待できる。また、請求項２の発明によれば、上記
効果に加え、ヒートステージが、基板の裏面に接触する
ようにして加熱用ガスを導入する加熱用ガス導入手段を
備えているので、加熱効率が向上し、加熱に要する時間
を短縮させることができ、さらなる生産性の向上が期待
できる。また、請求項３又は４の発明によれば、上記効
果に加え、基板と加熱ステージとの面接触が強化される
ので、加熱効率の向上によってさらなる生産性の向上が
期待できる。また、請求項５の発明によれば、上記各効
果を得ながら、微小ホールに対する被覆性に優れた高温
Ａｌスパッタを行うことができ、集積度の高いデバイス
の配線用として好適なプロセスを行うことが可能とな
る。
【図１】本願発明の第一の実施形態に係るスパッタリン
グ装置の構成を説明する平面概略図である。
グ装置の構成を説明する平面概略図である。
【図２】図１の装置のＸ−Ｘにおける断面概略図であ
る。
る。
【図３】図１のＹ−Ｙにおけるデガスチャンバーの断面
概略図である。
概略図である。
【図４】本願発明の第二の実施形態のスパッタリング装
置におけるヒートステージの構成を説明する斜視概略図
である。
置におけるヒートステージの構成を説明する斜視概略図
である。
【図５】本願発明の第三の実施形態のスパッタリング装
置におけるヒートステージの構成を説明する断面概略図
である。
置におけるヒートステージの構成を説明する断面概略図
である。
【図６】本願発明の第四の実施形態のスパッタリング装
置におけるヒートステージの構成を説明する断面概略図
である。
置におけるヒートステージの構成を説明する断面概略図
である。
【図７】実施形態の装置を用いたスパッタプロセスにつ
いて説明する図であり、ＤＲＡＭ等の集積回路で用いら
れている多層配線構造を示した断面概略図である。
いて説明する図であり、ＤＲＡＭ等の集積回路で用いら
れている多層配線構造を示した断面概略図である。
１Ａ スパッタチャンバー １Ｂ スパッタチャンバー １Ｃ スパッタチャンバー １Ｄ スパッタチャンバー １１ 排気系 １２ カソード １２１ ターゲット １３ 基板ホルダ １４ ガス導入系 １５ スパッタ電源 ２ ロードロックチャンバー ３ アンロードロックチャンバー ４ 搬送チャンバー ４１ 搬送ロボット ５ デガスチャンバー ５１ ヒートステージ ５１１ 加熱手段 ６ エッチングチャンバー
Claims (5)
- 【請求項１】 スパッタチャンバーを含む複数のプロセ
スチャンバーを気密に接続してスパッタリングを含む処
理を真空中で連続して行うマルチチャンバースパッタリ
ング装置において、 複数のプロセスチャンバーのうちの一つは、基板のデガ
スを行うデガスチャンバーであり、このデガスチャンバ
ーには、複数のヒートステージが設けられて複数の基板
を同時に加熱することが可能となっていることを特徴と
するマルチチャンバースパッタリング装置。 - 【請求項２】 前記ヒートステージは、基板の裏面に接
触するようにして加熱用ガスを導入する加熱用ガス導入
手段を備えていることを特徴とする請求項１記載のマル
チチャンバースパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記ヒートステージは、当該ヒートステ
ージの表面に基板を機械的に押し付ける押し付け機構を
備えていることを特徴とする請求項１又は２記載のマル
チチャンバースパッタリング装置。 - 【請求項４】 前記ヒートステージは、静電吸着によっ
て基板を当該ヒートステージの表面に吸着する静電吸着
機構を備えていることを特徴とする請求項１、２又は３
記載のマルチチャンバースパッタリング装置。 - 【請求項５】 前記プロセスチャンバーのうちの一つ
は、アルミニウム系のターゲットを用いたスパッタチャ
ンバーであり、当該スパッタチャンバーは、当該アルミ
ニウム系の材料の融点に近い温度まで基板を加熱して基
板に到達したアルミニウム系材料の流動化させる加熱手
段を備えていることを特徴とする請求項１、２、３又は
４記載のマルチチャンバースパッタリング装置。
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|---|---|---|---|
| JP15004396A JP3537269B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | マルチチャンバースパッタリング装置 |
| TW086106554A TW329019B (en) | 1996-05-21 | 1997-05-16 | Sputtering apparatus |
| US08/859,077 US5925227A (en) | 1996-05-21 | 1997-05-20 | Multichamber sputtering apparatus |
| KR1019970019773A KR100270459B1 (ko) | 1996-05-21 | 1997-05-21 | 멀티챔버 스퍼터링 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15004396A JP3537269B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | マルチチャンバースパッタリング装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312262A true JPH09312262A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3537269B2 JP3537269B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=15488263
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|---|---|---|---|
| JP15004396A Expired - Fee Related JP3537269B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | マルチチャンバースパッタリング装置 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002332570A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
| JP2003013215A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| JP2010126789A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタ成膜装置 |
| JP2011155137A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197685B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Matsushita Electronics Corporation | Method of producing multilayer wiring device with offset axises of upper and lower plugs |
| JP3523197B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2004-04-26 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | メッキ設備及び方法 |
| JP2000150653A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6224942B1 (en) * | 1999-08-19 | 2001-05-01 | Micron Technology, Inc. | Method of forming an aluminum comprising line having a titanium nitride comprising layer thereon |
| US6440219B1 (en) * | 2000-06-07 | 2002-08-27 | Simplus Systems Corporation | Replaceable shielding apparatus |
| US6471830B1 (en) * | 2000-10-03 | 2002-10-29 | Veeco/Cvc, Inc. | Inductively-coupled-plasma ionized physical-vapor deposition apparatus, method and system |
| US6599368B1 (en) * | 2000-10-05 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | System architecture of semiconductor manufacturing equipment |
| KR100421036B1 (ko) * | 2001-03-13 | 2004-03-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 |
| EP1391140B1 (en) * | 2001-04-30 | 2012-10-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
| US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
| US6847014B1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
| JP2003031639A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置 |
| JP2003045947A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Canon Inc | 基板処理装置及び露光装置 |
| US6497734B1 (en) * | 2002-01-02 | 2002-12-24 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput |
| US6632325B2 (en) | 2002-02-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same |
| US6770852B1 (en) | 2003-02-27 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control |
| US7675174B2 (en) | 2003-05-13 | 2010-03-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Method and structure of a thick metal layer using multiple deposition chambers |
| US20050221603A1 (en) * | 2003-06-23 | 2005-10-06 | Applied Materials, Inc. | System architecture of semiconductor manufacturing equipment |
| US20050092254A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-05 | Infineon Technologies Richmond, Lp | PVD transfer robot short blade |
| US7879209B2 (en) * | 2004-08-20 | 2011-02-01 | Jds Uniphase Corporation | Cathode for sputter coating |
| US8038796B2 (en) * | 2004-12-30 | 2011-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate |
| KR100803726B1 (ko) | 2005-08-12 | 2008-02-15 | 주식회사 아이피에스 | 반송챔버의 구조 |
| US20080041716A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Schott Lithotec Usa Corporation | Methods for producing photomask blanks, cluster tool apparatus for producing photomask blanks and the resulting photomask blanks from such methods and apparatus |
| KR20100108364A (ko) * | 2007-12-20 | 2010-10-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버 |
| KR101174883B1 (ko) | 2009-08-24 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
| US8580332B2 (en) * | 2009-09-22 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Thin-film battery methods for complexity reduction |
| WO2011050291A2 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Materials and device stack for market viable electrochromic devices |
| US8399809B1 (en) | 2010-01-05 | 2013-03-19 | Wd Media, Inc. | Load chamber with heater for a disk sputtering system |
| US8517657B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-08-27 | WD Media, LLC | Corner chamber with heater |
| US8354618B1 (en) | 2010-06-30 | 2013-01-15 | Wd Media, Inc. | Load chamber with dual heaters |
| GB201421151D0 (en) | 2014-11-28 | 2015-01-14 | Spts Technologies Ltd | Method of degassing |
| CN107488832B (zh) * | 2016-06-12 | 2019-11-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 沉积设备以及物理气相沉积腔室 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0614520B2 (ja) * | 1983-12-26 | 1994-02-23 | 株式会社日立製作所 | 低圧雰囲気内の処理装置 |
| JPH02268427A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2756502B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アッシング処理装置および方法 |
| US4994162A (en) * | 1989-09-29 | 1991-02-19 | Materials Research Corporation | Planarization method |
| JP2600399B2 (ja) * | 1989-10-23 | 1997-04-16 | 富士電機株式会社 | 半導体ウエーハ処理装置 |
| US5310410A (en) * | 1990-04-06 | 1994-05-10 | Sputtered Films, Inc. | Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus |
| US5067218A (en) * | 1990-05-21 | 1991-11-26 | Motorola, Inc. | Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms |
| KR100188454B1 (ko) * | 1991-05-28 | 1999-06-01 | 이노우에 아키라 | 기판 처리 장치 |
| JPH05152425A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置およびスパツタリング装置 |
| US5378660A (en) * | 1993-02-12 | 1995-01-03 | Applied Materials, Inc. | Barrier layers and aluminum contacts |
| JPH08264465A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
-
1996
- 1996-05-21 JP JP15004396A patent/JP3537269B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-16 TW TW086106554A patent/TW329019B/zh active
- 1997-05-20 US US08/859,077 patent/US5925227A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-21 KR KR1019970019773A patent/KR100270459B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002332570A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Anelva Corp | 基板処理装置 |
| JP2003013215A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| JP2010126789A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタ成膜装置 |
| JP2011155137A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム |
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| US5925227A (en) | 1999-07-20 |
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| TW329019B (en) | 1998-04-01 |
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